JPS61184894A - 半導体光素子 - Google Patents
半導体光素子Info
- Publication number
- JPS61184894A JPS61184894A JP60025415A JP2541585A JPS61184894A JP S61184894 A JPS61184894 A JP S61184894A JP 60025415 A JP60025415 A JP 60025415A JP 2541585 A JP2541585 A JP 2541585A JP S61184894 A JPS61184894 A JP S61184894A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- diffraction grating
- superlattice
- grating function
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000003362 semiconductor superlattice Substances 0.000 claims description 16
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1231—Grating growth or overgrowth details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3428—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers layer orientation perpendicular to the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体光素子の、特に性能の改善に関する
ものである。
ものである。
第５図は、従来の回折格子機能をもつ層を有する半導体
光素子を示すもので、例えばＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃ−
ｔｕｒｅ Ｌａ５ｅｒｓ （Ａｃａｄｅｍｉｃ、 Ｎｅ
ｗ Ｙｏｒｋ、 １９７８）に示されたＧａＡｓ／ｋｌ
Ｇａ Ａｓ系分布帰還（ＤＦＢ ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕ
ｔ−ｅｄ Ｆｅｅｄ −Ｂａｃｋ ）型レーザの層構造
を示す断面図であり、図において、（１）は第１！極、
（２）はｐ型ＧａＡｓキャップ層、（３）はｐ型ＡｌＧ
ａＡｓ第１クラッド層、（４）は回折格子機能を持つ層
であるＧａＡｓ 活性層、（５）はｎ型ＡｌＧａＡｓ第
２クラッド層、（６）はｎ型ＧａＡｓ基板、（７）は第
２電極、（８）は活性層（４）とクラッド層（３）の間
に溝を切ることにより形成した回折格子、（９）はレー
ザ光である。
光素子を示すもので、例えばＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃ−
ｔｕｒｅ Ｌａ５ｅｒｓ （Ａｃａｄｅｍｉｃ、 Ｎｅ
ｗ Ｙｏｒｋ、 １９７８）に示されたＧａＡｓ／ｋｌ
Ｇａ Ａｓ系分布帰還（ＤＦＢ ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕ
ｔ−ｅｄ Ｆｅｅｄ −Ｂａｃｋ ）型レーザの層構造
を示す断面図であり、図において、（１）は第１！極、
（２）はｐ型ＧａＡｓキャップ層、（３）はｐ型ＡｌＧ
ａＡｓ第１クラッド層、（４）は回折格子機能を持つ層
であるＧａＡｓ 活性層、（５）はｎ型ＡｌＧａＡｓ第
２クラッド層、（６）はｎ型ＧａＡｓ基板、（７）は第
２電極、（８）は活性層（４）とクラッド層（３）の間
に溝を切ることにより形成した回折格子、（９）はレー
ザ光である。
次に動作について説明する。第１電極（１）と第２電極
（７）の間にしきい値以上の°鑞流を流すと、キャリア
ＩＥ子及び正孔）が活性）ｍ （４）内にとじ込められ
再結合し発光する。その光も主に活性層（４）内にとじ
込められ伝播して、誘導放出し、レーザ発振する。
（７）の間にしきい値以上の°鑞流を流すと、キャリア
ＩＥ子及び正孔）が活性）ｍ （４）内にとじ込められ
再結合し発光する。その光も主に活性層（４）内にとじ
込められ伝播して、誘導放出し、レーザ発振する。
ここで第５図に示した半導体レーザー構造では、通常の
ファブリ・ペロー型レーザと異なり、レーザ光は活性層
（４）とクラッド層（３）のｆＥｔｌに溝を切ることに
より形成された周期的屈折率分布をもつ回折格子により
、回折格子の周期Ａによって規定される特定の波長λの
丸のみが分布反射され発振するので、強い波長選択性の
ある反射器を構成でき、いわゆる分布帰還型の半導体１
ノーザー素子が構成できる。又は分布反射型（ＤＢＲ：
Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ＢｒａｇＲｅｆｌｅｃｔｉ
ｏｎ）型の半導体レーザーにおいても、溝をＷることに
より回折格子を形成している。
ファブリ・ペロー型レーザと異なり、レーザ光は活性層
（４）とクラッド層（３）のｆＥｔｌに溝を切ることに
より形成された周期的屈折率分布をもつ回折格子により
、回折格子の周期Ａによって規定される特定の波長λの
丸のみが分布反射され発振するので、強い波長選択性の
ある反射器を構成でき、いわゆる分布帰還型の半導体１
ノーザー素子が構成できる。又は分布反射型（ＤＢＲ：
Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ＢｒａｇＲｅｆｌｅｃｔｉ
ｏｎ）型の半導体レーザーにおいても、溝をＷることに
より回折格子を形成している。
なお発振波長＾と回折、格子の周期Ａとの間には次の関
係がある。但しｎは光導波路の屈折率、ｌは次数である
。
係がある。但しｎは光導波路の屈折率、ｌは次数である
。
２ｎ、４
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の回折格子機能をもつ層を存する半導体光素子では
、例えばＤＦＢ ａ又はＤＢＲ型半導体レーザーで、以
上のように溝を切ることにより、回折格子を有する層を
作製していたので、周期的な溝を再現性、効率性よく切
ることは難かしく、又平坦でない溝の上に結晶の再成長
をしなければならず、その上部の結晶性が悪く、又結晶
成長が難しいなどの致命的な間ね点があった。
、例えばＤＦＢ ａ又はＤＢＲ型半導体レーザーで、以
上のように溝を切ることにより、回折格子を有する層を
作製していたので、周期的な溝を再現性、効率性よく切
ることは難かしく、又平坦でない溝の上に結晶の再成長
をしなければならず、その上部の結晶性が悪く、又結晶
成長が難しいなどの致命的な間ね点があった。
この発明は以上のような問題点を・解消するためになさ
れたもので、回折格子機能を持つ層を溝を切ることなし
に形成し、再現性がよく、かつ回折格子機能を苛つ１を
平坦にし、その上の結晶の再成長を容易にし、結晶性を
よくし、結果として、半導体光素子の特性を向上さぜよ
うとするものである。
れたもので、回折格子機能を持つ層を溝を切ることなし
に形成し、再現性がよく、かつ回折格子機能を苛つ１を
平坦にし、その上の結晶の再成長を容易にし、結晶性を
よくし、結果として、半導体光素子の特性を向上さぜよ
うとするものである。
この発明の半導体光素子は、第１．第２クラッド層間に
回折格子機能を持つ層を有するものにおいて、回折格子
機能を待つ層に半導体超格子を周期的に混晶化した層を
用いたものである。
回折格子機能を持つ層を有するものにおいて、回折格子
機能を待つ層に半導体超格子を周期的に混晶化した層を
用いたものである。
この発明の半導体光素子は、回折格子機能を持つ膚に半
導体超格子を周期的に混晶化した層を用いたので、溝を
切ることなしに達成でき、そのため再現性がよく、さら
に、半導体超格子を周期的に混晶化した層は、その表面
が平坦であるので、その上に成長させる結晶が容易に成
長でき、結晶性もよく、したがって半導体光素子の特性
が同上させることができる。
導体超格子を周期的に混晶化した層を用いたので、溝を
切ることなしに達成でき、そのため再現性がよく、さら
に、半導体超格子を周期的に混晶化した層は、その表面
が平坦であるので、その上に成長させる結晶が容易に成
長でき、結晶性もよく、したがって半導体光素子の特性
が同上させることができる。
以下この発明の一実施例を図面と共に説明する。
第１図はこの発明の一実施例の半導体光素子であるＤＦ
Ｂ型半導体レーザーを示す断面図で、第５図と同じ部分
（こは同一符号を付して説明を省略している。（４）は
Ｇａ Ａｓ活性層であるが、その表面には溝が切られて
いない。α１は活性層（４）上に形成された光ガイド１
−となる半導体超格子ｆＷＪ、ａηはこの半導体光素子
層叫を周期的に混晶化させた部分である。第１図の場合
は、混晶化部分を有する半導体超格子層からなり、回折
格子機能を有する層すなわち光ガイド層を、クラッドｍ
（３）と活性層（４）間に付加したＤＦＢ型半導体レー
ザーを示すものである。
Ｂ型半導体レーザーを示す断面図で、第５図と同じ部分
（こは同一符号を付して説明を省略している。（４）は
Ｇａ Ａｓ活性層であるが、その表面には溝が切られて
いない。α１は活性層（４）上に形成された光ガイド１
−となる半導体超格子ｆＷＪ、ａηはこの半導体光素子
層叫を周期的に混晶化させた部分である。第１図の場合
は、混晶化部分を有する半導体超格子層からなり、回折
格子機能を有する層すなわち光ガイド層を、クラッドｍ
（３）と活性層（４）間に付加したＤＦＢ型半導体レー
ザーを示すものである。
半導体超格子層を混晶化する方法には、例えば、干渉露
光法、ｌｉ子ビーム露光法により周期的なマスクパター
ンを作り、マスクで被われていない部分に、例えばＺｎ
などの不純物を拡散して混晶化する方法、イオン注入法
を用いて周期的にＺｎなどの不純物を折込みアニールし
て混晶化する方法、又はハイパワーの干渉露光によるレ
ーザーアニールの効果で直接混晶化する方法などがある
。
光法、ｌｉ子ビーム露光法により周期的なマスクパター
ンを作り、マスクで被われていない部分に、例えばＺｎ
などの不純物を拡散して混晶化する方法、イオン注入法
を用いて周期的にＺｎなどの不純物を折込みアニールし
て混晶化する方法、又はハイパワーの干渉露光によるレ
ーザーアニールの効果で直接混晶化する方法などがある
。
ここでは、Ｚｎ拡散を用いて、第１図のＤＦＢ型半導体
レーザーを製造する場合を製造順に示す第２図（ａ）〜
（ｅ）を用いて説明する。
レーザーを製造する場合を製造順に示す第２図（ａ）〜
（ｅ）を用いて説明する。
ｎ型Ｇａ Ａｓ基板（６）上に例えば分子線エピタキシ
ャル法などでｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（５）、Ｇａ
Ａｓ活性層（４）、ＡｌｘＧａ１−ｚＡｓ ＧａＡｓ
（０（ｘ＜： １ ）半導体超格子層αｑまでを第１
回目成長で形成する（第２図（ａ））。
ャル法などでｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（５）、Ｇａ
Ａｓ活性層（４）、ＡｌｘＧａ１−ｚＡｓ ＧａＡｓ
（０（ｘ＜： １ ）半導体超格子層αｑまでを第１
回目成長で形成する（第２図（ａ））。
次にその上にマスク材料をつけ電子ビーム露光などでマ
スクパターンを形成する（第２図（ｂ））。
スクパターンを形成する（第２図（ｂ））。
それをＺ ｎ Ａ ｓ ２とともに封入して数ｉｏｏ度
例えば６００°Ｃでアニールし、Ｚｎを拡散させ半導体
超格子層を周期的に混晶化する（＠２図（ｃ））、次に
マスクを取り除き（第２図（ｄ））、第２回目成長で第
１回目成長と同様にｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（３）
、ｐ型ＧａＡｓキャップ層（２）を形成し電極（１）・
（７）をつける（第２図（ｅ））。
例えば６００°Ｃでアニールし、Ｚｎを拡散させ半導体
超格子層を周期的に混晶化する（＠２図（ｃ））、次に
マスクを取り除き（第２図（ｄ））、第２回目成長で第
１回目成長と同様にｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（３）
、ｐ型ＧａＡｓキャップ層（２）を形成し電極（１）・
（７）をつける（第２図（ｅ））。
第３図は半導体超格子ｍａＯを詳しく示す断面図で、ｃ
ＡはＡＪｇｚＧａ １−ｚ Ａｓ ）−で、Ｘ ＝ Ｏ
，ａとかｘ＝１（すなわちＡＡ！Ａｓ）などで仁の実施
例ではＸ ＝ Ｏ，ａである。（財）はＧａ Ａｓ層で
ある。Ａ（ｌＸ Ｇ ａ １−Ｘ Ａ ｓｌ翰の厚さＬ
ＢとＧａＡｓ層（２）の厚さＬ２は１０人程度〜１００
０Å以下で、両厚さは等しくない場合のいずれでも実施
可能で、この実施例では両厚さをそれぞれは望１００人
としている。（６）はＺｎを拡散した混晶化領域で、Ｚ
ｎを拡散することにより超格子をくずした領域である。
ＡはＡＪｇｚＧａ １−ｚ Ａｓ ）−で、Ｘ ＝ Ｏ
，ａとかｘ＝１（すなわちＡＡ！Ａｓ）などで仁の実施
例ではＸ ＝ Ｏ，ａである。（財）はＧａ Ａｓ層で
ある。Ａ（ｌＸ Ｇ ａ １−Ｘ Ａ ｓｌ翰の厚さＬ
ＢとＧａＡｓ層（２）の厚さＬ２は１０人程度〜１００
０Å以下で、両厚さは等しくない場合のいずれでも実施
可能で、この実施例では両厚さをそれぞれは望１００人
としている。（６）はＺｎを拡散した混晶化領域で、Ｚ
ｎを拡散することにより超格子をくずした領域である。
またＺｎを拡散するかわりゐ、Ｂｅ、 Ｓｉｔ Ｓｎ、
Ｔｅ、 Ｓｅなどを拡散して混晶化してもよい。
Ｔｅ、 Ｓｅなどを拡散して混晶化してもよい。
混晶化方法としては、マスクパターンを形成した後にイ
オン注入をＺｎ等を打込みアニールして混晶化する方法
や所定の位置にイオン注入できる集束イオン注入法を用
いて混晶化するなどの方法もある。
オン注入をＺｎ等を打込みアニールして混晶化する方法
や所定の位置にイオン注入できる集束イオン注入法を用
いて混晶化するなどの方法もある。
また第４図のように活性層を半導体超格子層で形成した
多重量子井戸にし上記活性層を周期的に混晶１じし回折
格子機能を持たせてＤＦＢ型半導体レーザーを形成して
もよい。半導体レーザの発振動作は従来例と同じである
が、以上のように溝を切ることなどの幾何学的形状貧化
を用いないで平坦な面に周期的屈折率分布を形成できる
ため、回折格子上の結晶成長が容易になり、その結晶性
がよくなり種々のレーザ特性の向上につながる。
多重量子井戸にし上記活性層を周期的に混晶１じし回折
格子機能を持たせてＤＦＢ型半導体レーザーを形成して
もよい。半導体レーザの発振動作は従来例と同じである
が、以上のように溝を切ることなどの幾何学的形状貧化
を用いないで平坦な面に周期的屈折率分布を形成できる
ため、回折格子上の結晶成長が容易になり、その結晶性
がよくなり種々のレーザ特性の向上につながる。
また、再現性、歩留りの制御が困難な半導体の化学エツ
チングが不用になる。
チングが不用になる。
また屈折率の変化は５％以上かえることも可能である。
ＡｌＡｓ−ＧａＡｓ超格子の場合は、混晶化すると一般
的に屈折率が下がる。さらに超格子が残った部分と混晶
化した部分とでのキャリアの流れる量が異なることから
も回折効果かえられる。
的に屈折率が下がる。さらに超格子が残った部分と混晶
化した部分とでのキャリアの流れる量が異なることから
も回折効果かえられる。
なお上記実施例ではＧａＡｓ／ＡＡｉＧａＡｓ系半導体
レーザーについて示したが、長波長用のレーザであるＩ
ｒａｐ ／ Ｉ ｎＧａ Ａｓ Ｐ系半導体レーザーに
ついてもＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ超格子あるいはＩｎＧ
ａＡｓＰの組成が異なる超格子を用いて全く同様の効果
かえられる。さらにその他の材料系の半導体レーザーに
ついても同様の効果が期待できる。また、さらに 、Ｄ
ＢＲ型半導体レーザーについても同様の効果が期待でき
る。
レーザーについて示したが、長波長用のレーザであるＩ
ｒａｐ ／ Ｉ ｎＧａ Ａｓ Ｐ系半導体レーザーに
ついてもＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ超格子あるいはＩｎＧ
ａＡｓＰの組成が異なる超格子を用いて全く同様の効果
かえられる。さらにその他の材料系の半導体レーザーに
ついても同様の効果が期待できる。また、さらに 、Ｄ
ＢＲ型半導体レーザーについても同様の効果が期待でき
る。
この発明の半導体レーザは、回折格子機能を持つ層に半
導体超格子を周期的に混晶化した層を用いたので、溝を
切ることなしに達成でき、そのため再現性がよく、さら
に、半導体超格子を周期的に混晶化した層は、その表面
が平坦であるので、その上に成長させる結晶が容易に成
長でき、結晶性もよく、したがって半導体光素子の特性
が向上させることができる。
導体超格子を周期的に混晶化した層を用いたので、溝を
切ることなしに達成でき、そのため再現性がよく、さら
に、半導体超格子を周期的に混晶化した層は、その表面
が平坦であるので、その上に成長させる結晶が容易に成
長でき、結晶性もよく、したがって半導体光素子の特性
が向上させることができる。
第１図は、この発明の一実施例の半導体光素子であるＤ
ＦＢ型半導体レーザーを示す断面図、第２図（ａ）〜（
ｅ）は第１図のＤＦＢ型半導体レーザーの製造方法を製
造工程順に示す断面図、第３図は半導体超格子の構造を
示す断面図、第４図はこの発明の他の実施例の半導体光
素子を示す断面図、第５図は従来のＤＦＢ型半導体レー
ザーを示す断面図である。 図において、（３）は第１クラッド層、（４）は活性層
、（５）は第２クラッド層、α０は半導体超格子層、（
ロ）は混晶化部分である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
ＦＢ型半導体レーザーを示す断面図、第２図（ａ）〜（
ｅ）は第１図のＤＦＢ型半導体レーザーの製造方法を製
造工程順に示す断面図、第３図は半導体超格子の構造を
示す断面図、第４図はこの発明の他の実施例の半導体光
素子を示す断面図、第５図は従来のＤＦＢ型半導体レー
ザーを示す断面図である。 図において、（３）は第１クラッド層、（４）は活性層
、（５）は第２クラッド層、α０は半導体超格子層、（
ロ）は混晶化部分である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）第１、第２クラツド層間に回折格子機能を持つ層
を有するものにおいて、回折格子機能を持つ層に半導体
超格子を周期的に混晶化した層を用いたことを特徴とす
る半導体光素子。 - （２）第１、第２クラツド層間に活性層と、回折格子機
能を持つ光ガイド層を有し、上記光ガイド層に半導体超
格子を周期的に混晶化した層を用いたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体光素子。 - （３）第１、第２クラツド層間に回折格子機能を持つ活
性層を有し、上記活性層に半導体超格子層で形成した多
重量子井戸構造を用い、かつ、上記活性層の半導体超格
子を周期的に混晶化したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体光素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60025415A JPS61184894A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 半導体光素子 |
| US06/828,375 US4786951A (en) | 1985-02-12 | 1986-02-11 | Semiconductor optical element and a process for producing the same |
| US07/213,354 US4843032A (en) | 1985-02-12 | 1988-06-30 | Process for producing a DFB laser with a diffraction grating superlattice |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60025415A JPS61184894A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 半導体光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61184894A true JPS61184894A (ja) | 1986-08-18 |
Family
ID=12165307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60025415A Pending JPS61184894A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 半導体光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61184894A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4941148A (en) * | 1986-11-12 | 1990-07-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element with a single longitudinal oscillation mode |
| US4980895A (en) * | 1988-03-28 | 1990-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Distributed feedback semiconductor laser having a laser-active layer serving as diffraction grating |
| US5031185A (en) * | 1988-11-17 | 1991-07-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a disordered superlattice |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP60025415A patent/JPS61184894A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4941148A (en) * | 1986-11-12 | 1990-07-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element with a single longitudinal oscillation mode |
| US4980895A (en) * | 1988-03-28 | 1990-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Distributed feedback semiconductor laser having a laser-active layer serving as diffraction grating |
| US5031185A (en) * | 1988-11-17 | 1991-07-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a disordered superlattice |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4843032A (en) | Process for producing a DFB laser with a diffraction grating superlattice | |
| US4309670A (en) | Transverse light emitting electroluminescent devices | |
| EP0472221A2 (en) | Method for fabricating an optical semiconductor device | |
| KR960014732B1 (ko) | Rwg형 반도체 레이저장치 및 제조방법 | |
| US5145792A (en) | Method of fabricating a semiconductor optical device | |
| US5737351A (en) | Semiconductor laser including ridge structure extending between window regions | |
| US4296387A (en) | Semiconductor laser | |
| JPS6180882A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| KR100632308B1 (ko) | 이득결합 분포귀환형 반도체레이저장치 및 그의 제조방법 | |
| JP2004179657A (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族半導体素子 | |
| US5870419A (en) | Double heterojunction semiconductor laser having improved light confinement | |
| US4752933A (en) | Semiconductor laser | |
| EP0422941B1 (en) | Method of manufacturing a window structure semiconductor laser | |
| JPS61184894A (ja) | 半導体光素子 | |
| US4686679A (en) | Window VSIS semiconductor laser | |
| JPS61184508A (ja) | 光導波路 | |
| JPH0864899A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法，および半導体レーザ装置 | |
| JPH01186688A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS59127892A (ja) | 半導体レ−ザとその製造方法 | |
| JPS63255986A (ja) | 分布反射型半導体レ−ザ素子 | |
| JPH11112086A (ja) | 埋め込み型面発光レーザ及びその作製方法 | |
| JPS5834988A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH0138390B2 (ja) | ||
| JPS62166583A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| KR0178488B1 (ko) | 표면 방출 반도체 레이저의 제조방법 |