KR940017020A - 최적공진기를 가진 반도체레이저 및 이를 이용한 광학장치 - Google Patents

최적공진기를 가진 반도체레이저 및 이를 이용한 광학장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체레이저 및 반도체레이저를 이용한 광학기구에 관한 것으로서, 반도체레이저는 활성층과, 상기 활성층을 사이에 개재시키고, 에너지갭이 상기 활성층의 에너지갭보다 큰 제1 및 제 2 클래드층과, 상기 활성층의 양측에 접하여 형성된 전류차단층과, 상기 제 1 클래드층에 전기접속되는 제 1 전극과, 상기 제 2 클래드층에 전기접속되는 제 2 전극으로 이루어지고, 상기 활성층은 이 활성층이 상기 제 1 클래드층, 상기 제 2 클래드층 및 상기 전류차단층내에서 2차원으로 한정되는 구조를 가지고, 상기 활성층의 공진기의 최소한 한끝면의 반사율은 5% 이하이고, 상기 활성층의 공진기에서의 손실을 100cm-3이상인것을 특징으로 한다.

Description

최적공진기를 가진 반도체레이저 및 이를 이용한 광학장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 9 도는 본 발명의 반도체레이저의 일실시예의 요부의 개략확대 단면도.

Claims (24)

  1. 활성층과, 상기 활성층을 사이에 개재시키고, 에너지갭이 상기 활성층의 에너지갭보다 큰 제1 및 제 2 클래드층과, 상기 활성층의 양측에 접하여 형성된 전류차단층과, 상기 제 1 클래드층에 전기접속되는 제 1 전극과, 상기 제 2 클래드층에 전기접속되는 제 2 전극으로 이루어지고, 상기 활성층은 이 활성층이 상기 제 1 클래드층, 상기 제 2 클래드층 및 상기 전류차단층내에서 2차원으로 한정되는 구조를 가지고, 상기 활성층의 공진기의 최소한 한끝면의 반사율은 5% 이하이고, 상기 활성층의 공진기에서의 손실은 100cm-2이상인 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 활성층의 공진기의 폭은 1.1~1.6㎛인 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 {100} 결정면에서 연장되는 스텝부상에 형성되고, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 횡단면이 삼각형으로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 활성층의 최적을 "V", 상기 활성층으로의 광의 차단율을 " г"로 하면, г/V≥1.5×1015m-3인 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 {100} 결정면에서 연장되는 스텝부상에 형성되고, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 횡단면이 삼각형으로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 {100} 결정면에서 연장되는 스텝부상에 형성되고, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 횡단면이 삼각형으로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 활성층의 최적을 "V", 상기 활성층으로의 광의 차단율을 " г"로 하면, г/V≥1.5×1015m-3인 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 활성층의 공진기의 폭은 1.1~1.6㎛인 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 활성층의 공진기의 양끝면의 반사율은 5% 이하인 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 {100} 결정면에서 연장되는 스텝부상에 형성되고, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 횡단면이 삼각형으로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체레이저는 활성층이 임계캐리어 밀도가 2.5×1018cm-3이하로 되는 것을 특징으로 하는 반도체레이저.
  12. 반도체레이저와, 상기 반도체레이저의 공진기의 한끝면에 대면하여 위치된 광학시스템으로 이루어지고, 상기 반도체레이저는 활성층과, 상기 활성층을 사이에 개재시키고, 에너지갭이 상기 활성층의 에너지갭보다 큰 제1 및 제 2 클래드층과, 상기 활성층의 양측에 접하여 형성된 전류차단층과, 상기 제 1 클래드층에 전기접속되는 제 1 전극과, 상기 제 2 클래드층에 전기접속되는 제 2 전극을 포함하고, 상기 활성층은 이 활성층이 상기 제 1 클래드층, 상기 제 2 클래드층 및 상기 전류차단층내에서 2차원으로 한정되는 구조를 가지고, 상기 활성층의 공진기의 최소한 한끝면의 반사율은 5% 이하이고, 상기 반도체레이저에 귀환되는 광량은 0.1~1% 이하인 것을 특징으로 하는 광학장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 반도체레이저의 상기 활성층의 공진기에서의 손실이 100cm-3이상인 것을 특징으로 하는 광학장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 활성층의 최적을 "V", 상기 활성층으로의 광의 차단율을 " г"로 하면, г/V≥1.5×1015m-3인 것을 특징으로 하는 광학장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 {100} 결정면에서 연장되는 스텝부상에 형성되고, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 횡단면이 삼각형으로 제조되는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 활성층의 공진기의 폭은 1.1~1.6㎛인 것을 특징으로 하는 광학장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 {100} 결정면에서 연장되는 스텝부상에 형성되고, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 횡단면이 삼각형으로 제조되는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  18. 제12항에 있어서, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 {100} 결정면에서 연장되는 스텝부상에 형성되고, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 횡단면이 삼각형으로 제조되는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 활성층의 최적을 "V", 상기 활성층으로의 광의 차단율을 " г"로 하면, г/V≥1.5×1015m-3인 것을 특징으로 하는 광학장치.
  20. 제18항에 있어서, 상기 활성층의 공진기의 폭은 1.1~1.6㎛인 것을 특징으로 하는 광학장치.
  21. 제12항에 있어서, 상기 활성층의 공진기의 양끝면의 반사율은 5% 이하인 것을 특징으로 하는 광학장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 광학시스템에 대면하는 공진기의 상기 한끝면의 반사율은 공진기의 다른 끝면의 반사율보다 작은 것을 특징으로 하는 광학장치.
  23. 제21항에 있어서, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 {100} 결정면에서 연장되는 스텝부상에 형성되고, 상기 활성층, 상기 제 1 클래드층 및 상기 제 2 클래드층은 횡단면이 삼각형으로 제조되는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  24. 제12항에 있어서, 상기 광학장치는 활성층이 임계캐리어 밀도가 2.5×1018cm-3이하로 되는 체적을 가지는 반도체레이저를 이용하는 것을 특징으로 하는 광학장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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