JPH01266782A - オプトエレクトロニクまたはオプテイカルデバイスの製造方法 - Google Patents
オプトエレクトロニクまたはオプテイカルデバイスの製造方法Info
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- JPH01266782A JPH01266782A JP1053589A JP5358989A JPH01266782A JP H01266782 A JPH01266782 A JP H01266782A JP 1053589 A JP1053589 A JP 1053589A JP 5358989 A JP5358989 A JP 5358989A JP H01266782 A JPH01266782 A JP H01266782A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
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- G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は、デバイスの光結合エツジがマスキングの使用
によって適当な材料から成る板片から所望のパターンに
エツチング形成され、板片には１つまたは複数のエピタ
キシー、拡散または注入プロセスによってデバイスに応
じた膜の列が設けられている、ストライプ導波路パター
ンを備えた端面結合形オプトエレクトロニクまたはオプ
ティカルデバイスのモノリシック製造方法、ならびに特
に、デバイスの光放出エツジがマスキングの使用によっ
て半導体板片から所望のパターンにエツチング形成され
、半導体板片にはエピタキシ−プロセスによってレーザ
駆動に適する膜の列が設けられている、ストライプ導波
路パターンを備えたエツジ放出形オプトエレクトロニク
半導体デバイスのモノリシック製造方法に関する。
によって適当な材料から成る板片から所望のパターンに
エツチング形成され、板片には１つまたは複数のエピタ
キシー、拡散または注入プロセスによってデバイスに応
じた膜の列が設けられている、ストライプ導波路パター
ンを備えた端面結合形オプトエレクトロニクまたはオプ
ティカルデバイスのモノリシック製造方法、ならびに特
に、デバイスの光放出エツジがマスキングの使用によっ
て半導体板片から所望のパターンにエツチング形成され
、半導体板片にはエピタキシ−プロセスによってレーザ
駆動に適する膜の列が設けられている、ストライプ導波
路パターンを備えたエツジ放出形オプトエレクトロニク
半導体デバイスのモノリシック製造方法に関する。
オプティカルデバイスおよびオプトエレクトロニク半導
体デバイスを効率良く製造するためには、出来る限り多
数の同一デバイスを適当な材料例えば半導体材料または
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ０、）から成る板片（ウェ
ーハもしくはチップ）上に共通に製造することが必要で
ある。例えばＭＣＲＷ （＋＊ｅｔａｌｌ ｃｌａｄｄ
ｅｄ ｒｉｄｇｅ ｗａｖｅｇａｔｄｅ ）レーザダイ
オードの如きエツジ放出形ストライプ導波路の場合には
、このことは半導体材料によって構成される板片上で全
ての製造工程が行われなければならないことを意味して
いる。これには例えばレーザミラーのような放出エツジ
と特にストライプ導波路自体とを製造するための複雑な
工程が属する。
体デバイスを効率良く製造するためには、出来る限り多
数の同一デバイスを適当な材料例えば半導体材料または
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ０、）から成る板片（ウェ
ーハもしくはチップ）上に共通に製造することが必要で
ある。例えばＭＣＲＷ （＋＊ｅｔａｌｌ ｃｌａｄｄ
ｅｄ ｒｉｄｇｅ ｗａｖｅｇａｔｄｅ ）レーザダイ
オードの如きエツジ放出形ストライプ導波路の場合には
、このことは半導体材料によって構成される板片上で全
ての製造工程が行われなければならないことを意味して
いる。これには例えばレーザミラーのような放出エツジ
と特にストライプ導波路自体とを製造するための複雑な
工程が属する。
従来ではこの問題はモノリシック技術を使用しないで解
決していた。というのは、この種のデバイスを製造する
ための従来の技術においてはデバイスの光放出エツジつ
まりミラーにはいつも意図しない誤形成が生じ、この誤
形成は正規の作動および許容可能な生産量の達成を困難
もしくは不可能にするからである。このような理由から
ストライプ導波路の光放出エツジは従来ではこの目的に
適する（材料に特殊な）結晶軸に沿う破断によって製造
されていた。
決していた。というのは、この種のデバイスを製造する
ための従来の技術においてはデバイスの光放出エツジつ
まりミラーにはいつも意図しない誤形成が生じ、この誤
形成は正規の作動および許容可能な生産量の達成を困難
もしくは不可能にするからである。このような理由から
ストライプ導波路の光放出エツジは従来ではこの目的に
適する（材料に特殊な）結晶軸に沿う破断によって製造
されていた。
その後、レーザダイオードをモノリシック技術によって
半導体板片上に実現することが可能になった。レーザ共
振器として使用される面平行な端部面（レーザミラー）
を製造するために、保護すべき半導体表面が所望の幾何
学的パターンを有するホトレジストによって覆われる。
半導体板片上に実現することが可能になった。レーザ共
振器として使用される面平行な端部面（レーザミラー）
を製造するために、保護すべき半導体表面が所望の幾何
学的パターンを有するホトレジストによって覆われる。
ドライエツチングプロセスによって半導体板片上には所
望のミラーパターンが得られ、その場合に作成されたエ
ツチング溝の側壁は一部がエツジ放出面つまりレーザミ
ラーを形成する。
望のミラーパターンが得られ、その場合に作成されたエ
ツチング溝の側壁は一部がエツジ放出面つまりレーザミ
ラーを形成する。
本発明は、デバイスの光結合エツジおよびストライプ導
波路がモノリシック技術によって実現可能でありしかも
エツジ放出形オプティカルデバイスをコスト的に良好に
製造可能にするだけでなく別の光学部品または電子部品
を備えたエツジ放出形ストライプ導波路を適当な材料か
ら成る板片上に集積することができるような冒頭で述べ
た種類の、ストライプ導波路パターンを備えた端面結合
形オプトエレクトロニクまたはオプティカルデバイスの
モノリシック製造方法、ならびにストライプ導波路パタ
ーンを備えたエツジ放出形オプトエレクトロニク半導体
デバイスのモノリシック製造方法を提供することを課題
とする。
波路がモノリシック技術によって実現可能でありしかも
エツジ放出形オプティカルデバイスをコスト的に良好に
製造可能にするだけでなく別の光学部品または電子部品
を備えたエツジ放出形ストライプ導波路を適当な材料か
ら成る板片上に集積することができるような冒頭で述べ
た種類の、ストライプ導波路パターンを備えた端面結合
形オプトエレクトロニクまたはオプティカルデバイスの
モノリシック製造方法、ならびにストライプ導波路パタ
ーンを備えたエツジ放出形オプトエレクトロニク半導体
デバイスのモノリシック製造方法を提供することを課題
とする。
このような課題を解決するために、本発明は、ウェット
ケミカルまたはドライエツチング技術によって作られほ
ぼ垂直な側壁によって部分的にデバイスの光結合エツジ
を形成するエツチング溝が有機材料から成る適当な第１
の膜によって覆われ、有機材料から成る第１の膜はエツ
チング溝以外の領域がホト技術、灰化、もしくは化学的
作用によって除去され、それゆえ第１の膜の残留部分は
エツチング溝を殆ど満たしており、その後、有機材料か
ら成る第２の膜が第１の膜上に生成され、有機材料から
成る第２の膜は所望の形状にパターン化され、それゆえ
ストライプ導波路のエツチングマスクが形成され、そし
て、マスキングを用いて予め定められたストライプ導波
路パターンが板片からドライエツチング技術またはウェ
ットケミカルによってエツチング形成されることを特徴
とする。
ケミカルまたはドライエツチング技術によって作られほ
ぼ垂直な側壁によって部分的にデバイスの光結合エツジ
を形成するエツチング溝が有機材料から成る適当な第１
の膜によって覆われ、有機材料から成る第１の膜はエツ
チング溝以外の領域がホト技術、灰化、もしくは化学的
作用によって除去され、それゆえ第１の膜の残留部分は
エツチング溝を殆ど満たしており、その後、有機材料か
ら成る第２の膜が第１の膜上に生成され、有機材料から
成る第２の膜は所望の形状にパターン化され、それゆえ
ストライプ導波路のエツチングマスクが形成され、そし
て、マスキングを用いて予め定められたストライプ導波
路パターンが板片からドライエツチング技術またはウェ
ットケミカルによってエツチング形成されることを特徴
とする。
またかかる課題を別の方法で解決するために本発明は、
ウェットケミカルまたはドライエツチング技術によって
作られほぼ垂直な側壁によって部分的にデバイスの光放
出エツジを形成するエツチング溝がホトレジストから成
る適当な第１の膜によって覆われ、ホトレジストから成
る第１の膜はエツチング溝以外の領域が露光されて現像
除去され、ホトレジストから成りエツチング溝に少なく
ともほぼ満たされた第１の膜の残留部分はこの残留部分
が光には感応しないが化学的には不溶ではないようにな
る温度に加熱され、その後、ホトレジストから成る第２
の膜がホトレジストから成る第１の膜上に生成され、第
２の膜は所望のパターンに露光されて現像され、それゆ
えストライプ導波路のエツチングマスクが形成され、そ
してマスキングを用いて予め定められたストライプ導波
路パターンが半導体材料から成る板片からドライエツチ
ング技術またはウェットケミカルによって工ッチング形
成されることも特徴とする。
ウェットケミカルまたはドライエツチング技術によって
作られほぼ垂直な側壁によって部分的にデバイスの光放
出エツジを形成するエツチング溝がホトレジストから成
る適当な第１の膜によって覆われ、ホトレジストから成
る第１の膜はエツチング溝以外の領域が露光されて現像
除去され、ホトレジストから成りエツチング溝に少なく
ともほぼ満たされた第１の膜の残留部分はこの残留部分
が光には感応しないが化学的には不溶ではないようにな
る温度に加熱され、その後、ホトレジストから成る第２
の膜がホトレジストから成る第１の膜上に生成され、第
２の膜は所望のパターンに露光されて現像され、それゆ
えストライプ導波路のエツチングマスクが形成され、そ
してマスキングを用いて予め定められたストライプ導波
路パターンが半導体材料から成る板片からドライエツチ
ング技術またはウェットケミカルによって工ッチング形
成されることも特徴とする。
本発明による製造方法を用いれば、コスト的に良好な端
面結合形オプトエレクトロニクまたはオプティカルデバ
イスを製造することができるだけでなく、さらにエツジ
放出形ストライプ導波路をウェーハ上の電子部品に接続
することができる。
面結合形オプトエレクトロニクまたはオプティカルデバ
イスを製造することができるだけでなく、さらにエツジ
放出形ストライプ導波路をウェーハ上の電子部品に接続
することができる。
ストライプ導波路は窪み部および隆起部の形状を有する
。
。
本発明による製造方法を用いれば特に、ミラーパターン
の他にストライプ導波路パターンを半導体円板（ウェー
ハ）にエツチング形成することができる。このために、
ウェーハ表面の全面準備を行った後ホトレジストマスク
がミラーつまり光送出エツジのエツチングのためにウェ
ーハ上に設けられる。ウェーハ表面の準備は勿論加工す
べきデバイスに応じる。ＭＣＲＷレーザの場合にはこれ
は例えば全面コンタクト拡散と第１のＰ形コンタクト金
属膜の形成である。
の他にストライプ導波路パターンを半導体円板（ウェー
ハ）にエツチング形成することができる。このために、
ウェーハ表面の全面準備を行った後ホトレジストマスク
がミラーつまり光送出エツジのエツチングのためにウェ
ーハ上に設けられる。ウェーハ表面の準備は勿論加工す
べきデバイスに応じる。ＭＣＲＷレーザの場合にはこれ
は例えば全面コンタクト拡散と第１のＰ形コンタクト金
属膜の形成である。
平坦でありかつウェーハ表面に対して出来る限り垂直で
あらねばならないエツチング面のドライまたはウェット
パターン化および場合によっては必要な被覆を行った後
、エツチングによって作成されたミラー溝は適当なホト
レジストによって覆われる。ミラー溝以外のホトレジス
トは露光されて現像除去される。その際、ホトレジスト
膜はウェーハ表面によって制約されることなく溝領域に
密閉された表面を形成しなければならない、ミラー溝に
ホトレジスト膜が殆ど、即ち約８０％以上充填されるよ
うにすると、極めて好適な結果が得られる。その後、第
１のホトレジストは光には感応しないが化学的に不溶で
はないような、望ましくはアセトンに溶けるような温度
に加熱される。
あらねばならないエツチング面のドライまたはウェット
パターン化および場合によっては必要な被覆を行った後
、エツチングによって作成されたミラー溝は適当なホト
レジストによって覆われる。ミラー溝以外のホトレジス
トは露光されて現像除去される。その際、ホトレジスト
膜はウェーハ表面によって制約されることなく溝領域に
密閉された表面を形成しなければならない、ミラー溝に
ホトレジスト膜が殆ど、即ち約８０％以上充填されるよ
うにすると、極めて好適な結果が得られる。その後、第
１のホトレジストは光には感応しないが化学的に不溶で
はないような、望ましくはアセトンに溶けるような温度
に加熱される。
さらに、適当な第２のホトレジストが第１のホトレジス
トの上に生成される。この第２のホトレジストはストラ
イプ導波路のホトマスクを用いて露光される。ホトレジ
ストの現像が行われた後、ミラー領域にも良好なストラ
イプ導波路のホトマスクが設けられる。いまやウェーハ
にはパターン化および不動態化が実行される。その結果
、ＭＣＲ・Ｗレーザの特別な場合にはモノリシックに加
工された良好なストライプ導波路が得られ、このストラ
イプ導波路はモノリシックに製造されたミラーに開口し
ている。
トの上に生成される。この第２のホトレジストはストラ
イプ導波路のホトマスクを用いて露光される。ホトレジ
ストの現像が行われた後、ミラー領域にも良好なストラ
イプ導波路のホトマスクが設けられる。いまやウェーハ
にはパターン化および不動態化が実行される。その結果
、ＭＣＲ・Ｗレーザの特別な場合にはモノリシックに加
工された良好なストライプ導波路が得られ、このストラ
イプ導波路はモノリシックに製造されたミラーに開口し
ている。
その後、例えばリフトオフ技術によってさらに金属膜が
生成される。このような第２の金属膜の生成の後、モノ
リシックなＭＣＲＷレーザ技術の場合には完全なｐ形コ
ンタクトがウェーハ上に形成される。その他の技術ステ
ップは全て従来技術と同じである。
生成される。このような第２の金属膜の生成の後、モノ
リシックなＭＣＲＷレーザ技術の場合には完全なｐ形コ
ンタクトがウェーハ上に形成される。その他の技術ステ
ップは全て従来技術と同じである。
デバイスを個々に分割する際にはドイツ連邦共和国特許
出願公開第３７３１３１２号公報に記載された方法が使
用される。デバイスを個々に分割するために、板片、特
に半導体板片の保護すべき部分にはマスクが設けられる
。その後、エツチング溝の底面にウェットケミカルまた
はドライエツチング技術によって別の溝がエツチング形
成される。その後、デバイスは破断によって直接、また
は切り裂き、溝エツチングまたは切断のような補助工程
によって個々に分割される。ウェットエッチング剤とし
て組成が３Ｈ，Ｓｏ、？ ＩＨｚ Ｏ。
出願公開第３７３１３１２号公報に記載された方法が使
用される。デバイスを個々に分割するために、板片、特
に半導体板片の保護すべき部分にはマスクが設けられる
。その後、エツチング溝の底面にウェットケミカルまた
はドライエツチング技術によって別の溝がエツチング形
成される。その後、デバイスは破断によって直接、また
は切り裂き、溝エツチングまたは切断のような補助工程
によって個々に分割される。ウェットエッチング剤とし
て組成が３Ｈ，Ｓｏ、？ ＩＨｚ Ｏ。
：ＩＨｚＯから成る３：ｌ：１のエツチング剤が使用さ
れ、またはドライエツチング剤として塩素プラズマが使
用される。
れ、またはドライエツチング剤として塩素プラズマが使
用される。
特に優れた実施例として図面に示したＭＣＲＷレーザに
基づいて本発明による製造方法を詳細に説明する。
基づいて本発明による製造方法を詳細に説明する。
この例ではＭＣＲＷレーザのストライプ導波路パターン
４を備えたエツジ放出形オプトエレクトロニクデバイス
１０を製造するために、デバイス１０の光放出エツジ（
ミラー）２は、マスキングの使用のもとに半導体板片１
から所望のパターンにエツチング形成される。半導体板
片１にはデバイス１０に応じた膜の列がエピタキシ−プ
ロセスによって設けられている。この例では上から第１
のｐ形コンタクト金属膜１１と、その下にｐＩｆ３ｍ電
領域を有するＺｎ拡散ゾーン９とが形成されている。さ
らにレーザの活性ゾーン７、即ち共振器領域が続いて形
成されている。その下にはｎ形導電膜が形成され、その
場合半導体板片１としてｎ形導電基板が使用され、その
基板はその下面が図示されていないｎ形金属膜によって
密封されている。ウェットケミカルまたはドライエツチ
ング技術によって作られてほぼ垂直な側壁により部分的
にデバイス１０の光放出エツジ（ミラー）２を形成する
エツチング溝３は、第１のホトレジスト膜５によって覆
われている。この第１のホトレジスト膜５はエツチング
溝３以外の領域が露光されて現像除去される。第１のホ
トレジスト膜５の残留部分は光には感応しないが化学的
には不溶でないようになる、望ましくはアセトンに溶け
るようになる温度に加熱される０次に第１のホトレジス
ト膜５の上に第２のホトレジスト膜６が生成される。
４を備えたエツジ放出形オプトエレクトロニクデバイス
１０を製造するために、デバイス１０の光放出エツジ（
ミラー）２は、マスキングの使用のもとに半導体板片１
から所望のパターンにエツチング形成される。半導体板
片１にはデバイス１０に応じた膜の列がエピタキシ−プ
ロセスによって設けられている。この例では上から第１
のｐ形コンタクト金属膜１１と、その下にｐＩｆ３ｍ電
領域を有するＺｎ拡散ゾーン９とが形成されている。さ
らにレーザの活性ゾーン７、即ち共振器領域が続いて形
成されている。その下にはｎ形導電膜が形成され、その
場合半導体板片１としてｎ形導電基板が使用され、その
基板はその下面が図示されていないｎ形金属膜によって
密封されている。ウェットケミカルまたはドライエツチ
ング技術によって作られてほぼ垂直な側壁により部分的
にデバイス１０の光放出エツジ（ミラー）２を形成する
エツチング溝３は、第１のホトレジスト膜５によって覆
われている。この第１のホトレジスト膜５はエツチング
溝３以外の領域が露光されて現像除去される。第１のホ
トレジスト膜５の残留部分は光には感応しないが化学的
には不溶でないようになる、望ましくはアセトンに溶け
るようになる温度に加熱される０次に第１のホトレジス
ト膜５の上に第２のホトレジスト膜６が生成される。
この第２のホトレジスト膜６は所望のパターンに露光さ
れて現像され、それによってストライプ導波路のエツチ
ングマスクが形成される。最後にマスキングを用いて予
め定められたストライプ導波路パターン４が半導体板片
１からドライエツチング技術またはウェットケミカルに
よってエツチング形成される。このようにして第２図に
示されたパターンが得られる。膜の列は第１図に示され
たものと同一である。酸化アルミニウムａ（Ａｉ。
れて現像され、それによってストライプ導波路のエツチ
ングマスクが形成される。最後にマスキングを用いて予
め定められたストライプ導波路パターン４が半導体板片
１からドライエツチング技術またはウェットケミカルに
よってエツチング形成される。このようにして第２図に
示されたパターンが得られる。膜の列は第１図に示され
たものと同一である。酸化アルミニウムａ（Ａｉ。
０、膜）８はミラーつまり光放出エツジ２を被覆するた
めに使われ、第２図においてはストライプ導波路パター
ン４の端面領域を覆っている。最後に第２の金属膜１２
を設けた後、ＭＣＲＷレーザ技術の図示されたケースで
は完全なＰ形コンタクトが半導体板片１上に設けられる
。
めに使われ、第２図においてはストライプ導波路パター
ン４の端面領域を覆っている。最後に第２の金属膜１２
を設けた後、ＭＣＲＷレーザ技術の図示されたケースで
は完全なＰ形コンタクトが半導体板片１上に設けられる
。
本発明による製造方法は図示された実施例に限定されな
い、この製造方法は実際にモノリシックに製造された光
結合エツジにモノリシック技術によって結合されたあら
ゆる形態の光導波路パターンに適用可能である０例えば
、本発明による製造方法はニオブ酸リチウム基板上に光
導波路または変調器を実現することができる０本発明に
よる製造方法は、例えば光ファイバが端面結合の原理に
基づいてニオブ酸リチウムチップに結合されてシリコン
にエツチング形成されたＶ形路内を案内される方向性結
合器を製造するためにも適用可能である。類似の要素は
例えばＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ ＡＳから
も製造することができる。
い、この製造方法は実際にモノリシックに製造された光
結合エツジにモノリシック技術によって結合されたあら
ゆる形態の光導波路パターンに適用可能である０例えば
、本発明による製造方法はニオブ酸リチウム基板上に光
導波路または変調器を実現することができる０本発明に
よる製造方法は、例えば光ファイバが端面結合の原理に
基づいてニオブ酸リチウムチップに結合されてシリコン
にエツチング形成されたＶ形路内を案内される方向性結
合器を製造するためにも適用可能である。類似の要素は
例えばＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ ＡＳから
も製造することができる。
第１図は最初のエツチング後のレーザパターンを示す断
面図、第２図はｐ形コンタクトを備えエツチングの終了
したレーザパターンを示す断面図である。 １・・・半導体板片 ２・・・光放出エツジ ３・・・エッチング溝 ４・・・ストライプ導波路パターン ５．６・・・ホトレジスト膜 １０・・・デバイス １２・・・金属膜 ＩＧ Ｉ ＩＧ２
面図、第２図はｐ形コンタクトを備えエツチングの終了
したレーザパターンを示す断面図である。 １・・・半導体板片 ２・・・光放出エツジ ３・・・エッチング溝 ４・・・ストライプ導波路パターン ５．６・・・ホトレジスト膜 １０・・・デバイス １２・・・金属膜 ＩＧ Ｉ ＩＧ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）デバイスの光結合エッジがマスキング技術によって
適当な材料から成る板片から所望のパターンにエッチン
グ形成され、前記板片には１つまたは複数のエピタキシ
ー、拡散または注入プロセスによって前記デバイスに応
じた膜の列が設けられている、ストライプ導波路パター
ンを備えた端面結合形オプトエレクトロニクまたはオプ
ティカルデバイスのモノリシック製造方法において、ウ
ェットケミカルまたはドライエッチング技術によって作
られほぼ垂直な側壁によって部分的にデバイス（１０）
の光結合エッジ（２）を形成するエッチング溝（３）が
有機材料から成る第１の膜（５）によって覆われ、有機
材料から成る前記第１の膜（５）は前記エッチング溝（
３）以外の領域がホト技術、灰化、もしくは化学的作用
によって除去され、それゆえ前記第１の膜（５）の残留
部分は前記エッチング溝（３）を殆ど満たしており、そ
の後、有機材料から成る第２の膜（６）が前記第１の膜
（５）上に生成され、有機材料から成る前記第２の膜（
６）は所望の形状にパターン化され、それゆえストライ
プ導波路のエッチングマスクが形成され、そして、マス
キングを用いて予め定められたストライプ導波路パター
ン（４）が前記板片（１）からドライエッチング技術ま
たはウェットケミカルによってエッチング形成されるこ
とを特徴とするオプトエレクトロニクまたはオプティカ
ルデバイスの製造方法。 ２）板片（１）はガラス、シリコン、III−Ｖ族半導体
材料またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ＿３）によっ
て構成されることを特徴とする請求項１記載の製造方法
。 ３）有機材料から成る第１の膜（５）はホトレジスト膜
であることを特徴とする請求項１または２記載の製造方
法。 ４）デバイスの光放出エッジがマスキングの使用によっ
て半導体板片から所望のパターンにエッチング形成され
、前記半導体板片にはエピタキシ−プロセスによってレ
ーザ駆動に適する膜の列が設けられている、ストライプ
導波路パターンを備えたエッジ放出形オプトエレクトロ
ニク半導体デバイスのモノリシック製造方法において、
ウェットケミカルまたはドライエッチング技術によって
作られほぼ垂直な側壁によって部分的にデバイス（１０
）の光放出エッジ（２）を形成するエッチング溝（３）
がホトレジストから成る第１の膜（５）によって覆われ
、ホトレジストから成る前記第１の膜（５）は前記エッ
チング溝（３）以外の領域が露光されて現像除去され、
ホトレジストから成り前記エッチング溝（３）に少なく
ともほぼ満たされた前記第１の膜（５）の残留部分はこ
の残留部分が光には感応しないが化学的には不溶ではな
いようになる温度に加熱され、その後、ホトレジストか
ら成る第２の膜（６）がホトレジストから成る前記第１
の膜（５）上に生成され、前記第２の膜（６）は所望の
パターンに露光されて現像され、それゆえストライプ導
波路のエッチングマスクが形成され、そして、マスキン
グを用いて予め定められたストライプ導波路パターン（
４）が半導体材料から成る前記板片（１）からドライエ
ッチング技術またはウェットケミカルによってエッチン
グ形成されることを特徴とするオプトエレクトロニク半
導体デバイスの製造方法。 ５）半導体材料から成りエッチング溝パターン（３）と
ストライプ導波路パターン（４）とが設けられた板片（
１）はその後不動態化されることを特徴とする請求項１
ないし４の１つに記載の製造方法。 ６）ストライプ導波路（４）の表面には補助的な金属膜
（１２）が設けられることを特徴とする請求項１ないし
５の１つに記載の製造方法。 ７）デバイス（１０）を個々に分離するためには、板片
（１）の保護すべき部分にマスクが設けられ、その後ウ
ェットケミカルまたはドライエッチング技術によってエ
ッチング溝（３）の底面に別の溝がエッチング形成され
、その後デバイス（１０）が破断によって直接、または
切り裂き、溝エッチングまたは切断のような補助ステッ
プによって分割されることを特徴とする請求項１ないし
６の１つに記載の製造方法。 ８）ウェットエッチング剤として組成が３Ｈ＿２ＳＯ＿
４：１＿２Ｏ＿２：１Ｈ＿２Ｏから成る３：１：１のエ
ッチング剤が使用され、またはドライエッチング剤とし
て塩素プラズマが使用されることを特徴とする請求項１
ないし７の１つに記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3807777.9 | 1988-03-09 | ||
| DE3807777 | 1988-03-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01266782A true JPH01266782A (ja) | 1989-10-24 |
Family
ID=6349263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1053589A Pending JPH01266782A (ja) | 1988-03-09 | 1989-03-06 | オプトエレクトロニクまたはオプテイカルデバイスの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4895615A (ja) |
| EP (1) | EP0332116B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01266782A (ja) |
| DE (1) | DE58904889D1 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5252294A (en) * | 1988-06-01 | 1993-10-12 | Messerschmitt-Bolkow-Blohm Gmbh | Micromechanical structure |
| US5358898A (en) * | 1989-07-15 | 1994-10-25 | Fujitsu Limited | Method of making a tunable laser diode having a distributed feedback structure |
| US5069561A (en) * | 1990-07-24 | 1991-12-03 | Gte Laboratories Incorporated | Monolithically integrated ridge waveguide semiconductor optical preamplifier |
| US5170455A (en) * | 1991-10-30 | 1992-12-08 | At&T Bell Laboratories | Optical connective device |
| JPH07111357A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| DE19502684A1 (de) * | 1995-01-28 | 1996-08-01 | Sel Alcatel Ag | Verfahren zur Herstellung von Mehrsegment-Rippenwellenleitern |
| US6022671A (en) * | 1997-03-11 | 2000-02-08 | Lightwave Microsystems Corporation | Method of making optical interconnects with hybrid construction |
| US5970186A (en) * | 1997-03-11 | 1999-10-19 | Lightwave Microsystems Corporation | Hybrid digital electro-optic switch |
| US6144779A (en) | 1997-03-11 | 2000-11-07 | Lightwave Microsystems Corporation | Optical interconnects with hybrid construction |
| CA2346130A1 (en) | 1998-11-10 | 2000-05-18 | Lightwave Microsystems Corporation | Photonic devices comprising thermo-optic polymer |
| US6737223B2 (en) * | 2000-08-07 | 2004-05-18 | Shipley Company, L.L.C. | Fiber optic chip with lenslet array and method of fabrication |
| US7086134B2 (en) * | 2000-08-07 | 2006-08-08 | Shipley Company, L.L.C. | Alignment apparatus and method for aligning stacked devices |
| US6596185B2 (en) * | 2000-11-28 | 2003-07-22 | Lightcross, Inc. | Formation of optical components on a substrate |
| US6697552B2 (en) | 2001-02-23 | 2004-02-24 | Lightwave Microsystems Corporation | Dendritic taper for an integrated optical wavelength router |
| US20020158046A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Chi Wu | Formation of an optical component |
| US20020158047A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Yiqiong Wang | Formation of an optical component having smooth sidewalls |
| US6921490B1 (en) | 2002-09-06 | 2005-07-26 | Kotura, Inc. | Optical component having waveguides extending from a common region |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60187078A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
-
1989
- 1989-03-03 US US07/319,010 patent/US4895615A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-06 EP EP89103913A patent/EP0332116B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-06 DE DE8989103913T patent/DE58904889D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-06 JP JP1053589A patent/JPH01266782A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4895615A (en) | 1990-01-23 |
| EP0332116B1 (de) | 1993-07-14 |
| EP0332116A1 (de) | 1989-09-13 |
| DE58904889D1 (de) | 1993-08-19 |
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