KR910003874A - 반도체 레이저 제조공정에서 클리빙을 위한 포토공정 - Google Patents

반도체 레이저 제조공정에서 클리빙을 위한 포토공정 Download PDF

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KR910003874A
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    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H01S5/0202—Cleaving

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 레이저 제조공정에서 클리빙을 위한 포토공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 a는 스크라빙한 웨이퍼 사시도,
제1도 b는 클리빙한 바(BAR)의 사시도,
제2도 a는 앞면에 포토레지스트를 입힌 웨이퍼 사시도,
제2도 b는 뒷면에 포토레지스트,
제2도 c는 클리빙선을 형성한 웨이퍼 사시도,
제2도 d는 클리빙선을 따라 에칭한 웨이퍼 사시도,
제2도 e는 포토레지스터를 제거한 웨이퍼 사시도.

Claims (1)

  1. 반도체 레이저 제조공정에 있어서 웨이퍼 앞면 보호를 위해 포토레지스트(4)로 보호막을 형성시킨 후 뒷면에도 포토레지스트를 입히고 클리빙 선을 형성시켜 클리빙 선을 따라 에칭(etching)하여 홈을 만들 후 클리빙하여 성장층과 미러(Mirror)면이 손상 됨을 방지하는 반도체 레이저 포토(photo)공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890010858A 1989-07-31 1989-07-31 반도체 레이저 제조에서 포토공정을 이용한 클리빙방법 KR940002414B1 (ko)

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