KR960027098A - 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 광통신용 광원으로 쓰이는 레이저 다이오드에 수반되는 특성인 낮은 문턱 전류, 안정화된 수몰역-모드 및 작은 비점수차를 실현할 수 있는 BH(buried heterostructure) 구조를 갖는 레이저 다이오드에 관한 것으로 기판 위에 반도체층인 완충층, 활성층, 및 클래드층을 순차적으로 형성하는 단계와/ 상기 반도체층을 완충층의 일부까지 메사 형태로 습식식각하는 단계와/ 상기 메사 형태의 반도체층 상에 제1차 전류제한 및 클래드층 역할을 하는 P-InP를 성장시킨후 상기 P-InP 상에 전류제한층을 형성하는 단계와/ 상기 전류제한층을 식각하여 메사 부위에 홈을 형성하는 단계와/ 표면의 일부가 드러난 상기 제1차 전류제한 및 클래드층인 P-InP층과 전류제한층 사이에 제2차 전류제한 및 클래드층인 P-InP를 성장시킨후 상기 P-InP 상에 캡층을 형성하는 단계와/ 상기 캡층 상부 및 기판 하부에 전극층을 형성하는 단계를 거쳐 레이저 다이오드를 형성하므로써, 1) 종래 PBH나 DCPBH 구조를 갖는 레이저 다이오드 보다 전류제한이 잘되어 낮은 문턱 전류 및 고광전 전류를 실현할 수 있고, 2) 사진식각, 습식식각 및 액상 에피텍시 공정 진행시 공정조건 조절 상의 어려움을 해결할 수 있으며, 특히 액상 에피텍시 공정 상에서 야기되는 성장조건 조절의 까다로움을 해결할 수 있게 되어 보다 용이한 공정으로 재현성 있는 레이저 다이오드를 만들 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(가)도 내지 제1(다)도는 종래 기술에 따른 PBH 타입의 레이저 다이오드 제조공정을 도시한 수순도.
Claims (9)
- 기판과; 상기 기판 상에 증착되며 상기 기판의 중앙에 소정 두께를 가지고 소정 영역이 돌출되어 메사 형태를 갖도록 형성된 완충층과; 상기 완충층의 메사 부위에 형성된 활성층과; 상기 활성층 상에 형성된 클래드층과; 상기 활성층과 클래드층이 패터닝되어 있는 완충층 상에 형성된 제1전류 제한 및 클래드층과; 상기 제1차 전류제한 및 클래드 상에 형성되며 하부에 메사가 형성된 부위의 제1차 전류제한 및 클래드층이 개구되도록 패터닝된 전류제한층과; 개구되어 표면이 드러난 제1전류제한 및 클래드층과 전류제한층 상에 형성된 제2차 전류제한 및 클래드층과; 상기 제2차 전류제한 및 클래드층 상에 형성된 캡층; 및 상기 캡층 상부와 기판 하부에 형성된 p-전극 및 n-전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 1) 기판 위에 반도체층인 완충층, 활성층, 및 클래드층을 순차적으로 형성하는 단계와; 2) 상기 반도체층을 완충층의 일부까지 메사 형태로 습식식각하는 단계와; 3) 상기 메사 형태의 반도체층 상에 제1차 전류제한 및 클래드층 역할을 하는 P-InP를 성장시킨후 상기 P-InP 상에 전류제한층을 형성하는 단계와; 4) 상기 전류제한층을 식각하여 메사 부위에 홈을 형성하는 단계와; 5) 표면의 일부가 드러난 상기 제1차 전류제한 및 클래드층인 P-InP층과 전류제한층 상에 제2차 전류제한 및 클래드층인 P-InP를 성장시킨후 상기 P-InP상에 캡층을 형성하는 단계와; 6) 상기 캡층 상부 및 기판 하부에 전극층을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 완충층, 활성층 및 클래드층은 각각 5㎛, 0.1㎛, 0.2㎛로 형성됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 전류제한층은 0.1㎛ 내에서 형성됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 전류제한층이 식각되어 메사 부위에 형성된 홈은 2~3㎛의 폭을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
- 제2항 또는 제5항에 있어서, 홈 형성을 위한 상기 전류제한층은 H2SO4;H202;H20=3;1;1 비율이 식각액으로 식각처리됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제2차 전류제한 및 클래드층인 P-InP은 상기 홈 양측 바깥 부분의 두께가 0.5~6㎛로 형성됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 메사는 그 윗 폭이 2~3㎛이고 높이가 0.6~0.7㎛인 형태로 패터닝되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 전류제한층은 1.0㎛의 두께 범위내에서 형성됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940034850A KR100320172B1 (ko) | 1994-12-17 | 1994-12-17 | 반도체레이저다이오드및그제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019940034850A KR100320172B1 (ko) | 1994-12-17 | 1994-12-17 | 반도체레이저다이오드및그제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960027098A true KR960027098A (ko) | 1996-07-22 |
| KR100320172B1 KR100320172B1 (ko) | 2002-04-22 |
Family
ID=66688170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100320172B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020078189A (ko) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | 한국전자통신연구원 | 매립형 리지 구조의 전류 차단층을 갖는 광소자 및 그제조 방법 |
| KR100776931B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2007-11-20 | (주)큐에스아이 | 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 |
-
1994
- 1994-12-17 KR KR1019940034850A patent/KR100320172B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020078189A (ko) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | 한국전자통신연구원 | 매립형 리지 구조의 전류 차단층을 갖는 광소자 및 그제조 방법 |
| KR100776931B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2007-11-20 | (주)큐에스아이 | 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100320172B1 (ko) | 2002-04-22 |
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