KR890016716A - 지붕형 반사기를 갖는 반도체 레이저 구조 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명의 일실시 지붕형 반사기를 갖는 띠모양 반도체 레이저 구조도. 제 3 도는 본 발명의 다른 실시 지붕형 반사기를 갖는 띠모양 반도체 레이서 구조도.
Claims (2)
- n형 GaAs기판(l)위에 n형 AlGaAs결정성장층(3) 및 P형 GaAs결정성장층(4), P형 AlGaAs결정성장층(5), P형 GaAs결정성장층(6), SiO2의 산화막(7)이 순차적으로 형성되고, 그 산화막(7)위에 띠모양전류통로(9)를 두고 Cr/Au금속층(8)이 형성됨과 아울러 상기 n형 GaAs기판(1)저면에 저항성 접촉을 위한 Au-Ge/Ni금속층(2)이 형성된 띠모양 반도체 레이저 구조에 있어서, 일측의 반사면 절단된 결정면(10)으로 형성하고, 타측의 반사면은 상기 띠모양전류통로(9)의 소정부위를 비등방성 화학적 식각공정에 의해 식각하여 지붕형 반사기(12)로 형성함을 특징으로 하는 지붕형 반사기를 갖는 반도체 레이저 구조.
- 제 1 항에 있어서, 지붕형반사기(12)를 어레이 형태로 다수개 형성함을 특징으로 하는 지붕형 반사기를 갖는 반도체 레이저구조.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880004001A KR900006923B1 (ko) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 지붕형 반사기를 갖는 반도체 레이저 구조 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880004001A KR900006923B1 (ko) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 지붕형 반사기를 갖는 반도체 레이저 구조 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890016716A true KR890016716A (ko) | 1989-11-29 |
| KR900006923B1 KR900006923B1 (ko) | 1990-09-24 |
Family
ID=19273518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880004001A KR900006923B1 (ko) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 지붕형 반사기를 갖는 반도체 레이저 구조 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR900006923B1 (ko) |
-
1988
- 1988-04-08 KR KR1019880004001A patent/KR900006923B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900006923B1 (ko) | 1990-09-24 |
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