JPH01186688A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
-
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
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- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32316—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm comprising only (Al)GaAs
-
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体レーザ装置に関するものであり、特に
、光通信用、光計測用、光情報処理システム用の光源と
して適するＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ ＡＳ
系の分布帰還型半導体レーザ装置（以下、ＤＦＢレーザ
という）、又は分布反射型半導体レーザ装置（以下ＤＢ
Ｒレーザという）に関するものである。
、光通信用、光計測用、光情報処理システム用の光源と
して適するＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ ＡＳ
系の分布帰還型半導体レーザ装置（以下、ＤＦＢレーザ
という）、又は分布反射型半導体レーザ装置（以下ＤＢ
Ｒレーザという）に関するものである。
［従来の技術］
ＧａＡｓを基板として用いたＧ ａ Ａ Ｑ、 Ａ ｓ
／ ＧａＡｓ系ダブルへテロ接合構造の半導体レーザ
は発振波長０．７〜０゜９μｍの値を有するため、光フ
アイバ通信や光情報処理、光計測用の光源として適して
おり、そのうちでも活性領域近傍に界面の周期的凹凸構
造（回折格子）を付加したＤＦＢレーザは、変調時にお
いても単一波長のレーザ発振が得られることから、次世
代の光源として脚光を浴びている。かかる半導体レーザ
の製造方法を、図を用いて説明する。
／ ＧａＡｓ系ダブルへテロ接合構造の半導体レーザ
は発振波長０．７〜０゜９μｍの値を有するため、光フ
アイバ通信や光情報処理、光計測用の光源として適して
おり、そのうちでも活性領域近傍に界面の周期的凹凸構
造（回折格子）を付加したＤＦＢレーザは、変調時にお
いても単一波長のレーザ発振が得られることから、次世
代の光源として脚光を浴びている。かかる半導体レーザ
の製造方法を、図を用いて説明する。
第７図は従来のＤＦ８半導体レーザの模式図である。
ｐ型ＧａＡｓ基板８１に液相成長法または有機金属析出
法等によって、０．８μｍ厚さのｎ型ＧａＡｓ電流狭搾
層８２を形成する。次にリングラフィ技術と化学エツチ
ング法によって、電流通路と光導波路となるＶ形状の溝
８３を形成するため、ｐ−ＧａＡｓ基板８１に到達する
まで、ｎ−ＧａＡｓ層８２をＶ形状に除去する。
法等によって、０．８μｍ厚さのｎ型ＧａＡｓ電流狭搾
層８２を形成する。次にリングラフィ技術と化学エツチ
ング法によって、電流通路と光導波路となるＶ形状の溝
８３を形成するため、ｐ−ＧａＡｓ基板８１に到達する
まで、ｎ−ＧａＡｓ層８２をＶ形状に除去する。
次に、第２回目のエピタキシャル成長によって、ｐＧａ
ｏ、６ ｉ ＡｆＬｏ、ｓ ｉ Ａｓクラッド層（溝部
分８３で１，２μｍ厚さ）８４、ｐ（またはｎ）−Ｇａ
Ａｓ活性層（０，０８μｍ厚さ）８５、お。
ｏ、６ ｉ ＡｆＬｏ、ｓ ｉ Ａｓクラッド層（溝部
分８３で１，２μｍ厚さ）８４、ｐ（またはｎ）−Ｇａ
Ａｓ活性層（０，０８μｍ厚さ）８５、お。
よびｎ−Ｇａｏ、９３ Ａ（ｔｏ、０７ Ａｓ光ガイド
層８６を形成する。
層８６を形成する。
次に、ｎＧａｇｌｇ ｓ ＡＩｌ、ｏ、ｏ ？ Ａｓ光
ガイド層８６表面に回折格子を加工する。次いで、回折
格子が形成された面上に、エピタキシャル成長法によっ
て、ｎ−Ｇａｏ、ｓ ｓ ＡｌｌＣｏ、ａ ｓ Ａｓク
ラッド層（１μｍ厚さ）８７、ｎ−ＧａＡｓキャップ層
（２μｍ厚さ）８８を順次連続的に成長させ、ダブルへ
テロ接合型のレーザ発振用多層結晶構造を形成する。
ガイド層８６表面に回折格子を加工する。次いで、回折
格子が形成された面上に、エピタキシャル成長法によっ
て、ｎ−Ｇａｏ、ｓ ｓ ＡｌｌＣｏ、ａ ｓ Ａｓク
ラッド層（１μｍ厚さ）８７、ｎ−ＧａＡｓキャップ層
（２μｍ厚さ）８８を順次連続的に成長させ、ダブルへ
テロ接合型のレーザ発振用多層結晶構造を形成する。
上記光ガイド層８６は活性層８５より大きいバンドギャ
ップを有しており、光は活性層８５と光ガイド層８６の
双方にまたがって伝播するようになっている。一方、注
入されたキャリアは活性層８５の中に閉込められており
、いわゆるＬＯＧ（ｌａｒｇｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｃａ
ｖｌｔｙ）構造となっている◎［発明が解決しようとす
る問題点］ しかしながら、従来構造のＧ ａ Ａ Ｑ、 Ａ ｓ
／ Ｇ ａＡｓ系ＤＦＢレーザには、次のような問題点
がある。
ップを有しており、光は活性層８５と光ガイド層８６の
双方にまたがって伝播するようになっている。一方、注
入されたキャリアは活性層８５の中に閉込められており
、いわゆるＬＯＧ（ｌａｒｇｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｃａ
ｖｌｔｙ）構造となっている◎［発明が解決しようとす
る問題点］ しかしながら、従来構造のＧ ａ Ａ Ｑ、 Ａ ｓ
／ Ｇ ａＡｓ系ＤＦＢレーザには、次のような問題点
がある。
すなわち、回折格子を形成するＧａＡｌＡｓ光ガイド層
８６は酸化性が強いために、回折格子印刻工程で表面に
Ａｌｌを含んだ安定な酸化膜が形成される。このため、
引き続き行なうエピタキシャル成長、特に液層成長法、
分子線エピタキシャル成長法を用いたエピタキシャル成
長において、均一な結晶性の良いＧａＡｌＡｓクラッド
層が形成できなくなる。この結果、回折格子上にエピタ
キシャル成長を行なうには、光ガイド層８６のＡｌｌ混
晶比を０．工程度以下にしてその酸化性を弱くする必要
がある。すなわち、活性層８５に注入キャリアを閉じ込
めるためには、活性層８５の材質をＧａＡｓとしなけれ
ばならず、発振波長が８７０ｎｍと長波長になり、より
短い発振波長のＧａＡ Ｌ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ
ｓ系ＤＦＰレーザの製作は困難となっていた。
８６は酸化性が強いために、回折格子印刻工程で表面に
Ａｌｌを含んだ安定な酸化膜が形成される。このため、
引き続き行なうエピタキシャル成長、特に液層成長法、
分子線エピタキシャル成長法を用いたエピタキシャル成
長において、均一な結晶性の良いＧａＡｌＡｓクラッド
層が形成できなくなる。この結果、回折格子上にエピタ
キシャル成長を行なうには、光ガイド層８６のＡｌｌ混
晶比を０．工程度以下にしてその酸化性を弱くする必要
がある。すなわち、活性層８５に注入キャリアを閉じ込
めるためには、活性層８５の材質をＧａＡｓとしなけれ
ばならず、発振波長が８７０ｎｍと長波長になり、より
短い発振波長のＧａＡ Ｌ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ
ｓ系ＤＦＰレーザの製作は困難となっていた。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、Ａ〔混晶比の大きなＧａＡ （ＩＡｓＡｓイ
ガ４１層上折格子を形成した後、引き続きエピタキシャ
ル成長をできるようにし、７００ｎｍ帯の発振波長を得
ることができるようにしたＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ系Ｄ
ＦＢレーザおよびＤＢＲレーザを提供することを目的と
する。
たもので、Ａ〔混晶比の大きなＧａＡ （ＩＡｓＡｓイ
ガ４１層上折格子を形成した後、引き続きエピタキシャ
ル成長をできるようにし、７００ｎｍ帯の発振波長を得
ることができるようにしたＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ系Ｄ
ＦＢレーザおよびＤＢＲレーザを提供することを目的と
する。
［問題点を解決するための手段］
この発明は、ＧａＡ廷Ａｓ光ガイド層、および該ＧａＡ
ｌＡｓ光ガイド層の上に形成されたＧａＡｌＡｓクラッ
ド層を備えた半導体レーザ装置にかかるものである。そ
して、前記問題点を解決するだめに、前記ＧａＡｌＡｓ
光ガイド層と前記ＧａＡｌＡｓクラッド層の間に、前記
ＧａＡｌＡｓ光ガイド層のＡｌｌ混晶比より少ないＡＱ
混晶比を有し、かつその一部分がエツチング除去された
Ｇａ＋ −ｘ Ａ之ｘ Ａｓ （式中、Ｘは０〜０．１
の範囲にあり、ｘ−０、およびＸ”０．１を含むもので
ある）補助層を設け、前記ＧａＡｌＡｓ光ガイド層の表
面と前記Ｇａ、−ｘＡｌｘＡｓ補助層の表面が同一界面
上に現われるような構造にしたことを特徴とする。
ｌＡｓ光ガイド層の上に形成されたＧａＡｌＡｓクラッ
ド層を備えた半導体レーザ装置にかかるものである。そ
して、前記問題点を解決するだめに、前記ＧａＡｌＡｓ
光ガイド層と前記ＧａＡｌＡｓクラッド層の間に、前記
ＧａＡｌＡｓ光ガイド層のＡｌｌ混晶比より少ないＡＱ
混晶比を有し、かつその一部分がエツチング除去された
Ｇａ＋ −ｘ Ａ之ｘ Ａｓ （式中、Ｘは０〜０．１
の範囲にあり、ｘ−０、およびＸ”０．１を含むもので
ある）補助層を設け、前記ＧａＡｌＡｓ光ガイド層の表
面と前記Ｇａ、−ｘＡｌｘＡｓ補助層の表面が同一界面
上に現われるような構造にしたことを特徴とする。
本発明において形成されるＧａ＋ −ｘＡｌｌｘＡｓＡ
ｌｌ混晶比Ａｓ補助層であるのが好ましいが、Ｘは０〜
０．１の範囲（Ｘ＝０．１を含む）にあるならば十分に
その効果を発現する。Ｘが０．１より大きくなると酸化
性が大きくなる。
ｌｌ混晶比Ａｓ補助層であるのが好ましいが、Ｘは０〜
０．１の範囲（Ｘ＝０．１を含む）にあるならば十分に
その効果を発現する。Ｘが０．１より大きくなると酸化
性が大きくなる。
［作用］
回折格子を形成したＧａＡｌＡｓ光ガイド層と同一界面
上にＧａ１−ＸＡｉｘ Ａｓ （ｘは０〜０゜１の範囲
にあり、ｘ−０およびｘ＝０．１を含むものである）補
助層が存在するため、ＧａＡＩｌｊＡＳ光ガイド層のＡ
ｉ混晶比が０．１以上でも、その上にＧａＡｌＡｓクラ
ッド層のエピタキシャル成長が可能となる。
上にＧａ１−ＸＡｉｘ Ａｓ （ｘは０〜０゜１の範囲
にあり、ｘ−０およびｘ＝０．１を含むものである）補
助層が存在するため、ＧａＡＩｌｊＡＳ光ガイド層のＡ
ｉ混晶比が０．１以上でも、その上にＧａＡｌＡｓクラ
ッド層のエピタキシャル成長が可能となる。
製造炉中で過飽和状態のＡｓと所定量のＡｉと所定量の
不純物を含んだＧａ融液が、上述のＧａ＋−ｘＡＩＬｘ
Ａｓ補助層とＧａＡｌＡｓ光ガイド層上に接触した場合
、まず酸化性の少ないＧ ａ ＋−８Ａｌｌ、Ａｓ補助
層上にＧａＡ（ＩＡｓＡｓクララのエピタキシャル成長
が始まる。その後、Ｇ ａ 、−８ＡｌｌｘＡｓ補助層
上にエピタキシャル成長したＧａＡｌＡｓクラッド層は
横方向にも成長を開始し、上述のＧ ａ ＋−ｘ Ａ
（Ｊ、ｘＡ ｓ補助層に接した位置の、回折格子を形成
したＧａＡ（ＩＡｓ光ガイド層上にもエピタキシャル成
長が始まる。最後には、ＧａＡｕＡｓ光ガイド層全面に
わたって、ＧａＡＩＬＡＳクラッド層がエピタキシャル
成長することにな。
不純物を含んだＧａ融液が、上述のＧａ＋−ｘＡＩＬｘ
Ａｓ補助層とＧａＡｌＡｓ光ガイド層上に接触した場合
、まず酸化性の少ないＧ ａ ＋−８Ａｌｌ、Ａｓ補助
層上にＧａＡ（ＩＡｓＡｓクララのエピタキシャル成長
が始まる。その後、Ｇ ａ 、−８ＡｌｌｘＡｓ補助層
上にエピタキシャル成長したＧａＡｌＡｓクラッド層は
横方向にも成長を開始し、上述のＧ ａ ＋−ｘ Ａ
（Ｊ、ｘＡ ｓ補助層に接した位置の、回折格子を形成
したＧａＡ（ＩＡｓ光ガイド層上にもエピタキシャル成
長が始まる。最後には、ＧａＡｕＡｓ光ガイド層全面に
わたって、ＧａＡＩＬＡＳクラッド層がエピタキシャル
成長することにな。
る。
このように、回折格子を形成したＧａＡｌＡｓ層と同一
界面上に酸化性が少なく、エビタキシャ。
界面上に酸化性が少なく、エビタキシャ。
ル成長が容易なＧａ、−ｘＡｌｘＡｓ補助層を形成する
ことによって、Ａｕ組成比の大きなＧａＡｌＡｓ光ガイ
ド層上にもエピタキシャル成長が可能となる。
ことによって、Ａｕ組成比の大きなＧａＡｌＡｓ光ガイ
ド層上にもエピタキシャル成長が可能となる。
［発明の実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示すＤＦＢ半導体レーし
°装置の模式図を示す。
°装置の模式図を示す。
ｐ−ＧａＡｓ基板１１上に逆極性となる１μｍ厚さのｎ
型ＧａＡｓ （またはＧａＡＩＡｓ） ＠流阻止層１２
を、液相成長法（以下ＬＰＥ法という）により、成長さ
せる。次に、４μｍ幅のストライブ状四部１３を、電流
阻止層１２表面から基板１１内に達する深さまで形成す
る。この凹部１３は電流通路となり、活性層内に先導波
路を形成する。
型ＧａＡｓ （またはＧａＡＩＡｓ） ＠流阻止層１２
を、液相成長法（以下ＬＰＥ法という）により、成長さ
せる。次に、４μｍ幅のストライブ状四部１３を、電流
阻止層１２表面から基板１１内に達する深さまで形成す
る。この凹部１３は電流通路となり、活性層内に先導波
路を形成する。
次に、再度ＬＰＥ法により、四部１３を形成した基板１
１上に、四部で１．４μｍ厚さとなるように、Ｉ）
Ｇａｏ、ｓ ＡＩＬｏ、ｓ Ａｓクラッド層１４．０．
０６μｍ厚さのｐ−Ｇａｏ、ａ ｓ Ａ ｌｏ、＋ ４
ＡＳ活性層１５、Ｏ，１５μｍ厚ざのｎ −Ｇ ａ
ｏ、 ７ ｔＡｆＬｏ、３Ａｓ光ガイド層１６、および
０． ２μｍ厚さのＧａ＋−ｘＡＱｘＡｓ補助層（Ｘは
０−０゜１の範囲にあり、ｘ−０およびｘ＝０．１を含
むものである。）たとえばｎ−ＧａＡｓ補助層１７を順
次成長する。次に、凹部１３上のＧａＡｓ層１７を幅１
００μｍにわたって、選択化学エツチングで除去した後
、Ｇ ａｏ−７Ａ ｆＬ６．３ Ａ ｓ光ガイド層１６
とＧａＡｓ補助層１７上に三光束干渉露光法と化学エツ
チング法により、周期約２３００人の２次の回折格子を
作製する。その後、さらにＬＰＥ法により、１．５ｐｍ
厚さのｎ−Ｇａｏ、ｓＡ ｌ（１，５Ａ ｓクラッド層
１８．１μｍ厚さのｎ−ＧａＡｓキャップ層１９をエピ
タキシャル成長させた後、ｎ−電極、ｐ−電極を形成し
、共振器長２５０μｍの素子を作製する。男開面上にλ
／４（λ：発振波長）膜厚に相当するＡＩＬｚＯｓ膜（
反射率２９６）を両面に被覆し、ファブリベロー発振モ
ードを抑制した。
１上に、四部で１．４μｍ厚さとなるように、Ｉ）
Ｇａｏ、ｓ ＡＩＬｏ、ｓ Ａｓクラッド層１４．０．
０６μｍ厚さのｐ−Ｇａｏ、ａ ｓ Ａ ｌｏ、＋ ４
ＡＳ活性層１５、Ｏ，１５μｍ厚ざのｎ −Ｇ ａ
ｏ、 ７ ｔＡｆＬｏ、３Ａｓ光ガイド層１６、および
０． ２μｍ厚さのＧａ＋−ｘＡＱｘＡｓ補助層（Ｘは
０−０゜１の範囲にあり、ｘ−０およびｘ＝０．１を含
むものである。）たとえばｎ−ＧａＡｓ補助層１７を順
次成長する。次に、凹部１３上のＧａＡｓ層１７を幅１
００μｍにわたって、選択化学エツチングで除去した後
、Ｇ ａｏ−７Ａ ｆＬ６．３ Ａ ｓ光ガイド層１６
とＧａＡｓ補助層１７上に三光束干渉露光法と化学エツ
チング法により、周期約２３００人の２次の回折格子を
作製する。その後、さらにＬＰＥ法により、１．５ｐｍ
厚さのｎ−Ｇａｏ、ｓＡ ｌ（１，５Ａ ｓクラッド層
１８．１μｍ厚さのｎ−ＧａＡｓキャップ層１９をエピ
タキシャル成長させた後、ｎ−電極、ｐ−電極を形成し
、共振器長２５０μｍの素子を作製する。男開面上にλ
／４（λ：発振波長）膜厚に相当するＡＩＬｚＯｓ膜（
反射率２９６）を両面に被覆し、ファブリベロー発振モ
ードを抑制した。
この結果、発振波長７８０ｎｍ、発振しきい値約５０ｍ
Ａの可視光ＤＦＢレーザが得られた。このＤＦＢレーザ
は、光出力５ｍＷで、−１０℃から６０℃にわたって、
同一軸モード発振し、安定な単一モードレーザを得るこ
とができるものであった。
Ａの可視光ＤＦＢレーザが得られた。このＤＦＢレーザ
は、光出力５ｍＷで、−１０℃から６０℃にわたって、
同一軸モード発振し、安定な単一モードレーザを得るこ
とができるものであった。
第２図は本発明の第２の実施例であるＤＦＢ半導体レー
ザアレイ装置の模式図である。
ザアレイ装置の模式図である。
その製造方法について説明する。
ｎ−ＧａＡｓ基板３１上に１．２μｍ厚さのｎ−Ｇａ１
）、Ｉ ＡＱｏ、ｓ Ａｓクラッド層３２．０． １５
ａｍ厚さのｎ−Ｇ ａｏ、７ Ａ ｆＬ６９． Ａ ｓ
光ガイド層３３．０．０６．ｉｍ厚さのｎ−Ｇａｏ、ａ
ＧＡｌｌＯ，１４ＡＳ活性層３４．０．１５μｍ厚さ
のｐ−Ｇ ａｏ、７Ａ （１（１，、Ａ ｓ光ガイド層
３５、および０゜２μｍ厚さのｐ−ＧａＡｓ補助層３６
を、順次ＬＰＥ法で形成する。その後、発光領域となる
活性層３４上のｐ−ＧａＡｓ補助層３６を選択的に除却
した後、ｐ−Ｇ ａｏ、ｔ Ａ １Ｏ０３Ａ ｓ光ガイ
ド層３５とｐ−ＧａＡｓ補助層３６上に回折格子を作成
し、再度ＬＰＥ法で１．２μｍ厚さのｐ−Ｇａｏ、ｓ
Ａ Ｌｏ、ｓ Ａ Ｓクラッド層３７．１．ｃｚｍ厚さ
のｐ−ＧａＡｓキャップ層３８を順次成長する。その後
、周期５μｍ１幅３μｍ、高さ１．９μｍのリッジをｐ
Ｇａｏ、ｓ Ａ（Ｌｏ、ｓ Ａｓクラッド層３７に
形成する。その上にＳｔ、Ｎ４膜３９を形成した後、リ
ッジ上に電流通路を形成し、ｐ−電極、ｎ−電極を作成
する。そして、共振器長が２５０μｍの素子を作成する
。さらに、両襞開面を、２％の反射率のＡＱ、２０３膜
で被覆する。すると、３本のリッジ型先導波路を持つ半
導体レーザアレイ装置で、発振しきい値約９０ｍＡ、発
振波長７８０ｎｍの単一軸モードの可視光ＤＦＢレーザ
アレイが得られた。
）、Ｉ ＡＱｏ、ｓ Ａｓクラッド層３２．０． １５
ａｍ厚さのｎ−Ｇ ａｏ、７ Ａ ｆＬ６９． Ａ ｓ
光ガイド層３３．０．０６．ｉｍ厚さのｎ−Ｇａｏ、ａ
ＧＡｌｌＯ，１４ＡＳ活性層３４．０．１５μｍ厚さ
のｐ−Ｇ ａｏ、７Ａ （１（１，、Ａ ｓ光ガイド層
３５、および０゜２μｍ厚さのｐ−ＧａＡｓ補助層３６
を、順次ＬＰＥ法で形成する。その後、発光領域となる
活性層３４上のｐ−ＧａＡｓ補助層３６を選択的に除却
した後、ｐ−Ｇ ａｏ、ｔ Ａ １Ｏ０３Ａ ｓ光ガイ
ド層３５とｐ−ＧａＡｓ補助層３６上に回折格子を作成
し、再度ＬＰＥ法で１．２μｍ厚さのｐ−Ｇａｏ、ｓ
Ａ Ｌｏ、ｓ Ａ Ｓクラッド層３７．１．ｃｚｍ厚さ
のｐ−ＧａＡｓキャップ層３８を順次成長する。その後
、周期５μｍ１幅３μｍ、高さ１．９μｍのリッジをｐ
Ｇａｏ、ｓ Ａ（Ｌｏ、ｓ Ａｓクラッド層３７に
形成する。その上にＳｔ、Ｎ４膜３９を形成した後、リ
ッジ上に電流通路を形成し、ｐ−電極、ｎ−電極を作成
する。そして、共振器長が２５０μｍの素子を作成する
。さらに、両襞開面を、２％の反射率のＡＱ、２０３膜
で被覆する。すると、３本のリッジ型先導波路を持つ半
導体レーザアレイ装置で、発振しきい値約９０ｍＡ、発
振波長７８０ｎｍの単一軸モードの可視光ＤＦＢレーザ
アレイが得られた。
第３図は本発明の第３の実施例であるＤＦＢ半導体レー
ザアレイ装置の模式図である。その製造方法について説
明する。
ザアレイ装置の模式図である。その製造方法について説
明する。
ｐ−ＧａＡｓ基板４１上に、１．ｃｚｍ厚さのｎ−Ｇａ
Ａｓ電流阻止層４２を成長させる。次に電流通路および
先導波路となる複数個の溝４３を形成する。この溝形状
は図示するような平行な複数個のＶ形状の溝に限られる
ものでなく、互いに滑らかに結合された分岐結合型の先
導波路を形成する溝形状でもよい。次に、再度、ＬＰＥ
法により、溝部４３で１．４ａｍ厚さのＩ）−ＧａＯｏ
ｓ ＡＱｏ。
Ａｓ電流阻止層４２を成長させる。次に電流通路および
先導波路となる複数個の溝４３を形成する。この溝形状
は図示するような平行な複数個のＶ形状の溝に限られる
ものでなく、互いに滑らかに結合された分岐結合型の先
導波路を形成する溝形状でもよい。次に、再度、ＬＰＥ
法により、溝部４３で１．４ａｍ厚さのＩ）−ＧａＯｏ
ｓ ＡＱｏ。
５Ａｓクラッド層４４．０．０６μｍ厚さのｐ−Ｇａｏ
、ａ ａ Ａ（ｔｏ、＋ ４ Ａｓ活性層４５、ｎ−Ｇ
ａｏ、６Ａ Ｌｏ、ａ Ａ ｓ電流バリア層４６、およ
びｎ−Ｇ ａｏ、、Ａ ｕｏ−ａ Ａ ｓ光ガイド層４
７を順次エピタキシャル成長する。次に、光ガイド層４
７上に回折格子を形成した後、先導波路部となる溝４３
の周辺部のエピタキシャル成長層を、基板に達するまで
、化学エツチング法で除去する。この場合、ｎ−ＧａＡ
ｓ電流阻止層４２を残した状態で、化学エツチングを終
了して、電流の閉じ込め効果を用いることも可能である
。再度、ＬＰＥ法でｐ−Ｇ ａＯ，９Ａ ＩＬｏ、＋
Ａ ｓ補助層４８を、上記ノエビタキシャル成長層を除
去した領域に、エピタキシャル成長を行なった後、ｎ
−Ｇ ａｏ、！ Ａ ｌ１ｊｏ、ｘ Ａｓクラッド層４
９、ｎ−ＧａＡｓキャップ層５０を展板全面に成長を行
なう。ｐ −Ｇ ａ Ｏ，９Ａ ｆＬｏ。
、ａ ａ Ａ（ｔｏ、＋ ４ Ａｓ活性層４５、ｎ−Ｇ
ａｏ、６Ａ Ｌｏ、ａ Ａ ｓ電流バリア層４６、およ
びｎ−Ｇ ａｏ、、Ａ ｕｏ−ａ Ａ ｓ光ガイド層４
７を順次エピタキシャル成長する。次に、光ガイド層４
７上に回折格子を形成した後、先導波路部となる溝４３
の周辺部のエピタキシャル成長層を、基板に達するまで
、化学エツチング法で除去する。この場合、ｎ−ＧａＡ
ｓ電流阻止層４２を残した状態で、化学エツチングを終
了して、電流の閉じ込め効果を用いることも可能である
。再度、ＬＰＥ法でｐ−Ｇ ａＯ，９Ａ ＩＬｏ、＋
Ａ ｓ補助層４８を、上記ノエビタキシャル成長層を除
去した領域に、エピタキシャル成長を行なった後、ｎ
−Ｇ ａｏ、！ Ａ ｌ１ｊｏ、ｘ Ａｓクラッド層４
９、ｎ−ＧａＡｓキャップ層５０を展板全面に成長を行
なう。ｐ −Ｇ ａ Ｏ，９Ａ ｆＬｏ。
、Ａｓ補助層４８の選択成長はＧａ融液中のＡｓの過飽
和度を適当に設定することによって可能であり、選択成
長の面積によって最適値が決まる。
和度を適当に設定することによって可能であり、選択成
長の面積によって最適値が決まる。
最後に、電流通路４３部にほぼ対応する領域外のｎ−Ｇ
ａＡｓキャップ層５０、ｎ−Ｇａ０．ＩＡＩＬｏ、＠Ａ
ｓクラッド層４９の高抵抗化を、イオン注入法によるプ
ロトン注入によって行ない、電流通路の制限を行なう。
ａＡｓキャップ層５０、ｎ−Ｇａ０．ＩＡＩＬｏ、＠Ａ
ｓクラッド層４９の高抵抗化を、イオン注入法によるプ
ロトン注入によって行ない、電流通路の制限を行なう。
電極形成および反射防止膜の形成の後、素子化を行なう
。共振器長２５０μｍ１４μｍ幅、５μｍ周期の３本の
溝を形成した素子では、発振しきい値約８０ｍＡとなり
、１００ｍＷ光出力まで単一軸モードで発振し、約５０
℃の周囲温度の変化に対しても同一軸モード発振した。
。共振器長２５０μｍ１４μｍ幅、５μｍ周期の３本の
溝を形成した素子では、発振しきい値約８０ｍＡとなり
、１００ｍＷ光出力まで単一軸モードで発振し、約５０
℃の周囲温度の変化に対しても同一軸モード発振した。
第４図は本発明の第４の実施例であるＤＦＢ半導体レー
ザアレイ装置の模式図である。その製造方法について説
明する。
ザアレイ装置の模式図である。その製造方法について説
明する。
ｐ−ＧａＡｓ基板５１上に１μｍ厚さのｎ−Ｇ・ａＡｓ
電流阻止層５２をエピタキシャル成長した後、電流通路
および光導波路となる複数個の溝５３を形成する。再度
ＬＰＥ法でｐ Ｇａｏ、５ＡＩ１６．５Ａｓクラッド
層５４、ｐ−Ｇａ０．６６ Ａｍｏ。
電流阻止層５２をエピタキシャル成長した後、電流通路
および光導波路となる複数個の溝５３を形成する。再度
ＬＰＥ法でｐ Ｇａｏ、５ＡＩ１６．５Ａｓクラッド
層５４、ｐ−Ｇａ０．６６ Ａｍｏ。
、４Ａｓ活性層５５、ｎ−Ｇ ａＯ，６Ａ （１６，４
Ａ ｓ電流バリア層５６、およびｎ −Ｇ ａｏ、ｔ
Ａ （ｌｏ、ｓＡｓ光ガイド層５７を順次成長する。そ
の後、光ガイド層５７上に回折格子を形成し、溝部５３
の周辺部のエピタキシャル層を除却し、溝部５３を含む
メサ形状を作成する。再度、ＬＰＥ法で、Ｇａ融液中の
Ａｓの過飽和度を大きくすることによって、ｎ−Ｇ ａ
ｏ、５ Ａ Ｌｏ−ｓ Ａ Ｓクラ・ソド層５８を、補
助層と同じ効果を持つｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板５１お
よびｎ−Ｇ ａＱ、７ Ａ １１０．ａ Ａ ｓ光ガイ
ド層５７上にエピタキシャル成長し、引き続きｎ−Ｇａ
Ａｓキャップ層５９を成長する。その後、電極形成を行
ない、第４図中の点線で示す領域を化学エツチング法で
除却し、メサ構造を作成し、電流通路の閉じ込めを行な
う。この結果、第３図で示したＤＦＢレーザ素子と同様
の発振特性を得るものができた。
Ａ ｓ電流バリア層５６、およびｎ −Ｇ ａｏ、ｔ
Ａ （ｌｏ、ｓＡｓ光ガイド層５７を順次成長する。そ
の後、光ガイド層５７上に回折格子を形成し、溝部５３
の周辺部のエピタキシャル層を除却し、溝部５３を含む
メサ形状を作成する。再度、ＬＰＥ法で、Ｇａ融液中の
Ａｓの過飽和度を大きくすることによって、ｎ−Ｇ ａ
ｏ、５ Ａ Ｌｏ−ｓ Ａ Ｓクラ・ソド層５８を、補
助層と同じ効果を持つｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板５１お
よびｎ−Ｇ ａＱ、７ Ａ １１０．ａ Ａ ｓ光ガイ
ド層５７上にエピタキシャル成長し、引き続きｎ−Ｇａ
Ａｓキャップ層５９を成長する。その後、電極形成を行
ない、第４図中の点線で示す領域を化学エツチング法で
除却し、メサ構造を作成し、電流通路の閉じ込めを行な
う。この結果、第３図で示したＤＦＢレーザ素子と同様
の発振特性を得るものができた。
第５図は本発明の第５の実施例であるＤＦＢ半導体レー
ザアレイ装置の模式図である。その製造方法について説
明する。
ザアレイ装置の模式図である。その製造方法について説
明する。
ｐ−ＧａＡｓ基板６１上にｎ−ＧａＡｓ電流阻１１−層
６２をエピタキシャル成長した後、半導体レーザアレイ
の発振領域を限定する複数個の溝６３を形成する。再度
ＬＰＥ法で、ｐ Ｇａｏ−５ｆｉｆＬＯ−ｓＡＳクラ
ッド層６４、ｐ−Ｇ ａＯ，８６Ａ ｆＬｏ。
６２をエピタキシャル成長した後、半導体レーザアレイ
の発振領域を限定する複数個の溝６３を形成する。再度
ＬＰＥ法で、ｐ Ｇａｏ−５ｆｉｆＬＯ−ｓＡＳクラ
ッド層６４、ｐ−Ｇ ａＯ，８６Ａ ｆＬｏ。
１４Ａｓ活性層６５、およびｎ−Ｇ ａｏ、７ Ａ Ｌ
ａ。
ａ。
、Ａｓ光ガイド層６６を順次エピタキシャル成長する。
その後、光ガイド層６６上に回折格子を形成し、溝６３
の両側に沿って、幅約３０μｍの溝６７を、ｎ−ＧａＡ
ｓ電流挾搾層６２に達するまで、選択化学エツチングす
ることによって形成する。
の両側に沿って、幅約３０μｍの溝６７を、ｎ−ＧａＡ
ｓ電流挾搾層６２に達するまで、選択化学エツチングす
ることによって形成する。
次にＬＰＥ法によって、ｎ−Ｇａｏ、１Ａｌｏ、ｓ
−Ａｓ層６８、ｐ−ＧａＡｓ（またはｐ ＧａＯ，５Ａ
ＩＬｏ、＋ＡＳ）補助層６９を、両側の溝６７内に、選
択的にエピタキシャル成長を行なう。この選択成長は、
溝６７の幅、Ｇａ融液の過飽和度を適当に設定すること
によって可能となる。さらに引き続き、ｎ−Ｇ ａｏ、
５ Ａ １ｌｊｏ、５ Ａ ｓクラッド層７０、ｎ−Ｇ
ａＡｓキャップ層７１をエピタキシャル成長する。
−Ａｓ層６８、ｐ−ＧａＡｓ（またはｐ ＧａＯ，５Ａ
ＩＬｏ、＋ＡＳ）補助層６９を、両側の溝６７内に、選
択的にエピタキシャル成長を行なう。この選択成長は、
溝６７の幅、Ｇａ融液の過飽和度を適当に設定すること
によって可能となる。さらに引き続き、ｎ−Ｇ ａｏ、
５ Ａ １ｌｊｏ、５ Ａ ｓクラッド層７０、ｎ−Ｇ
ａＡｓキャップ層７１をエピタキシャル成長する。
この結果、第３図に示した溝４３と同じ溝６３を形成し
たＤＦＢレーザ素子は、第４図に示した素子とほぼ同等
の特性を得るものであった。
たＤＦＢレーザ素子は、第４図に示した素子とほぼ同等
の特性を得るものであった。
第６図は本発明の第６の実施例であるＤＢＲ半導体レー
ザ装置の模式図である。その製造方法について説明する
。
ザ装置の模式図である。その製造方法について説明する
。
第５の実施例で示したようにして、ｐ−ＧａＡＳ基板６
１上に、ｎ−ＧａＡｓ電流狭搾層６２、電流通路および
光導波路となる溝６３、ｐ−Ｇａ０．５ ＡＩｔｏ、５
Ａｓクラッド層６４、Ｉ）−Ｇａ０．８６ ＡＱ、ｏ
、＋ ａ Ａｓ活性層６５、およびｎ−Ｇａ（１゜７Ａ
迂０．Ｊ Ａ Ｓ光ガイド層６６を液相エピタキシャ
ル成長で順次形成する。次に、光ガイド層６６上のＤＢ
Ｒレーザ素子の両端面近傍に相当する領域に回折格子を
形成する。その後、ＬＰＥ法によって、ｎ−Ｇａ０．５
Ａ（ｊｏ、ｓ Ａｓ層６８、ｐ−ＧａＡｓ （または
ｐ Ｇａｏ、ｇ ＡＩＯ，Ｉ ＡＳ補助層６つを、両側
の溝６７内に選択的に、エピタキシャル成長を行なう。
１上に、ｎ−ＧａＡｓ電流狭搾層６２、電流通路および
光導波路となる溝６３、ｐ−Ｇａ０．５ ＡＩｔｏ、５
Ａｓクラッド層６４、Ｉ）−Ｇａ０．８６ ＡＱ、ｏ
、＋ ａ Ａｓ活性層６５、およびｎ−Ｇａ（１゜７Ａ
迂０．Ｊ Ａ Ｓ光ガイド層６６を液相エピタキシャ
ル成長で順次形成する。次に、光ガイド層６６上のＤＢ
Ｒレーザ素子の両端面近傍に相当する領域に回折格子を
形成する。その後、ＬＰＥ法によって、ｎ−Ｇａ０．５
Ａ（ｊｏ、ｓ Ａｓ層６８、ｐ−ＧａＡｓ （または
ｐ Ｇａｏ、ｇ ＡＩＯ，Ｉ ＡＳ補助層６つを、両側
の溝６７内に選択的に、エピタキシャル成長を行なう。
さらに、ｎ−Ｇ ａＯ，ｓ Ａ Ｑｏ。
３Ａｓクラッド層７０、ｎ−ＧａＡｓキャップ層７０を
エピタキシャル成長した後、絶縁膜としてＳｉ３Ｎ４膜
７２をｐ−ＧａＡｓキャップ層７１上に形成する。次に
ＤＢＲレーザの利得領域となる光ガイド層６６上であっ
て、回折格子を形成していない領域に、選択的に電流注
入ができるように、その領域にある絶縁膜を除却し、電
流通人孔７３を形成する。その後、電極形成、襞間、両
臂開面に反射防止膜の形成を行ない、素子化を完了する
。先導波路６３幅を４μｍにし、利得領域を２００μｍ
にし、両端面近傍それぞれ５０μｍの長さの領域に回折
格子を形成したＤＢＲレーザ素子では、発振しきい値６
０ｍＡで、７８０ｎｍの単一軸モード発振が得られ、外
部温度変化に対しても同一軸モードで安定することが確
認できた。
エピタキシャル成長した後、絶縁膜としてＳｉ３Ｎ４膜
７２をｐ−ＧａＡｓキャップ層７１上に形成する。次に
ＤＢＲレーザの利得領域となる光ガイド層６６上であっ
て、回折格子を形成していない領域に、選択的に電流注
入ができるように、その領域にある絶縁膜を除却し、電
流通人孔７３を形成する。その後、電極形成、襞間、両
臂開面に反射防止膜の形成を行ない、素子化を完了する
。先導波路６３幅を４μｍにし、利得領域を２００μｍ
にし、両端面近傍それぞれ５０μｍの長さの領域に回折
格子を形成したＤＢＲレーザ素子では、発振しきい値６
０ｍＡで、７８０ｎｍの単一軸モード発振が得られ、外
部温度変化に対しても同一軸モードで安定することが確
認できた。
［発明の効果］
以上説明したとおり、この発明によれば、回折格子を形
成したＧａＡ１１Ａｓ光ガイド層と同−界面上に酸化性
の少ないＧａ、−Ｘ Ａ（ＬＸ Ａｓ （式中、Ｘは０
〜０．１の範囲にあり、ｘ−０、ｘ−０゜１を含む）層
が存在するため、ＧａＡｌＡｓ光ガイド層のＡＱ混入比
が０６１以上でも、その上にＧａＡ１１ｊＡｓクラッド
層のエピタキシャル成長が可能となる。その結果、従来
得ることができなかった、７００ｎｍ帯の発振波長のＧ
ａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ系ＥＦＢレーザおよびＤＢＲレー
ザを得ることができる。
成したＧａＡ１１Ａｓ光ガイド層と同−界面上に酸化性
の少ないＧａ、−Ｘ Ａ（ＬＸ Ａｓ （式中、Ｘは０
〜０．１の範囲にあり、ｘ−０、ｘ−０゜１を含む）層
が存在するため、ＧａＡｌＡｓ光ガイド層のＡＱ混入比
が０６１以上でも、その上にＧａＡ１１ｊＡｓクラッド
層のエピタキシャル成長が可能となる。その結果、従来
得ることができなかった、７００ｎｍ帯の発振波長のＧ
ａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ系ＥＦＢレーザおよびＤＢＲレー
ザを得ることができる。
第１図はこの発明の第１の実施例の模式図、第２図はこ
の発明の第２の実施例の模式図、第３はこの発明の第３
の実施例の模式図、第４図はこの発明の第４の実施例の
模式図、第５図はこの発明の第５の実施例の模式図、第
６図はこの発明の第６の実施例の模式図、第７図は従来
のＤＦＢ半導体レーザの模式図である。 図において、１６はＧａＡｌＡｓ光ガイド層、１７はＧ
ａ、−ｘＡｕｘＡｓ補助層、１８はＧａＡ法Ａｓクラッ
ド層である。 晃１０ １８ ： ＧａＡｊＡｓ ７フツトノ首第２０ スフ 第３０ 拓４四 手続補正書（ハ） 平成１年３月２日 ２、発明の名称 半導体レーザ装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 大阪市阿倍野区長池町２２番２２号名称 （
５０４）シャープ株式会社 代表者 辻 晴 雄 ４、代理人 住 所 大阪市北区南森町２丁目１番２９号 住友銀行
南森町ビル６、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 ７、補正の内容 明細書第１８頁第９行の「第３は」を「第３図は」に補
正する。 以上
の発明の第２の実施例の模式図、第３はこの発明の第３
の実施例の模式図、第４図はこの発明の第４の実施例の
模式図、第５図はこの発明の第５の実施例の模式図、第
６図はこの発明の第６の実施例の模式図、第７図は従来
のＤＦＢ半導体レーザの模式図である。 図において、１６はＧａＡｌＡｓ光ガイド層、１７はＧ
ａ、−ｘＡｕｘＡｓ補助層、１８はＧａＡ法Ａｓクラッ
ド層である。 晃１０ １８ ： ＧａＡｊＡｓ ７フツトノ首第２０ スフ 第３０ 拓４四 手続補正書（ハ） 平成１年３月２日 ２、発明の名称 半導体レーザ装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 大阪市阿倍野区長池町２２番２２号名称 （
５０４）シャープ株式会社 代表者 辻 晴 雄 ４、代理人 住 所 大阪市北区南森町２丁目１番２９号 住友銀行
南森町ビル６、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 ７、補正の内容 明細書第１８頁第９行の「第３は」を「第３図は」に補
正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＧａＡｌＡｓ光ガイド層、および 前記ＧａＡｌＡｓ光ガイド層の上に形成されたＧａＡｌ
Ａｓクラッド層を備えた半導体レーザ装置において、 前記ＧａＡｌＡｓ光ガイド層と前記ＧａＡｌＡｓクラッ
ド層との間に、前記ＧａＡｌＡｓ光ガイド層のＡｌ混晶
比より少ないＡｌ混晶比を有し、かつその一部分がエッ
チング除去されたＧａ＿１＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ（式中
、ｘは０〜０．１の範囲にあり、ｘ＝０およびｘ＝０．
１を含むものである）補助層を設け、 前記ＧａＡｌＡｓ光ガイド層の表面と前記Ｇａ＿１＿−
＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ補助層の表面が同一界面上に現われる
ような構造にしたことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62219719A JPH01186688A (ja) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | 半導体レーザ装置 |
| US07/239,301 US4872174A (en) | 1987-09-02 | 1988-09-01 | Semiconductor laser device having a grating structure |
| DE3852447T DE3852447T2 (de) | 1987-09-02 | 1988-09-01 | Halbleiterlaservorrichtung. |
| EP88308119A EP0306315B1 (en) | 1987-09-02 | 1988-09-01 | A semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62219719A JPH01186688A (ja) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01186688A true JPH01186688A (ja) | 1989-07-26 |
Family
ID=16739897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62219719A Pending JPH01186688A (ja) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4872174A (ja) |
| EP (1) | EP0306315B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01186688A (ja) |
| DE (1) | DE3852447T2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69115808T2 (de) * | 1990-09-10 | 1996-06-20 | Sharp Kk | Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US7050472B2 (en) * | 2000-03-01 | 2006-05-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
| US6643308B2 (en) * | 2001-07-06 | 2003-11-04 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method for suppressing injection current |
| KR100663589B1 (ko) * | 2004-11-24 | 2007-01-02 | 삼성전자주식회사 | 분포귀환 반도체 레이저의 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273690A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ−素子 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3993963A (en) * | 1974-06-20 | 1976-11-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Heterostructure devices, a light guiding layer having contiguous zones of different thickness and bandgap and method of making same |
| US4045749A (en) * | 1975-11-24 | 1977-08-30 | Xerox Corporation | Corrugation coupled twin guide laser |
| US4049749A (en) * | 1975-12-02 | 1977-09-20 | Hooker Chemicals & Plastics Corporation | Pigmentable low-profile polyester molding compositions |
| GB2105099B (en) * | 1981-07-02 | 1985-06-12 | Standard Telephones Cables Ltd | Injection laser |
| US4416012A (en) * | 1981-11-19 | 1983-11-15 | Rca Corporation | W-Guide buried heterostructure laser |
| JPS59104189A (ja) * | 1982-12-07 | 1984-06-15 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体レ−ザ |
| JPS59205787A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Nec Corp | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
| US4569054A (en) * | 1983-06-17 | 1986-02-04 | Rca Corporation | Double heterostructure laser |
| JPS6014482A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-25 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS59171188A (ja) * | 1984-01-11 | 1984-09-27 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS6218082A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| CA1279394C (en) * | 1985-07-26 | 1991-01-22 | Naoki Chinone | Multiple quantum well type semiconductor laser |
| JPS6273687A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1987
- 1987-09-02 JP JP62219719A patent/JPH01186688A/ja active Pending
-
1988
- 1988-09-01 US US07/239,301 patent/US4872174A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-01 EP EP88308119A patent/EP0306315B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-01 DE DE3852447T patent/DE3852447T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273690A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ−素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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