KR100238552B1 - 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법 - Google Patents
새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100238552B1 KR100238552B1 KR1019960053717A KR19960053717A KR100238552B1 KR 100238552 B1 KR100238552 B1 KR 100238552B1 KR 1019960053717 A KR1019960053717 A KR 1019960053717A KR 19960053717 A KR19960053717 A KR 19960053717A KR 100238552 B1 KR100238552 B1 KR 100238552B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- laser diode
- reflective film
- scribing
- mirror surface
- state
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0203—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Dicing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
본 발명은 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법에 관한 것으로서, 반사막이나 무반사막을 웨이퍼 상태에서 만들어 다루기 쉽고 스크라이빙(scribing)과 브레이킹(breaking)공정을 한 번만하여 레이저 다이오드 바 상태를 거치지 않고 곧바로 레이저 다이오드 칩으로 만들어 스크라이빙과 브레이킹 공정을 줄인 레이저 다이오드 제작방법을 제공하고자 하는 목적을 가지고 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 레이저 다이오드 제작공정에 있어서, 웨이퍼(14) 상태에서 수직하게 식각을하여 미러(mirror)면(12)을 만드는 미러면 형성 단계; 상기 미러면(12)에 반사막(2)이나 무반사막(1)을 형성하는 반사막과 무반사막 형성 단계; 전극(3) 형성 단계; 및 스크라이빙과 브레이킹 단계로 이루어진 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법을 제공하며, 반사막이나 무반사막을 웨이퍼 상태에서 만들어 다루기 쉽고 레이저 다이오드 바 상태를 거치지 않고 곧바로 레이저 다이오드 칩으로 만들어 스크라이빙과 브레이킹 공정을 줄여서 공정의 효율이 높아지는 효과가 있다.
Description
본 발명은 레이저 다이오드 제작에 관한 것으로서, 특히 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법에 관한 것이다.
종래에는 레이저 다이오드(LD)에 있어서, 레이저 다이오드 칩의 문턱 전류(threshold current)를 낮추거나 고출력을 얻기 위해 또는 온도 특성을 향상시키기 위한 목적으로 도 1과 같이 레이저 빛이 나오는 벽개면(Mirror facet)에 이-빔 이베이퍼레이터 (E-beam evaporator)나 스파터(Sputter)장비로 여러 절연 물질을 코팅하여 레이저 다이오드 칩을 제작하고 있다.
레이저 다이오드 벽개면에 코팅을하여 레이저 다이오드 칩을 만드는 종래의 방법은 다음과 같다.
일반적으로 레이저 다이오드 제작 공정에서 p-형 전극과 n-형 전극 형성이 끝난 레이저 다이오드 웨이퍼(5)를 스크라이버(scriber)와 브레이커(breaker) 장비로 벽개하여 바(bar) 상태인 레이저 다이오드바(6)로 만든다. 그런 다음 벽개된 면에 반사막이나 무반사막을 형성하기 위하여 코팅을 한다. 이렇게 코팅이 된 레이저 다이오드바(6)를 다시 스크라이버와 브레이커 장비를 사용하여 일정한 크기의 레이저 다이오드 칩(7)으로 잘라낸다.
이러한 종래의 기술을 이용하여 레이저 다이오드 벽개면에 코팅을 하게 되면 레이저 다이오드 바의 크기가 길이는 수 mm에서 수십 mm이고 두께는 100 μm 이내이며 폭(바의 양쪽 벽개면 사이 간격)이 보통 200 ∼ 300 μm이기 때문에 각각의 바를 다룰 때 크기가 작아 어려우며 물질이 약하기 때문에 깨지기 쉽다. 또 절연막을 코팅할 때 p-형 전극과 n-형 전극에는 절연물질이 코팅이 되지 않게 하기 위하여 특별한 지그를 필요로 한다. 마지막으로 코팅이 다된 레이저 다이오드바(6)를 다시 일정한 크기의 레이저 다이오드 칩(7)으로 만들 때 레이저 다이오드 바(6)의 수가 많기 때문에 시간이 걸리는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 반사막이나 무반사막을 웨이퍼 상태에서 만들어, 다루기 쉽고 스크라이빙(scribing)과 브레이킹(breaking)공정을 한 번만하여 레이저 다이오드 바 상태를 거치지 않고 곧바로 레이저 다이오드 칩으로 만들어 스크라이빙과 브레이킹 공정을 줄인 레이저 다이오드 제작방법을 제공하고자 하는 목적을 가지고 있다.
본 발명은 전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 레이저 다이오드 제작공정에 있어서, 웨이퍼 상태에서 수직하게 식각을하여 미러(mirror)면을 만드는 미러면 형성 단계; 상기 미러면에 반사막이나 무반사막을 형성하는 반사막과 무반사막 형성 단계; 전극 형성 단계; 및 스크라이빙과 브레이킹 단계로 이루어진 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법을 제공한다.
도 1은 종래방법으로 코팅된 레이저 다이오드 칩을 나타낸 사시도.
도 2는 종래의 방법에 의한 레이저 다이오드 벽개면 코팅 공정을 나타낸 공정도.
도 3은 본 발명의 코팅 공정을 나타낸 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 무반사막 2 : 반사막
3 : 전극 4 : 레이저 다이오드 칩
5 : 전극형성이 끝난 레이저 다이오드 웨이퍼
6 : 레이저 다이오드 바 7 : 레이저 다이오드 칩
8 : 이산화규소(SiO2) 마스크 10 : 포토 레지스트
12 : 미러면 14 : 웨이퍼
이하 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
레이저 다이오드 제작 공정에서 전극형성 공정전에 웨이퍼(14) 위에 이산화규소 마스크(8)를 증착한다. 포토 레지스트(10)를 그위에 코팅한 다음 포토 리소그래피 공정으로 포토 레지스트 패턴을 형성한 다음 노출된 부분의 이산화규소 마스크(8)를 제거한다. 잔류 포토레지스트를 제거한 후 이산화 규소막을 마스크로하여 염산계 식각액을 사용하여 도 3에서와 같이 수직하게 레이저 다이오드의 활성층 아래까지 식각을하여 수직으로 식각된 부분이 미러면(12)이 되도록 한다. 이 상태에서 다시 포토 레지스트를 코팅한 후, 수직하게 식각되어 미러면이 된 두 면중에 하나만 노출되게 하고 나머지는 모두 포토 레지스트로 덮히게 한 다음 노출되어 있는 한 미러면에 원하는 절연물질을 증착한다. 그런 후에 잔류 포토 레지스트를 제거한 후 이번에는 다시 포토 레지스트를 코팅한다. 그런 다음 두 미러면 중에 절연 물질이 증착되지 않은 나머지 미러부분만 노출시켜 절연 박막을 증착한 다음 잔류 포토 레지스트를 제거한다.
이렇게 미러면을 만들어 반사막이나 무반사막이 형성되면 다음공정에서 p-형 전극 및 n-형 전극(3)을 만들어서 한 번의 스크라이빙 및 브레이킹 공정을 거쳐 도 3에 도시된 것과 같은 레이저 다이오드 칩(4)을 만든다.
즉 전술한 바와 같은 본 발명인 새로 개발된 LD 제작법은 전극을 형성하기 전에 웨이퍼 상태에서 포토 리소그래피(photo lithography) 공정으로 이산화규소 절연막을 마스크로하여 염산계로 활성층 아래까지 수직으로 식각하여 미러(mirror)면을 만드는 미러면 형성단계를 거친다. 그리고 다시 포토 리소그래피 공정으로 식각된 부분의 두 미러중에 한쪽을 포토 레지스트(phto resist)로 덮고 나머지 한쪽에 원하는 반사막이나 무반사막을 형성하고 포토 레지스트를 제거하는 단계를 거친다.
그리고 다시 포토 리소그래피 공정으로 코팅된 면을 포토 레지스트로 덮고 반대쪽면에 코팅을 하고 포토 레지스트를 제거하는 단계를 거친다.
그런후에 p-형 전극 및 n-형 전극을 형성하고 스크라이빙 및 브레이킹 단계를 거친다.
전술한 바와 같은 본 발명은 반사막이나 무반사막을 웨이퍼 상태에서 만들어 다루기 쉽고 레이저 다이오드 바 상태를 거치지 않고 곧바로 레이저 다이오드 칩으로 만들어 스크라이빙과 브레이킹 공정을 줄여서 공정의 효율이 높아지는 효과가 있다.
Claims (2)
- 레이저 다이오드 제작공정에 있어서, 웨이퍼(14) 상태에서 수직하게 식각을하여 미러(mirror)면(12)을 만드는 미러면 형성 단계; 상기 미러면(12)에 반사막(2)이나 무반사막(1)을 형성하는 반사막과 무반사막 형성 단계; 전극(3) 형성 단계; 및 스크라이빙과 브레이킹 단계로 이루어진 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 레이저 다이오드는 장파장 레이저 다이오드(1.3 및 1.55, μm), 가시광 파장 영역의 레이저 다이오드, 및 0.98 μm의 파장을 가지는 고출력 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960053717A KR100238552B1 (ko) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960053717A KR100238552B1 (ko) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980035379A KR19980035379A (ko) | 1998-08-05 |
KR100238552B1 true KR100238552B1 (ko) | 2000-02-01 |
Family
ID=19481695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960053717A KR100238552B1 (ko) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100238552B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101019790B1 (ko) | 2005-02-18 | 2011-03-04 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040022113A (ko) * | 2002-09-06 | 2004-03-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 레이저 다이오드의 미러 코팅방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60165779A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-08-28 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザのチツプ製造方法 |
JPH02210890A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
-
1996
- 1996-11-13 KR KR1019960053717A patent/KR100238552B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60165779A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-08-28 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザのチツプ製造方法 |
JPH02210890A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101019790B1 (ko) | 2005-02-18 | 2011-03-04 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19980035379A (ko) | 1998-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5284792A (en) | Full-wafer processing of laser diodes with cleaved facets | |
US5853960A (en) | Method for producing a micro optical semiconductor lens | |
JPH01266782A (ja) | オプトエレクトロニクまたはオプテイカルデバイスの製造方法 | |
CN112436381A (zh) | 一种高速dfb激光器芯片及其制作方法 | |
KR960002999A (ko) | 수직 공동 표면 방출 레이저(vcsel) 및 그 제조 방법 | |
KR100238552B1 (ko) | 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법 | |
IES20000820A2 (en) | A single frequency laser | |
EP1446841B1 (en) | A method of manufacturing a semiconductor device | |
US20020110341A1 (en) | Manufacturing method for edge-emitting or edge-coupled waveguide optoelectronic devices | |
JPH1131863A (ja) | 回折格子の製造方法及びそれを用いて製造した半導体レーザ及びそれを用いた光応用システム | |
JP2002217446A (ja) | 光半導体集積素子及びその製造方法 | |
JP3473134B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JPH04147685A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
KR0140846B1 (ko) | 레이저 다이오드의 그레이팅 형성을 위한 습식 식각 방법 | |
JP2783240B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JPH11251682A (ja) | 半導体光素子 | |
KR100776931B1 (ko) | 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 | |
KR900006922B1 (ko) | 레이저 다이오드의 개별소자 형성방법 | |
KR970007118B1 (ko) | 레이저 다이오드의 메사 형성방법 | |
KR20040022113A (ko) | 레이저 다이오드의 미러 코팅방법 | |
JP2534304B2 (ja) | Ribeによるエッチドミラ―の形成方法 | |
JP5264764B2 (ja) | エッチストップを有するエッチングされたファセットリッジレーザ | |
JPH09312436A (ja) | 光半導体素子 | |
KR20050001605A (ko) | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 | |
JP2001077402A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20081001 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |