KR890007440A - 표면 방출형 발광 다이오드의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 및 제2b도는 투과층 기판을 갖는 발광 다이오드와 기판이 식각된 발광 다이오드의 단면도.
제3a도는 본 발명 표면 방출형 발광 다이오드의 단면도, 제3b도 및 제3c도는 본 발명 표면 방출형 발광 다이오드의 광감도를 도시한 그래프.
제4a ∼제4d도는 본 발명 표면 방출형 발광 다이오드의 제조공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 20 : GaAs 기판 2, 22 : P형 클레드층
3, 23 : P형 활성층 4, 24 : n형 투과층
5, 25 : n형 캡층 6, 26 : n형 전극
7, 27 : P형 전극 8 : 절연막
9, 29 : 발광영역 10 : AlGaAs 투과기판
15 : P형 캡층 21 : n형 박막
Claims (1)
- GaAs 기판(20)상에 전류 방해층인 n형 박막(21) 결정을 성장시킨 후 전류의 흐름 경로를 형성하고, 상기 패턴상에 p형 AlGaAs 클레드층(22)과 p형 AlGaAs 활성층(23)과 n형 AlGaAs 투과층(24)과 n형 캡층(25)을 순차적으로 박막 결정시키며, 전극영역 이외의 부분을 사진 식각법에 의하여 식각한 후 리프트 오프법에 의하여 Au-Cu/Ni/Au를 진공 증착하여 n형 전극(26)을 형성하는 한펀, GaAs 기판(20)에 Au를 증착하여 p형 전극(27)을 형성하여서 전류 방해를 이용하여 소자 표면의 전극영역이 활성층의 발광영역과 다른 위치에 오도록 제조함을 특징으로 한 표면 방출형 발광 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Applications Claiming Priority (1)
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| KR900001407B1 KR900001407B1 (ko) | 1990-03-09 |
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ID=19265380
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1987
- 1987-10-22 KR KR1019870011758A patent/KR900001407B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| KR900001407B1 (ko) | 1990-03-09 |
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