KR970018166A - 웨이퍼 식각물질을 이용한 웨이퍼 절단 방법

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석판기법과 웨이퍼 식각물질을 이용하여 웨이퍼를 절단하면 웨이퍼 내의 절단선 영역에서 웨이퍼의 부스러짐 또는 미세균열이 발생됨이 없이 단위 칩이 얻어진다.

웨이퍼 식각물질을 이용한 웨이퍼 절단 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1(A)도 내지 제1(C)도는 본 발명에 의한 웨이퍼 식각물질을 이용한 웨이퍼 절단 방법을 나타낸 공정도이다.

회로인쇄공정이 완료된 웨이퍼의 뒷면에 웨이퍼 보호용 테이프가 접착되고, 그 웨이퍼의 앞면에 감광막이 형성되는 단계와; 석판기법에 의해 그 웨이퍼의 절단선 영역에서만 그 감광막이 제거되는 단계와; 그 웨이퍼의 앞면에 웨이퍼 식각물질이 주입되어 그 웨이퍼의 절단선 영역만 식각되어 그 웨이퍼 내의 각각의 단위 칩이 분리되는 단계를 포함하는 웨이퍼 식각물질을 이용한 웨이퍼 절단 방법.
제1항에 있어서 상기 석판기법에서 웨이퍼 상의 소정의 영역에 형성되어 있는 웨이퍼 키와 동일한 형상의 마스크 키가 마스크 상의 소정의 영역에 형성됨으로써 그 웨이퍼의 절단선 영역과 그 마스크의 투광영역이 일치되도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 식각물질을 이용한 웨이퍼 절단 방법.
제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 식각물질은 절단되는 웨이퍼의 재질에 따라 아르곤(Ar)과 사불화탄소(CF4)가 적정한 비율로 혼합되어 제조되는 에칭개스인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 식각물질을 이용한 웨이퍼 절단 방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.