JPS60165779A - 半導体レ−ザのチツプ製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザのチツプ製造方法Info
- Publication number
- JPS60165779A JPS60165779A JP59021347A JP2134784A JPS60165779A JP S60165779 A JPS60165779 A JP S60165779A JP 59021347 A JP59021347 A JP 59021347A JP 2134784 A JP2134784 A JP 2134784A JP S60165779 A JPS60165779 A JP S60165779A
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- JP
- Japan
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- wafer
- adhesive sheet
- sheet
- chip
- pieces
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザのチップを製造する方法に関し、
詳しくは、へき開した端面に酸化防止用のコーティング
を施こす工程に特徴を有するものである。
詳しくは、へき開した端面に酸化防止用のコーティング
を施こす工程に特徴を有するものである。
半導体レーザのチップｄ［素材ウエノ・をへき開して得
られた細長いウエノ・小片をその長手方向に細断して形
成されるものであり、発光端面となるへき開面の酸化を
防止して寿命を延ばすためにＳｉ３Ｎ。
られた細長いウエノ・小片をその長手方向に細断して形
成されるものであり、発光端面となるへき開面の酸化を
防止して寿命を延ばすためにＳｉ３Ｎ。
又はＡｌ２Ｏ３等の被膜をコーティングしている。
この場合、従来は、ウエノ・からへき開分断したウェハ
小片の１本ごとに端面コーティングを施こしており、コ
ーティング装置への装填や取出しに時間がか＼す、生産
性が低いものとなっていた。
小片の１本ごとに端面コーティングを施こしており、コ
ーティング装置への装填や取出しに時間がか＼す、生産
性が低いものとなっていた。
本発明は、端面酸化防止用のコーティング手段に改良を
施こすことによって、ウエノ・単位の処理を可能にし、
生産性の高いチップ製造を行うことができる方法を提供
するものである。
施こすことによって、ウエノ・単位の処理を可能にし、
生産性の高いチップ製造を行うことができる方法を提供
するものである。
以下この発明の実施例を図面に基づいて順次説明する。
■ へき開削処理工程（第１図乃至第３図参照）電極面
を上面にした半導体レーザの素材ウエノ・１は、予めア
ルカリで溶解可能なポジレジスト （例えばＡＺ１３５
０）の保護被膜が上面にコーティングされており、この
ウェハ１が真空チャック２を備えた可動テーブル３の上
面に吸着固定され、一定ピツチづつ側方に間欠移動され
る。保護被膜がコーティングされたウェハ１の一］二面
には］５μ程度の厚さのアルミ箔４が添着されるととも
に、ウェハ１の前端縁の上面はアルミ箔４の前端より少
し露呈される。
を上面にした半導体レーザの素材ウエノ・１は、予めア
ルカリで溶解可能なポジレジスト （例えばＡＺ１３５
０）の保護被膜が上面にコーティングされており、この
ウェハ１が真空チャック２を備えた可動テーブル３の上
面に吸着固定され、一定ピツチづつ側方に間欠移動され
る。保護被膜がコーティングされたウェハ１の一］二面
には］５μ程度の厚さのアルミ箔４が添着されるととも
に、ウェハ１の前端縁の上面はアルミ箔４の前端より少
し露呈される。
テーブル３の上方には上下及び前後に駆動されるダイヤ
モンドスクライバ−５が配備され、そのダイヤモンド針
６がウェハ１の後端側においてウェハ１から外れた位置
でアルミ箔４−ヒに落下され、引続いてウェハ１上を通
過して前方に掃引移動される。
モンドスクライバ−５が配備され、そのダイヤモンド針
６がウェハ１の後端側においてウェハ１から外れた位置
でアルミ箔４−ヒに落下され、引続いてウェハ１上を通
過して前方に掃引移動される。
そして、アルミ箔４の前端縁から露呈されたウニ・・前
端縁上にのみへき開起点用のケガキ傷７が形成される。
端縁上にのみへき開起点用のケガキ傷７が形成される。
上記作動をテーブル３の定ピッチ送りごとに繰返してウ
ェハ１の前端縁上に一定ピッチで多数のケガキ傷７・・
が形成され、このウェハ１が、片面が粘着面Ａに形成さ
れたビニール等の伸展可能な軟質プラスチック製の粘着
シートＢ上に、ケガキ傷７が露呈されるように貼着され
る。
ェハ１の前端縁上に一定ピッチで多数のケガキ傷７・・
が形成され、このウェハ１が、片面が粘着面Ａに形成さ
れたビニール等の伸展可能な軟質プラスチック製の粘着
シートＢ上に、ケガキ傷７が露呈されるように貼着され
る。
■ へき開処理工程（第４図参照）
次に、大径ゴムローラ９と、これに対向する硬質の小径
ローラ１０との間に、ウェハ１をゴムローラ９側にして
粘着シート８を供給通過させる。
ローラ１０との間に、ウェハ１をゴムローラ９側にして
粘着シート８を供給通過させる。
すると、ウェハ１は小径ローラ１０の作用部においてゴ
ムローラ９側に加圧され彎曲され、各ケガキ傷７を起点
としてへき開が進行し、粘着シート８の下面に多数のウ
ェハ小片１１が並列状に貼着された状態でローラ間から
出てくる。
ムローラ９側に加圧され彎曲され、各ケガキ傷７を起点
としてへき開が進行し、粘着シート８の下面に多数のウ
ェハ小片１１が並列状に貼着された状態でローラ間から
出てくる。
■ 酸化防止被膜コーティング工程（第５図及び第６図
参照） 次に、前記粘着シート８を、曲率の小さい円柱状治具１
２に巻回してクランプ１３で固定する。
参照） 次に、前記粘着シート８を、曲率の小さい円柱状治具１
２に巻回してクランプ１３で固定する。
すると、シート上のウェハ小片１１の夫々が治具１２の
外周曲率に沿って拡開され、へき開面Ｓが開放される。
外周曲率に沿って拡開され、へき開面Ｓが開放される。
ここで、この治具１２が低温気相成長装置又はスパッタ
装置に導入され、シート８及び先にコーティングしたポ
ジレジスト１４に悪影響を与えない比較的低温条件で、
Ｓｉ、ＮいＥｌｉ 、ＳｉＯ□又はＡ１□０３等の酸化
防止被膜１５がウェハ小片１１の露呈部分全体にコーテ
ィングされる。
装置に導入され、シート８及び先にコーティングしたポ
ジレジスト１４に悪影響を与えない比較的低温条件で、
Ｓｉ、ＮいＥｌｉ 、ＳｉＯ□又はＡ１□０３等の酸化
防止被膜１５がウェハ小片１１の露呈部分全体にコーテ
ィングされる。
■ 細断線形成工程（第７図参照）
上記のようにウェハ小片１１群を並列貼着した粘着シー
ト８は、間欠送りされる可動テーブル１６上に吸着保持
され、ダイヤモンドスクライバ−１７によって小片１１
群の上面に、小片長手方向に一定のピッチで細断線とし
てのケガキ傷１８が形成される。
ト８は、間欠送りされる可動テーブル１６上に吸着保持
され、ダイヤモンドスクライバ−１７によって小片１１
群の上面に、小片長手方向に一定のピッチで細断線とし
てのケガキ傷１８が形成される。
■ 細断工程
細断線１８群が形成されたウェハ小片１１群は、第４図
に示したローラ式へき聞手段と同様な抑圧手段を用いて
、各細断線１８で細断され、縦横に並列されたチップ１
９群が得られる。
に示したローラ式へき聞手段と同様な抑圧手段を用いて
、各細断線１８で細断され、縦横に並列されたチップ１
９群が得られる。
■ チップ分離工程（第８図参照）
チップ１９群が貼着された粘着シート８は、その端縁が
チャック２０によって挾持固定された状態でリフタ２１
上に装着され、リフタ下方のヒータ２２で適当に加熱さ
れたのち、リフタ２１の上昇によってシート８は大きく
伸長され、貼着された各チップ１，９は適当間隔をあけ
て分離される。
チャック２０によって挾持固定された状態でリフタ２１
上に装着され、リフタ下方のヒータ２２で適当に加熱さ
れたのち、リフタ２１の上昇によってシート８は大きく
伸長され、貼着された各チップ１，９は適当間隔をあけ
て分離される。
このシート伸長処理を前後・左右方向に各別、もしくは
同時に行うことによって第９図に示すように、縦横に互
いに分離されたチップ１９群を得ることができる。
同時に行うことによって第９図に示すように、縦横に互
いに分離されたチップ１９群を得ることができる。
■ 保護被膜除去工程
次に、アルカリ液、例えば１０ ％ ＮａＯＨ，でポジ
レジスト１４を溶解除去して、その上層の酸化防止被膜
部分も除去したのち、充分水洗し乾燥される。これによ
って、第１０図に示すように、発光端面となるへき開面
Ｓにのみ酸化防止被膜１５を残したチップ１９が得られ
るのである。
レジスト１４を溶解除去して、その上層の酸化防止被膜
部分も除去したのち、充分水洗し乾燥される。これによ
って、第１０図に示すように、発光端面となるへき開面
Ｓにのみ酸化防止被膜１５を残したチップ１９が得られ
るのである。
尚、−上記のようにして得られたチップ１９は特性チェ
ックの後、／−ト８に貼着したま＼で組立工程に移され
ることになる。
ックの後、／−ト８に貼着したま＼で組立工程に移され
ることになる。
以上説明したように、本発明方法によれば、貼着シート
を用いてウェハ単位ごとにへき開、細断、酸化防止被膜
のコーティング、チップの分離を一連に行うことができ
、生産性を極めて向上することが可能となった。
を用いてウェハ単位ごとにへき開、細断、酸化防止被膜
のコーティング、チップの分離を一連に行うことができ
、生産性を極めて向上することが可能となった。
第１図は本発明方法におけるへき閉曲処理手段の斜視図
、第２図はその側面図、第３図はへき開用の前処理の完
了したウェハを示す斜視図、第４図はへき開処理手段の
斜視図、第５図は酸化防止被膜コーティング処理手段の
一部切欠き側面図、第６図は第５図におけるＰ部分の拡
大図、第７図は細断線形成子段の斜視図、第８図はチッ
プ分離手段の側面図、第９図は分離処理後のチップを示
す斜視図、第１０図は完成したチップの拡大斜視図であ
る。
、第２図はその側面図、第３図はへき開用の前処理の完
了したウェハを示す斜視図、第４図はへき開処理手段の
斜視図、第５図は酸化防止被膜コーティング処理手段の
一部切欠き側面図、第６図は第５図におけるＰ部分の拡
大図、第７図は細断線形成子段の斜視図、第８図はチッ
プ分離手段の側面図、第９図は分離処理後のチップを示
す斜視図、第１０図は完成したチップの拡大斜視図であ
る。
Claims (1)
- （１） 素材ウェハの、へき開起点用ケガキ傷を形成す
る面に、アルカリ可溶のポジレジストをコーティングす
る工程と、前記ケガキ傷の形成面を露呈させた状態で粘
着シート上に貼着したウェハを、シート外面からの印圧
によってへき開処理する工程と、へき開されたウェハ小
片を並列貼着した前記粘着シートを、貼着面がウェハ小
片群の並列方向に溢って凸曲するよう湾曲保持した状態
で、８ ｉ３ｏ、、８ｉ、 ８ｉ０□、Ａｌ□０３等の
酸化防止膜を、ウェハ小片群の露呈面金面にコーティン
グする工程と、粘着シート上で各ウェハ小片を、その長
手方向に所定ピッチで細断してチップ群を形成する工程
と、粘着シートを伸展して各チップを互いに分離する工
程と、各チップのポジレジストをアルカリで溶解除去し
たのち、水洗・乾燥する工程とを含む半導体レーザのチ
ップ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021347A JPS60165779A (ja) | 1984-02-07 | 1984-02-07 | 半導体レ−ザのチツプ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021347A JPS60165779A (ja) | 1984-02-07 | 1984-02-07 | 半導体レ−ザのチツプ製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165779A true JPS60165779A (ja) | 1985-08-28 |
| JPH0259636B2 JPH0259636B2 (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=12052554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021347A Granted JPS60165779A (ja) | 1984-02-07 | 1984-02-07 | 半導体レ−ザのチツプ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165779A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100238552B1 (ko) * | 1996-11-13 | 2000-02-01 | 권문구 | 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법 |
| WO2001086719A1 (fr) * | 2000-05-10 | 2001-11-15 | Gemplus | Isolation de puces par couche mince pour connexion par polymere conducteur |
| EP1302989A1 (en) * | 2000-05-23 | 2003-04-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group iii nitride compound semiconductor light-emitting device and method for producing the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52134387A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS5671952A (en) * | 1979-11-16 | 1981-06-15 | Nec Home Electronics Ltd | Breaking semiconductor wafer |
| JPS58125886A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58138050A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-02-07 JP JP59021347A patent/JPS60165779A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52134387A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS5671952A (en) * | 1979-11-16 | 1981-06-15 | Nec Home Electronics Ltd | Breaking semiconductor wafer |
| JPS58125886A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58138050A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100238552B1 (ko) * | 1996-11-13 | 2000-02-01 | 권문구 | 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법 |
| WO2001086719A1 (fr) * | 2000-05-10 | 2001-11-15 | Gemplus | Isolation de puces par couche mince pour connexion par polymere conducteur |
| FR2808920A1 (fr) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Gemplus Card Int | Procede de protection de puces de circuit integre |
| EP1302989A1 (en) * | 2000-05-23 | 2003-04-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group iii nitride compound semiconductor light-emitting device and method for producing the same |
| EP1302989A4 (en) * | 2000-05-23 | 2006-09-06 | Toyoda Gosei Kk | LIGHT EMISSIONING COMPONENT WITH GROUP III NITRIDE COMPRESSION SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0259636B2 (ja) | 1990-12-13 |
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