KR930022653A - 레이저다이오드 - Google Patents
레이저다이오드Info
- Publication number
- KR930022653A KR930022653A KR1019920006197A KR920006197A KR930022653A KR 930022653 A KR930022653 A KR 930022653A KR 1019920006197 A KR1019920006197 A KR 1019920006197A KR 920006197 A KR920006197 A KR 920006197A KR 930022653 A KR930022653 A KR 930022653A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- laser diode
- conductive type
- type
- coated
- reflective surface
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims 2
- 230000003667 anti-reflective Effects 0.000 claims 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Abstract
이 발명은 6각형의 반사기를 갖는 VSIS-LD를 이용하여 고출력을 제공할 수 있는 레이저다이오드를 게재한다.
또한 이와같이 구성된 레이저다이오드는 좁은 면적에 고집적화를 용이하게 할 수 있고, 발진개시 전류를 낮출 수 있으며 열발생을 적게할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 지봉형 반사기를 갖는 레이저다이오드의 사시도.
제2도는 이 발명의 일 실시예에 의한 6각형 반사기를 갖는 레이저다이오드의 사시도.
제3도는 이 발명의 일 실시예에 의한 제2도 레이저다이오드의 공정시 GaAa면에 식각상태를 나타낸 상태도.
제4도는 이 발명의 일 실시예에 의한 제2도 레이저다이오드내에서 공진되는 빛의 방향을 나타낸 상태도이다.
Claims (8)
- 제2 도전형 기판위에 통진영역부를 제1도전형의 전류제한층이 형성되고, 또 그 표면상에 제2도전형의 제1클래드층, 제2도전형의 활성층, 제1도전형의 제2클래드층이 차례로 형성된 레이저다이오드에 있어서, 상기 제1도전형의 전류제한층에는 소정의 간격을 유지해서 복수의 상기 통전영역부가 형성되어 있고, 또 일측의 반사면은 절단된 결정면으로 형성하고 타측의 반사면은 소정부위를 비등방성 화학적 식각공정에 의해 식각하여 6각형반사기로 된 레이저다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형 이고, 제2도전형은 P형으로 된 레이저다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 통전영역부는 전류통로인 V자형 형태로 된 레이저다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 통전영역부는 간격이 5㎛ 정도된 레이저다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 통전영역부는 (01i)의 결정방향을 갖도록 된 레이저다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 일측의 반사면은 AR막(Anti-reflective film)이 코팅된 레이저다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 6각형의 반사기는 그 단면에 HR막(High reflective film)이 코팅된 레이저다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 제6각형의 반사기는 다층유전체막을 입혀 완전 반사가 가능하도록 된 레이저다이오드.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930022653A true KR930022653A (ko) | 1993-11-24 |
Family
ID=
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100815483B1 (ko) * | 2007-05-09 | 2008-03-20 | 한국전기연구원 | 비등방성 레이저 결정을 이용한 다이오드 펌핑된 레이저장치 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100815483B1 (ko) * | 2007-05-09 | 2008-03-20 | 한국전기연구원 | 비등방성 레이저 결정을 이용한 다이오드 펌핑된 레이저장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920007283A (ko) | 면발광형 반도체 레이저 및 그 제조방법 | |
| KR870001687A (ko) | 반도체 레이저 | |
| KR890016720A (ko) | 선택적 에피택시법에 의한 표면 방출형 ALGaAs/GaAs 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| KR970054998A (ko) | 벽개면을 갖는 반도체 장치 | |
| KR960039512A (ko) | 광반도체 디바이스 | |
| KR980006658A (ko) | 개선된 반도체 레이저와 그 제작 방법 | |
| KR970063768A (ko) | 단부면 발광형 광반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| KR940017020A (ko) | 최적공진기를 가진 반도체레이저 및 이를 이용한 광학장치 | |
| JPH06224406A (ja) | 光集積回路 | |
| KR930022653A (ko) | 레이저다이오드 | |
| KR970060603A (ko) | 높은 주변 온도에서도 저잡음으로 동작이 가능한 반도체 레이저 디바이스 | |
| KR930024241A (ko) | 반도체 레이저장치 및 이의 제조방법 | |
| KR950007214A (ko) | 반도체 레이저 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR920011003A (ko) | 화합물 반도체 레이저 | |
| YUKIO et al. | Light emitting element and its manufacture | |
| JPS648690A (en) | External resonator type semiconductor laser device | |
| KR960043385A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 | |
| KR930005302A (ko) | 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR930022650A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| GEN-EI | Semiconducteur laser amplifier | |
| KR920020799A (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| KR930015217A (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 구조 및 제조방법 | |
| JPH03201574A (ja) | 端面放射型発光ダイオード | |
| KR930005297A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| HIROYUKI et al. | Semiconductor laser array device |