JPS61242026A - 特定格子定数の表面格子の製造方法 - Google Patents
特定格子定数の表面格子の製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 11
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、特定の格子定数の表面格子を結晶基板の表
面にマスクエツチングによって形成された段構造の下位
表面に形成させる方法に関するものである。
面にマスクエツチングによって形成された段構造の下位
表面に形成させる方法に関するものである。
単一のエピタキシィ過程によってＤＦＢ−ＭＣＲＷレー
ザーを実現するためには、一つのメサ構造の下位平面に
中央の上段区域に接して格子構造を作ることが必要とな
るａ ＤＦＢ−ＭＯＲＷし０年特許願第２２２９（）７
号明細書参照）において提案されている。
ザーを実現するためには、一つのメサ構造の下位平面に
中央の上段区域に接して格子構造を作ることが必要とな
るａ ＤＦＢ−ＭＯＲＷし０年特許願第２２２９（）７
号明細書参照）において提案されている。
メサ構造の下位表面に多重層マスクを使用して表面格子
を作ることは考えられることであるが。
を作ることは考えられることであるが。
この場合メサ構造をもつ基板には遠心作用によるフォト
レジストの塗布が不可能であるという問題を解決しなけ
ればならない。
レジストの塗布が不可能であるという問題を解決しなけ
ればならない。
この発明の目的は簡単であり極めて廉１西なこの種の方
法を提供することである。
法を提供することである。
この目的は特許請求の範囲第１項に特徴として挙げたよ
うに、特定の格子定数の表面格子が形成されている基板
の微細構造化された表面にこの表面に対して傾斜した方
向に最低のエツチング速度を示すエツチング剤による異
方性エツチングによって段構造が作られ、その際段構造
の低位表面を画定するマスク被覆無しの区域の−っにお
いて。
うに、特定の格子定数の表面格子が形成されている基板
の微細構造化された表面にこの表面に対して傾斜した方
向に最低のエツチング速度を示すエツチング剤による異
方性エツチングによって段構造が作られ、その際段構造
の低位表面を画定するマスク被覆無しの区域の−っにお
いて。
マスクされた微細構造化表面の異方性エツチング剤の作
用を受けた表面格子のレリーフがある程度の形状精度を
もち、特定の格子定数はそのまま保持して下方に移され
、エツチング過程が終ったとき所望の表面格子が下位面
に形成されているようＫすることによって達成される。
用を受けた表面格子のレリーフがある程度の形状精度を
もち、特定の格子定数はそのまま保持して下方に移され
、エツチング過程が終ったとき所望の表面格子が下位面
に形成されているようＫすることによって達成される。
この発明の方法性自己整合式であって、基板の微細構造
化表面の表面格子はその格子定数が下位面に作られる所
望の表面格子の格子定数に一致するという条件だけを満
たしていればよい、基板の微細構造化表面の表面格子の
溝のプロフィルは任意の形状が可能である。格子はある
程度の波形とするか矩形断面の溝とすることができる。
化表面の表面格子はその格子定数が下位面に作られる所
望の表面格子の格子定数に一致するという条件だけを満
たしていればよい、基板の微細構造化表面の表面格子の
溝のプロフィルは任意の形状が可能である。格子はある
程度の波形とするか矩形断面の溝とすることができる。
しかし特許請求の範囲第２項に従って、基板の微細構造
化表面の表面格子を段構造のエツチングに使用された異
方性エツチング剤と少くとも本質的に同等であるエツチ
ング剤を使用する湿化学エツチングによって作るのが有
利である。この場合基板の微細構造化表面の表面格子は
始めから所望表面格子と同じ溝プｏフィルを持っている
。基板の微細構造化表面の表面格子はこの場合本質的に
変更無く下方に移されるから、下位表面区域には再現性
良く格子構造を作ることができる。
化表面の表面格子を段構造のエツチングに使用された異
方性エツチング剤と少くとも本質的に同等であるエツチ
ング剤を使用する湿化学エツチングによって作るのが有
利である。この場合基板の微細構造化表面の表面格子は
始めから所望表面格子と同じ溝プｏフィルを持っている
。基板の微細構造化表面の表面格子はこの場合本質的に
変更無く下方に移されるから、下位表面区域には再現性
良く格子構造を作ることができる。
この発明による方法では構造化された表面のマスクで覆
われた区域が下位表面から階段形に引き離された上段面
として残される。この発明において段構造は一般にこの
ような段を示す構造を指している。微細構造化表面のレ
リーフ上に密着してその下の微細構造化表面に側方から
エツチング剤の侵入を阻止するマスクの下には、下方に
作られた表面格子と同じ位相位置を示す微細構造化表面
の表面格子が残される。この上位に残された表面格子は
ＭＯＲＷレーザーの場合ストライプ形であって、空間的
に変化する接触抵抗により注入電流の°変調が行われる
からゲイン結合に使用される。
われた区域が下位表面から階段形に引き離された上段面
として残される。この発明において段構造は一般にこの
ような段を示す構造を指している。微細構造化表面のレ
リーフ上に密着してその下の微細構造化表面に側方から
エツチング剤の侵入を阻止するマスクの下には、下方に
作られた表面格子と同じ位相位置を示す微細構造化表面
の表面格子が残される。この上位に残された表面格子は
ＭＯＲＷレーザーの場合ストライプ形であって、空間的
に変化する接触抵抗により注入電流の°変調が行われる
からゲイン結合に使用される。
図面についてこの発明を更に詳細に説明する。
第１図に断面が三角形の溝が掘られている微細構造化表
面４０を持つ基板３を示す、この基板はメサ構造を作る
ためストライプ形のエツチングマスク５で覆われる。こ
の図に示された比較的簡単な段構造はストライプ形の上
位置区域を一つだけ必要とするＭＯＲＷレーザー製作用
のものである。この発明の方法が更に複雑な段構造の製
作にも適していることは明らかである。
面４０を持つ基板３を示す、この基板はメサ構造を作る
ためストライプ形のエツチングマスク５で覆われる。こ
の図に示された比較的簡単な段構造はストライプ形の上
位置区域を一つだけ必要とするＭＯＲＷレーザー製作用
のものである。この発明の方法が更に複雑な段構造の製
作にも適していることは明らかである。
第１図に示した微細構造化表面４０は例えば次のように
して作られる。後で必要となるエピタ午シャル成長層を
備えるウェー／％３の表面に異方性エツチング剤を使用
する湿化学法により、プロフィルがＶ形の溝で構成され
る表面格子４が結晶の（１１１）面を表面に露出して形
成される。この表面格子は格子定数ａをもち１表面４０
の全体に拡がっている。エツチングマスクにはフォトレ
ジストが使用され干渉模様をもって照射される。
して作られる。後で必要となるエピタ午シャル成長層を
備えるウェー／％３の表面に異方性エツチング剤を使用
する湿化学法により、プロフィルがＶ形の溝で構成され
る表面格子４が結晶の（１１１）面を表面に露出して形
成される。この表面格子は格子定数ａをもち１表面４０
の全体に拡がっている。エツチングマスクにはフォトレ
ジストが使用され干渉模様をもって照射される。
第２図に示すストライプ形上位面区域を持つ段構造とす
るため表面格子４の上に新たにフォトレジストを塗布し
、格子のレリーフ全体に密着させる。マスクを使用する
光照射によってフォトレジストのストライプ５を作り、
その縦方向を表面格子の溝に例えば垂直にする。このス
トライプ５の下に上位置区域３０が形成される。フォト
レジスト・ストライプ５の長辺に境を接する表面格子４
の残りの区域２０（第１図）は全面的に露出しているか
ら、段構造形成用のエツチング剤は自由にこの区域２０
に作用することができる０表面４０とその上に設けられ
たフォトレジスト・ストライプ５はこの場合、表面格子
４の形成に使用されたものと同種のエツチング剤を使用
してエッチされる。これによってこの格子がフォトレジ
スト・ストライプ５の横に続く区域２０においてそのま
ま下方に向って移され、下位にある表面区域１０に所望
の表面格子１が上段のストライプ形区域３０に境を接し
て形成される。ストライプ形区域３０に残されている表
面格子と下位区域１００表面格子１は互に等しい位相位
置にあり、等しい格子定数ａをもつ。
るため表面格子４の上に新たにフォトレジストを塗布し
、格子のレリーフ全体に密着させる。マスクを使用する
光照射によってフォトレジストのストライプ５を作り、
その縦方向を表面格子の溝に例えば垂直にする。このス
トライプ５の下に上位置区域３０が形成される。フォト
レジスト・ストライプ５の長辺に境を接する表面格子４
の残りの区域２０（第１図）は全面的に露出しているか
ら、段構造形成用のエツチング剤は自由にこの区域２０
に作用することができる０表面４０とその上に設けられ
たフォトレジスト・ストライプ５はこの場合、表面格子
４の形成に使用されたものと同種のエツチング剤を使用
してエッチされる。これによってこの格子がフォトレジ
スト・ストライプ５の横に続く区域２０においてそのま
ま下方に向って移され、下位にある表面区域１０に所望
の表面格子１が上段のストライプ形区域３０に境を接し
て形成される。ストライプ形区域３０に残されている表
面格子と下位区域１００表面格子１は互に等しい位相位
置にあり、等しい格子定数ａをもつ。
この種の段構造の実際の製作に際しては１例えばＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体の基板３を硫酸、過酸化水素および
水−の混合液（例えば容積比２５チの硫酸３部、同３０
チの過酸化水素８部および水３５部）でエッチする。
−Ｖ族化合物半導体の基板３を硫酸、過酸化水素および
水−の混合液（例えば容積比２５チの硫酸３部、同３０
チの過酸化水素８部および水３５部）でエッチする。
表面格子４の形成に対しては基板表面を約１分間上記の
エツチング剤でエッチし、段構造２の形成に対しては約
１乃至５分間エッチする。この場合蝕刻深さはα２〜ｔ
４μｍとなる。格子定数ａはサブミクロン領域にあって
約０．３μｍである。
エツチング剤でエッチし、段構造２の形成に対しては約
１乃至５分間エッチする。この場合蝕刻深さはα２〜ｔ
４μｍとなる。格子定数ａはサブミクロン領域にあって
約０．３μｍである。
エツチングは低温例えば０℃近くの温度で実施するのが
有利である。
有利である。
第１図はこの発明の方法によってメサ構造の下位表面に
表面格子を作る基板３を示し、第２図はこの基板に作ら
れた下位面区域１と上位置区域３０に表面格子を備える
メサ構造２を示す。 ＩＧ１ ＩＧ２
表面格子を作る基板３を示し、第２図はこの基板に作ら
れた下位面区域１と上位置区域３０に表面格子を備える
メサ構造２を示す。 ＩＧ１ ＩＧ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）結晶材料の基板（３）の表面にマスクを使用する湿
化学エッチングによつて作られた段構造（２）の低位表
面区域（１０）に特定格子定数（ａ）の表面格子（１）
を形成させる方法において、特定の格子定数（ａ）の表
面格子（４）が形成されている基板（３）の微細構造化
表面（４０）にこの表面に対して傾斜した方向に最低の
エッチング速度を示すエッチング剤による異方性エッチ
ングによつて段構造（２）が作られること、その際段構
造の低位表面区域（１０）を画定するマスク被覆無しの
区域（２０）の一つにおいてマスクされた微細構造化表
面（４０）の異方性エッチング剤の作用を受けた表面格
子（４）のレリーフがある程度の形状精確さをもち特定
の格子定数（ａ）はそのまま保持して下方に移され、エ
ッチング過程が終ると所望の表面格子（１）が下位面に
形成されていることを特徴とする特定格子定数の表面格
子の製造方法。 ２）基板（３）の微細構造化表面（４０）の表面格子（
４）が段構造のエッチングに使用されたものと少くとも
本質的には同等である異方性エッチング剤を使用して湿
化学エッチングによつて作られることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3514301 | 1985-04-19 | ||
| DE3514301.0 | 1985-04-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61242026A true JPS61242026A (ja) | 1986-10-28 |
Family
ID=6268683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8784286A Pending JPS61242026A (ja) | 1985-04-19 | 1986-04-16 | 特定格子定数の表面格子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0200874A1 (ja) |
| JP (1) | JPS61242026A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016031712A1 (ja) * | 2014-08-26 | 2016-03-03 | 日本碍子株式会社 | グレーティング素子 |
| TWI568020B (zh) * | 2014-06-12 | 2017-01-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor wafers and methods for fabricating semiconductor wafers |
| CN108802881A (zh) * | 2018-05-21 | 2018-11-13 | 苏州大学 | 一种高衍射效率光栅结构和制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0282878B1 (de) * | 1987-03-16 | 1995-06-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung für ein integriert-optisches Spektrometer und Verfahren zur Herstellung eines solchen Spektrometers |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4217148A (en) * | 1979-06-18 | 1980-08-12 | Rca Corporation | Compensated amorphous silicon solar cell |
| JPS5785271A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-27 | Atlantic Richfield Co | Photovoltaic device and method of producing same |
| US4396793A (en) * | 1982-04-12 | 1983-08-02 | Chevron Research Company | Compensated amorphous silicon solar cell |
| US4409424A (en) * | 1982-06-21 | 1983-10-11 | Genevieve Devaud | Compensated amorphous silicon solar cell |
| JPH065765B2 (ja) * | 1982-12-23 | 1994-01-19 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | 光電変換装置 |
-
1986
- 1986-03-05 EP EP86102897A patent/EP0200874A1/de not_active Ceased
- 1986-04-16 JP JP8784286A patent/JPS61242026A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI568020B (zh) * | 2014-06-12 | 2017-01-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor wafers and methods for fabricating semiconductor wafers |
| WO2016031712A1 (ja) * | 2014-08-26 | 2016-03-03 | 日本碍子株式会社 | グレーティング素子 |
| JPWO2016031712A1 (ja) * | 2014-08-26 | 2017-06-08 | 日本碍子株式会社 | グレーティング素子 |
| US10393931B2 (en) | 2014-08-26 | 2019-08-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Grating element |
| CN108802881A (zh) * | 2018-05-21 | 2018-11-13 | 苏州大学 | 一种高衍射效率光栅结构和制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0200874A1 (de) | 1986-11-12 |
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