JPH0587035B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0587035B2 JPH0587035B2 JP60289034A JP28903485A JPH0587035B2 JP H0587035 B2 JPH0587035 B2 JP H0587035B2 JP 60289034 A JP60289034 A JP 60289034A JP 28903485 A JP28903485 A JP 28903485A JP H0587035 B2 JPH0587035 B2 JP H0587035B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- width
- semiconductor
- refractive index
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、安定した単一横モード発振が可能
な半導体レーザ装置に関するものである。
な半導体レーザ装置に関するものである。
第８図は例えばアプライド フイジクス レタ
ーズ、第37巻 第３号（1980）第262頁〜第263頁
（Appl.Phys.Lett.vol.37，No.３（1980）p262〜263）
に示された従来の半導体レーザ装置を示す断面図
であり、図において、１ｂは表面が平坦なｎ形
GaAs基板、２ｃはこの基板１ｂ上に成長された
ｎ形AlGaAsの下クラツド層、４は活性層、５ａ
はｐ形AlGaAsの上クラツド層、６はストライプ
状に溝形成されたｎ形GaAsの電流ブロツク層、
７はこの電流ブロツク層６を埋込むように成長さ
れたｐ形AlGaAs層、８はｐ形GaAsのコンタク
ト層、９はｎ側電極、１０はｐ側電極である。
ーズ、第37巻 第３号（1980）第262頁〜第263頁
（Appl.Phys.Lett.vol.37，No.３（1980）p262〜263）
に示された従来の半導体レーザ装置を示す断面図
であり、図において、１ｂは表面が平坦なｎ形
GaAs基板、２ｃはこの基板１ｂ上に成長された
ｎ形AlGaAsの下クラツド層、４は活性層、５ａ
はｐ形AlGaAsの上クラツド層、６はストライプ
状に溝形成されたｎ形GaAsの電流ブロツク層、
７はこの電流ブロツク層６を埋込むように成長さ
れたｐ形AlGaAs層、８はｐ形GaAsのコンタク
ト層、９はｎ側電極、１０はｐ側電極である。
次に動作について説明する。活性層４から発生
した光は、活性層４とこれに隣接する上下クラツ
ド層２ｃ，５ａとの間の屈折率差により活性層４
に閉じ込められ、さらに電流ブロツク層６の光の
吸収および電流狭搾により活性層４に平行な方
向、すなわち横方向の光の広がりを制限されて導
波される。
した光は、活性層４とこれに隣接する上下クラツ
ド層２ｃ，５ａとの間の屈折率差により活性層４
に閉じ込められ、さらに電流ブロツク層６の光の
吸収および電流狭搾により活性層４に平行な方
向、すなわち横方向の光の広がりを制限されて導
波される。
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成さ
れており、ｎ形GaAsブロツク層６の光を吸収と
電流狭搾とにより横方向の光の広がりを制限して
いるので、横モードを制御して単一横モードで発
振させるためにはストライプ幅を5μm以下にしな
ければならず、また注入電流を増加させるとスト
ライプ内の屈折率分布がわずかに変化し、その結
果としてレーザビームがわずかに移動し、電流−
光出力特性の直線性の低下およびキンクの発生
や、遠視野像のピークのずれが生じるなどの問題
点があつた。
れており、ｎ形GaAsブロツク層６の光を吸収と
電流狭搾とにより横方向の光の広がりを制限して
いるので、横モードを制御して単一横モードで発
振させるためにはストライプ幅を5μm以下にしな
ければならず、また注入電流を増加させるとスト
ライプ内の屈折率分布がわずかに変化し、その結
果としてレーザビームがわずかに移動し、電流−
光出力特性の直線性の低下およびキンクの発生
や、遠視野像のピークのずれが生じるなどの問題
点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、レーザビームのゆらぎをなく
すことができ、安定した単一横モード発振を実現
することができる半導体レーザ装置を得ることを
目的とする。
になされたもので、レーザビームのゆらぎをなく
すことができ、安定した単一横モード発振を実現
することができる半導体レーザ装置を得ることを
目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、発振領域
となる活性層の下または上の層に周期的なストラ
イプ状の凹凸構造を設け、光導波路の幅方向に周
期的に幅ｗの屈折率の高い領域と幅ｄの屈折率の
低い領域をｍ組繰り返して配置した構造とし、か
つ上記ｗ，ｄ，ｍを基本モードのみが許容される
値に設定したものである。
となる活性層の下または上の層に周期的なストラ
イプ状の凹凸構造を設け、光導波路の幅方向に周
期的に幅ｗの屈折率の高い領域と幅ｄの屈折率の
低い領域をｍ組繰り返して配置した構造とし、か
つ上記ｗ，ｄ，ｍを基本モードのみが許容される
値に設定したものである。
この発明においては、光導波路の幅方向に周期
的に幅ｗの屈折率の高い領域と幅ｄの屈折率の低
い領域をｍ組繰り返して配置した構造とし、かつ
上記ｗ，ｄ，ｍを基本モードのみが許容される値
に設定したから、高次モードがカツト・オフされ
て、基本モード（単一横モード）のみで発振が行
なわれ、又光導波路領域が周期的な屈折率分布を
もつため、注入電流の増加による屈折率の変動が
ほとんどなくなつてレーザビームのゆらぎがなく
なり、電流−光出力特性の直線性が向上し、光出
力を増しても遠視野像のピークのずれが生じず、
さらには単一横モード発振する光導波路の幅を従
来のレーザよりも広くすることができるため、光
出力の高出力も可能となる。
的に幅ｗの屈折率の高い領域と幅ｄの屈折率の低
い領域をｍ組繰り返して配置した構造とし、かつ
上記ｗ，ｄ，ｍを基本モードのみが許容される値
に設定したから、高次モードがカツト・オフされ
て、基本モード（単一横モード）のみで発振が行
なわれ、又光導波路領域が周期的な屈折率分布を
もつため、注入電流の増加による屈折率の変動が
ほとんどなくなつてレーザビームのゆらぎがなく
なり、電流−光出力特性の直線性が向上し、光出
力を増しても遠視野像のピークのずれが生じず、
さらには単一横モード発振する光導波路の幅を従
来のレーザよりも広くすることができるため、光
出力の高出力も可能となる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザ
装置を示す。図において、１ａはストライプ状の
凹凸が周期的に形成されたｎ形GaAs基板、２ａ
はこの基板１ａ上にその溝形状を維持するように
成長されたｎ形AlGaAs下クラツド層、３ａは下
クラツド層２ａよりも禁制帯幅が小さく、凹凸を
埋め込むように成長された、ｎ形AlGaAs光ガイ
ド層、４はGaAs活性層、５ａはｐ形AlGaAs上
クラツド層、６はストライプ状に溝が形成された
ｎ形GaAs電流ブロツク層、７はこの電流ブロツ
ク層６を埋め込むように成長された上クラツド層
５ａと同じ組成のｐ形AlGaAs層、８はｐ形
GaAsコンタクト層、９はｎ側電極、１０はｐ側
電極である。
装置を示す。図において、１ａはストライプ状の
凹凸が周期的に形成されたｎ形GaAs基板、２ａ
はこの基板１ａ上にその溝形状を維持するように
成長されたｎ形AlGaAs下クラツド層、３ａは下
クラツド層２ａよりも禁制帯幅が小さく、凹凸を
埋め込むように成長された、ｎ形AlGaAs光ガイ
ド層、４はGaAs活性層、５ａはｐ形AlGaAs上
クラツド層、６はストライプ状に溝が形成された
ｎ形GaAs電流ブロツク層、７はこの電流ブロツ
ク層６を埋め込むように成長された上クラツド層
５ａと同じ組成のｐ形AlGaAs層、８はｐ形
GaAsコンタクト層、９はｎ側電極、１０はｐ側
電極である。
次に動作について説明する。
本装置においては、活性層４とこれに隣接する
上クラツド層５ａ、光ガイド層３ａおよび光ガイ
ド層３ａに隣接する下クラツド層２ａとの間の屈
折率差、電流ブロツク層６の光の吸収および電流
狭搾により結合導波路が形成され、活性層４から
発生した光は導波される。この光導波路には、第
２図に示すように、基板１ａ上部に周期的に形成
されたストライプ状の凹凸により、活性層４に平
行な方向すなわち横方向に周期的な屈折率分布が
形成される。
上クラツド層５ａ、光ガイド層３ａおよび光ガイ
ド層３ａに隣接する下クラツド層２ａとの間の屈
折率差、電流ブロツク層６の光の吸収および電流
狭搾により結合導波路が形成され、活性層４から
発生した光は導波される。この光導波路には、第
２図に示すように、基板１ａ上部に周期的に形成
されたストライプ状の凹凸により、活性層４に平
行な方向すなわち横方向に周期的な屈折率分布が
形成される。
ここで日本学術振興会、光電相互変換、第125
委員会、第114回研究会（1985年５月21日開催）
の「位相同期高出力集積レーザ」予稿記載の第１
図によれば、第２図ａ，ｂに示す屈折率分布のモ
デルにおいて、横方向の屈折率差ΔNeff／Neff
を0.1％とした場合の一次モードのカツトオフ条
件は、溝部のストライプ数をパラメータとし凹部
の幅ｄと凸部の幅ｗの関数として第３図のように
表わされる。各ストライプの曲線の内側（図示の
左下側）が基本モードのみが許されるｄとｗの領
域である。第３図において、溝部のストライプ数
が９本の場合、例えば、ｄ＝1.0μm，ｗ＝0.12μm
は基本モードのみが許される領域にあり、このと
きの光導波路の幅は（1.0＋0.12）×９＝10.08μm
となる。したがつて、約10μmの発振領域をもつ
光導波路において、基本モードのみが許されるこ
とになる。また発振領域が広いため高出力のレー
ザ光が得られる。
委員会、第114回研究会（1985年５月21日開催）
の「位相同期高出力集積レーザ」予稿記載の第１
図によれば、第２図ａ，ｂに示す屈折率分布のモ
デルにおいて、横方向の屈折率差ΔNeff／Neff
を0.1％とした場合の一次モードのカツトオフ条
件は、溝部のストライプ数をパラメータとし凹部
の幅ｄと凸部の幅ｗの関数として第３図のように
表わされる。各ストライプの曲線の内側（図示の
左下側）が基本モードのみが許されるｄとｗの領
域である。第３図において、溝部のストライプ数
が９本の場合、例えば、ｄ＝1.0μm，ｗ＝0.12μm
は基本モードのみが許される領域にあり、このと
きの光導波路の幅は（1.0＋0.12）×９＝10.08μm
となる。したがつて、約10μmの発振領域をもつ
光導波路において、基本モードのみが許されるこ
とになる。また発振領域が広いため高出力のレー
ザ光が得られる。
以上のような本実施例の装置では、基板上に周
期的なストライプ状の凹凸を形成し、光導波路に
活性層に平行な方向に周期的な屈折率分布を設け
るようにしたので、高次モードをカツトオフして
基本モードのみで発振でき、又注入電流増加によ
る屈折率の変動はほとんどなく、レーザビームの
ゆらぎがなくなり、電流−光出力特性の直線性を
向上できるとともに、光出力を増しても遠視野像
のピークのずれが生じない。
期的なストライプ状の凹凸を形成し、光導波路に
活性層に平行な方向に周期的な屈折率分布を設け
るようにしたので、高次モードをカツトオフして
基本モードのみで発振でき、又注入電流増加によ
る屈折率の変動はほとんどなく、レーザビームの
ゆらぎがなくなり、電流−光出力特性の直線性を
向上できるとともに、光出力を増しても遠視野像
のピークのずれが生じない。
また本装置では、単一横モード発振する光導波
路の幅を従来の半導体レーザ装置よりも広くする
ことができるので、光出力の高出力化を実現でき
る。
路の幅を従来の半導体レーザ装置よりも広くする
ことができるので、光出力の高出力化を実現でき
る。
なお、上記実施例では基板１ａ上部に周期的な
凹凸を形成しかつ上クラツド層５ａ上にブロツク
層６を形成したものを示したが、第４図に示すよ
うに下クラツド層２ａ上にブロツク層６を形成し
てもよい。また周期的な凹凸は、これを第５図に
示すように、下クラツド層２ｂ上部に形成しても
よい。
凹凸を形成しかつ上クラツド層５ａ上にブロツク
層６を形成したものを示したが、第４図に示すよ
うに下クラツド層２ａ上にブロツク層６を形成し
てもよい。また周期的な凹凸は、これを第５図に
示すように、下クラツド層２ｂ上部に形成しても
よい。
また上実施例では下クラツド層２ａが周期的な
凹凸構造を有するものについて示したが、第６図
に示すように活性層４と上クラツド層５ｂとの間
に光ガイド層３ｂを設け、この光ガイド層３ｂに
周期的な凹凸構造を形成してもよい。
凹凸構造を有するものについて示したが、第６図
に示すように活性層４と上クラツド層５ｂとの間
に光ガイド層３ｂを設け、この光ガイド層３ｂに
周期的な凹凸構造を形成してもよい。
また上記実施例ではｎ形GaAs層を電流ブロツ
ク層６として使用した場合について説明したが、
上クラツド層５ａよりも禁制帯幅の大きなｎ形
AlGaAs層を電流ブロツク層６として用いてもよ
く、上記実施例と同様の効果を奏する。
ク層６として使用した場合について説明したが、
上クラツド層５ａよりも禁制帯幅の大きなｎ形
AlGaAs層を電流ブロツク層６として用いてもよ
く、上記実施例と同様の効果を奏する。
また上記実施例では活性層４を平坦な構造のも
のを示したが、第７図に示すように、活性層４が
凹凸になつていてもよく、この場合には横方向の
比屈折率差（ΔNeff／Neff）が大きくなるだけ
であり、上記実施例と同様の効果を奏する。
のを示したが、第７図に示すように、活性層４が
凹凸になつていてもよく、この場合には横方向の
比屈折率差（ΔNeff／Neff）が大きくなるだけ
であり、上記実施例と同様の効果を奏する。
また上記実施例では活性層の材料としてGaAs
を用いた場合について説明したが、これは
AlGaAsであつてもよく、又AlGaInP又は
InGaAsP系の四元混晶を用いるようにしてもよ
い。
を用いた場合について説明したが、これは
AlGaAsであつてもよく、又AlGaInP又は
InGaAsP系の四元混晶を用いるようにしてもよ
い。
以上のように、この発明によれば、光導波路の
幅方向に周期的に幅ｗの屈折率の高い領域と幅ｄ
の屈折率の低い領域をｍ組繰り返して配置した構
造とし、かつ上記ｗ，ｄ，ｍを基本モードのみが
許容される値に設定したので、広い光導波路幅で
基本横モード発振を実現でき、また高出力のレー
ザ光が得られる効果がある。
幅方向に周期的に幅ｗの屈折率の高い領域と幅ｄ
の屈折率の低い領域をｍ組繰り返して配置した構
造とし、かつ上記ｗ，ｄ，ｍを基本モードのみが
許容される値に設定したので、広い光導波路幅で
基本横モード発振を実現でき、また高出力のレー
ザ光が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レー
ザ装置を示す断面図、第２図ａ，ｂはともに上記
装置の動作を説明するための計算モデルを示す
図、第３図は第２図に示したモデルを用いて計算
した１次モードのカツトオフ条件を示す図、第４
図、第５図、第６図及び第７図は各々この発明の
他の実施例による半導体レーザ装置の断面図、第
８図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図であ
る。 １ａは基板、２ａ，２ｂ，２ｃは下クラツド
層、３ａ，３ｂは光ガイド層、４は活性層、５
ａ，５ｂは上クラツド層、６は電流ブロツク層、
７は埋込み層、８はコンタクト層、なお図中同一
符号は同一又は相当部分を示す。
ザ装置を示す断面図、第２図ａ，ｂはともに上記
装置の動作を説明するための計算モデルを示す
図、第３図は第２図に示したモデルを用いて計算
した１次モードのカツトオフ条件を示す図、第４
図、第５図、第６図及び第７図は各々この発明の
他の実施例による半導体レーザ装置の断面図、第
８図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図であ
る。 １ａは基板、２ａ，２ｂ，２ｃは下クラツド
層、３ａ，３ｂは光ガイド層、４は活性層、５
ａ，５ｂは上クラツド層、６は電流ブロツク層、
７は埋込み層、８はコンタクト層、なお図中同一
符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板上に、半導体活性層、この活性層
に隣接し活性層より禁制帯幅の大きな半導体光ガ
イド層、これらの層を挟むように接し上記光ガイ
ド層よりも禁制帯幅の大きな第１、第２半導体ク
ラツド層を設けてなる半導体レーザ装置におい
て、 一つの光導波路内において該光導波路の幅方向
に周期的に幅ｗの屈折率の高い領域と幅ｄの屈折
率の低い領域をｍ組繰り返して配置した構造と
し、かつ上記ｗ，ｄ，ｍを基本モードのみが許容
される値に設定したことを特徴とする半導体レー
ザ装置。 ２ 半導体基板上に周期的にストライプ状の凹凸
を形成し、該基板上に第１クラツド層、光ガイド
層、活性層、第２クラツド層を順次エピタキシヤ
ル成長させることにより、上記周期的に幅ｗの屈
折率の高い領域と幅ｄの屈折率の低い領域をｍ組
繰り返して配置した構造を形成したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装
置。 ３ 半導体基板上に第１クラツド層をエピタキシ
ヤル成長させ、該第１クラツド層に周期的にスト
ライプ状の凹凸を形成し、該第１クラツド層上に
光ガイド層、活性層、第２クラツド層を順次エピ
タキシヤル成長させることにより、上記周期的に
幅ｗの屈折率の高い領域と幅ｄの屈折率の低い領
域をｍ組繰り返して配置した構造を形成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
レーザ装置。 ４ 半導体基板上に第１クラツド層、活性層、光
ガイド層を順次エピタキシヤル成長させ、上記光
ガイド層に周期的にストライプ状の凹凸を形成
し、該光ガイド層上に第２クラツド層をエピタキ
シヤル成長させることにより、上記周期的に幅ｗ
の屈折率の高い領域と幅ｄの屈折率の低い領域を
ｍ組繰り返して配置した構造を形成したことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レー
ザ装置。 ５ 半導体材料として、基板にGaAs、活性層に
GaAsまたはAlGaAs、クラツド層と光ガイド層
にAlGaAsを用いたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の半導
体レーザ装置。 ６ 半導体材料として、活性層にAlGaInPまた
はInGaAsP系の四元混晶を用いたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれ
かに記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60289034A JPS62147794A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体レ−ザ装置 |
| US06/943,931 US4771433A (en) | 1985-12-20 | 1986-12-19 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60289034A JPS62147794A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62147794A JPS62147794A (ja) | 1987-07-01 |
| JPH0587035B2 true JPH0587035B2 (ja) | 1993-12-15 |
Family
ID=17737969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60289034A Granted JPS62147794A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4771433A (ja) |
| JP (1) | JPS62147794A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06336742A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Kaihatsu Concrete Kk | マンホール用のインバートブロックおよびその組み立て方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63198320A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-17 | Mitsubishi Electric Corp | 結晶成長方法 |
| GB2318211B (en) * | 1996-10-09 | 1999-03-31 | Toshiba Cambridge Res Center | Optical waveguide structure |
| JP2005150472A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Alps Electric Co Ltd | 波長可変光源及びその製造方法 |
| JP2009088425A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083388A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS60157283A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-08-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4624000A (en) * | 1984-11-01 | 1986-11-18 | Xerox Corporation | Phased array semiconductor lasers with preferred emission in a single lobe |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP60289034A patent/JPS62147794A/ja active Granted
-
1986
- 1986-12-19 US US06/943,931 patent/US4771433A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083388A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS60157283A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-08-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06336742A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Kaihatsu Concrete Kk | マンホール用のインバートブロックおよびその組み立て方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62147794A (ja) | 1987-07-01 |
| US4771433A (en) | 1988-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6273687A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS6254489A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US4794618A (en) | Distributed feedback laser diode | |
| JP2622143B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ及び分布帰還型半導体レーザの作成方法 | |
| JPH11163464A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JPH05167195A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ及びその駆動方法 | |
| JPH0587035B2 (ja) | ||
| JP2882335B2 (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2004179206A (ja) | 光半導体装置および光伝送モジュール、光増幅モジュール | |
| JPH11195838A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JP2912624B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2950302B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0716079B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS6328520B2 (ja) | ||
| US6734464B2 (en) | Hetero-junction laser diode | |
| JPH08274406A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPS62245692A (ja) | 外部共振器付分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPH0638544B2 (ja) | 光学電子素子 | |
| JP3617119B2 (ja) | スーパールミネッセントダイオード | |
| JP2004134486A (ja) | 回折格子を備えた半導体レーザ | |
| JP2821150B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2703618B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0728093B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| TWM651644U (zh) | 具介電質週期結構之半導體雷射 | |
| JPH0728094B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 |