KR100776931B1 - 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이 소자는 기판, 기판 상에 서로 반대의 극성의 클래드층을 상하로 가지는 활성층, 상부 클래드층 상에 소정의 높이를 가지며, 상단에 언더커트를 가지는 리지, 리지의 상면을 제외한 영역에 형성되며, 언더커트된 부분에서 변곡을 가지는 전류제한층, 리지의 상면을 통해 상부 클래드층과 전기적으로 접속하는 상부 전극, 그리고 상부 전극에 대응하여 기판의 저면에 형성되는 하부 전극을 포함한다. 리지 마스크의 식각을 습식 식각 시 전류제한층의 손상이 방지되어 리지의 식각 마스크를 건식 식각을 통해 제거할 때보다 상온 동자특성 및 고온 신뢰성이 개선된다.
반도체 레이저 소자, 리지, AlInP 전류제한층, 습식 식각법, 건식 식각법
Description
도 1의 a, b는 종래의 반도체 레이저 소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저 소자의 단면도이다.
도 3의 a ~ d는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저 소자의 제조 방법의 제1 단계를 설명하는 단면도이다.
도 4의 a, b는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저 소자의 제조 방법의 제2 단계를 설명하는 단면도이다.
도 5의 a ~ c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 레이저 소자의 제조 방법의 제1 단계를 설명하는 단면도이다.
본 발명은 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 리지 및 전류제한층의 형상이 최적화된 반도체 레이저 소자 및 그것의 제조 방법에 대한 것이다.
레이저는 유도 방출에 의한 빛의 증폭을 이용한 것으로서, 가간섭성, 단광성, 지향성 및 고강도 등의 특징을 가지고 있다.
이러한 레이저는 헬륨-네온 레이저, 아르곤 레이저와 같은 기체 레이저, 루비 레이저와 같은 고체 레이저부터, 반도체 레이저에 이르는 다양한 종류가 있다.
특히 반도체 레이저는 콤팩트 디스크 플레이어나 광학 메모리, 고속 레이저 프린터 등의 정보처리기기 및 광통신용기기로서 기존의 헬륨-네온 등의 기체 레이저를 대체하여 그 응용 범위를 넓혀가고 있다.
일반적으로 반도체 레이저 소자는 P-N 접합을 기본으로 양자, 전자의 개념을 포함하는 반도체 소자로서, 반도체 물질로 구성된 박막, 즉 활성층에 전류를 주입하여 인위적으로 전자와 정공의 재결합을 유도한다. 이때 전자와 정공의 재결합에 따르는 감소 에너지에 따라 빛이 발진하게 된다. 반도체 레이저 소자는 고체 레이저 소자에 비해 크기가 작고, 가격이 저렴하며, 특히 전류 조절을 통해 강도 조절이 가능하다는 특징을 가진다.
도 1은 종래의 반도체 레이저 소자의 단면도이다.
도 1을 참조하면, GaAs 반도체 기판(10) 상에 GaAs를 이용한 버퍼층(11)이 형성된다. 버퍼층(11) 상으로 n형 클래드층(12), 활성층(13), 제1 p형 클래드층(14) 및 식각저지층(15)이 순차적으로 적층된다. 또한 식각저지층(15) 상으로 제2 p형 클래드층(16), 콘택층(17) 및 p형 GaAs층(18) 등을 포함하는 리지가 형성된다. 이와 같은 리지는 제 2 p형 클래드층(16) 상으로 콘택층(17) 및 p형 GaAs층(18)을 적층 후 소정의 깊이까지 식각하여 형성할 수 있다.
이러한 리지의 측면 및 식각저지층(15) 상으로 전류제한층(19, 20)이 형성된 다. 대표적으로 GaAs 기판(10)을 사용하며, 전류제한층(19, 20)으로는 n형 AlInP층(19)과 n형 GaAs층(20)이 중첩하여 형성된다.
이때, 리지를 형성하는 식각 마스크는 전류제한층(19, 20)이 형성된 후 리지로 전류를 주입시키기 위해 제거된다.
도 1의 a와 같이 습식 식각을 이용하여 리지의 p형 GaAs 층 (18) 상의 식각 마스크를 제거하는 경우, 식각 마스크 외부로 노출되어 있는 n형 AlInP(19)층의 일부가 손상된다. 따라서 전류제한층(19, 20)의 역할을 할 수 없게 되어 소자의 정상 작동이 어려워진다.
도 1의 b와 같이 건식 식각을 이용하여 리지의 p형 GaAs 층(18) 상의 식각 마스크를 제거하는 경우, 노출되어 있는 전류제한층(20)의 표면과 식각 마스크 밑에 있는 p형 GaAs층(18)의 표면이 손상을 입게 된다. 따라서 소자의 특성 및 신뢰성이 문제된다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 리지를 형성하는 식각 마스크 제거 시 전류제한층에 영향을 미치지 않는 반도체 레이저 소자를 제공하는 데 있다.
이러한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 레이저 소자는 기판, 기판 상에 서로 반대의 극성의 클래드층을 상하로 가지는 활성층, 상부 클래드층 상에 소정의 높이를 가지며, 상단에 언더커트를 가지는 리지, 리지의 상면을 제외한 영역에 형성되며, 언더커트된 부분에서 변곡을 가지는 전류제한층, 리지의 상면을 통해 상부 클래드층과 전기적으로 접속하는 상부 전극, 그리고 상부 전극에 대응하여 기판의 저면에 형성되는 하부 전극을 포함한다.
이러한 반도체 레이저 소자는 상부 클래드층은 소정의 깊이에 식각저지층을 더 포함할 수 있다.
이때, 리지는 식각저지층 상의 상부 클래드층, 적어도 하나의 콘택층 및 p형 GaAs층의 적층 구조를 가질 수 있다.
또한, 리지는 콘택층 하부에 언더커트를 가지며, 언더커트는 식각액을 달리하는 2회 이상의 습식 식각을 통하여 형성될 수 있다.
또는 리지의 콘택층 하부의 언더커트는 건식 식각 후 적어도 한번의 습식 식각을 통하여 형성될 수 있다.
이러한 언더커트는 약 2500 내지 6000Å의 깊이를 가질 수 있다.
이러한 반도체 레이저 소자는 전류제한층 상으로 적어도 하나의 전류제한층을 더 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저 소자는 기판 상에 적어도 하나의 활성층 및 상기 활성층의 상하부에 서로 다른 전도 타입의 클래드층을 형성하는 단계, 상부 클래드층 상에 적어도 하나의 콘택층 및 p형 GaAs층을 형성하는 단계, p형 GaAs층으로부터 상부 클래드층의 소정의 깊이까지 식각 하여 리지를 형성하는 단계, 오버 식각을 통하여 리지의 상단에 언더커트를 형성하는 단계, 리지 상면을 제외하고, 리지 측면 및 상부 클래드층 상에 언더커트 부분에 변곡을 가지는 전류 제한층을 형성하는 단계, 그리고 리지 상면 및 전류제한층 상으로 전극을 형성하는 단계로 제조된다.
이때, 상부 클래드층은 소정의 깊이에 식각저지층을 포함할 수 있으며, 리지는 식각저지층 상으로 상부 클래드층, 적어도 하나의 콘택층 및 p형 GaAs층의 적층 구조를 가질 수 있다.
이때, 리지를 형성하는 단계는, 제1 식각액을 이용하여 p형 GaAs 층, 콘택층 및 상부 클래드층의 상단까지 습식 식각하는 단계, 제2 식각액을 이용하여 식각저지층이 노출될 때까지 상부 클래드층을 습식 식각하는 단계, 그리고,
제2 식각액을 이용하여 리지의 상부 클래드층을 오버 습식 식각하여 언더커트를 형성하는 단계로 형성될 수 있다. 제1 식각액은 p형 GaAs층, 콘택층 및 상부 클래드층을 식각하며, 제2 식각액은 상부 클래드층만을 식각할 수 있다.
또는 리지는 리지가 형성되는 부분을 제외하고, p형 GaAs 층, 콘택층 및 상부 클래드층의 상단까지 건식 식각하는 단계, 제2 식각액을 이용하여 식각저지층이 노출될 때까지 상부 클래드층을 습식 식각하는 단계, 그리고 제2 식각액을 이용하여 리지의 상부 클래드층을 오버 습식 식각하여 언더커트를 형성하는 단계로 형성될 수 있다. 이러한 언더커트는 약 2500 내지 6000Å의 깊이를 가질 수 있다.
이때, 반도체 레이저 소자는 전류제한층 상으로 적어도 하나의 전류제한층을 더 형성하는 단계를 더 포함하여 제조될 수 있다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한 다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저 소자의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저 소자는 n형 하부 전극(230)이 형성된 반도체 기판(100) 상에 이루어진 단결정 다층 박막을 가진다. 구체적으로, 반도체 기판(100) 상에 버퍼층(110), n형 클래드층(120), 활성층(130), 제1 p형 클래드층(140) 및 식각저지층(150)이 순차적으로 적층되어 있다.
식각저지층(150) 상으로 제2 p형 클래드층(160), 콘택층(170) 및 p형 GaAs층(180)의 순차적인 적층 구조를 가지는 리지가 형성되어 있다. 이러한 리지의 측면 및 식각저지층(150) 상으로 제1 전류제한층(200) 및 제2 전류제한층(210)이 형성되어 리지의 상면을 노출시키며, 제2 전류제한층(210) 및 리지 상면 상으로 p형 상부 전극(220)이 형성되어 있다.
이러한 반도체 레이저 소자는 p형 상부 전극(220)으로부터 전류를 공급받아 리지의 상면의 p형 GaAs층(180)부터 제2 p형 클래드층(140)까지 정공을 전달한다. 이러한 정공은 활성층(130)에서 n형 클래드층(120)으로 부터 공급받은 전자와 재결합하여, 여기 상태에서 기저 상태로 천이하면서 감소 에너지에 해당하는 빛을 발광한다. 이러한 빛이 활성층(130) 상하부에 위치하는 p형 클래드층(140) 및 n형 클래드층(120)에 반사되면서 증폭되어 레이저를 생성한다.
이러한 반도체 레이저 소자는 리지의 콘택층(170)이 언더커트(under cut)를 가지며, 리지의 측면 상에 형성되는 제1 전류제한층(200)은 언더커트를 따라 증착되어 언더커트된 부분에서 변곡을 갖는다. 따라서 습식 식각에 의해 리지 상면의 식각 마스크가 제거될 때 제1 전류제한층 (200)이 손상되지 않는다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저 소자의 제조 방법을 설명한다.
반도체 레이저 소자는 GaAs 기판 또는 InP기판 등을 사용할 수 있으며, 이하에서는 대표적으로 GaAs 기판을 사용한 반도체 레이저 소자의 제조 방법을 살펴볼 것이다.
도 3의 a ~ d는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저 소자의 제조 방법의 제1 단계를 설명하는 단면도이다.
도 3의 a에서와 같이 GaAs 기판(100) 상에 버퍼층(110)이 형성된다. 버퍼층(110) 상으로 활성층(130)에 전자를 제공하며, 반사막의 역할을 하는 n형 클래드층(120)이 형성된다. 이러한 n형 클래드층(120)은 소정의 농도로 도핑된 AlGaInP를 결정 성장시킴으로써 형성할 수 있다. 이때 n형 클래드층(120)은 (Al0.70Ga0.30)0.51In0.49P로 형성할 수 있다.
이러한 n형 클래드층(120) 상으로 활성층(130)이 성장된다. 활성층(130)은 상하부의 클래드층(120, 140)으로부터 전자와 정공을 인가받아, 전자와 정공이 재결합에 의해 발생하는 빛이 증폭하는 층을 말한다.
활성층(130)은 가이드층으로서 (Al0.50Ga0.50)0.51In0.49P를 성장시킨 후, 양자 우물층과 장벽층을 Ga0 .45In0 .55P/(Al0 .50Ga0 .50)0.51In0 .49P으로 각각 약 50Å의 두께로 3회 성장시킨다.
활성층(130) 상으로 활성층(130)에 정공을 전달하며, 반사막의 역할을 하는 제1 p형 클래드층(140)이 형성된다. 이러한 제1 p형 클래드층(140)은 소정의 농도로 도핑된 (Al0.70Ga0.30)0.51In0.49P를 성장시킴 으로써 형성할 수 있다.
제1 p형 클래드층(140) 상으로 식각저지층(150)이 형성된다. 이러한 식각저지층(150)은 소정의 농도로 도핑된 Ga0.51In0.49P를 결정 성장시킴으로 써 형성할 수 있다. 이후 식각저지층(150) 상으로 제2 p형 클래드층 (160)이 형성된다. 이러한 제2 p형 클래드층(160)은 리지를 형성하는 층으로서 제1 p형 클래드층(140) 보다 높은 농도로 도핑된 (Al0.70Ga0.30)0.51In0.49P으로 형성할 수 있으며, 제1 p형 클래드층(140)보다 약 5배 정도 두껍게 형성한다.
제2 p형 클래드층(160) 상으로 콘택층(170)이 형성된다. 이러한 콘택층(170)은 상부의 p형 GaAs층(180)과 하부의 클래드층(160)의 접촉을 원활하게 해주는 층으로서, 제2 p형 클래드층(160)과 동일한 농도로 도핑된 p-Ga0.51In0.49P으로 형성될 수 있다.
콘택층(170) 상으로 p형 GaAs(180)이 형성된다. 이러한 p형 GaAs층 (180)은 콘택층(170)보다 높은 농도로 형성될 수 있다.
이와 같이 GaAs 기판(100) 상으로 형성되는 적층 구조는 유기 금속 기상 성장법 (MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 형성될 수 있다.
기판(100) 상에 p형 GaAs층(180)까지 적층되면, p형 GaAs층(180) 상으로 유전막(190)을 형성 한다. 이러한 유전막(190)은 플라즈마 기상 증착법 (PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 형성할 수 있으며, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막 등이 사용될 수 있다.
이러한 유전막(190)을 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 리지가 형성될 부위에만 남도록 식각한다.
도 3의 b와 같이, 리지가 형성될 부위에 남겨진 유전막(190)을 마스크로 하여 p형 GaAs층(180), 콘택층(170) 및 제2 p형 클래드층(160)의 일부를 습식 식각한다. 이때 식각액으로는 요오드 산, 염산, 물을 적절한 비율로 혼합한 용액을 사용할 수 있다.
다음으로 리지 상면에 남겨진 유전막(190)을 마스크로 하여, 제2 p형 클래 드층(160)을 식각저지층(150)이 노출될 때까지 습식 식각한다. 식각액으로는 염산과 물을 적절한 비율로 혼합한 용액을 사용할 수 있으며, 2차 습식 식각에서는 제2 p형 클래드층(160)만이 선택적으로 식각된다.
이때, 2차 습식 식각과 동일한 식각액을 사용하여 제2 p형 클래드층 (160)을 오버 식각하면, 도 3의 c와 같이, 리지의 콘택층(170) 아래로 언더커트가 형성된다. 이때의 언더커트는 콘택층(170)의 외부 모서리에서 콘택층(170)과 제2 p형 클래드층(160)의 접선까지 약 2500 내지 6000Å의 깊이를 갖는다.
도 4의 a, b는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저 소자의 제조 방법의 제2 단계를 설명하는 단면도이다.
도 4의 a와 같이, 상기 유전막(190)의 식각 마스크를 가지는 리지의 측면 및 식각저지층(150) 상으로 제1 전류제한층(200)이 형성된다. 제1 전류제한층(200)은 유기 금속 기상 성장법 (MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 n형 AlInP층으로 형성될 수 있다. 이때 리지의 측면에 형성되는 제1 전류제한층(200)은 리지의 언더커트 부분을 따라 형성되므로 언더커트 상으로 변곡을 가지며, 따라서 변곡 부분의 Al의 조성이 변화한다.
제1 전류제한층(200) 상으로 유기 금속 기상 성장법 (MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 제2 전류제한층(210)이 형성된다. 제2 전류제한층(210)은 n형 반도체를 이용하여 형성될 수 있으며, n형 GaAs층으로 형성될 수 있다.
제2 전류제한층(210)이 형성되면, 습식 식각을 통하여 리지 상면의 유전막(190)을 선택적으로 제거한다. 이때 제1 전류제한층(200)은 Al의 조성의 변화로 인해 손상을 받지 않는 상태를 유지할 수 있다. 따라서, 유전막(190)의 식각 마스크를 건식 식각으로 제거할 때보다 낮은 동작 전류를 가지며, 고온 신뢰성을 가지는 반도체 레이저 소자를 제조할 수 있다.
도 5의 a ~ c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 레이저 소자의 제조 방법의 제1 단계를 설명하는 단면도이다.
도 3의 a와 같이, p형 GaAs층(180)까지 적층된 기판(100) 상으로 리지의 형상을 나타내는 유전막(190)의 식각 마스크를 형성한다.
도 5의 b와 같이, 유전막(190)을 식각 마스크로 하여, p형 GaAs층 (180), 콘택층(170) 및 제2 p형 클래드층(160)의 일부를 건식 식각한다. 이때, 건식 식각을 이용한 식각 깊이는 식각저지층(150)으로 부터 제2 p형 클래드층(160)이 약 2000 내지 4000Å의 두께만큼 남을 때까지 식각한다.
다음으로, 식각저지층(150)이 노출될 때까지 제2 p형 클래드층 (160)을 습식 식각한다. 이때의 식각액은 염산과 물을 적절한 비율로 혼합하여 사용할 수 있다. 이때, 도 5의 c와 같이, 오버 습식 식각을 진행하여 리지의 콘택층(170) 아래로 약 2500 내지 6000Å 깊이의 언더커트를 형성한다.
언더커트를 가지는 리지가 형성되면, 도 4의 a와 같이, 리지의 측면 및 식각저지층(150) 상으로 AlInP의 제1 전류제한층(200)이 형성된다. 이때 리지의 측면에 형성되는 제1 전류제한층(200)은 리지의 언더커트를 따라 형성되므로 언더커트 상으로 변곡을 가지며, 따라서 변곡 부분의 Al의 조성이 변화한다. 제1 전류제한층(200) 상으로 n형 반도체의 제2 전류제한층(210)이 형성된다.
제2 전류제한층(210)이 형성되면, 습식 식각을 통하여 리지 상면의 유전막(190)을 선택적으로 제거한다. 이때 제1 전류제한층(200)은 Al의 조성의 변화로 인해 손상을 받지 않는 상태를 유지할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 의하면 복수 회의 습식 식각 또는 건식 식각 후 습식 식각을 이용하여 리지의 언더커트를 형성하고, 언더커트를 따라 변곡을 가지는 전류제한층을 형성함으로써, 리지의 식각 마스크를 습식 식각 시 전류제한층의 손상을 방지할 수 있다. 따라서 반도체 레이저 소자는 작은 동작 전류를 가지며, 리지의 식각 마스크를 건식 식각을 통해 제거할 때보다 고온 신뢰성을 갖는다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
Claims (16)
- 기판,상기 기판 상에 서로 반대의 극성의 클래드층을 상하로 가지는 활성층,상기 상부 클래드층 상에 형성되며, 상단에 언더커트를 가지는 리지,상기 리지의 상면을 제외한 영역에 형성되며, 상기 언더커트된 부분에서 변곡을 가지는 제1 전류제한층,상기 리지의 상면을 노출시키며, 상기 제1 전류제한층 상에 상기 제1 전류제한층보다 두껍게 형성되어 있는 제2 전류제한층,상기 리지의 상면을 통해 상기 상부 클래드층과 전기적으로 접속하는 상부 전극, 그리고상기 상부 전극에 대응하여 상기 기판의 저면에 형성되는 하부 전극을 포함하며,상기 제1 전류제한층의 변곡 부분은 조성이 변화하는반도체 레이저 소자.
- 제1항에서,상기 상부 클래드층은 식각저지층을 포함하는 반도체 레이저 소자.
- 제2항에서,상기 리지는 상기 식각저지층 상의 상기 상부 클래드층 및 적어도 하나의 콘택층의 적층 구조를 가지는 반도체 레이저 소자.
- 제3항에서,상기 리지는 상기 콘택층 하부에 상기 언더커트를 가지는 반도체 레이저 소자.
- 제4항에서,상기 언더커트는 식각액을 달리하는 2회 이상의 습식 식각을 통하여 형성되는 반도체 레이저 소자.
- 제4항에서,상기 언더커트는 건식 식각 후 적어도 한번의 습식 식각을 통하여 형성되는 반도체 레이저 소자.
- 제5항 또는 제6항에서,상기 언더커트는 2500 내지 6000Å의 깊이를 가지는 반도체 레이저 소자.
- 삭제
- 기판 상에 적어도 하나의 활성층 및 상기 활성층의 상하부에 서로 다른 전도 타입의 클래드층을 형성하는 단계,상기 상부 클래드층 상에 적어도 하나의 콘택층을 형성하는 단계,상기 콘택층으로부터 상기 상부 클래드층의 일부까지 식각 하여 리지를 형성하는 단계,오버 식각을 통하여 상기 리지의 상단에 언더커트를 형성하는 단계,상기 리지 상면을 제외하고, 상기 리지 측면 및 상기 상부 클래드층 상에 상기 언더커트 부분에 변곡을 가지는 제1 전류제한층을 형성하는 단계,상기 제1 전류제한층 상으로 적어도 하나의 제2 전류제한층을 형성하는 단계, 그리고상기 리지 상면 및 상기 제2 전류제한층 상으로 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제9항에서,상기 상부 클래드층은 식각저지층을 포함하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제10항에서,상기 리지는 상기 식각저지층 상으로 상기 상부 클래드층 및 상기 적어도 하나의 콘택층의 적층구조를 가지는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제11항에서,상기 리지 및 상기 리지의 언더커트를 형성하는 단계는,제1 식각액을 이용하여 상기 콘택층 및 상부 클래드층의 상단까지 습식 식각하는 단계,제2 식각액을 이용하여 상기 식각저지층이 노출될 때까지 상기 상부 클래드층을 습식 식각하는 단계, 그리고상기 제2 식각액을 이용하여 상기 리지의 상기 상부 클래드층을 오버 습식 식각하여 언더커트를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제12항에서,상기 제1 식각액은 상기 콘택층 및 상기 상부 클래드층을 식각하며, 상기 제2 식각액은 상기 상부 클래드층만을 식각하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제11항에서,상기 리지 및 상기 리지의 언더커트를 형성하는 단계는,리지가 형성되는 부분을 제외하고, 상기 콘택층 및 상기 상부 클래드층의 상단까지 건식 식각하는 단계,상기 제2 식각액을 이용하여 상기 식각저지층이 노출될 때까지 상기 상부 클래드층을 습식 식각하는 단계, 그리고상기 제2 식각액을 이용하여 상기 리지의 상기 상부 클래드층을 오버 습식 식각하여 언더커트를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 제13항 또는 제14항에 있어서,상기 언더커트는 2500 내지 6000Å의 깊이를 가지는 반도체 레이저 소자의 제조 방법.
- 삭제
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