KR920011003A - 화합물 반도체 레이저 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

화합물 반도체 레이저
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 반도체 레이저의 확대된 단면도, 제2도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이져를 나타내는 개략적인 도면, 제3A도∼제3C도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 레이저의 제조 공정을 각각 나타내는 단면도.

Claims (28)

  1. 서로 반대되는 제1, 제2 표면을 갖는 반도체기판, 상기 기판의 제1표면상에 형성된 제1, 제2크래딩층, 상기 제1, 제2 크래딩층 사이에 사이에 샌드위치된 초격자 구조의 활성층, 상기 제2크래딩층 상에 형성된 캡핑층, 상기 캡핑층 상에 접속되어 있는 제1전극, 상기 기판의 상기 제2 표면에 접속된 제2전극을 포함하여 이루어지고, 상기 기판의 제1표면이 상기 기판의 제1표면의 주면의 결정면과 다른 결정면을 가지는 적어도 두 개의 경사표면을 가지고, 상기 기판상에 형성된 제1, 제2크래딩층과 활성층의 각각이 상기 경사면위에서 고캐이어농도 영역을 가지고, 상기 활성층의 상기 고캐이어농도 영역이 어로이 상태로 되게 하고, 상기 활성층의 어로이 영역 사이에 샌드위치 되고 어로이 상태가 되지않은 상기 활성층 영역으로 광이 방사되어 구성된 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 레이저.
  2. 상기 고캐리어농도 영역의 캐리어농도가 1016∼1018/cm3의 범위내에 있는 청구범위 제1항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  3. 상기 활성층이 다중 양자 우물층으로 형성된 청구범위 제1항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  4. 상기 활성층의 어로이영역의 굴절율이 사이에서 광이 방사되는 영역의 굴절율보다 작도록 구성된 청구범위 제1항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  5. 상기 기판과 상기 제1크래딩층 사이에 제공된 버퍼층을 포함하는 청구범위 제1항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  6. 상기 기판의 제1표면의 주면이 (100)평면이고, 상기 경사면이＜011＞방위로 연장되고 (111)B평면을 이루는 청구범위 제1항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  7. 상기 경사면 상의 고캐리어농도 영역상에 제공된 상기 캡핑층의 여역들이 이온 임프란테이션 공정에 의해 고비저항성을 가지는 청구범위 제1항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  8. 서로 반대되는 제1, 제2표면을 가지는 반도체기판, 상기 기판의 상기 제1표면상에 형성된 제1, 제2클래딩, 상기 제1, 제2크래딩층 사이에 샌드위치된 초격자 활성층, 상기 제2크래딩층 사에 형성된 캡핑층, 상기 캡핑층상에 제공된 제1전극, 상기 기판의 제2표면에 접속된 제2전극을 포함하고, 상기 기판의 제1표면이 적어도 두 개의 돌출부위를 가지고, 상기 기판상에 형성된 제1, 제2크래딩층과 활성층의 각각이 상기 돌출부위위로 고캐리어농도 영역을 가지고, 초격자 구조의 상기 활성층의 고캐리어 농도영역이 어로이 상태로 되고 상기 활성층의 어로이 영역 사이에 샌드위치되고 어로이상태가 되지않은 상기 활성층의 영역내에서 광이 방사되는 구성으로된 화합물 반도체 레이저.
  9. 상기 고캐리어농도 영역의 캐리어농도가 1016∼1018/cm3의 범위에 있도록 구성된 청구범위 제8항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  10. 상기 활성층이 다중 양자우물층으로서 형성되는 구성으로된 청구범위 제8항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  11. 상기 활성층이 어로이 영역의 굴절율이 그 사이에서 광이 방상되는 영역들의 굴절률보다 작게된 청구범위 제8항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  12. 상기 기판 및 상기 제1크래딩층 사이에 제공된 버퍼층을 포함하는 청구범위 제8항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  13. 상기 기판의 상기 제1표면이 (100)평면이고, 돌출부분이 ＜011＞방위로 연장되고 스트립 형태를 가지는 청구범위 제8항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  14. 상기 돌출부분위의 고캐리어농도 영역상에 제공된 상기 캡핑층의 여역들이 이온임프란테이션에 의해 고비저항성을 가지는 구성으로된 청구범위 제8항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  15. 서로 반대되는 제1, 제2표면을 가지는 반도체기판, 상기 기판의 상기 제1표면상에 형성된 제1, 제2크래딩층, 상기 제1, 제2크래딩층 사이에 샌드위치된 양자우물의 활성층, 상기 제2크래딩층상에 형성된 캡핑층, 상기 캡핑층상에 제공된 제1전극, 상기 기판의 제2표면에 접속된 제2전극을 포함하고, 상기 기판의 제1표면이 상기 기판의 상기 제1표면의 주면과 다른 결정면을 갖는 적어도 두 개의 경사면을 가지고, 상기 기판상에 형성된 상기 제1, 제2크래딩층과 상기 활성층의 각각이 상기 경사면 위로 고캐리어 농도 영역을 가지고, 양자우물 구조의 상기 활성층의 고캐리어농도 영역이 어로이 상태로 되고, 상기 활성층의 어로이 영역들 사이에 샌드위치라고 어로이 상태로 되지않은 상기 활성층의 영역에서 광이 방사되는 구성으로 된 화합물 반도체 레이저.
  16. 상기 고캐리어농도 영역의 캐리어 농도가 1016∼1018/cm3의 범위에 있는 청구범위 제15항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  17. 상기 활성층이 다중 양자우물층으로써 구성된 청구범위 제15항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  18. 상기 활성층의 어로이영역의 굴절율이 그 사이에서 광이 방사되는 영역의 굴절율보다 작은 구성으로된 청구범위 제15항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  19. 상기 기판과 상기 제1크래딩층 사이에 버퍼층이 포함되어 구성된 청구범위 제15항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  20. 상기 기판의 상기 제1표면의 상기 주면이(100)평면이고 경사면이 ＜011＞방위로 연장되고 (111)B평면을 가지는 구성으로된 청구범위 제15항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  21. 상기 경사면들의 위에 고캐리어농도 영역상에 제공된 상기 캡핑층의 영역이 이온임프란테이션 공정에 의한 고비저항성을 가지는 청구범위 제15항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  22. 서로 반대되는 제1, 제2표면을 가지는 반도체기판, 상기 기판의 제1표면상에 형성된 제1, 제2크래딩층, 상기 제1, 제2크래딩층 사이에 샌드위치된 양자우물 구조의 활성층, 상기 제2크래딩층에 형성된 캡핑층, 상기 캡핑층에 제공된 제1전극, 상기 전극의 제2표면에 접속된 제2전극을 포함하고, 상기 기판의 제1표면이 적어도 두 개의 돌출부분을 가지고, 상기 기판상에 형성된 상기 제1, 제2크래딩층과 활성층 각각이 상기 돌출부분위의 고캐리어농도 영역을 가지고, 양자우물의 상기 활성층의 고캐리어농도 영역이 어로이 상태로 되게하고, 상기 활성층의 어로이 영역 사이에 샌드위치되고 어로이 상태가 되지않은 상기 활성층의 영역내에서 광이 방사되는 구성으로된 화합물 반도체 레이저.
  23. 상기 고캐리어농도 영역의 캐리어농도가 1016∼1018/cm3의 범위에 있는 청구범위 제22항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  24. 상기 활성층이 다중 양자 우물층으로서 형성된 청구범위 제22항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  25. 상기 활성층의 어로이 영역의 굴절율이 그 사이에 광이 방사되는 영역의 굴절율보다 작은 청구범위 제22항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  26. 상기 기판과 상기 제1크래딩층 사이에 제공된 버퍼층을 포함하는 청구범위 제22항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  27. 상기 기판의 상기 제1표면은 (100)평면익고 돌출부분이 ＜011＞방위로 연장되고 스트립 형태로 가지는 구성으로된 청구범위 제22항에 따른 화합물 반도체 레이저.
  28. 상기 돌출부분상의 고캐리어농도 영역상에 제공되는 상기 캡핑층 영역이 이온 임프란테이션 공정에 의해 고비저항성을 가지는 구성으로된 청구범위 제22항에 따른 화합물 반도체 레이저.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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