KR950019925A - 그레이팅 형성을 위한 습식식각방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 감광막을 사용하여 화합물 반도체의 그레이팅 형성을 위한 습식식각방법에 있어서, 감광막패텅을 형성하는 단계;식각제에 상기 감광막의 현상액을 함유시켜 화합물 반도체를 식각하는 단계를 포함하며 이루어지는 것을 특징으로 하는 그레이팅 형성을 위한 습식식각방법에 관한 것으로, 레이저다이오드 제작시 그레이팅을 형성시, 잔류된 감광막을 효율적으로 제거하여 균일한 그레이팅 식각을 이룰 수 있어 높은 효율을 갖는 그레이팅을 얻을 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 그레이팅 식각방법을 도시한 예시도.
Claims (3)
- 감광막을 사용하여 화합물 반도체의 그레이팅 형성을 위한 습식식각방법에 있어서, 감광막 패턴을 형성하는 단계;식각제에 상기 감광막의 현상액을 함유시켜 화합물 반도체를 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 그레이팅 형성을 위한 습식식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체는 InP로 수평면이 (100)면 방향을 갖는 것을 특징으로 하는 그레이팅 형성을 위한 습식식각방법.
- 제2항에 있어서, 상기 화합물 반도체는 InP의 식각제는 HB2:HNO3:H2O;현상액으로 1:1:3:2의 비율을 갖는 식각제인 것을 특징으로 하는 그레이팅 형성을 위한 습식식각방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930030792A KR950019925A (ko) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 그레이팅 형성을 위한 습식식각방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930030792A KR950019925A (ko) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 그레이팅 형성을 위한 습식식각방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950019925A true KR950019925A (ko) | 1995-07-24 |
Family
ID=66853599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930030792A KR950019925A (ko) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 그레이팅 형성을 위한 습식식각방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950019925A (ko) |
-
1993
- 1993-12-29 KR KR1019930030792A patent/KR950019925A/ko not_active IP Right Cessation
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