JPH02281681A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH02281681A JPH02281681A JP10272089A JP10272089A JPH02281681A JP H02281681 A JPH02281681 A JP H02281681A JP 10272089 A JP10272089 A JP 10272089A JP 10272089 A JP10272089 A JP 10272089A JP H02281681 A JPH02281681 A JP H02281681A
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Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 7
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- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分骨〕
この発明は、回折格子を有する半導体レーザに係り、特
にその高出力化に関するものである。
にその高出力化に関するものである。
第３図は、例えば５ｅｅｏｎｄ ０ｐｔｏｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃＳＣ。
ｏｎｉｃＳＣ。
ｎｆｅｒｅｎｅｅ （ＯＥＣ”８ｇ）で報告されたバリ
ア層構造を有する分布帰還型半導体レーザの断面図であ
り、この図において、１はｐ型ＩｎＰ基板、２はＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層、３はｎ型ＩｎＰバリア層、４はＩ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓガイド層、５は回折格子である。
ア層構造を有する分布帰還型半導体レーザの断面図であ
り、この図において、１はｐ型ＩｎＰ基板、２はＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層、３はｎ型ＩｎＰバリア層、４はＩ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓガイド層、５は回折格子である。
次に動作について説明する。
分布帰還型半導体レーザにおいては、活性層２の近傍に
設けられた回折格子５によって光の帰還が行われ、レー
ザ発振に至る。この場合のレーザ発振波長は、回折格子
５のピッチに対応した単一の波長となる。
設けられた回折格子５によって光の帰還が行われ、レー
ザ発振に至る。この場合のレーザ発振波長は、回折格子
５のピッチに対応した単一の波長となる。
活性領域で生じた光が回折格子５において帰還される割
合は、光と回折格子５の結合係数Ｋにより決定され、Ｋ
が大きいほど帰還量は大きくなる。
合は、光と回折格子５の結合係数Ｋにより決定され、Ｋ
が大きいほど帰還量は大きくなる。
しかし、Ｋが大きいと素子内に閉じ込められる光の割合
が太き（なるため、低しきい値で発振するが、高出力時
には素子内の光密度が高くなり、同時に素子内の光密度
の空間的分布の不均一性も大きくなる。この結果、素子
内の屈折率分布に不均一性が生じ、発振波長のモードと
び、あるいは多波長発振が起こる。
が太き（なるため、低しきい値で発振するが、高出力時
には素子内の光密度が高くなり、同時に素子内の光密度
の空間的分布の不均一性も大きくなる。この結果、素子
内の屈折率分布に不均一性が生じ、発振波長のモードと
び、あるいは多波長発振が起こる。
乙のように従来の分布帰還型半導体レーザは、高出力時
に素子内の光密度分布の不均一性が大きくなり、発振波
長のモードとび、あるいは多波長発振が生ずるという問
題点があった。
に素子内の光密度分布の不均一性が大きくなり、発振波
長のモードとび、あるいは多波長発振が生ずるという問
題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、高出力時においてもモードとびがなく、単
一波長で発振するバリア層構造を有する分布帰還型半導
体レーザを得ることを目的とする。
れたもので、高出力時においてもモードとびがなく、単
一波長で発振するバリア層構造を有する分布帰還型半導
体レーザを得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザは、素子内において光密度
が他の領域より大となる領域付近の光ガイド層のス１−
ライブ幅を他の領域のストライプ幅よりも狭くしたもの
である。
が他の領域より大となる領域付近の光ガイド層のス１−
ライブ幅を他の領域のストライプ幅よりも狭くしたもの
である。
この発明においては、光密度が他の領域よりも大となる
領域で光ガイド層のストライプ幅が狭くなっているため
に、この部分の結合定数Ｋが小さくなる。この結果、こ
の付近での光密度も小さくなる。
領域で光ガイド層のストライプ幅が狭くなっているため
に、この部分の結合定数Ｋが小さくなる。この結果、こ
の付近での光密度も小さくなる。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の半導体レーザの一実
施例を示す断面図および斜視図であり、第２図（ａ ）
〜（ｅ）はその製造フローを示す。これらの図において
、第３図と同一符号は同一のものを示し、４ａは前記Ｉ
ｎＧａＡｓガイド層４の素子中央部においてストライ
プ幅が狭くなっている領域、５ａば素子中央にλ／４位
相ンフ）・領域を有する回折格子である。
施例を示す断面図および斜視図であり、第２図（ａ ）
〜（ｅ）はその製造フローを示す。これらの図において
、第３図と同一符号は同一のものを示し、４ａは前記Ｉ
ｎＧａＡｓガイド層４の素子中央部においてストライ
プ幅が狭くなっている領域、５ａば素子中央にλ／４位
相ンフ）・領域を有する回折格子である。
次に製造工程について説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、基板１上に活性層２
．バリア層３．光ガイド層４を成長させた後、エツチン
グを行って回折格子５ａを形成する。
．バリア層３．光ガイド層４を成長させた後、エツチン
グを行って回折格子５ａを形成する。
次に第２図（ｂ）に示すように、素子中央部のみ光ガイ
ド層４をエツチングしてストライプ幅を狭くする。そし
て、最後に第２図（ｃ）に示すように、光ガイド層４上
への再成長、および活性層２の両側の埋め込み成長を行
う。
ド層４をエツチングしてストライプ幅を狭くする。そし
て、最後に第２図（ｃ）に示すように、光ガイド層４上
への再成長、および活性層２の両側の埋め込み成長を行
う。
次に動作について説明する。
上記のように、特定領域で光ガイド層４のストライプ幅
を狭くした場合には、その領域での光の帰還量が小さく
なる。すなわち、回折格子５ａの結合定数Ｋが小さくな
る。したがって、この発明によれば、従来例のように素
子中央付近の光密度が大きくなる場合でも、素子中央部
の光ガイド層４のストライプ幅を狭くすることにより、
等価的に結合定数Ｉ（を小さくでき、その付近の光密度
を低下させられる。このため、高出力時においても光密
度分布の不均一性が顕著になることはなく、単一モード
発振が得られる。
を狭くした場合には、その領域での光の帰還量が小さく
なる。すなわち、回折格子５ａの結合定数Ｋが小さくな
る。したがって、この発明によれば、従来例のように素
子中央付近の光密度が大きくなる場合でも、素子中央部
の光ガイド層４のストライプ幅を狭くすることにより、
等価的に結合定数Ｉ（を小さくでき、その付近の光密度
を低下させられる。このため、高出力時においても光密
度分布の不均一性が顕著になることはなく、単一モード
発振が得られる。
なお、上記実施例では素子中央部で光ガイド層４のスト
ライプ幅を狭くする場合を示したが、この発明はこれに
限定されるものではなく、結合定数の調整が必要な場合
には適宜ストライプ幅を狭くすればよい。
ライプ幅を狭くする場合を示したが、この発明はこれに
限定されるものではなく、結合定数の調整が必要な場合
には適宜ストライプ幅を狭くすればよい。
この発明は以上説明したとおり、素子内において光密度
が他の領域より大となる領域付近の光ガイド層のストラ
イプ幅を他の領域のストライプ幅よりも狭くしたので、
光密度の高い領域の結合定数Ｋを容易に小さくでき、高
出力時においても単一波長で発振する分布帰還型半導体
し・−ザが得られるという効果がある。
が他の領域より大となる領域付近の光ガイド層のストラ
イプ幅を他の領域のストライプ幅よりも狭くしたので、
光密度の高い領域の結合定数Ｋを容易に小さくでき、高
出力時においても単一波長で発振する分布帰還型半導体
し・−ザが得られるという効果がある。
第１図はこの発明の半導体レーザの一実施例を示す図、
第２図は、第１図の半導体レーザの製造フローを示す図
、第３図は従来の半導体レーザを示す断面図である。 図において、１ばｐ型ＩｎＰ基板、２はＩｎＧａＡｓＰ
活性層、３はｎ型ＩｎＰバリア層、４はＩ ｎＧａＡｓ
ガイド層、４ａはストライプ幅が狭くなっている領域、
５ａは回折格子である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第 図 第 図
第２図は、第１図の半導体レーザの製造フローを示す図
、第３図は従来の半導体レーザを示す断面図である。 図において、１ばｐ型ＩｎＰ基板、２はＩｎＧａＡｓＰ
活性層、３はｎ型ＩｎＰバリア層、４はＩ ｎＧａＡｓ
ガイド層、４ａはストライプ幅が狭くなっている領域、
５ａは回折格子である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第 図 第 図
Claims (1)
- 活性層上に、この活性層よりエネルギーギャップの大き
いバリア層と、エネルギーギャップが前記活性層より大
きく前記バリア層より小さい回折格子パターンの光ガイ
ド層とを有する半導体レーザにおいて、前記回折格子を
構成する光ガイド層のストライプ幅を光密度が他の領域
より大となる領域で、前記他の領域のストライプ幅より
も狭くしたことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10272089A JPH02281681A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10272089A JPH02281681A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02281681A true JPH02281681A (ja) | 1990-11-19 |
Family
ID=14335104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10272089A Pending JPH02281681A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02281681A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5394429A (en) * | 1992-10-30 | 1995-02-28 | Nec Corporation | Distributed-feedback laser with improved analog modulation distortion characteristics and method for fabricating the same |
| JP2012191030A (ja) * | 2011-03-11 | 2012-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP10272089A patent/JPH02281681A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5394429A (en) * | 1992-10-30 | 1995-02-28 | Nec Corporation | Distributed-feedback laser with improved analog modulation distortion characteristics and method for fabricating the same |
| JP2012191030A (ja) * | 2011-03-11 | 2012-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
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