JPH0259636B2 - - Google Patents
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- JPH0259636B2 JPH0259636B2 JP2134784A JP2134784A JPH0259636B2 JP H0259636 B2 JPH0259636 B2 JP H0259636B2 JP 2134784 A JP2134784 A JP 2134784A JP 2134784 A JP2134784 A JP 2134784A JP H0259636 B2 JPH0259636 B2 JP H0259636B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザのチツプを製造する方法
に関し、詳しくは、へき開した端面に酸化防止用
のコーテイングを施す工程に特徴を有するもので
ある。
に関し、詳しくは、へき開した端面に酸化防止用
のコーテイングを施す工程に特徴を有するもので
ある。
半導体レーザのチツプは素材ウエハをへき開し
て得られた細長いウエハ小片をその長手方向に細
断して形成されるものであり、発光端面となるヘ
き開面の酸化を防止して寿命を延ばすために
Si3N4又はAl2O3等の被膜をコーテイングしてい
る。
て得られた細長いウエハ小片をその長手方向に細
断して形成されるものであり、発光端面となるヘ
き開面の酸化を防止して寿命を延ばすために
Si3N4又はAl2O3等の被膜をコーテイングしてい
る。
この場合、従来は、ウエハからへき開分断した
ウエハ小片の１本ごとに端面コーテイングを施こ
しており、コーテイング装置への装填や取出しに
時間がかゝり、生産性が低いものとなつていた。
ウエハ小片の１本ごとに端面コーテイングを施こ
しており、コーテイング装置への装填や取出しに
時間がかゝり、生産性が低いものとなつていた。
本発明は、端面酸化防止用のコーテイング手段
に改良を施こすことによつて、ウエハ単位の処理
を可能にし、生産性の高いチツプ製造を行うこと
ができる方法を提供するものである。
に改良を施こすことによつて、ウエハ単位の処理
を可能にし、生産性の高いチツプ製造を行うこと
ができる方法を提供するものである。
以下この発明の実施例を図面に基づいて順次説
明する。
明する。
へき開前処理工程（第１図乃至第３図参照）
電極面を上面にした半導体レーザの素材ウエ
ハ１は、予めアルカリで溶解可能なポジレジス
ト（例えばAZ1350）の保護被膜が上面にコー
テイングされており、このウエハ１が真空チヤ
ツク２を備えた可動テーブル３の上面に吸着固
定され、一定ピツチづつ側方に間欠移動され
る。保護被膜がコーテイングされたウエハ１の
上面には15μ程度の厚さのアルミ箔４が添着さ
れるとともに、ウエハ１の前端縁の上面はアル
ミ箔４の前端より少し露呈される。
ハ１は、予めアルカリで溶解可能なポジレジス
ト（例えばAZ1350）の保護被膜が上面にコー
テイングされており、このウエハ１が真空チヤ
ツク２を備えた可動テーブル３の上面に吸着固
定され、一定ピツチづつ側方に間欠移動され
る。保護被膜がコーテイングされたウエハ１の
上面には15μ程度の厚さのアルミ箔４が添着さ
れるとともに、ウエハ１の前端縁の上面はアル
ミ箔４の前端より少し露呈される。
テーブル３の上方には上下及び前後に駆動さ
れるダイヤモンドスクライバー５が配備され、
そのダイヤモンド針６がウエハ１の後端側にお
いてウエハ１から外れた位置でアルミ箔４上に
落下され、引続いてウエハ１上を通過して前方
に掃引移動される。
れるダイヤモンドスクライバー５が配備され、
そのダイヤモンド針６がウエハ１の後端側にお
いてウエハ１から外れた位置でアルミ箔４上に
落下され、引続いてウエハ１上を通過して前方
に掃引移動される。
そして、アルミ箔４の前端縁から露呈された
ウエハ前端縁上にのみへき開起点用のケガキ傷
７が形成される。
ウエハ前端縁上にのみへき開起点用のケガキ傷
７が形成される。
上記作動をテーブル３の定ピツチ送りごとに
繰返してウエハ１の前端縁上に一定ピツチで多
数のケガキ傷７…が形成され、このウエハ１
が、片面が粘着面Ａに形成されたビニール等の
伸展可能な軟質プラスチツク製の粘着シート８
上に、ケガキ傷７が露呈されるように貼着され
る。
繰返してウエハ１の前端縁上に一定ピツチで多
数のケガキ傷７…が形成され、このウエハ１
が、片面が粘着面Ａに形成されたビニール等の
伸展可能な軟質プラスチツク製の粘着シート８
上に、ケガキ傷７が露呈されるように貼着され
る。
へき開処理工程（第４図参照）
次に、大径ゴムローラ９と、これに対向する
硬質の小径ローラ１０との間に、ウエハ１をゴ
ムローラ９側にして粘着シート８を供給通過さ
せる。すると、ウエハ１は小径ローラ１０の作
用部においてゴムローラ９側に加圧され彎曲さ
れ、各ケガキ傷７を起点としてへき開が進行
し、粘着シート８の下面に多数のウエハ小片１
１が並列状に貼着された状態でローラ間から出
てくる。
硬質の小径ローラ１０との間に、ウエハ１をゴ
ムローラ９側にして粘着シート８を供給通過さ
せる。すると、ウエハ１は小径ローラ１０の作
用部においてゴムローラ９側に加圧され彎曲さ
れ、各ケガキ傷７を起点としてへき開が進行
し、粘着シート８の下面に多数のウエハ小片１
１が並列状に貼着された状態でローラ間から出
てくる。
酸化防止被膜コーテイング工程（第５図及び
第６図参照） 次に、前記粘着シート８を、曲率の小さい円
柱状治具１２に巻回してクランプ１３で固定す
る。すると、シート上のウエハ小片１１の夫々
が治具１２の外周曲率に沿つて拡開され、へき
開面Ｓが開放される。
第６図参照） 次に、前記粘着シート８を、曲率の小さい円
柱状治具１２に巻回してクランプ１３で固定す
る。すると、シート上のウエハ小片１１の夫々
が治具１２の外周曲率に沿つて拡開され、へき
開面Ｓが開放される。
ここで、この治具１２が低温気相成長装置又
はスパツタ装置に導入され、シート８及び先に
コーテイングしたポジレジスト１４に悪影響を
与えない比較的低温条件で、Si3N4、Si、SiO2
又はAl2O3等の酸化防止被膜１５がウエハ小片
１１の露呈部分全体にコーテイングされる。
はスパツタ装置に導入され、シート８及び先に
コーテイングしたポジレジスト１４に悪影響を
与えない比較的低温条件で、Si3N4、Si、SiO2
又はAl2O3等の酸化防止被膜１５がウエハ小片
１１の露呈部分全体にコーテイングされる。
細断線形成工程（第７図参照）
上記のようにウエハ小片１１群を並列貼着し
た粘着シート８は、間欠送りされる可動テーブ
ル１６上に吸着保持され、ダイヤモンドスクラ
イバー１７によつて小片１１群の上面に、小片
長手方向に一定のピツチで細断線としてのケガ
キ傷１８が形成される。
た粘着シート８は、間欠送りされる可動テーブ
ル１６上に吸着保持され、ダイヤモンドスクラ
イバー１７によつて小片１１群の上面に、小片
長手方向に一定のピツチで細断線としてのケガ
キ傷１８が形成される。
細断工程
細断線１８群が形成されたウエハ小片１１群
は、第４図に示したローラ式へき開手段と同様
な押圧手段を用いて、各細断線１８で細断さ
れ、縦横に並列されたチツプ１９群が得られ
る。
は、第４図に示したローラ式へき開手段と同様
な押圧手段を用いて、各細断線１８で細断さ
れ、縦横に並列されたチツプ１９群が得られ
る。
チツプ分離工程（第８図参照）
チツプ１９群が貼着された粘着シート８は、
その端縁がチヤツク２０によつて挾持固定され
た状態でリフタ２１上に装着され、リフタ下方
のヒータ２２で適当に加熱されたのち、リフタ
２１の上昇によつてシート８は大きく伸長さ
れ、貼着された各チツプ１９は適当間隔をあけ
て分離される。このシート伸長処理を前後・左
右方向に各別、もしくは同時に行うことによつ
て第９図に示すように、縦横に互いに分離され
たチツプ１９群を得ることができる。
その端縁がチヤツク２０によつて挾持固定され
た状態でリフタ２１上に装着され、リフタ下方
のヒータ２２で適当に加熱されたのち、リフタ
２１の上昇によつてシート８は大きく伸長さ
れ、貼着された各チツプ１９は適当間隔をあけ
て分離される。このシート伸長処理を前後・左
右方向に各別、もしくは同時に行うことによつ
て第９図に示すように、縦横に互いに分離され
たチツプ１９群を得ることができる。
保護被膜除去工程
次に、シート８に貼着したままの状態でアル
カリ溶液、例えば10％NaOH、でポジレジス
ト１４を溶解除去して、その上層の酸化防止被
膜部分も除去したのち、充分水洗し乾燥され
る。このようにアルカリ溶液によつてポジレジ
ストを除去するので、シート８が溶解すること
がない。このようにして、第１０図に示すよう
に、発光端面となるへき開面Ｓにのみ酸化防止
被膜１５を残したチツプ１９が得られるのであ
る。
カリ溶液、例えば10％NaOH、でポジレジス
ト１４を溶解除去して、その上層の酸化防止被
膜部分も除去したのち、充分水洗し乾燥され
る。このようにアルカリ溶液によつてポジレジ
ストを除去するので、シート８が溶解すること
がない。このようにして、第１０図に示すよう
に、発光端面となるへき開面Ｓにのみ酸化防止
被膜１５を残したチツプ１９が得られるのであ
る。
尚、上記のようにして得られたチツプ１９は
特性チエツクの後、シート８に貼着したまゝで
組立工程に移されることになる。
特性チエツクの後、シート８に貼着したまゝで
組立工程に移されることになる。
以上説明したように、本発明方法によれば、貼
着シートを用いてウエハ単位ごとにへき開、細
断、酸化防止被膜のコーテイング、チツプの分
離、ポジレジストの溶解除去、及び水洗・乾燥を
一連に行うことができ、生産性を極めて向上する
ことが可能となつた。
着シートを用いてウエハ単位ごとにへき開、細
断、酸化防止被膜のコーテイング、チツプの分
離、ポジレジストの溶解除去、及び水洗・乾燥を
一連に行うことができ、生産性を極めて向上する
ことが可能となつた。
第１図は本発明方法におけるへき開前処理手段
の斜視図、第２図はその側面図、第３図はへき開
用の前処理の完了したウエハを示す斜視図、第４
図はへき開処理手段の斜視図、第５図は酸化防止
被膜コーテイング処理手段の一部切欠き側面図、
第６図は第５図におけるＰ部分の拡大図、第７図
は細断線形成手段の斜視図、第８図はチツプ分離
手段の側面図、第９図は分離処理後のチツプを示
す斜視図、第１０図は完成したチツプの拡大斜視
図である。
の斜視図、第２図はその側面図、第３図はへき開
用の前処理の完了したウエハを示す斜視図、第４
図はへき開処理手段の斜視図、第５図は酸化防止
被膜コーテイング処理手段の一部切欠き側面図、
第６図は第５図におけるＰ部分の拡大図、第７図
は細断線形成手段の斜視図、第８図はチツプ分離
手段の側面図、第９図は分離処理後のチツプを示
す斜視図、第１０図は完成したチツプの拡大斜視
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 素材ウエハのへき開起点用ケガキ傷を形成す
る面に、保護被膜をコーテイングする工程と、印
圧によつて前記素材ウエハをへき開処理する工程
と、へき開された各ウエハ小片にSi3N4、Si、
SiO2、Al2O3等の酸化防止被膜をコーテイングす
る工程と、各ウエハ小片を、その長手方向に所定
ピツチで細断してチツプ群を形成する工程と、各
チツプを互いに分離する工程と、各チツプの前記
保護被膜を溶解除去した後、水洗・乾燥する工程
とを含む半導体レーザのチツプ製造方法におい
て、 前記保護被膜をコーテイングする工程では、保
護被膜として、アルカリ可溶性のポジレジストを
用い、 前記へき開処理する工程では、前記ケガキ傷の
形成された面を露呈させた状態で粘着シート上に
貼着した素材ウエハにシート外面から印圧し、 前記酸化防止被膜をコーテイングする工程で
は、へき開されたウエハ小片を並列貼着した前記
粘着シートを、貼着面がウエハ小片群の並列方向
に沿つて凸曲するように湾曲保持した状態で、ウ
エハ小片群の露呈面全面にコーテイングし、 前記チツプ群を形成する工程では、前記粘着シ
ート上で前記各ウエハ小片を細断し、 前記分離する工程では、前記粘着シートを伸展
することにより、各チツプを分離し、 前記保護被膜を溶解除去した後、水洗・乾燥す
る工程では、前記粘着シート上に各チツプを貼着
した状態で前記保護被膜をアルカリ溶液で溶解除
去するとともに、水洗・乾燥することを特徴とす
る半導体レーザのチツプ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021347A JPS60165779A (ja) | 1984-02-07 | 1984-02-07 | 半導体レ−ザのチツプ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021347A JPS60165779A (ja) | 1984-02-07 | 1984-02-07 | 半導体レ−ザのチツプ製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165779A JPS60165779A (ja) | 1985-08-28 |
| JPH0259636B2 true JPH0259636B2 (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=12052554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021347A Granted JPS60165779A (ja) | 1984-02-07 | 1984-02-07 | 半導体レ−ザのチツプ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165779A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100238552B1 (ko) * | 1996-11-13 | 2000-02-01 | 권문구 | 새로운 벽개면 코팅에 의한 레이저 다이오드 제작방법 |
| FR2808920B1 (fr) * | 2000-05-10 | 2003-10-03 | Gemplus Card Int | Procede de protection de puces de circuit integre |
| JP3864670B2 (ja) * | 2000-05-23 | 2007-01-10 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52134387A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS5671952A (en) * | 1979-11-16 | 1981-06-15 | Nec Home Electronics Ltd | Breaking semiconductor wafer |
| JPS58125886A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58138050A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-02-07 JP JP59021347A patent/JPS60165779A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52134387A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS5671952A (en) * | 1979-11-16 | 1981-06-15 | Nec Home Electronics Ltd | Breaking semiconductor wafer |
| JPS58125886A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58138050A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60165779A (ja) | 1985-08-28 |
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