KR860003676A - 발광다이오드의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)도∼제1(f)도는 본 발명의 일실시예로써 바라스(Burrus)형 발광다이오드의 제조공정을 나타내는 단면도.
제2도는 상기 다이오드의 효과를 설명하기 위한 단면도.
제3도는 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
11: 기판 12 : 버퍼층
13 : 제1클래드층 14 : 활성층
15 : 제2클래드층 16 : 오옴전극
17 : SiO2막 18 : P형 전극
19 : N형 전극 20 : Au층
21 : 창 25 : 광섬유
32 : Al을 포함하는 층
Claims (4)
- 활성층을 클래드층으로 감싸는 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체 기판상에 유기금속 기상성장법을 이용하여 적어도 제1도전형 클래드층과, 제1 또는 제2도전형의 활성층 및 제2도전형 클래드층을 순차적으로 성장 형성하는 공정과, 상기 제2도전형 클래드층상에 접촉금속을 선택적으로 형성함과 동시에 해당 접촉금속의 주위에 절연막 또는 역접합을 형성해서 전류협착구조를 형성하는 공정으로 제조함을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 접촉금속에 대응하는 기판의 이면측 위치에 에칭을 써서 광출력을 내는 창을 형성시키는 것.
- 제2항에 있어서, 상기 기판의 에칭을 상기 제1도전형의 클래드층에 이를때까지 행하는 것.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 GaAs기판을 이용하고, 상기 각층은 GaAs/GaAlAs계 반도체재료를 이용한 것을 특징을 하는것.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| JP59226154A JPS61104680A (ja) | 1984-10-27 | 1984-10-27 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
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1985
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| JPS61104680A (ja) | 1986-05-22 |
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