JPH055195B2 - - Google Patents

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JPH055195B2
JPH055195B2 JP2134684A JP2134684A JPH055195B2 JP H055195 B2 JPH055195 B2 JP H055195B2 JP 2134684 A JP2134684 A JP 2134684A JP 2134684 A JP2134684 A JP 2134684A JP H055195 B2 JPH055195 B2 JP H055195B2
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
material wafer
cleavage
scriber
adhesive sheet
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP2134684A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60165778A (ja
Inventor
Haruo Tanaka
Masahito Mushigami
Masayoshi Muranishi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP59021346A priority Critical patent/JPS60165778A/ja
Publication of JPS60165778A publication Critical patent/JPS60165778A/ja
Publication of JPH055195B2 publication Critical patent/JPH055195B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H01S5/0202Cleaving

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体レーザのチツプを製造する方
法の改良に関する。
半導体レーザのチツプは、ウエハからへき開分
断された細長いウエハ小片を更にその長手方向に
所定ピツチで細断して得られるものであり、従来
は、ウエハ小片を1本づつシリコンウエハに接着
剤で貼着固定し、これにスクライバーでケガキ傷
や切込み溝を形成したのち外力をかけて細断する
か、ダイサーで切断分離して所定横幅のチツプを
形成していたので次のような欠点があつた。
ウエハ小片を1本づつ取扱うために、作業性
が極めて悪く、加工コストが高くつく。
ウエハ小片にスクライバーを作用させると
き、スクライバーとの接触開始点に接触衝撃に
よつて割れが生じやすく、品質が悪くなる。
細断したチツプをシリコンウエハから分離す
るために接着剤の洗浄処理が必要であり、処理
行程が多い。
洗浄によつて分離されたチツプ群はバラバラ
になつて元のウエハに対する配列順序が不明と
なり、特性の良いウエハ中央のものと、特性の
悪いものが出やすいウエハ外周近くのものとの
区別がつかなくなり、品質及び特性管理上の取
扱いに問題が生じやすい。
本発明は、へき開されたウエハ小片をチツプに
細断する手段に改良を加えることで、従来方法に
見られた上記欠点を一掃できるようにしたもので
あり、以下に本発明の実施例を図面に基づいて説
明する。
へき開前処理工程(第1図乃至第3図参照) 半導体レーザの素材ウエハ1は真空チヤツク2
を備えた可動テーブル3の上面に吸着固定され、
一定ピツチづつ側方に間欠移動される。ウエハ1
の上面には15μ程度の厚さのアルミ箔4が添着さ
れるとともに、ウエハ1の前端縁の上面はアルミ
箔4の前端縁より少し露呈される。
テーブル3の上方には上下及び前後に駆動され
るダイヤモンドスクライバー5が配備され、その
ダイヤモンド針6がウエハ1の後端縁側において
ウエハ1から外れた位置でアルミ箔4上に落下さ
れ、引続いてウエハ1上を通過して前方に掃引移
動される。
そして、アルミ箔4の前端縁から露呈されたウ
エハ前端縁上にのみへき開起点用のケガキ傷7が
形成される。
上記作動をテーブル3の定ピツチ送りごとに繰
返してウエハ1の前端縁上に一定ピツチで多数の
ケガキ傷7…が形成され、このウエハ1が、片面
が貼着面Aに形成されたビニール等の伸展可能な
軟質プラスチツク製の粘着シート8上に、ケガキ
傷7が露呈するよう貼着される。
へき開処理工程(第4図参照) 次に、大径ゴムローラ9と、これに対向する硬
質の小径ローラ10との間に、ウエハ1をゴムロ
ーラ9側にして粘着シート8を供給通過させる。
すると、ウエハ1は小径ローラ10の作用部にお
いてゴムローラ9側に加圧され彎曲し、各ケガキ
傷7を起点としてへき開が進行し、粘着シート8
の下面に多数のウエハ小片11群が並列状に貼着
された状態でローラ間から出てくる。
尚、上記ローラ通過方式に代えて、ウエハ1を
貼着した粘着シート8を、ウエハ1を下にしてゴ
ムシート上に載置し、シート上面からローラを押
圧転動してウエハ1を小片群にへき開することが
できるものであり、前記ゴムローラ9やゴムシー
トを、弾性部材と総称し、又、粘着シート8を局
部的に印圧する前記ローラ10を押圧部材と総称
する。
細断線形成工程(第5図及び第6図参照) 上記のようにウエハ小片11群を並列貼着した
粘着シート8は間欠送りされる可動テーブル12
上に吸着保持され、ダイヤモンドスクライバー1
3a、もしくはデイスクスクライバー13bによ
つて小片11群の上面に、小片長手方向に一定の
ピツチで細断線としてのケガキ傷14a、もしく
は切込み溝14bが形成される。
この場合、粘着シート8を元の平らな状態に戻
すことで、該シート8上のウエハ小片11群は、
互いに密着し、表面に凹凸のない形に並列するの
で、割れがほとんど発生しない状態で、細断線が
形成される。
細断工程 細断線14a、もしくは14bが形成されたウ
エハ小片11群は、第4図に示したローラ式へき
開手段、もしくは扁平ゴムシートと転動ローラを
組合わせたへき開手段と同様な押圧手段を用い
て、各細断線14a、もしくは14bで細断さ
れ、縦横に並列されたチツプ15群が得られる。
チツプ分離工程(第7図参照) チツプ15群が貼着された粘着シート8は、そ
の端縁がチヤツク16によつて挟持固定された状
態でリフタ17上に装着され、リフタ下方のヒー
タ18で適当に加熱されたのち、リフタ17の上
昇に伴つてシート8は大きく伸長され、貼着され
た各チツプ15は適当間隔をあけて分離される。
この伸長処理を前後・左右方向に各別、もしくは
同時に行うことによつて、第8図に示すように縦
横に互いに分離されたチツプ15群を得ることが
できる。
そして、このチツプ15群の配列順序は元のウ
エハ1にそのまゝ対応しており、特性の安定性に
欠ける外周縁のものを除去することも容易であ
る。また、このチツプ15群はシート8に貼着し
たまゝ組立工程に搬入することができ、かつ、組
立工程においては各チツプ15をピンセツトや自
動組立爪等で簡単にシート8から剥離することが
できる。
尚、上記実施例ではへき開処理前にウエハ1を
粘着シート8に貼着している場合を示したが、へ
き開されたウエハ小片11を所定の配列順序に並
べて粘着シート8上に貼着したのちに、上記細断
線形式工程、以降の各工程で処理する形態で実施
することもできる。
以上説明したように本発明のチツプ製造方法は
次のような効果を発揮する。
へき開前処理工程で、これまでの製造方法のよ
うに多数のケガキ傷を素材ウエハに直接、スクラ
イバーで形成していくときは、スクライバーの落
とし込み位置の精度をあげないと、ケガキ傷の形
成位置の精度が低下するとともに、スクライバー
の落とし込みで素材ウエハに割れが発生するおそ
れがあるが、本発明の製造方法においては、金属
箔を、前端縁が素材ウエハ前端縁を露呈させてい
るとともに後端縁が素材ウエハ後端縁を覆つた状
態にして素材ウエハ上面に添着し、素材ウエハ後
端縁側で該素材ウエハから外れた位置にある金属
箔後端縁上にスクライバーを落下させて当接させ
るとともに、その当接状態のままで該スクライバ
ーを前方に向けて素材ウエハ上を掃引通過させる
ことにより、素材ウエハ前端縁上にのみへき開起
点用ケガキ傷を形成するようにしたから、金属箔
の前端縁による素材ウエハの前端縁の露呈精度を
上げるだけで、ケガキ傷の形成精度を高めること
ができるとともに、スクライバーの落下によつて
素材ウエハが割れるおそれがない。
また、本発明においては、従来のようにへき開
処理後のウエハ小片群を1つずつ取り扱うのでは
なく、ウエハ単位で取り扱うので、生産性をきわ
めて高くすることができ、コスト低減にきわめて
有利であり、さらには、貼着シートからチツプを
剥離する方式であるから、従来製法のようにウエ
ハ小片をシリコンウエハに接着剤で貼着固定して
ある場合のその接着剤の洗浄処理という余分な工
程が不要化し、かつ、細断チツプが元のウエハに
対応した配列順序であるからチツプの選択が容易
で特性、品質の管理が容易となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明方法におけるへき開前処理手
段の斜視図、第2図はその側面図、第3図はへき
開用の前処理の完了したウエハを示す斜視図、第
4図はへき開処理手段の斜視図、第5図は細断線
形成手段の斜視図、第6図は他の細断線形成手段
を示す斜視図、第7図はチツプ分離手段を示す側
面図、第8図は分離処理後のチツプを示す斜視図
である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 へき開前処理工程、へき開処理工程、細断線
    形成工程、細断工程、およびチツプ分離工程を有
    しており、 へき開前処理工程は、半導体レーザの素材ウエ
    ハ1を可動テーブル3の上面に吸着固定し、金属
    箔4を、前端縁が素材ウエハ1の前端縁を露呈さ
    せているとともに、後端縁が素材ウエハ1の後端
    縁を覆つた状態にして素材ウエハ1上面に添着
    し、素材ウエハ後端縁側で該素材ウエハ1から外
    れた位置にある金属箔後端縁上にスクライバー5
    を落下させて当接させるとともに、その当接状態
    のままで該スクライバー5を前方に向けて素材ウ
    エハ1上を掃引通過させることにより、素材ウエ
    ハ前端縁上にのみへき開起点用ケガキ傷7を形成
    し、かつ、該ケガキ傷7を、可動テーブル3を一
    定ピツチごとに側方に間欠移動して素材ウエハ前
    端縁に多数形成したうえで該素材ウエハ1を粘着
    シート8上に貼着する工程であり、 へき開処理工程は、弾性部材9と押圧部材10
    とを対向させ、素材ウエハ1を弾性部材9側に向
    けて両部材9,10間に粘着シート8を通過させ
    るとともに、押圧部材10で素材ウエハ1を弾性
    部材9側に加圧することで該素材ウエハ1を湾曲
    させることにより、素材ウエハ1にケガキ傷7を
    起点としてへき開を進行させ、これによつて両部
    材9,10通過後には粘着シート8下面に多数の
    並列貼着されたウエハ小片11群を得る工程であ
    り、 細断線形成工程は、ウエハ小片11群が並列貼
    着された粘着シート8を可動テーブル3上に吸着
    保持し、スクライバー13a,13bでウエハ小
    片11群の長手方向に一定ピツチで多数の細断線
    14a,14bを形成する工程であり、 細断工程は、細断線14a,14bが多数形成
    されたウエハ小片11群を該細断線14a,14
    bを介して細断する工程であり、 チツプ分離工程は、粘着シート8を伸長処理す
    ることにより、互いに分離された多数のチツプ1
    5群を得る工程であり、 前記各工程を前記記載順序で行うことを特徴と
    する半導体レーザのチツプ製造方法。
JP59021346A 1984-02-07 1984-02-07 半導体レ−ザのチツプ製造方法 Granted JPS60165778A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4731405U (ja) * 1971-04-20 1972-12-08
JPS5671952A (en) * 1979-11-16 1981-06-15 Nec Home Electronics Ltd Breaking semiconductor wafer
JPS58138050A (ja) * 1982-02-10 1983-08-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置の製造方法

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