KR960002999A - 수직 공동 표면 방출 레이저(vcsel) 및 그 제조 방법 - Google Patents

수직 공동 표면 방출 레이저(vcsel) 및 그 제조 방법 Download PDF

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에스. 레비 마이클
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Abstract

VCSEL용 패턴화 미러는,비교적 높은 굴절율을 갖는 A1GaAs층과 비교적 낮은 굴절율을 갖는 A1GaAs층의 다수의 쌍으로 이루어진 제1미러 스택을 형성하는 단계와,제1미러 스택상에 알루미늄 없는 재료의 활성 영역을 형성하는 단계 및,비교적 높은 굴절율은 갖는 A1GaAs층과 비교적 낮은 굴절율을 갖는 A1GaAs층의 다수의 쌍으로 이루어진 제2미러 스택을 형성하는 단계에 의해 제조된다.제2미러 스택은 알루미늄 없는 활성 영역을 에칭 정지로 이용함으로써 활성 영역에 선택적으로 에칭될 수 있다.

Description

수직 공동 표면 방출 레이저(VCSEL)및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 VCSEL의 제조시의 제1단계의 단순화된 단면도.
제2도는 제1도의 구조의 일부에 대한 확대 단면도.

Claims (4)

  1. 수직 공동 표면 방출 레이저(VCSEL)의 제조 방법에 있어서,비교적 높은 굴절율을 갖는 A1GaAs층과 비교적 낮은 굴절율을 갖는 A1GaAs층의 다수의 쌍으로 이루어진 제1전도형의 제1미러 스택을 형성하는 단계와;상기 제1미러 스택상에,알루미늄없는 재료로 이루어진 활성 영역을 형성하는 단계 및;상기 활성 영역상에 비교적 높은 굴절율을 갖는 A1GaAs층과 비교적 낮은 굴절율을 갖는 A1GaAs층의 다수의 쌍으로 이루어진 제2전도형의 제2미러 스택을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 VCSEL의 제조방법.
  2. 수직 공동 표면 방출 레이저(VCSEL)용 패턴화 미러의 제조방법에 있어서,비교적 높은 굴절율을 갖는 A1GaAs층과 비교적 낮은 굴절율을 갖는 A1GaAs층의 다수의 쌍으로 이루어진 제1전도형의 제1미러 스택을 형성하는 단계와;상기 제1미러의 스택상에,알루미늄 없는 재료로 이루어진 활성 영역을 형성하는 단계와;상기 활성 영역상에,비교적 높은 굴절율을 갖는 A1GaAs층과 비교적 낮은 굴절율을 갖는 A1GaAs층의 다수의 쌍으로 이루어진 제2전도형의 제2미러 스택을 형성하는 단계 및;상기 알루미늄 없는 활성 영역을 에칭 정지로 이용함으로써 상기 제2미러 스택을 선택적으로 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 VCSEL용 패턴화 미러의 제조 방법.
  3. 기판과;상기 기판상에 위치하며,비교적 높은 굴절율을 갖는 A1GaAs층과 비교적 낮은 굴절율을 갖는 A1GaAs층의 다수의 쌍으로 이루어진 제1전도형의 제1미러 스택과;상기 제1미러 스택상에 위치하며,알루미늄 없는 재료로 이루어진 활성 영역및;상기 활성 영역상에 위치하며,비교적 높은 굴절율을 갖는 A1GaAs층과 비교적 낮은 굴절율을 갖는 A1GaAs층의 다수의 쌍으로 이루어진 제2전도형의 제2미러 스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 공동 표면 방출 레이저(VCSEL).
  4. 기판과;상기 기판상에 위치하며,비교적 높은 굴절율을 갖는 A1GaAs층과 비교적 낮은 굴절율을 갖는 A1GaAs층의 다수의 쌍으로 이루어진 제1전도형의 제1미러 스택과;상기 제1미러 스택상에 위치하며,알루미늄 없는 재료로 이루어진 활성 영역 및;상기 활성 영역상에 위치하며,비교적 높은 굴절율을 갖는 A1GaAs층과 비교적 낮은 굴절율을 갖는 A1GaAs층의 다수의 쌍으로 이루어지며,상기 활성 영역에 패턴화되어 레이징(lasing)영역을 규정하는 제2도전형의 제2미러 스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화 미러 수직 공동 표면 방출 레이저(VCSEL).
    ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950015822A 1994-06-15 1995-06-15 수직공동표면방출레이저(vcsel)및그제조방법 KR100381985B1 (ko)

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