KR920001619A - 산화층의 에치 데미지 제거방법 - Google Patents
산화층의 에치 데미지 제거방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 산화층 에치 단면도.
Claims (2)
- 반도체 제조공정에 있어서, 산화층의 에치공정 이후 마이크로 웨이브에 의한 CHF3/O2플라즈마로 재 에치하여 에치시 발생한 에치 데미지층을 제거하도록 함을 특징으로 하는 산화층의 에치 데미지 제거방법.
- 제1항에 있어서,CHF3의 유량은 1-500 SCCm으로 하고 O2의 유량은 1-1000 SCCm으로 함을 특징으로 하는 산화층의 에치 데미지 제거방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900008526A KR920001619A (ko) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 산화층의 에치 데미지 제거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900008526A KR920001619A (ko) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 산화층의 에치 데미지 제거방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920001619A true KR920001619A (ko) | 1992-01-30 |
Family
ID=67482811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900008526A KR920001619A (ko) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 산화층의 에치 데미지 제거방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920001619A (ko) |
-
1990
- 1990-06-11 KR KR1019900008526A patent/KR920001619A/ko not_active Application Discontinuation
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