JPS60165778A - 半導体レ−ザのチツプ製造方法 - Google Patents

半導体レ−ザのチツプ製造方法

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JPS60165778A
JPS60165778A JP59021346A JP2134684A JPS60165778A JP S60165778 A JPS60165778 A JP S60165778A JP 59021346 A JP59021346 A JP 59021346A JP 2134684 A JP2134684 A JP 2134684A JP S60165778 A JPS60165778 A JP S60165778A
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JP
Japan
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wafer
semiconductor laser
pieces
group
small
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JP59021346A
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JPH055195B2 (ja
Inventor
Haruo Tanaka
田中 治夫
Masahito Mushigami
雅人 虫上
Masayoshi Muranishi
正好 村西
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H01S5/0202Cleaving

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体レーザのチップを製造する方法の改良
に関する。
半導体レーザのチップは、ウェハからへき開分断された
細長いウェハ小片を更にその長手方向に所定ピッチで細
断して得られるものであり、従来ハ、ウェハ小片を1本
づつシリコンウェハニ接着剤で貼着固定し、これにスク
ライバ−でケガキ傷や切込み溝を形成したのち外力をか
けて細断するか、ダイサーで切断分離して所定横幅のチ
ップを形成していたので次のような欠点があった。
■ ウェハ小片を]本づつ取扱うために、作業性が極め
て悪く、加工コストが高くつく。
■ ウェハ小片にスクライバ−を作用させるとき、スク
ライバ−との接触開始点に接触衝撃によって割れが生じ
やすく、品質が悪くなる。
■ 細断したチップをシリコンウェハから分離するため
に接着剤の洗浄処理が必要であり、処理行程が多い。
■ 洗浄によって分離されたチップ群はバラバラになっ
て元のウェハに対する配列順序が不明となり、特性の良
いウェハ中央のものと、特性の悪いものが出やすいウェ
ハ外周近くのものとの区別がつかなくなり、品質及び特
性管理上の取扱いに問題が生じやすい。
本発明は、へき開されたウェハ小片をチップに細断する
手段に改良を加えることで、従来方法に見られた上記欠
点を一掃できるようにしたものであり、以下に本発明の
実施例を図面に基づいて説明する。
0)へき開削処理工程(第1図乃至第3図参照)半導体
レーザの素材ウェハ1は真空チャック2を備えた可動テ
ーブル3の上面に吸着固定され、一定ピツチづつ側方に
間欠移動される。ウェハ1の一4二面には]5μ程度の
厚さのアルミ箔4が添着されるとともに、ウェハ1の前
端縁の上面はアルミ箔4の前端縁より少し露呈される。
テーブル3の−L方には上下及び前後に駆動されるダイ
ヤモンドスクライバ−5が配備され、そのダイヤモンド
針6がウェハ1の後端縁側においてウェハ1から外れた
位置でアルミ箔4上に落下され、引続いてウェハ1」二
を通過して前方に掃引移動される。
そして、アルミ箔4の前端縁から露呈されたウェハ前端
縁上にのみへき開起点用のケガキ傷7が形成される。
上記作動をテーブル3の定ピッチ送りごとに繰返してウ
ェハ1の前端縁、にに一定ピッチで多数のケガキ傷7・
・が形成され、このウェハ1が、片面が粘着面Aに形成
されたビニール等の伸展可能な軟質プラスチック製の粘
着シートB上に、ケガキ傷7が露呈するよう貼着される
■ へき開処理工程(第4図参照) 次に、大径ゴムローラ9吉、これに対向する硬質の小径
ローラ10との間に、ウェハ1 f コム0−ラ9側に
1−で粘着シート8を供給通過させる。
すると、ウェハ1は小径ローラ1oの作用部においてゴ
ムローラ9側に加圧され彎曲し、各ケガキ傷7を起点と
してへき開が進行し、粘着シート8の下面に多数のウェ
ハ小片11群が並列状に貼着された状態でローラ間から
出てくる。
尚、」1記ローラ通過方式に代えて、ウェハ1を貼着し
た粘着シート8を、ウェハ1を下にしてゴムシート上に
載置し、シート上面からローラを押圧転動してウェハ1
を小片群にへき開することができるものであり、前記ゴ
ムローラ9やゴムシートを、弾性部材と総称し、又、粘
着シート8を局部的に印圧する前記ローラ10を抑圧部
材と総称する。
■ 細断線形成工程(第5図及び第6図参照)−に記の
ようにウェハ小片11群を並列貼着した粘着シート8は
間欠送りされる可動テーブル12上に吸着保持され、ダ
イヤモンドスクライバ−13a、もしくはディスクスク
ライバ−13bによって小片11群の上面に、小片長手
方向に一定のピッチで細断線としてのケガキ傷14a、
もL<は切込み溝14bが形成される。
■ 細断工程 細断線14a1もしくは14bか形成されたウェハ小片
11群は、第4図に示したローラ式へき聞手段、もしく
は扁平ゴムシートと転動ローラを組合わせたへき聞手段
と同様な抑圧手段を用いて、各細断線14a1もしくは
14bで細断され、縦横に並列されたチップ15群が得
られる。
■ チップ分離工程(第7図参照) チップ15群が貼着された粘着シート8は、その端縁が
チャック16によって挟持固定された状態でリフタ17
上に装着され、リフタ下方のヒータ18で適当に加熱さ
れたのち、リフタ17の上昇に伴ってシー1−8は大き
く伸長され、貼着された各チップ15は適当間隔をあけ
て分離される。
この伸長処理を前後・左右方向に各別、もしく Icl
、同時に行うことによって、第8図に示すように縦横に
互いに分離されたチップ15群を得ることができる。
そして、このチップ15群の配列順序は元のウェハ1に
そのま\対応しており、特性の安定性に欠ける外周縁の
ものを除去することも容易である。
又、このチップ15群はシート8に貼着したま\組立工
程に搬入することができ、かつ、組立工程においては各
チップ15をピンセットや自動組立爪等で簡単にシート
8から剥離することができる。
尚、−上記実施例ではへき開処理前にウニ・・1を粘着
シート8に貼着している場合を示したが、へき開された
ウニ・・小片11を所定の配列順序に並べて粘着シート
8」二に貼着したのちに、上記細断線形式1程、以降の
各工程で処理する形態で実施することもできる。
以上説明したように本発明のチップ製造方法は次のよう
な効果を発揮する。
(1)従来のへき開したウニ・・小片を1本づつ扱うの
でd、なく、ウエノ・単位に扱うために、生産性か高く
、コスト低下に有効である。
■ ウニ・・小片群を並べて細断線形式用のスクライバ
−にかけるので、スクライバ−の接触開始する外端のウ
ニ・・小片以外の小片へのスクライバ−の接触衝撃は極
めて少く、接触へに割れの生じたものが少くなって高品
質のものを多く得ることができ、歩どまりの高い製造が
行える。
■ チップは粘着テープから容易に剥離できるので、従
来方法のような洗浄処理が不要であり、処理工程の削減
によって生産性が向上するのみならず、残留接着剤によ
る汚損がなく、品質向上傾も有効である。
■ 細断されたチップが元のウェハに対応した配列順序
で形成されるので、チップの選択が容易であり、特性、
品質の管理が容易となった。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明方法におけるへき開削処理手段の斜視
図、第2図はその側面図、第3図はへき開用の前処理の
完了したウェハを示す斜視図、第4図はへき開処理手段
の斜視図、第5図は細断線形入手段の斜視図、第6図は
他の細断線形成子段を示す斜視図、第1図はチップ分離
手段を示す側面図、第8図は分離処理後のチップを示す
斜視図である。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) ウェハからへき開分断したウェハ小片群を元の
    ウェハに対する配列状態で伸展可能な粘着シート上に並
    列貼着する工程と、前記ウェハ小片群の表面に、スクラ
    イバ−によってチップ横幅に相当する一定ピッチで細断
    線を形成する工程と、弾性部材上に、前記ウェハ小片群
    が該部材側となるように位置させて、前記粘着シート外
    面から局部的に外力を加える押圧部旧を、ウェハ小片の
    長子H向に沿って順次作用させて、各ウニ・・小片を前
    記細断線に泊って分断する工程と、貼着ソートを伸展さ
    せてなる各ウェハ小片から細断されたチップ群を互いに
    分離する工程とを含み、前記各工程を順次行なうことを
    特徴とする半導体レーザのチップ製造方法。
  2. (2) ウェハを粘着シート上に貼着した状態でウェハ
    小片群のへき開処理を施す特許請求の範囲第1項に記載
    の半導体レーザのチップ製造方法。
  3. (3) 前記弾性部拐が偏1Ft−なゴムシートであり
    、前記抑圧部材がローラである特許請求の範囲第1項ま
    たは第2項に記載の半導体レーザのチップ製造方法。
  4. (4)前記弾性部材が大径のゴムローラであり、前記抑
    圧部材が小径のローラである特許請求の範囲第1項また
    は第2項に記載の半導体レーザのチップ製造方法。
  5. (5) 前記細断線が、ダイヤモンドスクライバ−で形
    成されたケガキ傷である特許請求の範囲第1項ないし第
    4項のいずれかに記載の半導体レーザのチップ製造方法
  6. (6)前記細断線が、ディスクスクライバ−で形成され
    た切り込み溝である特許請求の範囲第1項ないし第4項
    のいずれかに記載の半導体レーザのチップ製造方法。
  7. (7) 前記粘着シートの伸展処理前に加熱処理を施す
    特許請求の範囲第1項ないし第6項のいずれかに記載の
    半導体レーザのチップ製造方法。
JP59021346A 1984-02-07 1984-02-07 半導体レ−ザのチツプ製造方法 Granted JPS60165778A (ja)

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JPH055195B2 JPH055195B2 (ja) 1993-01-21

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218471A (ja) * 1993-11-22 2003-07-31 Xerox Corp レーザダイオード生成方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4731405U (ja) * 1971-04-20 1972-12-08
JPS5671952A (en) * 1979-11-16 1981-06-15 Nec Home Electronics Ltd Breaking semiconductor wafer
JPS58138050A (ja) * 1982-02-10 1983-08-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置の製造方法

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JPH055195B2 (ja) 1993-01-21

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