KR960003000A - 패턴화 미러 수직 공동 표면 방출 레이저(vcsel) 및 그 제조 방법 - Google Patents
패턴화 미러 수직 공동 표면 방출 레이저(vcsel) 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 다수의 쌍으로 이루어진 제1미러 스택을 형성하는 단계와,제1미러 스택상에 알루미늄 없는 재료의 활성 영역을 형성하는 단계 및,비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 다수의 쌍으로 이루어진 제2미러 스택을 형성하는 단계에 의해 VCSEL용 패턴화 미러가 제조된다.제2미러 스택은 제1 및 제2부분을 포함하는데,제1및 제2부분은,이 제1과 제2부분간에 상이한 에칭 비율을 제공하도록 선택된 재료로 구성된다.제1부분은 에칭 정지로 사용함으로써 제2부분은 제1부분에 대해 선택적으로 에칭된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 패턴화 미러 VCSEL이 제조시의 제1단계에 대한 단순화된 단면도.
제2도는 제1도의 구조에 대한 확대 단면도.
Claims (4)
- 패턴화 미러 수직 공동 표면 방출 레이저(VCSEL)의 제조 방법에 있어서,비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 다수의 쌍으로 이루어진,제1전도형의 제1미러 스택을 형성하는 단계와;상기 제1미러 스택상에 활성 영역을 형성하는 단계 및;상기 활성 영역상에,제1부분 및 제2부분으로 구성되는 제2전도형의 제2미러 스택으로서,상기 제1부분은 비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 쌍을 적어도 1쌍 포함한 채 상기 활성 영역상에 배치되고,상기 제2부분은 비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 쌍을 적어도 1쌍 포함한 채 상기 제1부분상에 배치되어 완성된 제2미러 스택을 형성하며,상기 제1및 제2부분에서,비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 결합된 쌍의 갯수는 상기 VCSEL의 동작에 필요한 반사성을 제공하기에 충분하며,상기 제1 및 제2부분은 상기 제1부분과 제2부분간에 상이한 에칭 비율을 제공하도록 선택된 재료를 포함하여 상기 제2부분이 상기 제1부분에 대해 선택적으로 에칭될 수 있는 제2미러 스택을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화 미러 VCSEL 제조방법.
- 수직 공동 표면 방출 레이저(VCSEL)용 패턴화 미러의 제조방법에 있어서,A1GaAs와 GaAs로 된 비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 다수의 쌍으로 이루어진,제1전도형의 제1미러 스택을 형성하는 단계와;상기 제1미러 스택상에 알루미늄 없는 재료로 구성된 활성 영역을 형성하는 단계와;상기 활성 영역상에,제1부분 및 제2부분으로 구성되는 제2전도형의 제2미러 스택으로서,상기 제1부분은 InGaAs 및 GaAs를 포함하는 비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 쌍을 적어도 1쌍 포함한 채 상기 활성 영역상에 배치되고,상기 제2부분은 A1GaAs 및 GaAs를 포함하는 비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 쌍을 적어도 1쌍 포함한 상기 제1부분상에 배치되어 완성된 제2미러 스택을 형성하며,상기 제1 및 제2부분에서,비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 결합된 쌍의 갯수는 상기 VCSEL의 동작에 필요한 반사성을 제공하기에 충분한 제2미러 스택을 형성하는 단계 및;상기 제1부분을 에칭정지로 사용함으로써 상기 제2미러 스택의 제2부분을 선택적으로 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 VCSEL용 패턴화 미러 제조 방법.
- 기판과;상기 기판상에 배치되고,비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 다수의 쌍으로 이루어진,제1전도형의 제1미러스택과;상기 제1미러 스택상에 배치된 활성 영역과;상기 활성 영역상에 배치되고 제1부분 및 제2부분으로 구성되는 제2전도형의 제2미러 스택으로서,상기 제1부분은 비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 쌍을 적어도 1쌍 포함한 채 상기 활성 영역상에 배치되고,상기 제2부분은 비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 쌍을 적어도 1쌍 포함한 채 상기 제1부분상에 배치되어 완성된 제2미러 스택을 형성하며,상기 제1 및 제2부분에서,비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 결합된 쌍의 갯수는 상기 VCSEL의 동작에 필요한 반사성을 제공하기에 충분하며,상기 제1및 제2부분은 상기 제1부분과 제2부분간에 상이한 에칭 비율을 제공하도록 선택된 재료를 포함하고,상기 제2미러 스택의 제2부분이 상기 제1부분에 대해 패턴화 되어 레이징 영역을 규정하는 제2미러 스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화 미러 VCSEL.
- 기판과;상기 기판상에 배치되고,A1GaAs와 GaAs로 된 비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 다수의 쌍으로 이루어진,제1전도형의 제1미러 스택과;상기 제1미러 스택상에 배치되고,알루미늄 없는 재료로 구성된 활성 영역을 형성하는 단계와;상기 활성 영역상에 배치되고 제1부분 및 제2부분으로 구성되는 제2전도형의 제2미러 스택으로서,상기 제1부분은 InGaAs 및 GaAs를 포함하는 비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 쌍을 적어도 1쌍 포함한 채 상기 활성영역상에 배치되고,상기 제2부분은A1GaAs 및 GaAs를 포함하는 비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 쌍을 적어도 1쌍 포함한채 상기 제1부분상에 배치되어 완성된 제2미러 스택을 형성하며,상기 제1 및 제2부분에서,비교적 굴절율이 높은 층과 비교적 굴절율이 낮은 층의 결합된 쌍의 갯수는 상기 VCSEL의 동작에 필요한 반사성을 제공하기에 충분하며,상기 제2미러 스택의 제2부분은 상기 제1부분에 대해 패턴화되어 레이징 영역을 규정하는 제2미러 스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴화 미러 VCSEL.※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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