JPS61184508A - 光導波路 - Google Patents
光導波路Info
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- JPS61184508A JPS61184508A JP2542185A JP2542185A JPS61184508A JP S61184508 A JPS61184508 A JP S61184508A JP 2542185 A JP2542185 A JP 2542185A JP 2542185 A JP2542185 A JP 2542185A JP S61184508 A JPS61184508 A JP S61184508A
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- JP
- Japan
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- layer
- mixed crystal
- optical waveguide
- refractive index
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
- G02B6/1347—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using ion implantation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
し産業上の利用分野コ
この発明は半導体超格子層を利用した先導波路に関する
ものである。 （従来の技術］ 第５図は、従来の回折格子機能をもつ光導波路が半導体
レーザに使用された例を示すもので、例えばＨｅｔｅｒ
ｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌａ５ｅｒｓ （Ａｃａｄｅｍ
ｉｃ、 ＮｅｗＹｏｒｋ、 １９７８ ）に示された従
来のＧａＡｓ ／ＡｌｌＧａ Ａｓ系分布帰還ＣＤＦＢ
： Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄ−Ｂａｃｋ
）型レーザの層構造を示す断面図であり、図において、
（１）は第１電極％（２）はｐ型ＧａＡｓキャップ層、
（３）はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、（４）はＧａＡ
ｓ活性層％（５）はｎ型ＡｇＧａＡｓクラッド層、（６
）はｎ型ＧａＡｓ基板。 （７）は第２電極、（８）は活性層（４）とクラッド層
ものである。 （従来の技術］ 第５図は、従来の回折格子機能をもつ光導波路が半導体
レーザに使用された例を示すもので、例えばＨｅｔｅｒ
ｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｌａ５ｅｒｓ （Ａｃａｄｅｍ
ｉｃ、 ＮｅｗＹｏｒｋ、 １９７８ ）に示された従
来のＧａＡｓ ／ＡｌｌＧａ Ａｓ系分布帰還ＣＤＦＢ
： Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄ−Ｂａｃｋ
）型レーザの層構造を示す断面図であり、図において、
（１）は第１電極％（２）はｐ型ＧａＡｓキャップ層、
（３）はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、（４）はＧａＡ
ｓ活性層％（５）はｎ型ＡｇＧａＡｓクラッド層、（６
）はｎ型ＧａＡｓ基板。 （７）は第２電極、（８）は活性層（４）とクラッド層
【３】の間に溝を切ることにより形成した回折格子％（
９）はレーザ光である◎ 次に動作について説明する。第１電極（１）と第２電極
（７）の間にしきい値以上の電流を流すと、キャリア（
電子及び正孔）が活性層（４３内にとじ込められ再結合
し発光する。その光も主に活性層（４）内にとじ込めら
れ伝播して、誘導放出し、レーザ発振する。 ここで第５図に示した半導体レーザー構造では、通常の
ファブリ・ペロー型レーザと異なり、レーザ光は活性層
（４）とクラッド層（３）の間に溝を切ることにより形
成された周期的屈折率分布をもつ回折格子により、回折
格子の周期Ａによって規定される特定の波長λの光のみ
が分布反射され発振するので、強い波長選択性のある反
射器を構成でき、いわゆる分布帰還型の半導体レーザー
素子が構成できる。又は分布反射型（ＤＢＲ： Ｄｉｓ
ｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇ ＲｅｆＩｌｅｃｔｉｏｎ
）型の半導体レーザーにおいても、溝を切ることにより
回折格子を形成している。 なお１発振波長人と回折格子の周期Ａとの間には次の関
係がある。但しｎは光導波路の屈折率。 ａは次数である。 ｎＡ λ ＝□ 〔発明が解決しようとする問題点） 従来の回折格子機能をもつ光導波路では１例えばＤＦＢ
型又はＤＢＲ型半導体レーザーで、以上のように溝を切
ることにより、回折格子を作製していたので、周期的な
溝を再現性、効率性よく切ることは難かしく、又平坦で
ない溝の上に結晶の再成長をしなければならず、その上
部の結晶性が悪く、又結晶成長が難しいなどの致命的な
問題点があった。 この発明は以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、溝を切ることなしに形成できる光導波路を提
供しようとするものである。 又溝を切ることなしに形成でき、周期的屈折率分布をも
ち１回折格子機能をもつ先導波路を提供し１回折格子上
でも平坦な面を持たせ、その上の結晶の再成長を容易に
し、結晶性を良クシ、ひいては例えばレーザの特性を向
上させようとするものである。 （問題点を解決するための手段〕 この発明の光導波路は、光伝播層として半導体超格子層
を光が伝播する方向に平行な方向に形成し、その超格子
層の一部を混晶化して屈折率変化を有するようにし１こ
ものである。 又別な発明の先導波路は、光伝播層に半導体超格子層か
らなる光ガイド層を設け、その光ガイド層の一部を混晶
化して屈折率変化を有するようにしたものである。 〔作用〕 この発明の光導波路は、先導体超格子層の一部を混晶化
して屈折率変化を持たせるようにしたので、溝を切るこ
となしに形成でき、再現性、生産効率よく形成できる。 又、この光導波路を使用してこの先導波路上に半導体結
晶を成長させる例えば半導体レーザーのようなものでは
、光導波路の面が平坦であるので、その上に成長する半
導体の結晶性がよく、結晶成長も容易である。 【実施例フ 以下、この発明の一実施例を図面と共に説明する。第１
図はこの発明の一実施例の光導波路を用いているＤＦＢ
型半導体レーザーを示す断面図で、第５図と同じ部分に
は同一符号を付して説明を省略している０（４）は光伝
播層となるＧａＡｓ活性層であるが、その表面には溝が
切られていない。叫は活性層（４）上に形成された光ガ
イド層となる半導体超格子層、αυはこの半導体超格子
層αＯを周期的に混晶化させた部分である。第１図の場
合は、混晶化部分を有する半導体超格子層からなる光ガ
イド層を、クラッド層（３）と活性層（４）間に付加し
ｔこＤＦＢ型半導体レーザーを示すものである。 半導体超格子層を混晶化する方法には、例えば、干渉露
光法、電子ビーム露光法により周期的なマスクパターン
を作り、マスクで被われていない部分に、例えばＺｎな
どの不純物を拡散して混晶化する方法、イオン注入法を
用いて周期的にＺｎなどの不純物を打込みアニールして
混晶化する方法、又はハイパワーの干渉露光によるレー
ザーアニールの効果で直接混晶化する方法などがある。 こ＼では、Ｚｎ拡散を用いて、第１図のＤＦＢ型半導体
レーザーを製造する場合を製造順に示す第２図（ａ）〜
（ｅ）を用いて説明する。 ｎ型ＧＨＡｓ基板（６１上に例えば分子線エピタキシャ
ル法などでｎ型ＡｇＧａＡｓクラッド層（５）、 Ｇａ
Ａｓ活性層（４３、ＡｅｘＧａｌ−、Ａｓ −ＧａＡｓ
（０＜ｘ≦１）半導体超格子層αＱまでを第１回目成
長で形成する（第２図（ａ））。次にその上にマスク材
料をつけ電子ビーム露光などでマスクパターンを形成す
る（第２図（ｂ））。それをＺｎＡｓ２とともに封入し
て数１００度例えば６００℃でアニールし、Ｚｎを拡散
させ半導体超格子層を周期的に混晶化する（第２図（Ｃ
））。次にマスクを取り除き（第２図（ω）、第２回目
成長で第１回目成長と同様にｐ型Ａ＃ＧａＡｓクラッド
層（３）。 ｐ型ＧａＡｓキャップ層（２）を形成し電極（１）（７
）をつける（第２図（ｅ））。 第３図は半導体超格子層叫を詳しく示す断面図で、（７
）はＡｅｘＧａ、−ｘＡｓ層で、ｘ ｘ Ｏ，８とかＸ
ｗ ｌ（すなわちＡ／Ａｓ ）などでこの実施例では
ｘ ｘ Ｏ，８である。３υはＧａＡｓ層である。Ａｇ
ｘＧａｌ−ｘＡｓ層（７）の厚さＬＢとＧａＡｓ層（財
）の厚さＬｚは１０λ程度〜１０００Å以下で、両厚さ
は等しくない場合と等しい場合のいずれでも実施可能で
、この実施例では両厚さをそれぞれはｔ １００人とし
ている。（６）はＺｎを拡散した混晶化領域で、 Ｚｎ
を拡散することにより超格子をくずした領域である。ま
たＺｎを拡散するかわりに、 Ｂｅ、 Ｓｉｔ Ｓｎ、
Ｔｅ、 Ｓｅなどを拡散して混晶化してもよい。 混晶化方法としては、マスクパターンを形成した後にイ
オン注入をＺｎ等を打込みアニールして混晶化する方法
や所定の位置艮イオン注入できる集束イオン注入法を用
いて混晶化するなどの方法もある。 また第４図のように光伝播層となる活性層を半導体超格
子層で形成した多重量子井戸に上記活性層を周期的に混
晶化した光導波路を用いてＤＦＢ型半導体レーザーを形
成してもよい。 半導体レーザーの発振動作は従来例と同じであるが、以
上のように溝を切ることなどの幾何学的形状変化を用い
ないで平坦な面に周期的屈折率分布を形成できるため、
回折格子上の結晶成長が容易になり、その結晶性がよく
なり種々のレーザ特性の向上につながる。 また、再現性歩留りの制御が困難な半導体の化学エツチ
ングが不用になる。 また屈折率の変化は５％以上かえることも可能である。 ＡｇＡＳ−ＧａＡ８超格子の場合は、混晶化すると一般
的（こ屈折率が下がる。さらに超格子が残った部分と混
晶化した部分とでのキャリアの流れる量が異なることか
らも回折効果かえられる。 なお上記実施例ではＧａＡｓ／ＡｅＧａＡｓ系半導体レ
ーザーについて示したが、長波長用のレーザでゐる１ｎ
Ｐ／ Ｉ ｎＧａＡｓＰ系半導体レーザーについてもＩ
ｎＰ−１ｎＧａＡｓＰ超格子あるいはＩｎＧａＡｓＰ
の組成が異なる超格子を用いて全く同様の効果がえられ
る＠さらＩこその他の材料系の半導体レーザーについて
も同様の効果が期待できる。また、さらにＤＢＲ型半導
体レーザーについても同様の効果が期待できる。 まｔコ、上記実施例では、半導体レーザーの波長制御を
行うための応用例を中心に説明したが、上記の屈折率分
布をもった光導波路の光波長分散性、。 選別性を利用すれば、光分配器、光偏波器、光し・ンズ
などの機能を持ｔこせることも可能である。 （発明の効果〕 この発明の光導波路は、光伝播層として半導体超格子１
ｍを光が伝播する方向曇こ平行な方向に形成し、その超
格子層の一部を混晶化して屈折率変化を有するようＣζ
したので、溝を切ることなしＧこ形成でき、再現性がよ
い。 又、この光導波路を使用してこの光導波路上に半導体結
晶を成長させる例えば半導体レーザーのようなものでは
、先導波路の面が平坦であるのでその上に成長する半導
体の結晶性がよく、結晶成長も容易である。 この発明の別の発明の光導波路は、光伝播層に半導体超
格子層からなる光ガイド層を設け、その光ガイド層の一
部を混晶化して屈折率変化を有するようにしたものであ
るので、上記と同様な効果を発揮できる。
９）はレーザ光である◎ 次に動作について説明する。第１電極（１）と第２電極
（７）の間にしきい値以上の電流を流すと、キャリア（
電子及び正孔）が活性層（４３内にとじ込められ再結合
し発光する。その光も主に活性層（４）内にとじ込めら
れ伝播して、誘導放出し、レーザ発振する。 ここで第５図に示した半導体レーザー構造では、通常の
ファブリ・ペロー型レーザと異なり、レーザ光は活性層
（４）とクラッド層（３）の間に溝を切ることにより形
成された周期的屈折率分布をもつ回折格子により、回折
格子の周期Ａによって規定される特定の波長λの光のみ
が分布反射され発振するので、強い波長選択性のある反
射器を構成でき、いわゆる分布帰還型の半導体レーザー
素子が構成できる。又は分布反射型（ＤＢＲ： Ｄｉｓ
ｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇ ＲｅｆＩｌｅｃｔｉｏｎ
）型の半導体レーザーにおいても、溝を切ることにより
回折格子を形成している。 なお１発振波長人と回折格子の周期Ａとの間には次の関
係がある。但しｎは光導波路の屈折率。 ａは次数である。 ｎＡ λ ＝□ 〔発明が解決しようとする問題点） 従来の回折格子機能をもつ光導波路では１例えばＤＦＢ
型又はＤＢＲ型半導体レーザーで、以上のように溝を切
ることにより、回折格子を作製していたので、周期的な
溝を再現性、効率性よく切ることは難かしく、又平坦で
ない溝の上に結晶の再成長をしなければならず、その上
部の結晶性が悪く、又結晶成長が難しいなどの致命的な
問題点があった。 この発明は以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、溝を切ることなしに形成できる光導波路を提
供しようとするものである。 又溝を切ることなしに形成でき、周期的屈折率分布をも
ち１回折格子機能をもつ先導波路を提供し１回折格子上
でも平坦な面を持たせ、その上の結晶の再成長を容易に
し、結晶性を良クシ、ひいては例えばレーザの特性を向
上させようとするものである。 （問題点を解決するための手段〕 この発明の光導波路は、光伝播層として半導体超格子層
を光が伝播する方向に平行な方向に形成し、その超格子
層の一部を混晶化して屈折率変化を有するようにし１こ
ものである。 又別な発明の先導波路は、光伝播層に半導体超格子層か
らなる光ガイド層を設け、その光ガイド層の一部を混晶
化して屈折率変化を有するようにしたものである。 〔作用〕 この発明の光導波路は、先導体超格子層の一部を混晶化
して屈折率変化を持たせるようにしたので、溝を切るこ
となしに形成でき、再現性、生産効率よく形成できる。 又、この光導波路を使用してこの先導波路上に半導体結
晶を成長させる例えば半導体レーザーのようなものでは
、光導波路の面が平坦であるので、その上に成長する半
導体の結晶性がよく、結晶成長も容易である。 【実施例フ 以下、この発明の一実施例を図面と共に説明する。第１
図はこの発明の一実施例の光導波路を用いているＤＦＢ
型半導体レーザーを示す断面図で、第５図と同じ部分に
は同一符号を付して説明を省略している０（４）は光伝
播層となるＧａＡｓ活性層であるが、その表面には溝が
切られていない。叫は活性層（４）上に形成された光ガ
イド層となる半導体超格子層、αυはこの半導体超格子
層αＯを周期的に混晶化させた部分である。第１図の場
合は、混晶化部分を有する半導体超格子層からなる光ガ
イド層を、クラッド層（３）と活性層（４）間に付加し
ｔこＤＦＢ型半導体レーザーを示すものである。 半導体超格子層を混晶化する方法には、例えば、干渉露
光法、電子ビーム露光法により周期的なマスクパターン
を作り、マスクで被われていない部分に、例えばＺｎな
どの不純物を拡散して混晶化する方法、イオン注入法を
用いて周期的にＺｎなどの不純物を打込みアニールして
混晶化する方法、又はハイパワーの干渉露光によるレー
ザーアニールの効果で直接混晶化する方法などがある。 こ＼では、Ｚｎ拡散を用いて、第１図のＤＦＢ型半導体
レーザーを製造する場合を製造順に示す第２図（ａ）〜
（ｅ）を用いて説明する。 ｎ型ＧＨＡｓ基板（６１上に例えば分子線エピタキシャ
ル法などでｎ型ＡｇＧａＡｓクラッド層（５）、 Ｇａ
Ａｓ活性層（４３、ＡｅｘＧａｌ−、Ａｓ −ＧａＡｓ
（０＜ｘ≦１）半導体超格子層αＱまでを第１回目成
長で形成する（第２図（ａ））。次にその上にマスク材
料をつけ電子ビーム露光などでマスクパターンを形成す
る（第２図（ｂ））。それをＺｎＡｓ２とともに封入し
て数１００度例えば６００℃でアニールし、Ｚｎを拡散
させ半導体超格子層を周期的に混晶化する（第２図（Ｃ
））。次にマスクを取り除き（第２図（ω）、第２回目
成長で第１回目成長と同様にｐ型Ａ＃ＧａＡｓクラッド
層（３）。 ｐ型ＧａＡｓキャップ層（２）を形成し電極（１）（７
）をつける（第２図（ｅ））。 第３図は半導体超格子層叫を詳しく示す断面図で、（７
）はＡｅｘＧａ、−ｘＡｓ層で、ｘ ｘ Ｏ，８とかＸ
ｗ ｌ（すなわちＡ／Ａｓ ）などでこの実施例では
ｘ ｘ Ｏ，８である。３υはＧａＡｓ層である。Ａｇ
ｘＧａｌ−ｘＡｓ層（７）の厚さＬＢとＧａＡｓ層（財
）の厚さＬｚは１０λ程度〜１０００Å以下で、両厚さ
は等しくない場合と等しい場合のいずれでも実施可能で
、この実施例では両厚さをそれぞれはｔ １００人とし
ている。（６）はＺｎを拡散した混晶化領域で、 Ｚｎ
を拡散することにより超格子をくずした領域である。ま
たＺｎを拡散するかわりに、 Ｂｅ、 Ｓｉｔ Ｓｎ、
Ｔｅ、 Ｓｅなどを拡散して混晶化してもよい。 混晶化方法としては、マスクパターンを形成した後にイ
オン注入をＺｎ等を打込みアニールして混晶化する方法
や所定の位置艮イオン注入できる集束イオン注入法を用
いて混晶化するなどの方法もある。 また第４図のように光伝播層となる活性層を半導体超格
子層で形成した多重量子井戸に上記活性層を周期的に混
晶化した光導波路を用いてＤＦＢ型半導体レーザーを形
成してもよい。 半導体レーザーの発振動作は従来例と同じであるが、以
上のように溝を切ることなどの幾何学的形状変化を用い
ないで平坦な面に周期的屈折率分布を形成できるため、
回折格子上の結晶成長が容易になり、その結晶性がよく
なり種々のレーザ特性の向上につながる。 また、再現性歩留りの制御が困難な半導体の化学エツチ
ングが不用になる。 また屈折率の変化は５％以上かえることも可能である。 ＡｇＡＳ−ＧａＡ８超格子の場合は、混晶化すると一般
的（こ屈折率が下がる。さらに超格子が残った部分と混
晶化した部分とでのキャリアの流れる量が異なることか
らも回折効果かえられる。 なお上記実施例ではＧａＡｓ／ＡｅＧａＡｓ系半導体レ
ーザーについて示したが、長波長用のレーザでゐる１ｎ
Ｐ／ Ｉ ｎＧａＡｓＰ系半導体レーザーについてもＩ
ｎＰ−１ｎＧａＡｓＰ超格子あるいはＩｎＧａＡｓＰ
の組成が異なる超格子を用いて全く同様の効果がえられ
る＠さらＩこその他の材料系の半導体レーザーについて
も同様の効果が期待できる。また、さらにＤＢＲ型半導
体レーザーについても同様の効果が期待できる。 まｔコ、上記実施例では、半導体レーザーの波長制御を
行うための応用例を中心に説明したが、上記の屈折率分
布をもった光導波路の光波長分散性、。 選別性を利用すれば、光分配器、光偏波器、光し・ンズ
などの機能を持ｔこせることも可能である。 （発明の効果〕 この発明の光導波路は、光伝播層として半導体超格子１
ｍを光が伝播する方向曇こ平行な方向に形成し、その超
格子層の一部を混晶化して屈折率変化を有するようＣζ
したので、溝を切ることなしＧこ形成でき、再現性がよ
い。 又、この光導波路を使用してこの光導波路上に半導体結
晶を成長させる例えば半導体レーザーのようなものでは
、先導波路の面が平坦であるのでその上に成長する半導
体の結晶性がよく、結晶成長も容易である。 この発明の別の発明の光導波路は、光伝播層に半導体超
格子層からなる光ガイド層を設け、その光ガイド層の一
部を混晶化して屈折率変化を有するようにしたものであ
るので、上記と同様な効果を発揮できる。
第１図はこの発明の一実施例の光導波路をＤＦＢ型半導
体レーザーに使用してものを示す断面図、第２図（ａ）
〜（ｅ）は第１図のＤＦＢ型半導体レーザーの製造方法
を製造工程順に示す断面図、第３図は半導体超格子の構
造を示す断面図、第４図はこの発明の他の実施例の光導
波路を使用したものを示す断面図、第５図は従来のＤＦ
Ｂ型半導体レーザーを示す断面図である。 図において、＋４３は活性層、Ｑ□は半導体超格子層。 （６）は混晶化部分である◎ なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
体レーザーに使用してものを示す断面図、第２図（ａ）
〜（ｅ）は第１図のＤＦＢ型半導体レーザーの製造方法
を製造工程順に示す断面図、第３図は半導体超格子の構
造を示す断面図、第４図はこの発明の他の実施例の光導
波路を使用したものを示す断面図、第５図は従来のＤＦ
Ｂ型半導体レーザーを示す断面図である。 図において、＋４３は活性層、Ｑ□は半導体超格子層。 （６）は混晶化部分である◎ なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）光伝播層として半導体超格子層を光が伝播する方
向に平行な方向に形成し、その超格子層の一部を混晶化
して屈折率変化を有するようにした光導波路。 - （２）半導体超格子層を周期的に混晶化して屈折率変化
を持たせ、回折格子機能を有するようにした特許請求の
範囲第１項記載の光導波路。 - （３）光伝播層に半導体超格子層からなる光ガイド層を
設け、その光ガイド層の一部を混晶化して屈折率変化を
有するようにした光導波路。 - （４）光ガイド層である半導体超格子層を周期的に混晶
化して屈折率変化を持たせるようにした特許請求の範囲
第３項記載の光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2542185A JPS61184508A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2542185A JPS61184508A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61184508A true JPS61184508A (ja) | 1986-08-18 |
Family
ID=12165486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2542185A Pending JPS61184508A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61184508A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0317952A2 (en) * | 1987-11-24 | 1989-05-31 | Hitachi, Ltd. | Device having superlattice structure, and method of and apparatus for manufacturing the same |
| JPH02205804A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光導波路 |
| JPH02213805A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 導波路レンズおよび光機能素子の構造およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP2542185A patent/JPS61184508A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0317952A2 (en) * | 1987-11-24 | 1989-05-31 | Hitachi, Ltd. | Device having superlattice structure, and method of and apparatus for manufacturing the same |
| JPH02205804A (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光導波路 |
| JPH02213805A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 導波路レンズおよび光機能素子の構造およびその製造方法 |
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