JP5223439B2 - 半導体発光素子 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体発光素子、より具体的には、発光部の横方向に電流狭窄のための電流ブロック層が設けられた半導体発光素子に関する。
低閾値電流Ｉthを有する半導体レーザとして、１回のエピタキシャル成長工程によって形成し得るＳＤＨ（Separated Double Hetero Junction）構造を有する半導体レーザ（以下、ＳＤＨ型半導体レーザと呼ぶ）が、例えば、特許第２９９０８３７号から周知である。
このＳＤＨ型半導体レーザにおいては、先ず、主面として｛１００｝面を有する基板に、｛１１０｝Ａ面方向に延びる凸部を形成する。そして、この基板の主面上において結晶成長を行うと、凸部の｛１００｝面（便宜上、凸部面と呼ぶ）の上に化合物半導体層の積層構造体から成る発光部が形成される。発光部は、例えば、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成されている。尚、凸部の延びる方向に対して垂直方向の仮想平面でこの発光部を切断したときの断面形状は三角形であり、発光部の側面（斜面）は｛１１１｝Ｂ面から構成されている。一般に、ＭＯＣＶＤ法（ＭＯＶＰＥ法とも呼ばれる）においては、特殊な結晶成長条件を除けば、｛１１１｝Ｂ面は非成長面として知られている。従って、ＳＤＨ型半導体レーザの場合、側面が｛１１１｝Ｂ面である発光部が形成されると、その後、ＭＯＣＶＤを継続しても、発光部の結晶成長は「自己成長停止」が保持される。
尚、結晶面の表記、
を、便宜上、本明細書においては、（ｈｋｌ）面、（ｈｋ−ｌ）面と表記し、以下に例示する方向の表記、
を、便宜上、本明細書においては、［ｈｋｌ］方向、［ｈｋ−ｌ］方向と表記する。
一方、凸部を除く基板の主面である｛１００｝面の部分（便宜上、凹部面と呼ぶ）においては、非成長面が存在しないので、ＭＯＣＶＤを継続すると、やがて凹部面から結晶成長する化合物半導体層が、自己成長停止している発光部を完全に埋め尽くすようになる。凹部面から結晶成長した化合物半導体層は、第２化合物半導体層上に、電流ブロック層位置調整層、電流ブロック層、及び、埋込み層が順次形成された構造を有する。ここで、電流ブロック層位置調整層の厚さを制御することによって、凹部面から結晶成長する化合物半導体層が発光部を埋め尽くす前の途中段階で（特に、発光部に形成された活性層の両側面近傍に差し掛かったときに）、電流ブロック層を形成することにより、発光部の活性層のみに電流注入が可能な構造を形成することができる。
このように、ＳＤＨ型半導体レーザにおいては、１回の結晶成長工程に基づき各化合物半導体層を形成することができ、しかも、発光部内で活性層を上下で挟む化合物半導体層（第１化合物半導体層及び第２化合物半導体層）に用いる材料や、発光部の外側に位置する電流ブロック層や埋込み層、電流ブロック層位置調整層に用いる材料として、エネルギーバンドギャップが活性層よりも十分に高い材料、即ち、低屈折率の材料を選択することにより、光閉込めに好都合な化合物半導体層によって活性層を完全に囲むことが可能となる。そして、これによって、凸部の端面を光出射面として有する半導体レーザから出射されたビーム形状を、真円に近づけることができる。即ち、ファー・フィールド・パターン（Far Field Pattern，ＦＦＰ）において、
θ//≒θ⊥
を達成することができる。あるいは又、例えば、レンズとのカップリング効率等に依っては、半導体レーザから出射されたビーム形状を楕円とすることが求められる場合がある。このような場合には、例えば、凸部の端面付近の幅を拡げた、所謂フレア・ストライプ構造を採用することにより、ＦＦＰのθ//を小さく制御することができる。
そして、以上に説明したＳＤＨ型半導体レーザにあっては、電流ブロック層の質（電流リーク抑制の程度）の向上が、非常に重要な技術的要素である。
特許第２９９０８３７号
ところで、凹部面からの結晶成長によって得られる電流ブロック層は、発光部の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域、基板の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び、｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域（但し、ｈは４以上の整数であり、便宜上、高次の結晶面領域と呼ぶ場合がある）から構成されている。そして、特に、｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域、あるいは、係る領域の近傍において、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層との間での不純物相互拡散によって、電流ブロック層が消滅し、あるいは又、電流ブロック層が薄くなり、電流ブロック層の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題が生じる。
そして、特許第２９９０８３７号においては、このような問題を解決するために、基板としてｐ型基板を使用し、更には、電流ブロック層をｐ型化合物半導体層から構成する。ところで、｛３１１｝Ｂ結晶面領域はｎ型化し易く、高次の結晶面領域においてはｐ型化し易い。従って、｛３１１｝Ｂ結晶面領域は結果的に本来のｐ型エピタキシャル成長膜厚より厚さが減少して膜薄部となり、他方、高次の結晶面領域は結果的にｐ型化によって厚さが増加して膜厚部となる。その結果、電流ブロック層の高次の結晶面領域の厚さが大となるため、この部分におけるリーク電流を確実に回避することができる。
このように、特許第２９９０８３７号に開示された技術は、上述した問題の解決のために非常に有効な技術であるが、ｎ型基板の使用に対する強い要望がある。また、ｐ型基板を使用した場合にあっても、電流ブロック層におけるリーク電流の一層の低減を図ることが望ましい。
また、電流ブロック層から活性層に拡散した不純物に起因して、ＳＤＨ型半導体レーザを高い駆動電流で駆動したときの電流リークが無視できない状況となりつつある。
従って、本発明の第１の目的は、複数の結晶面から形成される電流ブロック層において、電流ブロック層を構成する複数の化合物半導体層間における不純物の相互拡散等に影響されることなく、全面に亙り高い安定性を実現することができ、電流ブロック層におけるリーク電流の一層の低減を図ることができる構造、構成を有する半導体発光素子を提供することにある。また、本発明の第２の目的は、電流ブロック層から活性層に不純物が拡散し難い構造、構成を有する半導体発光素子を提供することにある。
上記の第１の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
尚、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ａ−１の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
上記の本発明の第１−Ａ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ａ−２の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、第４Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接している。
あるいは又、上記の本発明の第１−Ａ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、第４化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ａ−３の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、本発明の第１−Ａ−３の態様に係る半導体発光素子における第４化合物半導体層は、云い換えれば、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）が不純物としてコ・ドープされている。
あるいは又、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ｂ−１の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
上記の本発明の第１−Ｂ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ｂ−２の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、第４Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接している。
あるいは又、上記の本発明の第１−Ｂ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、第４化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ｂ−３の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、本発明の第１−Ｂ−３の態様に係る半導体発光素子における第４化合物半導体層は、云い換えれば、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）が不純物としてコ・ドープされている。
あるいは又、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ａ−１の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
上記の本発明の第１−ａ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ａ−２の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、第３Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接している。
あるいは又、上記の本発明の第１−ａ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、第３化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ａ−３の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、本発明の第１−ａ−３の態様に係る半導体発光素子における第３化合物半導体層は、云い換えれば、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）が不純物としてコ・ドープされている。
あるいは又、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ｂ−１の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
上記の本発明の第１−ｂ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ｂ−２の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、第３Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接している。
あるいは又、上記の本発明の第１−ｂ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、第３化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ｂ−３の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、本発明の第１−ｂ−３の態様に係る半導体発光素子における第３化合物半導体層は、云い換えれば、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）が不純物としてコ・ドープされている。
あるいは又、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ｃ−１の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
上記の本発明の第１−Ｃ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ｃ−２の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、第４Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接している。
あるいは又、上記の本発明の第１−Ｃ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、第４化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ｃ−３の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、本発明の第１−Ｃ−３の態様に係る半導体発光素子における第４化合物半導体層は、云い換えれば、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）が不純物としてコ・ドープされている。
あるいは又、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ｄ−１の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
上記の本発明の第１−Ｄ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ｄ−２の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、第４Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接している。
あるいは又、上記の本発明の第１−Ｄ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、第４化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ｄ−３の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、本発明の第１−Ｄ−３の態様に係る半導体発光素子における第４化合物半導体層は、云い換えれば、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）が不純物としてコ・ドープされている。
あるいは又、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ｃ−１の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
上記の本発明の第１−ｃ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ｃ−２の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、第３Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接している。
あるいは又、上記の本発明の第１−ｃ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、第３化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ｃ−３の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、本発明の第１−ｃ−３の態様に係る半導体発光素子における第３化合物半導体層は、云い換えれば、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）が不純物としてコ・ドープされている。
あるいは又、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ｄ−１の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
上記の本発明の第１−ｄ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ｄ−２の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、第３Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接している。
あるいは又、上記の本発明の第１−ｄ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、第３化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る構成とすることができ、これによって上記の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ｄ−３の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、本発明の第１−ｄ−３の態様に係る半導体発光素子における第３化合物半導体層は、云い換えれば、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）が不純物としてコ・ドープされている。
以上に説明した本発明の第１の態様の好ましい構成に係る半導体発光素子、即ち、本発明の第１−Ａ−１の態様、第１−ａ−１の態様、第１−Ｂ−１の態様、第１−ｂ−１の態様、第１−Ｃ−１の態様、第１−ｃ−１の態様、第１−Ｄ−１の態様あるいは第１−ｄ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層は、第２導電型を有する第５化合物半導体層から更に構成されており、
第４化合物半導体層及び第５化合物半導体層によって第３化合物半導体層が挟まれた構造を有し、
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第５化合物半導体層を第２導電型とするための第５化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。尚、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第５化合物半導体層／第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。あるいは又、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第６化合物半導体層から更に構成されており、
第３化合物半導体層及び第６化合物半導体層によって第４化合物半導体層が挟まれた構造を有し、
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第６化合物半導体層を第１導電型とするための第６化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。尚、下から、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層／第６化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
上記の第１の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なる。
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なる不純物が含まれる第１化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層と接する部分である。第１化合物半導体層が接する活性層には、井戸層、あるいは、閉じ込め層（Confinement 層）が包含される。以下の説明においても同様である。閉じ込め層を設けることで、光の閉じ込め、及び／又は、キャリアの閉じ込めを行うことができる。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
本発明の第２の態様に係る半導体発光素子にあっては、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物よりも、面方位依存性が小さいことが望ましい。
尚、以下の説明において、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）及びイオウ（Ｓ）という３種類の不純物から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物を、便宜上、『第ＶＩ族不純物』と呼び、ケイ素（Ｓｉ）及び錫（Ｓｎ）という２種類の不純物から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物を、便宜上、『第ＩＶ族不純物』と呼び、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）及びマンガン（Ｍｎ）という４種類の不純物から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物を、便宜上、『第ＩＩ族不純物』と呼ぶ。
上記の好ましい形態を含む本発明の第２の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第２−Ａの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第２−Ａの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、３×２の６通りである。
あるいは又、上記の好ましい形態を含む本発明の第２の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第２−Ｂの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第２−Ｂの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物）の組合せは、２×３×４×１×２×４の１９２通りである。
あるいは又、上記の好ましい形態を含む本発明の第２の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第２−Ｃの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第２−Ｃの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、４×１の４通りである。
あるいは又、上記の好ましい形態を含む本発明の第２の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第２−Ｄの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第２−Ｄの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物）の組合せは、１×４×３×２×１×３の７２通りである。
上記の第１の目的を達成するための本発明の第３の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なる。
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なる不純物が含まれる第２化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
本発明の第３の態様に係る半導体発光素子にあっては、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物よりも、面方位依存性が小さいことが望ましい。
上記の好ましい形態を含む本発明の第３の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第３−ａの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第３−ａの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物）の組合せは、４×１の４通りである。
あるいは又、上記の好ましい形態を含む本発明の第３の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第３−ｂの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第３−ｂの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物）の組合せは、２×３×４×１×３×１の７２通りである。
あるいは又、上記の好ましい形態を含む本発明の第３の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第３−ｃの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第３−ｃの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物）の組合せは、２×３の６通りである。
あるいは又、上記の好ましい形態を含む本発明の第３の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第３−ｄの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第３−ｄの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物）の組合せは、１×４×３×２×４×２の１９２通りである。
上記の第１の目的を達成するための本発明の第４の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。本発明の第４の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、３×２の６通りである。
尚、第ＶＩ族不純物が含まれる第１化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
上記の第１の目的を達成するための本発明の第５の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。本発明の第５の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物）の組合せは、４×１の４通りである。
尚、第ＩＩ族不純物が含まれる第２化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
上記の第１の目的を達成するための本発明の第６の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。本発明の第６の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、４×１の４通りである。
尚、第ＩＩ族不純物が含まれる第１化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
上記の第１の目的を達成するための本発明の第７の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。本発明の第７の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物）の組合せは、３×２の６通りである。
尚、第ＶＩ族不純物が含まれる第２化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
上記の第１の目的を達成するための本発明の第８の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、少なくとも、第２導電型を有する第４化合物半導体層、及び、第１導電型を有する第３化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成されており、
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第１化合物半導体層、電流ブロック層、及び、第２化合物半導体層を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在する。
本発明の第８の態様に係る半導体発光素子において、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。そして、この場合には、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
あるいは又、本発明の第８の態様に係る半導体発光素子において、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る構成とすることができる。尚、この場合、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
ところで、第１Ｂ化合物半導体層を用いる構成の場合、第１Ｂ化合物半導体層と、この第１Ｂ化合物半導体層の側面に接する第４化合物半導体層との関係においては、不純物の置換サイトが競合しない関係となる場合がある。そして、このような場合、先ず、この側面の部分で第１Ｂ化合物半導体層と第４化合物半導体層との間における不純物の拡散が発生し、次いで、電流ブロック層を構成する第３化合物半導体層に不純物の拡散が及んでしまい、電流のリークパスが形成される虞がある。
従って、このような場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第６化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１化合物半導体層（又は、第１Ａ化合物半導体層）を第１導電型とするための第１化合物半導体層（又は、第１Ａ化合物半導体層）における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。そして、このような構造を採用することで、不純物の置換サイトが互いに競合しない第１Ｂ化合物半導体層と第４化合物半導体層とが接しなくなるので、不純物が拡散することを防止できる。ここで、この場合には、迂回経路は、第１化合物半導体層（第１Ａ化合物半導体層及び第１Ｂ化合物半導体層）、第６化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
あるいは又、このような場合、第１Ｂ化合物半導体層から電流ブロック層内への不純物の拡散に起因した電流リークの発生を防止するために、電流ブロック層内に不純物拡散バリア層を設けることが望ましい。具体的には、第２導電型を有する第４化合物半導体層に対して、不純物の置換サイトが異なる第２導電型を有する第７化合物半導体層を「不純物拡散バリア層」として挿入すればよい。より具体的には、電流ブロック層を構成する第２導電型を有する第４化合物半導体層内に、同じく第２導電型を有する不純物拡散バリア層が少なくとも１層（例えば、第７化合物半導体層）、挿入され、第４化合物半導体層の不純物の置換サイトと、不純物拡散バリア層（例えば、不純物拡散バリア層が１層である場合、第７化合物半導体層）の不純物の置換サイトとが異なるように、不純物が選択されていればよい。そして、このような構成を採用することでも、電流ブロック層内を不純物が拡散することによって迂回経路に電流リークパスが形成される現象を、一層確実に防止することができる。
あるいは又、本発明の第８の態様に係る半導体発光素子において、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る構成とすることができる。尚、この場合、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
ところで、第２Ｂ化合物半導体層を用いる構成の場合、第２Ｂ化合物半導体層と、この第２Ｂ化合物半導体層の側面に接する第３化合物半導体層との関係においては、不純物の置換サイトが競合しない関係となる場合がある。そして、このような場合、先ず、この側面の部分で第２Ｂ化合物半導体層と第３化合物半導体層との間における不純物の拡散が発生し、次いで、電流ブロック層を構成する第４化合物半導体層に不純物の拡散が及んでしまい、電流のリークパスが形成される虞がある。
従って、このような場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第５化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層（又は、第２Ａ化合物半導体層）を第２導電型とするための第２化合物半導体層（又は、第２Ａ化合物半導体層）における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接している形態とすることができる。そして、このような構造を採用することで、不純物の置換サイトが互いに競合しない第２Ｂ化合物半導体層と第４化合物半導体層とが接しなくなるので、不純物が拡散することを防止できる。ここで、この場合には、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、第５化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層（第２Ｂ化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層）から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の３つである。
あるいは又、このような場合、第２Ｂ化合物半導体層から電流ブロック層内への不純物の拡散に起因した電流リークの発生を防止するために、電流ブロック層内に不純物拡散バリア層を設けることが望ましい。具体的には、第１導電型を有する第３化合物半導体層に対して、不純物の置換サイトが異なる第１導電型を有する第８化合物半導体層を「不純物拡散バリア層」として挿入すればよい。より具体的には、電流ブロック層を構成する第１導電型を有する第３化合物半導体層内に、同じく第１導電型を有する不純物拡散バリア層が少なくとも１層（例えば、第８化合物半導体層）、挿入され、第３化合物半導体層の不純物の置換サイトと、不純物拡散バリア層（例えば、不純物拡散バリア層が１層である場合、第８化合物半導体層）の不純物の置換サイトとが異なるように、不純物が選択されていればよい。そして、このような構成を採用することでも、電流ブロック層内を不純物が拡散することによって迂回経路に電流リークパスが形成される現象を、一層確実に防止することができる。
本発明の第８の態様に係る半導体発光素子において、第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層及び第３化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。あるいは又、第１Ａ化合物半導体層、第１Ｂ化合物半導体層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層及び第３化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。あるいは又、第１化合物半導体層、第２Ｂ化合物半導体層、第２Ａ化合物半導体層、第４化合物半導体層及び第３化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。
そして、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第８−Ａの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。
ここで、本発明の第８−Ａの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第８−Ａ−１の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第８−Ａ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、２×４×４×２の６４通りである。
あるいは又、本発明の第８−Ａの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第８−Ａ−２の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第８−Ａ−２の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、４×２×２×４の６４通りである。
あるいは又、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を本発明の第８−ａの態様に係る半導体発光素子と呼ぶ。尚、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。
ここで、本発明の第８−ａの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を本発明の第８−ａ−１の態様に係る半導体発光素子と呼ぶ。本発明の第８−ａ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、３×１×１×３の９通りである。
あるいは又、本発明の第８−ａの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を本発明の第８−ａ−２の態様に係る半導体発光素子と呼ぶ。本発明の第８−ａ−２の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、１×３×３×１の９通りである。
あるいは又、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を本発明の第８−Ｂの態様に係る半導体発光素子と呼ぶ。
ここで、本発明の第８−Ｂの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を本発明の第８−Ｂ−１の態様に係る半導体発光素子と呼ぶ。本発明の第８−Ｂ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、２×３×４×４×２の１９２通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、本発明の第８−Ｂの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を本発明の第８−Ｂ−２の態様に係る半導体発光素子と呼ぶ。本発明の第８−Ｂ−２の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、４×１×２×２×４の６４通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を本発明の第８−ｂの態様に係る半導体発光素子と呼ぶ。
ここで、本発明の第８−ｂの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を本発明の第８−ｂ−１の態様に係る半導体発光素子と呼ぶ。本発明の第８−ｂ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、３×２×１×１×３の１８通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、本発明の第８−ｂの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を本発明の第８−ｂ−２の態様に係る半導体発光素子と呼ぶ。本発明の第８−ｂ−２の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、１×４×３×３×１の３６通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を本発明の第８−Ｃの態様に係る半導体発光素子と呼ぶ。
ここで、本発明の第８−Ｃの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を本発明の第８−Ｃ−１の態様に係る半導体発光素子と呼ぶ。本発明の第８−Ｃ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、２×４×１×４×２の６４通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、本発明の第８−Ｃの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を本発明の第８−Ｃ−２の態様に係る半導体発光素子と呼ぶ。本発明の第８−Ｃ−２の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、４×２×３×２×４の１９２通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を本発明の第８−ｃの態様に係る半導体発光素子と呼ぶ。
ここで、本発明の第８−ｃの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を本発明の第８−ｃ−１の態様に係る半導体発光素子と呼ぶ。本発明の第８−ｃ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、３×１×４×１×３の３６通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、本発明の第８−ｃ態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を本発明の第８−ｃ−２の態様に係る半導体発光素子と呼ぶ。本発明の第８−ｃ−２の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、１×３×２×３×１の９通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、本発明の第８の態様に係る半導体発光素子にあっては、電流ブロック層を構成する第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間に、複数の化合物半導体層を設けてもよい。即ち、第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間には、更に、少なくとも、第１導電型を有する化合物半導体層及び第２導電型を有する化合物半導体層の２層の化合物半導体層が順次積層されている構成とすることもできる。具体的には、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とした場合、電流ブロック層を、ｐ型第４化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型第３化合物半導体層といった４層積層構造から構成してもよいし、ｐ型第４化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型第３化合物半導体層といった６層積層構造から構成してもよいし、ｐ型第４化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型第３化合物半導体層といった８層積層構造から構成してもよい。尚、このような積層構造を、ｐ型第４化合物半導体層、（ｎ型化合物半導体層，ｐ型化合物半導体層）m、ｎ型第３化合物半導体層（但し、ｍ＝１，２，３・・・・）と表現する場合がある。あるいは又、具体的には、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型とした場合、電流ブロック層を、ｎ型第４化合物半導体層、（ｐ型化合物半導体層，ｎ型化合物半導体層）m、ｐ型第３化合物半導体層（但し、ｍ＝１，２，３・・・・）といった積層構造から構成してもよい。このように、電流ブロック層を多層構造とすることで、たとえ発光部と電流ブロック層との相対的な位置ズレが発生したとしても、迂回経路に電流リークパスが形成される現象を一層確実に防止することができる。尚、電流ブロック層を多層構造とする場合にあっても、電流ブロック層の厚さは増加させないことが望ましく、電流ブロック層を構成する化合物半導体層のｐｎ界面（あるいはｎｐ界面）が少なくとも１つ以上、活性層の側面と接触していることが一層望ましく、電流ブロック層を構成する化合物半導体層１層当たりの発光部の側面との接触面積が減少する結果、電気抵抗値が増加するので、漏れ電流がより一層抑制され、光出力の改善を図ることができる。
更に、電流ブロック層を構成する化合物半導体層の１層当たりの発光部の側面との接触面に関して、より望ましい形態として、電流ブロック層を構成する化合物半導体層の１層当たりの接触面の幅（発光部の側面の上下方向に沿った接触面の長さ）を、第１化合物半導体層（あるいは第１Ｂ化合物半導体層）と第２化合物半導体層（あるいは第２Ｂ化合物半導体層）とによって挟まれている活性層の総膜厚の幅（発光部の側面の上下方向に沿った活性層の長さ）以下とすることが望ましい。あるいは又、活性層が量子井戸構造を有する場合、電流ブロック層を構成する化合物半導体層の１層当たりの接触面の幅を、量子井戸構造を構成する井戸層１層の幅（発光部の側面の上下方向に沿った井戸層の長さ）以下とすることが望ましい。このような形態は、電流ブロック層を構成する各化合物半導体層の膜厚を非常に薄くする必要に迫られるため、従来の技術にあっては、先に説明したとおり、ｎ型化合物半導体層／ｐ型化合物半導体層（あるいはｐ型化合物半導体層／ｎ型化合物半導体層）界面における不純物の相互拡散による導電型の中和によって、｛３１１｝Ｂ面やより高次の結晶面で構成される電流ブロック層の一部が、消滅してしまったり、逆に、異常に厚くなってしまったりするといった問題があった。然るに、本発明の半導体発光素子にあっては、電流ブロック層を構成する各化合物半導体層において所望の導電型を得る際、不純物の置換サイトの競合関係を考慮した組み合わせを電流リーク抑制の視点から総合的に判断することにより、電流ブロック層を構成する各化合物半導体層の膜厚を非常に薄くした場合においても、不純物の相互拡散による導電型の中和を抑制して、電流ブロック層自身の電流ブロック品質を高め、更には、発光部の側面のリーク電流を確実に抑制する構造を実現することが可能になった。
上記の第２の目的を達成するための本発明の第９の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である。尚、第４Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接している。
上記の第２の目的を達成するための本発明の第１０の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第４化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る。尚、本発明の第１０の態様に係る半導体発光素子における第４化合物半導体層は、云い換えれば、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）が不純物としてコ・ドープされている。
上記の第２の目的を達成するための本発明の第１１の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である。尚、第４Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接している。
上記の第２の目的を達成するための本発明の第１２の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第４化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る。尚、本発明の第１２の態様に係る半導体発光素子における第４化合物半導体層は、云い換えれば、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）が不純物としてコ・ドープされている。
上記の第２の目的を達成するための本発明の第１３の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である。尚、第３Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接している。
上記の第２の目的を達成するための本発明の第１４の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第３化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る。尚、本発明の第１４の態様に係る半導体発光素子における第３化合物半導体層は、云い換えれば、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）が不純物としてコ・ドープされている。
上記の第２の目的を達成するための本発明の第１５の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である。尚、第３Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接している。
上記の第２の目的を達成するための本発明の第１６の態様に係る半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第３化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る。尚、本発明の第１６の態様に係る半導体発光素子における第３化合物半導体層は、云い換えれば、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）が不純物としてコ・ドープされている。
以上に説明した各種の好ましい構成、形態を含む本発明の第１の態様〜第１６の態様に係る半導体発光素子にあっては、積層構造体の対向する側面は｛１１１｝Ｂ面から構成されていることが好ましい。そして、この場合、発光部は、基板の発光部形成領域に形成されており；基板の発光部形成領域は、｛１００｝面から成る基板の主面に形成され、略｛１１０｝Ａ結晶面方向に延び、頂面が｛１００｝面である突起部から構成されている構成とすることができる。そして、更には、第３化合物半導体層は、発光部の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域；基板の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び；｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域（但し、ｈは４以上の整数）から構成されている形態とすることができ、あるいは又、第４化合物半導体層は、発光部の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域；基板の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び；｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域（但し、ｈは４以上の整数）から構成されている形態とすることができる。
以上に説明した各種の好ましい構成、形態を含む本発明の第１の態様〜第１６の態様に係る半導体発光素子（以下、これらを総称して、単に、『本発明の半導体発光素子』と呼ぶ場合がある）にあっては、基板として、ＧａＮ基板、ＧａＰ基板、ＧａＡｓ基板、ＡｌＮ基板、ＡｌＰ基板、ＩｎＮ基板、ＩｎＰ基板、ＡｌＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＡｌＩｎＮ基板、ＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＩｎＰ基板、ＡｌＧａＰ基板、ＡｌＩｎＰ基板、ＧａＩｎＰ基板、ＺｎＳ基板を例示することができ、特に、閃亜鉛鉱（ジンク・ブレンド）型の結晶構造を有する基板あるいは結晶膜が形成された基板を用いることが好ましい。尚、ジンク・ブレンド型の結晶構造を有する基板を構成する原子として、少なくとも、Ａｓ、ＳｂあるいはＢｉ等を挙げることができ、この原子が添加、ひいては混晶として含まれている基板を用いることが一層好ましい。更には、これらの基板の表面（主面）に下地層やバッファ層が形成されたものを基板として挙げることもできる。また、これらの基板を用いた結晶成長においても、少なくとも、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉの内の１つを、Ｖ族材料として添加し、あるいは、混晶として用いることが好ましい。そして、これによって、ＩＩＩ族原子がマイグレージョンし難い結晶成長条件の設定が容易となり、Ｖ族トリマーを｛１１１｝Ｂ面の最表面に形成することが可能となり、｛１１１｝Ｂ面を非成長面化することが可能となる。
また、本発明の半導体発光素子にあっては、活性層を含む各種化合物半導体層として、例えば、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体（ＧａＩｎＡｓ混晶あるいはＧａＮＡｓ混晶を含む）、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓＰ系化合物半導体、ＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＧａＰ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体を例示することができる。活性層を含む各種化合物半導体層の形成方法（成膜方法）として、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＶＰＥ法）や有機金属分子線エピタキシー法（ＭＯＭＢＥ法）、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）を挙げることができる。また、半導体発光素子として、半導体レーザや発光ダイオード（ＬＥＤ）を挙げることができる。
本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、電流ブロック層を構成する第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。従って、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難く、その結果、電流ブロック層が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層が薄くなったりして、電流ブロック層の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。また、第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層と第２化合物半導体層との間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。
本発明の第２の態様に係る半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なる。また、本発明の第３の態様に係る半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なる。更には、本発明の第４の態様に係る半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は第ＶＩ族不純物であり、第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は第ＩＶ族不純物である。また、本発明の第５の態様に係る半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は第ＩＩ族不純物であり、第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は炭素（Ｃ）である。更には、本発明の第６の態様に係る半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は第ＩＩ族不純物であり、第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は炭素（Ｃ）である。また、本発明の第７の態様に係る半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は第ＶＩ族不純物であり、第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は第ＩＶ族不純物である。そして、これらの構成、構造を採用することで、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難い構成、構造を達成することが可能となり、その結果、電流ブロック層が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層が薄くなったりして、電流ブロック層の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
更には、本発明の第８の態様に係る半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層、電流ブロック層、及び、第２化合物半導体層を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在し、しかも、各化合物半導体層を所定の導電型とするための不純物は、その化合物半導体層における不純物の置換サイトが、隣接する化合物半導体層を所定の導電型とするための係る隣接する化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。従って、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難く、加えて、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層やｐ型化合物半導体層と、発光部を構成するｐ型化合物半導体層やｎ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難く、その結果、電流ブロック層が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層が薄くなったりして、電流ブロック層の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
また、本発明の第９の態様、第１１の態様、第１３の態様、第１５の態様に係る半導体発光素子にあっては、少なくとも３層構成の第３化合物半導体層、あるいは、少なくとも３層構成の第４化合物半導体層を有しており、活性層の側面と接する第３Ｂ化合物半導体層あるいは第４Ｂ化合物半導体層には、比較的拡散し難い不純物である炭素（Ｃ）あるいはケイ素（Ｓｉ）が含まれている。従って、活性層の側面と接する化合物半導体層から活性層への不純物の拡散を減少させることが可能となる。一方、本発明の第１０の態様、第１２の態様、第１４の態様、第１６の態様に係る半導体発光素子にあっては、比較的拡散し難い不純物である炭素（Ｃ）あるいはケイ素（Ｓｉ）が不純物としてコ・ドープされた化合物半導体層から成る第３化合物半導体層あるいは第４化合物半導体層を備えている。従って、活性層の側面と接する化合物半導体層から活性層への不純物の拡散を減少させることが可能となる。
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
実施例１は、本発明の第１の態様（より具体的には、第１−Ａ−１の態様）、本発明の第２の態様（より具体的には第２−Ａの態様）、及び、本発明の第４の態様に係る半導体発光素子に関する。
実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例２５においては、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）及びイオウ（Ｓ）から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物（第ＶＩ族不純物）として、具体的には、セレン（Ｓｅ）を使用し、ケイ素（Ｓｉ）及び錫（Ｓｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物（第ＩＶ族不純物）として、具体的には、ケイ素（Ｓｉ）を使用し、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）及びマンガン（Ｍｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物（第ＩＩ族不純物）として、具体的には、亜鉛（Ｚｎ）を使用するが、これらに限定するものではない。
また、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例２５における半導体発光素子は、半導体レーザ、より具体的には、ＳＤＨ型半導体レーザから構成されている。
ここで、実施例１の半導体発光素子は、図１の（Ａ）に概念図を示し、模式的な一部断面図を図２３の（Ａ）に示し、拡大された模式的な一部断面図を図２３の（Ｂ）に示すように、本発明の第１の態様に沿って表せば、
（Ａ）第１導電型（実施例１にあっては、ｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型（実施例１にあっては、ｐ型）を有する第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂが順次積層された積層構造体から構成された発光部２０、並びに、
（Ｂ）発光部２０の側面に接して設けられた電流ブロック層４０、
を備えており、
電流ブロック層４０は、第１導電型（ｎ型）を有する第３化合物半導体層４３、及び、第２導電型（ｐ型）を有し、第３化合物半導体層４３に接した第４化合物半導体層４４から構成されている半導体発光素子である。図面の簡素化のため、図面においては第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを纏めて１層（第２化合物半導体層２２）で表した。
尚、図１乃至図２２のそれぞれにおける（Ａ）及び（Ｂ）にあっては、「化合物半導体層」を単に「層」と表現した。即ち、例えば、第１層とは、第１化合物半導体層を意味する。ここで、図２３の（Ｂ）に示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が形成されている。そして、第４化合物半導体層４４（ｐ型）とその上の第３化合物半導体層４３（ｎ型）とのｐｎ接合界面は、｛３１１｝Ｂ結晶面に沿って延びており、その端部が発光部２０（特に、活性層２３の側面）で接することで、新たな接合界面が２つ形成される。即ち、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ／第３化合物半導体層４３のｐｎ接合界面、第３化合物半導体層４３／第４化合物半導体層４４のｎｐ接合界面、第４化合物半導体層４４／第１化合物半導体層２１のｐｎ接合界面といった、ｐｎｐｎ接合構造から構成された電流経路が形成され、電流ブロック構造として望ましい設計である。
一方、このような積層構造とは逆に、第３化合物半導体層４３（ｎ型）と第４化合物半導体層４４（ｐ型）との位置関係を逆にして形成してもよい。そして、この場合には、第４化合物半導体層４４（ｐ型）とその下の第３化合物半導体層４３（ｎ型）とのｐｎ接合界面は、｛３１１｝Ｂ結晶面に沿って延びており、その端部が発光部２０（特に、活性層２３の側面）で接することで、新たな接合界面が２つ形成される。即ち、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ／第４化合物半導体層４４のｐｐ接合界面、第４化合物半導体層４４／第３化合物半導体層４３のｐｎ接合界面、第３化合物半導体層４３／第１化合物半導体層２１のｎｎ接合界面である。このように、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ／第４化合物半導体層４４／第３化合物半導体層４３／第１化合物半導体層２１によって、ｐｐｎｎ接合構造となってしまうが、電流ブロック層４０と発光部２０との接合面積（特に、ｎｎ接合面積）を減らすことにより、接触面における抵抗を増大させ、電流ブロック構造として望ましい設計にすることが可能になる。
そして、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。また、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層４３と接する第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
具体的には、本発明の第１−Ａ−１の態様に沿って表せば、実施例１の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、実施例１の半導体発光素子は、本発明の第２の態様に沿って表せば、
（Ａ）第１導電型（ｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型（ｐ型）を有する第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂが順次積層された積層構造体から構成された発光部２０、並びに、
（Ｂ）発光部２０の側面に接して設けられた電流ブロック層４０、
を備えている。
そして、
電流ブロック層４０は、第１導電型（ｎ型）を有する第３化合物半導体層４３、及び、第２導電型（ｐ型）を有し、第３化合物半導体層４３に接した第４化合物半導体層４４から構成されており、
第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物とは異なる。
具体的には、本発明の第２−Ａの態様に沿って表せば、実施例１の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層４３を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
あるいは又、実施例１の半導体発光素子は、本発明の第４の態様に沿って表せば、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂが順次積層された積層構造体から構成された発光部２０、並びに、
（Ｂ）発光部２０の側面に接して設けられた電流ブロック層４０、
を備えている。
そして、
電流ブロック層４０は、第１導電型を有する第３化合物半導体層４３、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層４３に接した第４化合物半導体層４４から構成されており、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層４３を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
具体的には、実施例１の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表１Ａあるいは表１Ｂに示す構成を有するが、第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、更には、電流ブロック層４０を構成する化合物半導体は、活性層２３を構成する化合物半導体と比較して、バンドギャップが大、即ち、屈折率が低い化合物半導体から成る。ここで、表１Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表１Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。尚、表１Ａ、表１Ｂ、あるいは、後述する表２Ａ、表２Ｂ、表３Ａ、表３Ｂ、表４Ａ、表４Ｂ、表５Ａ、表５Ｂ、表６Ａ、表６Ｂ、表７Ａ、表７Ｂ、表８Ａ、表８Ｂ、表９Ａ〜表９Ｌに示す積層構造にあっては、上段に記した層ほど、上層を占めている。
尚、以下の表に示す構造を有する活性層を、表１Ａ、表１Ｂ、表２Ａ、表２Ｂ、表５Ａ、表５ＢＡ、表６Ａ、表６Ｂ、表９Ａ、表９Ｃ、表９Ｅ、表９Ｇ、表９Ｉ、表９Ｋにおいては、［活性層−Ａ］と表現する。尚、この積層構造にあっては、上段に記した層ほど、上層を占めている。
［活性層−Ａ］
閉じ込め層 ・・・ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ：Ｚｎ
閉じ込め層 ・・・ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ
多重量子井戸構造・・・ｉ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ（井戸層）
ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ（障壁層）及び
ｉ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ（井戸層）
閉じ込め層 ・・・ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ
閉じ込め層 ・・・ｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ：Ｓｅ
また、以下の表に示す構造を有する活性層を、表３Ａ、表３Ｂ、表４Ａ、表４Ｂ、表７Ａ、表７Ｂ、表８Ａ、表８Ｂ、表９Ｂ、表９Ｄ、表９Ｆ、表９Ｈ、表９Ｊ、表９Ｌにおいては、［活性層−Ｂ］と表現する。尚、この積層構造にあっては、上段に記した層ほど、上層を占めている。
［活性層−Ｂ］
閉じ込め層 ・・・ｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ：Ｓｅ
閉じ込め層 ・・・ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ
多重量子井戸構造・・・ｉ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ（井戸層）
ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ（障壁層）及び
ｉ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ（井戸層）
閉じ込め層 ・・・ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ
閉じ込め層 ・・・ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ：Ｚｎ
［表１Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
埋込み層３１ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と埋込み層３１との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する埋込み層３１の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表１Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
埋込み層３１ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）埋込み層３１は、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込み層３１と第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と電流ブロック層位置調整層３０との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する電流ブロック層位置調整層３０の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例２５における半導体発光素子にあっては、発光部２０は、基板１０の発光部形成領域１１に形成されている。尚、基板１０の発光部形成領域１１は、｛１００｝面から成る基板１０の主面に形成されており、｛１１０｝Ａ面方向（図示した例では［０１１］Ａ面方向）に延び、頂面が｛１００｝面（図示した例では（１００）面）である突起部から構成されている。尚、基板１０は、ＧａＡｓ基板から成り、基板１０の導電型は、第１化合物半導体層の導電型と同じである。また、発光部形成領域１１は、所謂メサ構造（凸部）を有する。そして、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例２５における半導体発光素子にあっては、積層構造体（発光部２０）の対向する側面は｛１１１｝Ｂ面（より具体的には、（１１−１）Ｂ面及び（１−１１）Ｂ面）から構成されている。
また、電流ブロック層の一部を構成する第３化合物半導体層４３は、
発光部２０の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域（より具体的には、（３１−１）Ｂ面及び（３−１１）Ｂ面）、
基板１０の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び、
｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域（より具体的には、（ｈ１−１）Ｂ面及び（ｈ−１１）Ｂ面であり、ここで、ｈは４以上の整数である）、
から構成されている。尚、｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域（但し、ｈは４以上の整数）を、便宜上、高次の結晶面領域と呼ぶ。
更には、第３化合物半導体層４３の下に形成された第４化合物半導体層４４も、
第３化合物半導体層４３と同様に、発光部２０の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域、
基板１０の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び、
｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する高次の結晶面領域、
から構成されている。
尚、後述する実施例２〜実施例２５における半導体発光素子においても、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４は、層の上下の位置関係を除き、また、第３Ｂ化合物半導体層若しくは第４Ｂ化合物半導体層が設けられている場合を除き、基本的には、上記の構造と同様の構造を有する。
実施例１の半導体発光素子にあっては、基板１０に設けられたメサ構造から成る発光部形成領域１１の上（凸部の｛１００｝面の上であり、凸部面の上と呼ぶ）に、順次、第１導電型を有するＧａＡｓから成るバッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２Ａが形成され、第２化合物半導体層２２Ａ上には、更に、第２化合物半導体層２２Ｂが形成され、頂点を形成している。ここで、｛０１１｝Ａ面で発光部形成領域１１を切断したときの第２化合物半導体層２２Ｂを含む発光部２０の断面形状は三角形であり、発光部２０の側面は、上述したとおり、｛１１１｝Ｂ面から構成されている。第２化合物半導体層２２Ａと第２化合物半導体層２２Ｂの組成を変えることで、断面形状が三角形の発光部２０を正確に形成することができる。一般に、ＭＯＣＶＤ法（ＭＯＶＰＥ法とも呼ばれる）においては、特殊な結晶成長条件を除けば、｛１１１｝Ｂ面は、Ａｓトリマーで覆われた非成長面として知られている。従って、ＳＤＨ型半導体レーザの場合、斜面（側面）が｛１１１｝Ｂ面である発光部２０が形成されると、その後、ＭＯＣＶＤを継続しても、発光部の結晶成長は「自己成長停止」が保持される。尚、｛１１１｝Ｂ面の角度は５４．７度である。尚、成長条件等によっては、断面形状が三角形の部分を発光部２０のみから構成することもできる。
一方、凸部を除く基板の主面である｛１００｝面（図示した例では、（１００）面）の部分（便宜上、凹部面と呼ぶ）にあっては、発光部２０と同じ構造、電流ブロック層位置調整層３０（実質的に第２化合物半導体層２９の続きである）、電流ブロック層４０、及び、埋込み層（埋込み用クラッド層）３１が順次形成されている。
また、全体は、第２導電型を有するＧａＡｓから成るコンタクト層（キャップ層）３２によって覆われている。そして、基板１０の裏面には、第１電極５１が形成されており、コンタクト層（キャップ層）３２上には第２電極５２が形成されている。
後述する実施例２〜実施例２５の半導体発光素子も、基本的には、第３Ｂ化合物半導体層若しくは第４Ｂ化合物半導体層が設けられている場合を除き、上述の構造と同様の構造を有する。
実施例１の半導体発光素子は、例えば、以下に説明する方法に基づき製造することができる。
［工程−１００］
先ず、ｎ−ＧａＡｓから成る基板１０の｛１００｝結晶面、例えば（１００）結晶面から成る主面上に、所要の幅を有し、［０１１］Ａ方向に延びるストライプ状のエッチングマスクをフォトリソグラフィ技術に基づき形成し、このエッチングマスクを用い、例えばＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とＨ2Ｏとが３：１：１の割合で混合されたエッチング液によって主面をウエット・エッチングすることで、［０１１］Ａ方向に延びる発光部形成領域１１を形成する。尚、発光部形成領域１１の幅方向は、［０−１１］Ｂ方向に平行である。その後、エッチングマスクを除去する。こうして、図２４の（Ａ）に示す構造を得ることができる。尚、発光部形成領域１１には、｛１１１｝Ｂ面から構成された斜面（側面）が形成される。
［工程−１１０］
次いで、通常のＭＯＣＶＤ法、即ち、有機金属や水素化合物を原料ガスとするＭＯＣＶＤ法に基づき、凸部面及び凹部面の上に、バッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂをエピタキシャル成長させる。このとき、凸部面の化合物半導体層の斜面（側面）は｛１１１｝Ｂ面から構成され、上述したとおり、｛１１１｝Ｂ面は非成長面である。従って、バッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂは、凸部面の上の領域と、凹部面の上の領域とでは、分断された状態で形成（積層）される。こうして、図２４の（Ｂ）に示す構造を得ることができる。
尚、発光部形成領域１１（凸部面）の幅と深さを適切に選択し、更には、バッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂの厚さを適切に選択することで、発光部形成領域１１（凸部面）の上に、断面が三角形である発光部２０の積層構造を得ることができる。
［工程−１２０］
その後、第２化合物半導体層２２Ｂの形成に連続して、全面に、電流ブロック層位置調整層３０をＭＯＣＶＤ法に基づき形成し、更に、例えば、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する（図２５参照）。電流ブロック層４０は、｛１１１｝Ｂ面上には成長しない。また、電流ブロック層４０の端面が、少なくとも活性層２３の側面を覆うように、電流ブロック層４０を形成する。尚、このような構成、構造は、電流ブロック層位置調整層３０の厚さを適切に選択することで達成することができる。尚、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４の構成、構造は、上述したとおりである。
［工程−１３０］
次いで、全面に、埋込み層３１及びコンタクト層（キャップ層）３２を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。即ち、ＭＯＣＶＤを継続すると、やがて凹部面から結晶成長する化合物半導体から成る埋込み層３１が、自己成長停止している発光部２０を完全に埋め尽くすようになる。その後、コンタクト層３２上に第２電極５２を真空蒸着法に基づき形成し、一方、基板１０を裏面側から適切な厚みにラッピングした後、第１電極５１を真空蒸着法に基づき形成する。
［工程−１４０］
その後、各半導体発光素子を分離することによって、半導体発光素子を得ることができる。尚、後述する実施例２〜実施例２５の半導体発光素子も、基本的には、以上に説明した方法と同様の方法に基づき作製することができる。
ところで、［工程−１２０］において、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３から成る電流ブロック層４０をＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。ここで、第４化合物半導体層４４はｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成り、第３化合物半導体層４３は、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉから成る。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物（Ｓｉ）の第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。また、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための不純物（Ｚｎ）の第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトも、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
従って、第３化合物半導体層４３を成膜した後、第４化合物半導体層４４、埋込み層３１を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第３化合物半導体層４３と第４化合物半導体層４４との間で不純物相互拡散が生じ難い。また、電流ブロック層４０と、電流ブロック層４０に接する上下の２層との間の不純物相互拡散も生じ難い。その結果、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
また、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）が、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層２１と第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂとの間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。
ここで、実施例１の半導体発光素子にあっては、発光部形成領域１１（凸部面）の上に形成された活性層２３は、活性層２３よりも屈折率が低い電流ブロック層４０によって横方向（側面）が囲まれ、活性層２３よりも屈折率が低い第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂによって上下方向が囲まれている。従って、活性層２３の上下方向及び横方向は完全なる光閉込め構造となっている。しかも、凹部面の上にあっては、活性層２３の側面近傍は、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造（ｐ型埋込み層３１−ｎ型第３化合物半導体層４３−ｐ型第４化合物半導体層４４、ｐ型電流ブロック層位置調整層３０（ｐ型第２化合物半導体層２２Ｂ）及びｐ型第２化合物半導体層２２Ａ−ｎ型第１化合物半導体層２１）の、いわばサイリスタ構造が形成される。従って、凹部面において電流が流れることが阻止され、これによって活性層２３に電流が集中し、低閾値電流化を図ることができる。ここで、ｐ型電流ブロック層位置調整層３０は、ｐ型第４化合物半導体層４４あるいはｐ型第２化合物半導体層２２Ｂと見做すこともできる。後述する実施例２、実施例５、実施例６においても、同様である。
図２３には、電流ブロック層４０の端面が活性層２３の側面に接している構造を示したが、電流ブロック層４０の端面は、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂの側面に接している構造としてもよいし、第１化合物半導体層２１の側面に接している構造としてもよく、これによっても、リーク電流を実用上抑制することが可能である。しかしながら、望ましくは、電流ブロック層４０と発光部２０とが接する端面の位置としては、少なくとも電流ブロック層４０の一部が、活性層２３の側面と接していることが望ましい。後述する実施例２〜実施例９においても、同様である。
表１Ａに示した実施例１の半導体発光素子の断面写真を図２６の（Ａ）に示す。また、比較例１の半導体発光素子の断面写真を図２６の（Ｂ）に示す。更には、実施例１及び比較例１の半導体発光素子の発光状態（ニア・フィールド・パターン，Near Field Pattern，ＮＦＰ）を撮影した写真を図２７の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。
ここで、比較例１にあっては、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物をセレン（Ｓｅ）とした。即ち、比較例１にあっては、第３化合物半導体層を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）が、第４化合物半導体層を第２導電型（ｐ型）とするための第４化合物半導体層における不純物（Ｚｎ）の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物（Ｓｅ）から成る。比較例１にあっては、［工程−１２０］と同様の工程において、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層から成る電流ブロック層を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成するが、第３化合物半導体層は、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅから成り、第４化合物半導体層はｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る。その結果、第３化合物半導体層４３を積層した後、第４化合物半導体層４４を積層したとき、電流ブロック層を構成する第３化合物半導体層と第４化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じてしまい、電流ブロック層の一部分（高次の結晶面領域の一部分）が消滅してしまった（図２６の（Ｂ）参照）。表１Ａに示した実施例１にあっては、電流ブロック層４０は一部分ですら、消滅していない。また、比較例１にあっては、図２７の（Ｂ）に示すように、電流ブロック層の一部消滅によって生じた顕著な電流リークの様子が、ＮＦＰ評価による明暗によって観察された。
尚、図２７の（Ａ）に示す実施例１の半導体発光素子の発光状態（自然放出光の状態）を撮影した写真にあっては、１箇所にのみ、明るい発光領域が撮影されており、係る明るい発光領域は発光部に相当する。一方、図２７の（Ｂ）に示す比較例１の半導体発光素子の発光状態を撮影した写真にあっては、３箇所の明るい領域が撮影されており、真ん中の１箇所の発光領域が活性層２３からの自然放出光に相当し、左右の２箇所の裾周辺における明暗は、第３化合物半導体層４３の部分的消滅に起因している。上述したとおり、第３化合物半導体層４３は第４化合物半導体層に接しているので、比較例１にあっては、高次の結晶面領域は不純物相互拡散の影響によって消滅し易い。ここで、消滅している領域と消滅していない領域との区別は、ＮＦＰの明暗の様子によって容易に区別することができ、注入電流がリークし易い領域への電流集中が生じるので、ＮＦＰの明暗の変化によって、リーク領域を特定することが可能である。
更には、表１Ａに示した実施例１及び比較例１の半導体発光素子における閾値電流の測定結果、及び、スロープ効率の測定結果を図２８の（Ａ）に示す。尚、実施例１の結果を図２８の（Ａ）においては「Ａ」で示し、比較例１の結果を図２８の（Ａ）においては「Ｂ」で示す。図２８の（Ａ）あるいは後述する図２８の（Ｂ）、図３０の横軸は半導体発光素子に流す電流の値であり、縦軸は光出力である。
比較例１にあっては、実施例１と比較して、漏れ電流が多いので、スロープ効率が低く、閾値電流の値が大きいことが判る。
しかも、ＭＯＣＶＤ法により、結晶成長中に結晶に不純物が取り込まれる効率に関して、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物であるケイ素（Ｓｉ）を用いた場合、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物であるセレン（Ｓｅ）を用いた場合よりも、面方位依存性（結晶面方位依存性）が非常に小さい（例えば、Makoto Kondo, et. al., "Crystallographic orientation dependance of impurity incorporation into III-V compound semiconductors grown by metalorganic vapor phase epitaxy", J.Appl. Phys., 76(2). 15 July 1994 参照）。更には、第３化合物半導体層４３の成膜時、ケイ素（Ｓｉ）を添加するための原料ガスとして、Ｓｉ2Ｈ6（ジシラン）ガスを用いることが好ましい。その最大の理由は、Ｓｉ2Ｈ6（ジシラン）ガスを用いると、Ａ面結晶に取り込まれるＳｉ不純物の結晶面方位依存性がより小さくなるように改善できるからである。このため、一般的なＡ面結晶を利用する半導体レーザである半導体発光素子や本発明におけるＳＤＨレーザ（Ｂ面結晶を利用する半導体発光素子）等で、Ｓｉ2Ｈ6（ジシラン）ガスを用いれば、Ａ面結晶、Ｂ面結晶を用いた半導体発光素子の不純物ドーピングにおいて、結晶面方位依存性を考慮する必要が無くなり、Ｓｉドーピング制御が非常に容易になる。後述する各実施例においても同様である。
ここで、結晶成長温度及び不純物の原料ガス供給料を一定とし、横軸を、Ｂ面のオフ角（｛１００｝面に対する傾斜角度）、又は、Ａ面のオフ角（｛１００｝面に対する傾斜角度）、縦軸を単層結晶膜の不純物濃度として、グラフに特性をプロットしたとき、フラットなプロットになる程、結晶面方位依存性が小さいと云える。特に、比較によって評価する場合、フラットなプロットに近くなるもの程、結晶面方位依存性が小さいと云える。実施例３、実施例５、実施例７においても同様である。
従って、第３化合物半導体層４３の形成（成膜）においては、第３化合物半導体層４３は、発光部２０の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域、基板１０の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び、｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する高次の結晶面領域が形成されるが、これらの領域への不純物としてのＳｉのドーピング濃度の変動が小さい。その結果、安定した（均一な）不純物濃度を有する第３化合物半導体層４３の形成（積層）が可能となり、第３化合物半導体層４３と接する別の伝導型を有する層との濃度バランスの調整が容易になる。従って、高い電流阻止能力を有する電流ブロック層４０を得ることができる。しかも、安定した不純物濃度を有する第３化合物半導体層４３の形成（積層）が可能になるので、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３を形成したとき、あるいは又、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４を形成したとき、第３化合物半導体層４３や第４化合物半導体層４４が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を一層確実に回避することができる。
実施例２は、実施例１の変形であり、本発明の第１−Ｂ−１の態様、及び、本発明の第２−Ｂの態様に関する。
具体的には、図４の（Ａ）に概念図を示すように、本発明の第１−Ｂ−１の態様に沿って表せば、実施例２の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、本発明の第２−Ｂの態様に沿って表せば、実施例２の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である。
より具体的には、実施例２の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表２Ａあるいは表２Ｂに示す構成を有する。ここで、表２Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表２Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表２Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と埋込み層との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層が形成されていると見做すこともできる。
［表２Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）埋込み層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込み層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する電流ブロック層位置調整層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
実施例２にあっては、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトも、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、更に、第４化合物半導体層と接する第３化合物半導体層における不純物の置換サイトも、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。即ち、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第４化合物半導体層を第２導電型（ｐ型）とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合する不純物から成り、更に、第４化合物半導体層と接する第３化合物半導体層を第１導電型（ｎ型）とするための不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）とも競合する不純物から成る。従って、第４化合物半導体層を成膜したとき、電流ブロック層を構成する第４化合物半導体層と第１Ａ化合物半導体層との間で、あるいは又、第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間で、不純物相互拡散が生じ難く、高い信頼性を有する電流ブロック層を形成することができる。尚、第４化合物半導体層と第３化合物半導体層とで構成されている電流ブロック層における不純物の相互拡散の抑制は、｛３１１｝Ｂ面や高次面における抑制効果であるのに対して、第４化合物半導体層と第１Ａ化合物半導体層との界面における不純物の相互拡散の抑制は、｛１１１｝Ｂ面界面における抑制効果である点で異なる。
実施例３も、実施例１の変形であり、本発明の第１−Ｃ−１の態様、及び、本発明の第２−Ｃの態様に関し、更には、本発明の第６の態様に関する。尚、実施例３あるいは後述する実施例４における導電型を、実施例１における導電型と逆とした。即ち、実施例３あるいは後述する実施例４における第１導電型はｐ型であり、第２導電型はｎ型である。
具体的には、図７の（Ａ）に概念図を示し、図２９の（Ａ）に模式的な一部断面図を示し、拡大された模式的な一部断面図を図２９の（Ｂ）に示すように、本発明の第１−Ｃ−１の態様に沿って表せば、実施例３の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、本発明の第２−Ｃの態様に沿って表せば、実施例３の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層４３を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
更には、本発明の第６の態様に沿って表せば、実施例３の半導体発光素子にあっては、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂが順次積層された積層構造体から構成された発光部２０、並びに、
（Ｂ）発光部２０の側面に接して設けられた電流ブロック層４０、
を備えている。
そして、
電流ブロック層４０は、第１導電型（ｐ型）を有する第３化合物半導体層４３、及び、第２導電型（ｎ型）を有し、第３化合物半導体層４３に接した第４化合物半導体層４４から構成されており、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層４３を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例３の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表３Ａあるいは表３Ｂに示す構成を有する。ここで、表３Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表３Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。
［表３Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
埋込み層３１ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と埋込み層３１との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する埋込み層３１の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表３Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
埋込み層３１ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）埋込み層３１は、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込み層３１と第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と電流ブロック層位置調整層３０との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する電流ブロック層位置調整層３０の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
実施例３にあっても、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程において、例えば、電流ブロック層位置調整層３０、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。ここで、第３化合物半導体層４３は、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃから成り、第４化合物半導体層４４はｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅから成る。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｐ型）とするための不純物（Ｃ）の第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。また、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｎ型）とするための不純物（Ｓｅ）の第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトも、Ｖ族原子が占めるサイトである。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
従って、第３化合物半導体層４３を成膜した後、第４化合物半導体層４４を成膜したとき、あるいは又、第４化合物半導体層４４を成膜した後、第３化合物半導体層４３を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第３化合物半導体層４３と第４化合物半導体層４４との間で不純物相互拡散が生じ難い。その結果、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
また、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｐ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｎ型）とするための第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層２１と第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂとの間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。
ここで、実施例３の半導体発光素子にあっても、発光部形成領域１１（凸部面）の上に形成された活性層２３は、活性層２３よりも屈折率が低い電流ブロック層４０によって横方向（側面）が囲まれ、活性層２３よりも屈折率が低い第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂによって上下方向が囲まれている。従って、活性層２３の上下方向及び横方向は完全なる光閉込め構造となっている。しかも、凹部面の上にあっては、活性層２３の側面近傍は、ｎ−ｐ−ｎ−ｐ構造（ｎ型埋込み層３１−ｐ型第３化合物半導体層４３−ｎ型第４化合物半導体層４４−ｎ型電流ブロック層位置調整層３０（ｎ型第２化合物半導体層２２Ｂ）及びｎ型第２化合物半導体層２２Ａ−ｐ型第１化合物半導体層２１）の、いわばサイリスタ構造が形成される。従って、凹部面において電流が流れることが阻止され、これによって活性層２３に電流が集中し、低閾値電流化を図ることができる。ここで、ｎ型電流ブロック層位置調整層３０は、ｎ型第４化合物半導体層４４あるいは、ｎ型第２化合物半導体層２２Ｂと見做すこともできる。後述する実施例４、実施例７、実施例８においても、同様である。
ＭＯＣＶＤ法において、第３化合物半導体層４３の成膜時、炭素（Ｃ）を添加するための原料ガスとして、ＩＩＩ族原子用の原料ガスの分解で得られるメチル基あるいはエチル基を意図的に用いればよいし、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法において、第３化合物半導体層４３の成膜時、ＣＢｒ4ガスやＣＣｌ4ガスを添加してもよい。
実施例４は、実施例１及び実施例３の変形であり、本発明の第１−Ｄ−１の態様、及び、本発明の第２−Ｄの態様に関する。
具体的には、図１０の（Ａ）に概念図を示すように、本発明の第１−Ｄ−１の態様に沿って表せば、実施例４の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、本発明の第２−Ｄの態様に沿って表せば、実施例４の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である。
より具体的には、実施例４の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表４Ａあるいは表４Ｂに示す構成を有する。ここで、表４Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表４Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表４Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と埋込み層との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する埋込み層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表４Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）埋込み層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込み層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する電流ブロック層位置調整層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
実施例４において、図１０の（Ａ）に示した例と異なり、表４Ｂに示したように、第４化合物半導体層を下とし、第３化合物半導体層を上とする積層構造を形成した場合、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトも、Ｖ族原子が占めるサイトであり、更に、第４化合物半導体層と接する第３化合物半導体層における不純物の置換サイトも、Ｖ族原子が占めるサイトである。即ち、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型（ｐ型）とするための不純物は、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）が、第４化合物半導体層を第２導電型（ｎ型）とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）と競合する不純物から成り、更に、第４化合物半導体層と接する第３化合物半導体層を第１導電型（ｐ型）とするための不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）とも競合する不純物から成る。従って、第４化合物半導体層を成膜したとき、電流ブロック層を構成する第４化合物半導体層と第１Ａ化合物半導体層との間、あるいは、第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間で、不純物相互拡散が生じ難く、高い信頼性を有する電流ブロック層を形成することができる。その結果、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を、より一層効果的に回避することができる。
実施例５は、本発明の第１の態様（より具体的には、第１−ａ−１の態様）、本発明の第３の態様（より具体的には第３−ａの態様）、及び、本発明の第５の態様に係る半導体発光素子に関する。
具体的には、実施例５の半導体発光素子は、図１の（Ｂ）に概念図を示すように、本発明の第１−ａ−１の態様に沿って表せば、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。尚、実施例５の半導体発光素子の模式的な一部断面図は、図２３の（Ａ）及び（Ｂ）に示したと同様である。
あるいは又、本発明の第３の態様に沿って表せば、実施例５の半導体発光素子にあっては、
（Ａ）第１導電型（実施例５にあっては、ｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型（実施例５にあっては、ｐ型）を有する第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂが順次積層された積層構造体から構成された発光部２０、並びに、
（Ｂ）発光部２０の側面に接して設けられた電流ブロック層４０、
を備えている。
そして、
電流ブロック層４０は、第１導電型（ｎ型）を有する第３化合物半導体層４３、及び、第２導電型（ｐ型）を有し、第３化合物半導体層４３に接した第４化合物半導体層４４から構成されており、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための不純物は、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための不純物とは異なる。
具体的には、本発明の第３−ａの態様に沿って表せば、実施例５の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層４４を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
あるいは又、実施例５の半導体発光素子は、本発明の第５の態様に沿って表せば、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂが順次積層された積層構造体から構成された発光部２０、並びに、
（Ｂ）発光部２０の側面に接して設けられた電流ブロック層４０、
を備えている。
そして、
電流ブロック層４０は、第１導電型を有する第３化合物半導体層４３、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層４３に接した第４化合物半導体層４４から構成されており、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層４４を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例５の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表５Ａあるいは表５Ｂに示す構成を有する。ここで、表５Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表５Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。
［表５Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
埋込み層３１ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と埋込み層３１との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する埋込み層３１の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表５Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
埋込み層３１ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）埋込み層３１は、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込み層３１と第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と電流ブロック層位置調整層３０との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する電流ブロック層位置調整層３０の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
実施例５にあっても、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程において、例えば、電流ブロック層位置調整層３０、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。ここで、第４化合物半導体層４４はｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃから成り、第３化合物半導体層４３は、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅから成る。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物（Ｓｅ）の第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。また、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための不純物（Ｃ）の第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトも、Ｖ族原子が占めるサイトである。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。尚、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層２２を第２導電型とするための不純物よりも、結晶内への不純物取り込み量の面方位依存性が小さい。
従って、第４化合物半導体層４４を成膜した後、第３化合物半導体層４３を成膜したとき、あるいは又、第３化合物半導体層４３を成膜した後、第４化合物半導体層４４を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第３化合物半導体層４３と第４化合物半導体層４４との間で不純物相互拡散が生じ難い。その結果、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
また、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）が、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層２１と第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂとの間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。
ここで、実施例５の半導体発光素子にあっても、発光部形成領域１１（凸部面）の上に形成された活性層２３は、活性層２３よりも屈折率が低い電流ブロック層４０によって横方向（側面）が囲まれ、活性層２３よりも屈折率が低い第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂによって上下方向が囲まれている。従って、活性層２３の上下方向及び横方向は完全なる光閉込め構造となっている。しかも、凹部面の上にあっては、活性層２３の側面近傍は、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造（ｐ型埋込み層３１−ｎ型第３化合物半導体層４３−ｐ型第４化合物半導体層４４、ｐ型電流ブロック層位置調整層３０（ｎ型第２化合物半導体層２２Ｂ）及びｐ型第２化合物半導体層２２Ａ−ｎ型第１化合物半導体層２１）の、いわばサイリスタ構造が形成される。従って、凹部面において電流が流れることが阻止され、これによって活性層２３に電流が集中し、低閾値電流化を図ることができる。
実施例６は、実施例５の変形であり、本発明の第１−ｂ−１の態様、及び、本発明の第３−ｂの態様に関する。
具体的には、図４の（Ｂ）に概念図を示すように、本発明の第１−ｂ−１の態様に沿って表せば、実施例６の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、本発明の第３−ｂの態様に沿って表せば、実施例６の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例６の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表６Ａあるいは表６Ｂに示す構成を有する。ここで、表６Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表６Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表６Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｃ（又はＺｎ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と埋込み層との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層が形成されていると見做すこともできる。
［表６Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｃ（又はＺｎ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）埋込み層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込み層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する電流ブロック層位置調整層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
実施例７も、実施例５の変形であり、本発明の第１−ｃ−１の態様、及び、本発明の第３−ｃの態様に関し、更には、本発明の第７の態様に関する。尚、実施例７あるいは後述する実施例８における導電型を、実施例５における導電型と逆とした。即ち、実施例７あるいは後述する実施例８における第１導電型はｐ型であり、第２導電型はｎ型である。
具体的には、図７の（Ｂ）に概念図を示すように、本発明の第１−ｃ−１の態様に沿って表せば、実施例７の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。尚、実施例７の半導体発光素子の模式的な一部断面図は、図２９の（Ａ）及び（Ｂ）に示したと同様である。
あるいは又、本発明の第３−ｃの態様に沿って表せば、実施例７の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層４４を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
更には、本発明の第７の態様に沿って表せば、実施例７の半導体発光素子にあっては、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂが順次積層された積層構造体から構成された発光部２０、並びに、
（Ｂ）発光部２０の側面に接して設けられた電流ブロック層４０、
を備えている。
そして、
電流ブロック層４０は、第１導電型を有する第３化合物半導体層４３、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層４３に接した第４化合物半導体層４４から構成されており、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層４４を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
より具体的には、実施例７の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表７Ａあるいは表７Ｂに示す構成を有する。ここで、表７Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表７Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。
［表７Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
埋込み層３１ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と埋込み層３１との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する埋込み層３１の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表７Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
埋込み層３１ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）埋込み層３１は、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込み層３１と第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と電流ブロック層位置調整層３０との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する電流ブロック層位置調整層３０の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
実施例７にあっても、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程において、例えば、電流ブロック層位置調整層３０、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。ここで、第３化合物半導体層４３は、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成り、第４化合物半導体層４４はｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉから成る。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｐ型）とするための不純物（Ｚｎ）の第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。また、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｎ型）とするための不純物（Ｓｉ）の第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトも、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
従って、第３化合物半導体層４３を成膜した後、第４化合物半導体層４４を成膜したとき、あるいは又、第４化合物半導体層４４を成膜した後、第３化合物半導体層４３を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第３化合物半導体層４３と第４化合物半導体層４４との間で不純物相互拡散が生じ難い。その結果、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
また、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｐ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｎ型）とするための第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層２１と第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂとの間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。
ここで、実施例７の半導体発光素子にあっても、発光部形成領域１１（凸部面）の上に形成された活性層２３は、活性層２３よりも屈折率が低い電流ブロック層４０によって横方向（側面）が囲まれ、活性層２３よりも屈折率が低い第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂによって上下方向が囲まれている。従って、活性層２３の上下方向及び横方向は完全なる光閉込め構造となっている。しかも、凹部面の上にあっては、活性層２３の側面近傍は、ｎ−ｐ−ｎ−ｐ構造（ｎ型埋込み層３１−ｐ型第３化合物半導体層４３−ｎ型第４化合物半導体層４４−ｎ型電流ブロック層位置調整層３０（ｎ型第２化合物半導体層２２Ｂ）及びｎ型第２化合物半導体層２２Ａ−ｐ型第１化合物半導体層２１）の、いわばサイリスタ構造が形成される。従って、凹部面において電流が流れることが阻止され、これによって活性層２３に電流が集中し、低閾値電流化を図ることができる。
しかも、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｎ型）とするための不純物であるケイ素（Ｓｉ）は、第２化合物半導体層２１を第２導電型（ｎ型）とするための不純物であるセレン（Ｓｅ）よりも面方位依存性が小さい。従って、第３化合物半導体層４３の形成（成膜）においては、第３化合物半導体層４３は、発光部２０の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域、基板１０の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び、｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する高次の結晶面領域が形成されるが、これらの領域への不純物としてのＳｉのドーピング濃度の変動が小さい。その結果、安定した（均一な）不純物濃度を有する第３化合物半導体層４３の形成（積層）が可能になり、第３化合物半導体層４３と接する別の伝導型を有する層との濃度バランスの調整が容易になる。従って、高い電流阻止能力を有する電流ブロック層４０を得ることができる。しかも、安定した不純物濃度を有する第３化合物半導体層４３の形成（積層）が可能になるので、第３化合物半導体層４３上に第４化合物半導体層４４を形成したとき、あるいは又、第４化合物半導体層４４上に第３化合物半導体層４３を形成したとき、第３化合物半導体層４３や第４化合物半導体層４４が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を一層確実に回避することができる。
実施例８は、実施例５及び実施例７の変形であり、本発明の第１−ｄ−１の態様、及び、本発明の第３−ｄの態様に関する。
具体的には、図１０の（Ｂ）に概念図を示すように、本発明の第１−ｄ−１の態様に沿って表せば、実施例８の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、本発明の第３−ｄの態様に沿って表せば、実施例８の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
より具体的には、実施例８の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表８Ａあるいは表８Ｂに示す構成を有する。ここで、表８Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表８Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表８Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と埋込み層との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する埋込み層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表８Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）埋込み層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込み層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する電流ブロック層位置調整層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
実施例９は、本発明の第８の態様（より具体的には、第８−Ａ−１の態様）に係る半導体発光素子に関する。実施例９の半導体発光素子は、図１３の（Ａ）に概念図を示し、図２３の（Ａ）に模式的な一部断面図を示し、拡大された模式的な一部断面図を図２３の（Ｂ）に示したと同様に、
（Ａ）第１導電型（実施例９にあっては、ｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型（実施例９にあっては、ｐ型）を有する第２化合物半導体層２２が順次積層された積層構造体から構成された発光部２０、並びに、
（Ｂ）発光部２０の側面に接して設けられた電流ブロック層４０、
を備えている。
電流ブロック層４０は、少なくとも、第２導電型を有する第４化合物半導体層４４、及び、第１導電型を有する第３化合物半導体層４３が順次積層された積層構造体から構成されている。そして、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層２１を第１導電型とするための第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。また、第２化合物半導体層２２を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層２２における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。更には、第１化合物半導体層２１、電流ブロック層４０、及び、第２化合物半導体層２２を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在する。
第４化合物半導体層４４は第１化合物半導体層２１の側面と接しており、第３化合物半導体層４３は第２化合物半導体層２２の側面と接している。そして、具体的には、迂回経路は、第１化合物半導体層２１、第４化合物半導体層４４、第３化合物半導体層４３、及び、第２化合物半導体層２２から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層２１の側面／第４化合物半導体層４４、第４化合物半導体層４４／第３化合物半導体層４３、及び、第３化合物半導体層４３／第２化合物半導体層２２の側面の３つである。
実施例９の半導体発光素子にあっても、第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。あるいは又、後述するように、第１Ａ化合物半導体層２１Ａ、第１Ｂ化合物半導体層２１Ｂ、第２化合物半導体層２２、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、あるいは又、第１化合物半導体層２１、第２Ａ化合物半導体層２２Ａ、第２Ｂ化合物半導体層２２Ｂ、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。
ここで、実施例９にあっては、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層２２における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。そして、第１化合物半導体層２１及び第３化合物半導体層４３を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、ケイ素，Ｓｉ）であり、第２化合物半導体層２２及び第４化合物半導体層４４を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、亜鉛，Ｚｎ）である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表９Ａに示す構成を有する。
［表９Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
埋込み層３１ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、電流ブロック層位置調整層３０と第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
ここで、図２３の（Ｂ）に示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が形成されている。そして、第３化合物半導体層４３（ｎ型）とその下の第４化合物半導体層４４（ｐ型）とのｐｎ接合界面は、｛３１１｝Ｂ結晶面に沿って延びており、その端部が発光部２０（特に、活性層２３の側面）で接することで、新たな接合界面が２つ形成される。即ち、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ／第３化合物半導体層４３のｐｎ接合界面、第３化合物半導体層４３／第４化合物半導体層４４のｎｐ接合界面、第４化合物半導体層４４／第１化合物半導体層２１のｐｎ接合界面といった、ｐｎｐｎ接合構造から構成された電流経路が形成され、電流ブロック構造として望ましい設計である。
しかも、実施例９にあっては、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイト、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層２２における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。即ち、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合する不純物から成る。また、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合する不純物から成る。更には、第２化合物半導体層２２を第２導電型（ｐ型）とするための不純物は、第２化合物半導体層２２における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合する不純物から成る。従って、第４化合物半導体層４４を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第４化合物半導体層４４と第１化合物半導体層２１との間で不純物相互拡散が生じ難く、また、第３化合物半導体層４３を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第３化合物半導体層４３と第４化合物半導体層４４との間で、あるいは又、第３化合物半導体層４３と第２化合物半導体層２２との間で、不純物相互拡散が生じ難く、高い信頼性を有する電流ブロック層４０を形成することができる。即ち、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を確実に回避することができる。
尚、以上の点を除き、実施例９の半導体発光素子は、基本的に、実施例１の半導体発光素子と同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。
以下、実施例９の半導体発光素子の変形例を説明する。
図１３の（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−Ａ−２の態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｂに示す構成を有する。尚、表９Ａの（注１）及び（注２）と同じ注が付される（後述する表９Ｃ〜表９Ｊにおいても同様）。
［表９Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
図１４の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−ａの態様に係る半導体発光素子であり、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
そして、図１４の（Ａ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−ａ−１の態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｃに示す構成を有する。
［表９Ｃ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第２化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図１４の（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−ａ−２の態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｄに示す構成を有する。
［表９Ｄ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
図１５の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−Ｂの態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。尚、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。具体的には、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
そして、図１５の（Ａ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−Ｂ−１の態様に係る半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｅに示す構成を有する。
［表９Ｅ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図１５の（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−Ｂ−２の態様に係る半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｆに示す構成を有する。
［表９Ｆ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図１５の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図１６の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっては、
第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第６化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図１６の（Ａ）にあっては第ＩＶ族不純物，Ｓｉであり、図１６の（Ｂ）にあっては第ＩＩ族不純物，Ｚｎである）から成り、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層（第１Ａ化合物半導体層及び第１Ｂ化合物半導体層）、第６化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
図１７の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−ｂの態様に係る半導体発光素子であり、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
そして、図１７の（Ａ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−ｂ−１の態様に係る半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｇに示す構成を有する。
［表９Ｇ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図１７の（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−ｂ−２の態様に係る半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｈに示す構成を有する。
［表９Ｈ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図１７の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図１８の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっても、
第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第６化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図１８の（Ａ）にあっては第ＶＩ族不純物，Ｓｅであり、図１８の（Ｂ）にあっては炭素（Ｃ）である）から成り、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層（第１Ａ化合物半導体層及び第１Ｂ化合物半導体層）、第６化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
図１９の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−Ｃの態様に係る半導体発光素子であり、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。尚、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。具体的には、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
そして、図１９の（Ａ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−Ｃ−１の態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｉに示す構成を有する。
［表９Ｉ］
（発光部の構成）
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図１９の（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−Ｃ−２の態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｊに示す構成を有する。
［表９Ｊ］
（発光部の構成）
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図１９の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図２０の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっては、
第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第５化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図２０の（Ａ）にあっては第ＩＩ族不純物，Ｚｎであり、図２０の（Ｂ）にあっては第ＩＶ族不純物，Ｓｉである）から成り、
第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、第５化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層（第２Ａ化合物半導体層及び第２Ｂ化合物半導体層）から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の３つである。
図２１の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−ｃの態様に係る半導体発光素子であり、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
そして、図２１の（Ａ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−ｃ−１の態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｋに示す構成を有する。
［表９Ｋ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図２１の（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第８−ｃ−２の態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には，Ｓｉ）である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｌに示す構成を有する。
［表９Ｌ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
埋込み層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図２１の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図２２の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっても、
第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第５化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図２２の（Ａ）にあっては炭素（Ｃ）であり、図２２の（Ｂ）にあっては第ＶＩ族不純物，Ｓｅである）から成り、
第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、第５化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層（第２Ａ化合物半導体層及び第２Ｂ化合物半導体層）から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の３つである。
電流ブロック層内に、不純物拡散バリア層を設けてもよい。具体的には、電流ブロック層を構成する第２導電型を有する第４化合物半導体層内に、同じく第２導電型を有する不純物拡散バリア層が少なくとも１層（例えば、第７化合物半導体層）、挿入され、第４化合物半導体層の不純物の置換サイトと、不純物拡散バリア層（例えば、不純物拡散バリア層が１層である場合、第７化合物半導体層）の不純物の置換サイトとが異なるように、不純物を選択すればよい。より具体的には、例えば、図１５の（Ａ）や図１６の（Ａ）に示した構造において、第４化合物半導体層における不純物を亜鉛（Ｚｎ）とし、第４化合物半導体層内に挿入する第２導電型の不純物拡散バリア層（第７化合物半導体層）における不純物を炭素（Ｃ）とする構成を採用することができる。即ち、
ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
ｐ型第７化合物半導体層（不純物：Ｃ）
ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった構成とすることができる。あるいは又、図１５の（Ｂ）や図１６の（Ｂ）に示した構造において、第４化合物半導体層における不純物をケイ素（Ｓｉ）とし、第４化合物半導体層内に挿入する第２導電型の不純物拡散バリア層（第７化合物半導体層）における不純物をセレン（Ｓｅ）とする構成を採用することができる。即ち、
ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
ｎ型第７化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった構成とすることができる。このような構成とすれば、例えば、第１Ｂ化合物半導体層から不純物である第ＶＩ族不純物（Ｓｅ）や炭素（Ｃ）が電流ブロック層中（Ｚｎドープ層中あるいはＳｉドープ層中）を拡散した場合、係る不純物は、係る不純物の置換サイトが競合する不純物（炭素やセレン）を含んだ第７化合物半導体層中で拡散できず、高い信頼性を有する電流ブロック層を形成することができる。
同様に、電流ブロック層を構成する第１導電型を有する第３化合物半導体層内に、同じく第１導電型を有する不純物拡散バリア層が少なくとも１層（例えば、第８化合物半導体層）、挿入され、第３化合物半導体層の不純物の置換サイトと、不純物拡散バリア層（例えば、不純物拡散バリア層が１層である場合、第８化合物半導体層）の不純物の置換サイトとが異なるように、不純物を選択すればよい。例えば、図１９の（Ａ）や図２０の（Ａ）に示した構造において、第３化合物半導体層における不純物をシリコン（Ｓｉ）とし、第３化合物半導体層内に挿入する第１導電型の不純物拡散バリア層（第８化合物半導体層）における不純物をセレン（Ｓｅ）とする構成を採用することができる。即ち、
ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
ｎ型第８化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった構成とすることができる。あるいは又、図１９の（Ｂ）や図２０の（Ｂ）に示した構造において、第３化合物半導体層における不純物を亜鉛（Ｚｎ）とし、第３化合物半導体層内に挿入する第１導電型の不純物拡散バリア層（第８化合物半導体層）における不純物を炭素（Ｃ）とする構成を採用することができる。即ち、
ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
ｐ型第８化合物半導体層（不純物：Ｃ）
ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった構成とすることができる。このような構成とすることでも、例えば、第２Ｂ化合物半導体層から不純物である炭素（Ｃ）やセレン（Ｓｅ）が電流ブロック層中（Ｓｉドープ層中やＺｎドープ層中）を拡散した場合、係る不純物は、係る不純物の置換サイトが競合する不純物（第ＶＩ族不純物，Ｓｅや炭素）を含んだ第８化合物半導体層中で拡散できず、高い信頼性を有する電流ブロック層を形成することができる。
第１化合物半導体層を第１Ａ化合物半導体層及び第１Ｂ化合物半導体層から構成する他の半導体発光素子、第２化合物半導体層を第２Ａ化合物半導体層及び第２Ｂ化合物半導体層から構成する他の半導体発光素子においても、同様とすることができる。
不純物拡散バリア層（第７化合物半導体層や第８化合物半導体層）を挿入する形態は、特に、図１６の（Ａ）、（Ｂ）、図１８の（Ａ）、（Ｂ）、図２０の（Ａ）、（Ｂ）、図２２の（Ａ）、（Ｂ）等において不純物拡散バリアの効果が得易く、第７化合物半導体層や第８化合物半導体層を不純物拡散バリア層として、第７化合物半導体層や第８化合物半導体層と同一導電型である化合物半導体層（第４化合物半導体層あるいは第３化合物半導体層）に１層、挿入した例を上述のとおり挙げている。但し、不純物拡散バリアを目的とした不純物拡散バリア層の数は、第１化合物半導体層（あるいは第１Ｂ化合物半導体層）、あるいは、第２化合物半導体層（あるいは第２Ｂ化合物半導体層）から電流ブロック層に拡散する不純物の置換サイトと同じ不純物の置換サイトを有する化合物半導体層を不純物拡散バリア層として用いるのであれば、２層以上であってもよい。また、不純物拡散バリア層を設ける位置は、不純物拡散バリア層と同じ導電型を有する化合物半導体層内に限らず、異なる導電型を有する化合物半導体層内に１層以上挿入してもよい。
あるいは又、電流ブロック層を多層構成としてもよい。具体的には、例えば、図１６の（Ａ）に示した構造において、ｎ型第３化合物半導体層／ｐ型第４化合物半導体層／ｎ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（６）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（７）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（８）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（９）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（８）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（９）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（１０）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（１１）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。同様に、図１８の（Ａ）に示した構造において、ｎ型第３化合物半導体層／ｐ型第４化合物半導体層／ｎ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（６）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（７）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（８）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（９）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（８）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（９）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（１０）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（１１）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。また、図１６の（Ｂ）に示した構造において、ｐ型第３化合物半導体層／ｎ型第４化合物半導体層／ｐ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（６）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（７）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（８）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（９）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（８）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（９）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（１０）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（１１）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。同様に、図１８の（Ｂ）に示した構造において、ｐ型第３化合物半導体層／ｎ型第４化合物半導体層／ｐ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（６）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（７）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（８）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（９）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（８）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（９）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（１０）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（１１）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。
このように、電流ブロック層の総厚を厚くすることなく電流ブロック層を多層構造とすることで、電流ブロック層を構成する各化合物半導体層（上述した第３化合物半導体層から第６化合物半導体層までに至る全ての化合物半導体層の内の少なくとも１層以上の化合物半導体層、あるいは、図２０の（Ａ）、（Ｂ）、図２２の（Ａ）、（Ｂ）の場合においても、上述したと同様に、第５化合物半導体層から第４化合物半導体層までに至る全ての化合物半導体層の内の少なくとも１層以上の化合物半導体層）の厚さを任意に薄くする設計が選択できるので、電流ブロック層を構成する１層の発光部の側面に接する接触面積を減らすことが可能になる。この接触面において、更に接触面積が減るように電流ブロック層を構成する各化合物半導体層の厚さを調節することによって、電流ブロック層を構成する１層の接触面だけで活性層（あるいは井戸層）の全側面を跨る状態を回避することが可能になるので、迂回経路に電流リークパスが形成される現象を一層確実に防止することができる。図１６の（Ａ）に示した構造において、電流ブロック層を、上述した７層積層構造から構成したときの半導体発光素子における閾値電流の測定結果、及び、スロープ効率の測定結果を図２８の（Ｂ）に曲線「Ａ」示す。また、参考のため、電流ブロック層を第５化合物半導体層と第３化合物半導体層と第４化合物半導体層の３層構成としたときの半導体発光素子における閾値電流の測定結果、及び、スロープ効率の測定結果も図２８の（Ｂ）に曲線「Ｂ」で示す。尚、電流ブロック層の総厚は両者で同じとしている。図２８の（Ｂ）から、電流ブロック層を多層構造とすることで、漏れ電流がより少なくなり、スロープ効率が向上し、閾値電流の値をより低くすることができる。
実施例９にあっては、第１化合物半導体層を第１Ａ化合物半導体層と第１Ｂ化合物半導体層から構成し、併せて、第２化合物半導体層を第２Ａ化合物半導体層と第２Ｂ化合物半導体層から構成することもできる。
実施例１０は、実施例１の一種の変形であり、本発明の第１−Ａ−２の態様、及び、本発明の第９の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例１０の半導体発光素子にあっては、第４化合物半導体層の構成、構造が、実施例１において説明した半導体発光素子における第４化合物半導体層の構成、構造と異なっている。実施例１０の半導体発光素子の概念図を、図２の（Ａ）に示す。
ここで、実施例１０の半導体発光素子は、本発明の第９の態様に沿って表せば、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されている。
尚、後述する実施例１１、実施例１４、実施例１５、実施例１８、実施例１９、実施例２２、実施例２３における半導体発光素子にあっても、本発明の第１０の態様〜第１６の態様に沿って表せば、上述したと同様の構成、構造を有する。
そして、本発明の第１−Ａ−２の態様あるいは本発明の第９の態様に沿って表せば、実施例１０の半導体発光素子にあっては、
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である。尚、第４Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接しているが、より具体的には、第４Ｂ化合物半導体層は、その全部が活性層の側面に接している。
具体的には、第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物は、亜鉛（Ｚｎ）又はマグネシウム（Ｍｇ）である。また、第４化合物半導体層は３層構造を有している。ここで、第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｂ化合物半導体層は活性層の側面に接しており、更には、第４Ｃ化合物半導体層は、部分的に、活性層の側面に接している。また、第３化合物半導体層も、部分的に、活性層の側面に接している。第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層の構成、構造は、実施例１における第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層の構成、構造と同じとすることができるし、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｃ化合物半導体層の構成、構造も、実施例１における第４化合物半導体層の構成、構造と同じとすることができるし、第４Ｂ化合物半導体層の構成、構造も、例えば、実施例５における第４化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例１０、あるいは、後述する実施例１２、実施例１４、実施例１６、実施例１８、実施例２０、実施例２２、実施例２４の半導体発光素子にあっては、少なくとも３層構成の第３化合物半導体層、あるいは、少なくとも３層構成の第４化合物半導体層を有しており、活性層の側面と接する第３Ｂ化合物半導体層あるいは第４Ｂ化合物半導体層には、比較的拡散し難い不純物である炭素（Ｃ）あるいはケイ素（Ｓｉ）が含まれている。従って、活性層の側面と接する化合物半導体層から活性層への不純物の拡散を減少させることが可能となる。
実施例１０の半導体発光素子、並びに、表１Ａに示した実施例１及び比較例１の半導体発光素子における光出力の測定結果を図３０に示す。尚、図３０において、実施例１０の結果を「Ａ」で示し、実施例１の結果を「Ｂ」で示し、比較例１の結果を「Ｃ」で示す。図３０から、実施例１０にあっては、実施例１、比較例１と比較して、一層高い光出力を得ることができることが判る。
実施例１１も、実施例１の一種の変形であり、本発明の第１−Ａ−３の態様、及び、本発明の第１０の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例１１の半導体発光素子の概念図を、図３の（Ａ）に示す。
ここで、本発明の第１−Ａ−３の態様あるいは本発明の第１０の態様に沿って表せば、実施例１１の半導体発光素子の第４化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、亜鉛（Ｚｎ）又はマグネシウム（Ｍｇ）］、及び、炭素（Ｃ）から成る。云い換えれば、実施例１１の半導体発光素子における第４化合物半導体層は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、亜鉛（Ｚｎ）又はマグネシウム（Ｍｇ）］、及び、炭素（Ｃ）が不純物としてコ・ドープされている。即ち、第４化合物半導体層はコ・ドープ層となっている。ここで、炭素（Ｃ）の不純物濃度として、２×１０17ｃｍ-3乃至１×１０19ｃｍ-3を挙げることができるし、亜鉛（Ｚｎ）あるいはマグネシウム（Ｍｇ）の不純物濃度として２×１０17ｍ-3乃至１×１０19ｃｍ-3を挙げることができる。尚、（炭素の不純物濃度／亜鉛又はマグネシウムの不純物濃度）の割合として、限定するものではないが、
０．１≦（炭素の不純物濃度／亜鉛又はマグネシウムの不純物濃度）≦１
を例示することができる。実施例１１にあっては、具体的には、炭素（Ｃ）の不純物濃度を１×１０18ｃｍ-3とし、亜鉛（Ｚｎ）又はマグネシウム（Ｍｇ）の不純物濃度を１×１０18ｃｍ-3とした。
第３化合物半導体層は、部分的に、活性層の側面に接している。また、第４化合物半導体層も、部分的に、活性層の側面に接している。第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層の構成、構造は、実施例１における第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例１１、あるいは、後述する実施例１３、実施例１５、実施例１７、実施例１９、実施例２１、実施例２３、実施例２５の半導体発光素子にあっては、比較的拡散し難い不純物である炭素（Ｃ）あるいはケイ素（Ｓｉ）が不純物としてコ・ドープされた化合物半導体層から成る第３化合物半導体層あるいは第４化合物半導体層を備えている。従って、活性層の側面と接する化合物半導体層から活性層への不純物の拡散を減少させることが可能となる。
実施例１２は、実施例２の一種の変形であり、本発明の第１−Ｂ−２の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例１２の半導体発光素子の概念図を、図５の（Ａ）に示す。
実施例１２の半導体発光素子にあっては、
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である。尚、第４Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接しているが、より具体的には、第４Ｂ化合物半導体層は、その全部が活性層の側面に接している。
実施例１２における第４化合物半導体層の構成、構造、更には、第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層の構成、構造は、実施例１０におけるこれらの化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例１３も、実施例２の一種の変形であり、本発明の第１−Ｂ−３の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例１３の半導体発光素子の概念図を、図６の（Ａ）に示す。
実施例１３の半導体発光素子にあっては、第４化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、亜鉛（Ｚｎ）又はマグネシウム（Ｍｇ）］、及び、炭素（Ｃ）から成る。云い換えれば、実施例１３の半導体発光素子における第４化合物半導体層も、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、亜鉛（Ｚｎ）又はマグネシウム（Ｍｇ）］、及び、炭素（Ｃ）が不純物としてコ・ドープされている。即ち、第４化合物半導体層はコ・ドープ層となっている。
実施例１３における第４化合物半導体層の構成、構造、更には、第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層の構成、構造は、実施例１１におけるこれらの化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例１４は、実施例３の一種の変形であり、本発明の第１−Ｃ−２の態様、及び、本発明の第１１の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例１４の半導体発光素子の概念図を、図８の（Ａ）に示す。
本発明の第１−Ｃ−２の態様あるいは本発明の第１１の態様に沿って表せば、実施例１４の半導体発光素子にあっては、
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である。尚、第４Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接しているが、より具体的には、第４Ｂ化合物半導体層は、その全部が活性層の側面に接している。
具体的には、第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物は、セレン（Ｓｅ）である。また、第４化合物半導体層は３層構造を有している。ここで、第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｂ化合物半導体層は活性層の側面に接しており、更には、第４Ｃ化合物半導体層は、部分的に、活性層の側面に接している。また、第３化合物半導体層も、部分的に、活性層の側面に接している。第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層の構成、構造は、実施例３における第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層の構成、構造と同じとすることができるし、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｃ化合物半導体層の構成、構造も、実施例３における第４化合物半導体層の構成、構造と同じとすることができるし、第４Ｂ化合物半導体層の構成、構造も、例えば、実施例７における第４化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例１５も、実施例３の一種の変形であり、本発明の第１−Ｃ−３の態様、及び、本発明の第１２の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例１５の半導体発光素子の概念図を、図９の（Ａ）に示す。
ここで、本発明の第１−Ｃ−３の態様あるいは本発明の第１２の態様に沿って表せば、第４化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、セレン（Ｓｅ）］、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る。云い換えれば、実施例１５の半導体発光素子における第４化合物半導体層は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、セレン（Ｓｅ）］、及び、ケイ素（Ｓｉ）が不純物としてコ・ドープされている。即ち、第４化合物半導体層はコ・ドープ層となっている。ここで、ケイ素（Ｓｉ）の不純物濃度として、２×１０17ｃｍ-3乃至１×１０19ｃｍ-3を挙げることができるし、セレン（Ｓｅ）の不純物濃度として２×１０17ｃｍ-3乃至１×１０19ｃｍ-3を挙げることができる。尚、（ケイ素の不純物濃度／セレンの不純物濃度）の割合として、限定するものではないが、
０．１≦（ケイ素の不純物濃度／セレンの不純物濃度）≦１
を例示することができる。実施例１５にあっては、具体的には、ケイ素（Ｓｉ）の不純物濃度を１×１０18ｃｍ-3とし、セレン（Ｓｅ）の不純物濃度を１×１０18ｃｍ-3とした。
第３化合物半導体層は、部分的に、活性層の側面に接している。また、第４化合物半導体層も、部分的に、活性層の側面に接している。第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層の構成、構造は、実施例１における第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例１６は、実施例４の一種の変形であり、本発明の第１−Ｄ−２の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例１６の半導体発光素子の概念図を、図１１の（Ａ）に示す。
実施例１６の半導体発光素子にあっては、
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である。尚、第４Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接しているが、より具体的には、第４Ｂ化合物半導体層は、その全部が活性層の側面に接している。
実施例１６における第４化合物半導体層の構成、構造、更には、第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層の構成、構造は、実施例１４におけるこれらの化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例１７も、実施例４の一種の変形であり、本発明の第１−Ｄ−３の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例１７の半導体発光素子の概念図を、図１２の（Ａ）に示す。
実施例１７の半導体発光素子にあっては、第４化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、セレン（Ｓｅ）］、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る。云い換えれば、実施例１７の半導体発光素子における第４化合物半導体層も、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、セレン（Ｓｅ）］、及び、ケイ素（Ｓｉ）が不純物としてコ・ドープされている。即ち、第４化合物半導体層はコ・ドープ層となっている。
実施例１７における第４化合物半導体層の構成、構造、更には、第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層の構成、構造は、実施例１５におけるこれらの化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例１８は、実施例５の一種の変形であり、本発明の第１−ａ−２の態様、及び、本発明の第１３の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例１８の半導体発光素子の概念図を、図２の（Ｂ）に示す。
本発明の第１−ａ−２の態様あるいは本発明の第１３の態様に沿って表せば、実施例１８の半導体発光素子にあっては、
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である。尚、第３Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接しているが、より具体的には、第３Ｂ化合物半導体層は、その全部が活性層の側面に接している。
具体的には、第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物は、セレン（Ｓｅ）である。また、第３化合物半導体層は３層構造を有している。ここで、第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｂ化合物半導体層は活性層の側面に接しており、更には、第３Ｃ化合物半導体層は、部分的に、活性層の側面に接している。また、第４化合物半導体層も、部分的に、活性層の側面に接している。第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層の構成、構造は、実施例５における第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層の構成、構造と同じとすることができるし、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｃ化合物半導体層の構成、構造も、実施例５における第３化合物半導体層の構成、構造と同じとすることができるし、第３Ｂ化合物半導体層の構成、構造も、例えば、実施例１における第３化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例１９も、実施例５の一種の変形であり、本発明の第１−ａ−３の態様、及び、本発明の第１４の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例１９の半導体発光素子の概念図を、図３の（Ｂ）に示す。
ここで、本発明の第１−ａ−３の態様あるいは本発明の第１４の態様に沿って表せば、実施例１９の半導体発光素子の第３化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、セレン（Ｓｅ）］、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る。云い換えれば、実施例１９の半導体発光素子における第３化合物半導体層は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、セレン（Ｓｅ）］、及び、ケイ素（Ｓｉ）が不純物としてコ・ドープされている。即ち、第３化合物半導体層はコ・ドープ層となっている。ここで、ケイ素（Ｓｉ）の不純物濃度及びセレン（Ｓｅ）の不純物濃度を、実施例１５と同様とした。
第３化合物半導体層は、部分的に、活性層の側面に接している。また、第４化合物半導体層も、部分的に、活性層の側面に接している。第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層の構成、構造は、実施例５における第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例２０は、実施例６の一種の変形であり、本発明の第１−ｂ−２の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例２０の半導体発光素子の概念図を、図５の（Ｂ）に示す。
実施例２０の半導体発光素子にあっては、
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である。尚、第３Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接しているが、より具体的には、第３Ｂ化合物半導体層は、その全部が活性層の側面に接している。
実施例２０における第３化合物半導体層の構成、構造、更には、第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層の構成、構造は、実施例１８におけるこれらの化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例２１も、実施例６の一種の変形であり、本発明の第１−ｂ−３の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例２１の半導体発光素子の概念図を、図６の（Ｂ）に示す。
実施例２１の半導体発光素子にあっては、第３化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、セレン（Ｓｅ）］、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る。云い換えれば、実施例２１の半導体発光素子における第３化合物半導体層も、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、セレン（Ｓｅ）］、及び、ケイ素（Ｓｉ）が不純物としてコ・ドープされている。即ち、第３化合物半導体層はコ・ドープ層となっている。
実施例２１における第３化合物半導体層の構成、構造、更には、第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層の構成、構造は、実施例１９におけるこれらの化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例２２は、実施例７の一種の変形であり、本発明の第１−ｃ−２の態様、及び、本発明の第１５の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例２２の半導体発光素子の概念図を、図８の（Ｂ）に示す。
本発明の第１−ｃ−２の態様あるいは本発明の第１５の態様に沿って表せば、実施例２１の半導体発光素子にあっては、
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である。尚、第３Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接しているが、より具体的には、第３Ｂ化合物半導体層は、その全部が活性層の側面に接している。
具体的には、第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物は、亜鉛（Ｚｎ）である。また、第３化合物半導体層は３層構造を有している。ここで、第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｂ化合物半導体層は活性層の側面に接しており、更には、第３Ｃ化合物半導体層は、部分的に、活性層の側面に接している。また、第４化合物半導体層も、部分的に、活性層の側面に接している。第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層の構成、構造は、実施例７における第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層の構成、構造と同じとすることができるし、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｃ化合物半導体層の構成、構造も、実施例７における第３化合物半導体層の構成、構造と同じとすることができるし、第３Ｂ化合物半導体層の構成、構造も、例えば、実施例３における第４化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例２３も、実施例７の一種の変形であり、本発明の第１−ｃ−３の態様、及び、本発明の第１６の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例２３の半導体発光素子の概念図を、図９の（Ｂ）に示す。
ここで、本発明の第１−ｃ−３の態様あるいは本発明の第１６の態様に沿って表せば、第３化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、亜鉛（Ｚｎ）又はマグネシウム（Ｍｇ）］、及び、炭素（Ｃ）から成る。云い換えれば、実施例２３の半導体発光素子における第３化合物半導体層は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、亜鉛（Ｚｎ）又はマグネシウム（Ｍｇ）］、及び、炭素（Ｃ）が不純物としてコ・ドープされている。即ち、第３化合物半導体層はコ・ドープ層となっている。ここで、炭素（Ｃ）の不純物濃度及び亜鉛（Ｚｎ）の不純物濃度を、実施例１１と同様とした。
第３化合物半導体層は、部分的に、活性層の側面に接している。また、第４化合物半導体層も、部分的に、活性層の側面に接している。第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層の構成、構造は、実施例７における第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例２４は、実施例８の一種の変形であり、本発明の第１−ｄ−２の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例２４の半導体発光素子の概念図を、図１１の（Ｂ）に示す。
実施例２４の半導体発光素子にあっては、
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である。尚、第３Ｂ化合物半導体層は、その一部又は全部が活性層の側面に接しているが、より具体的には、第３Ｂ化合物半導体層は、その全部が活性層の側面に接している。
実施例２４における第３化合物半導体層の構成、構造、更には、第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層の構成、構造は、実施例２２におけるこれらの化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例２５も、実施例８の一種の変形であり、本発明の第１−ｄ−３の態様に係る半導体発光素子に関する。実施例２５の半導体発光素子の概念図を、図１２の（Ｂ）に示す。
実施例２５の半導体発光素子にあっては、第３化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、亜鉛（Ｚｎ）又はマグネシウム（Ｍｇ）］、及び、炭素（Ｃ）から成る。云い換えれば、実施例２５の半導体発光素子における第３化合物半導体層は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物［具体的には、亜鉛（Ｚｎ）又はマグネシウム（Ｍｇ）］、及び、炭素（Ｃ）が不純物としてコ・ドープされている。即ち、第３化合物半導体層はコ・ドープ層となっている。
実施例２５における第３化合物半導体層の構成、構造、更には、第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層の構成、構造は、実施例２３におけるこれらの化合物半導体層の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１における第１化合物半導体層の構造（図１の（Ａ）参照）と実施例２における第２化合物半導体層の構造（図４の（Ａ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例１における第２化合物半導体層の構造（図１の（Ａ）参照）と実施例２における第１化合物半導体層の構造（図４の（Ａ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例３における第１化合物半導体層の構造（図７の（Ａ）参照）と実施例４における第２化合物半導体層の構造（図１０の（Ａ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例３における第２化合物半導体層の構造（図７の（Ａ）参照）と実施例４における第１化合物半導体層の構造（図１０の（Ａ）参照）とを組み合わせてもよい。また、実施例５における第１化合物半導体層の構造（図１の（Ｂ）参照）と実施例６における第２化合物半導体層の構造（図４の（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例５における第２化合物半導体層の構造（図１の（Ｂ）参照）と実施例６における第１化合物半導体層の構造（図４の（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例７における第１化合物半導体層の構造（図７の（Ｂ）参照）と実施例８における第２化合物半導体層の構造（図１０の（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例７における第２化合物半導体層の構造（図７の（Ｂ）参照）と実施例８における第１化合物半導体層の構造（図１０の（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよい。
また、実施例１〜実施例８において説明した半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層４０は、第２導電型を有する第５化合物半導体層から更に構成されており、
第４化合物半導体層４４及び第５化合物半導体層によって第３化合物半導体層４３が挟まれた構造を有し、
第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第５化合物半導体層を第２導電型とするための第５化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。
実施例１、実施例２、実施例５、実施例６にあっては、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４の積層状態にも依るが、電流ブロック層位置調整層３０を第５化合物半導体層と見做すこともできるし、埋込み層３１を第５化合物半導体層と見做すこともできる。実施例３、実施例４、実施例７、実施例８においても同様である。
あるいは又、実施例１〜実施例８において説明した半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層４０は、第１導電型を有する第６化合物半導体層から更に構成されており、
第３化合物半導体層４３及び第６化合物半導体層によって第４化合物半導体層４４が挟まれた構造を有し、
第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトが、第６化合物半導体層を第１導電型とするための第６化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。
実施例１、実施例２、実施例５、実施例６にあっては、電流ブロック層４０を、第３化合物半導体層４３（ｎ型）／第４化合物半導体層４４（ｐ型）／第６化合物半導体層（ｎ型）の順で積層された３層構成とすることができるし、あるいは又、第６化合物半導体層（ｎ型）／第４化合物半導体層４４（ｐ型）／第３化合物半導体層４３（ｎ型）の順で積層された３層構成とすることができる。また、実施例３、実施例４、実施例７、実施例８にあっても、電流ブロック層４０を、第３化合物半導体層４３（ｐ型）／第４化合物半導体層４４（ｎ型）／第６化合物半導体層（ｐ型）の順で積層された３層構成とすることができるし、あるいは又、第６化合物半導体層（ｐ型）／第４化合物半導体層４４（ｎ型）／第３化合物半導体層４３（ｐ型）の順で積層された３層構成とすることができる。
実施例１、実施例３、実施例５、実施例７においては、第２化合物半導体層を活性層側から、第２化合物半導体層２２Ａと第２化合物半導体層２２Ｂの２層構成とし、実施例２、実施例４、実施例６、実施例８においては、第２化合物半導体層を活性層側から、第２Ａ化合物半導体層と第２Ｂ化合物半導体層の２層構成としている。前者の場合には、バンドギャップ（又は屈折率）の変化で２層構成の第２化合物半導体層を定義している。一方、後者の場合には、不純物の置換サイトの変化で２層構成の第２化合物半導体層を定義している。従って、各実施例において説明した第２化合物半導体層の積層構造において、特に、第２Ａ化合物半導体層と第２Ｂ化合物半導体層の２層構成の場合、第２Ａ化合物半導体層を第２化合物半導体層２２Ａと見做し、第２Ｂ化合物半導体層を第２化合物半導体層２２Ｂと見做すことができるし、あるいは又、例えば、第２Ａ化合物半導体層が第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂの積層構造から構成されている場合もあり得るし、第２Ｂ化合物半導体層が第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂの積層構造から構成されている場合もあり得る。
実施例１０〜実施例２５において説明した多層構成の第３化合物半導体層あるいは第４化合物半導体層とコ・ドープ層とを組み合わせてもよい。具体的には、例えば、実施例１０、実施例１２、実施例１４、実施例１６において、第４化合物半導体層を多層構成とする場合、第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層を実施例１１、実施例１３、実施例１５、実施例１７の第４化合物半導体層のようなコ・ドープ層とすればよい。また、実施例１８、実施例２０、実施例２２、実施例２４において、第３化合物半導体層を多層構成とする場合、第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層を実施例１９、実施例２１、実施例２３、実施例２５の第３化合物半導体層のようなコ・ドープ層とすればよい。実施例においては、コ・ドープ層における不純物濃度を一定としたが、不純物濃度を化合物半導体層の厚さ方向において変化させてもよい。実施例１０〜実施例２５においては、第３化合物半導体層あるいは第４化合物半導体層を３層構成としたが、４層以上の多層構成としてもよいことは云うまでもない。
また、第１化合物半導体層をセレン（Ｓｅ）等の拡散し易い不純物が不純物として添加されたｎ型の化合物半導体層とする場合、場合によっては、第１化合物半導体層と活性層との間に、ケイ素（Ｓｉ）が不純物として添加されたｎ型の化合物半導体層を形成し、第１化合物半導体層から活性層への不純物の拡散を抑制してもよい。同様に、第２化合物半導体層を亜鉛（Ｚｎ）やマグネシウム（Ｍｇ）等の拡散し易い不純物が不純物として添加されたｐ型の化合物半導体層とする場合、場合によっては、第２化合物半導体層と活性層との間に、炭素（Ｃ）が不純物として添加されたｐ型の化合物半導体層を形成し、第２化合物半導体層から活性層への不純物の拡散を抑制してもよい。また、ｎ型の化合物半導体層において、少なくともシリコン（Ｓｉ）とシリコン（Ｓｉ）の不純物の置換サイトとは異なるｎ型不純物とをコ・ドープさせることにより、ｎ型の不純物濃度（キャリア濃度）を所望の濃度で一定に保ちつつ、活性層に拡散し難い特性を有するシリコン（Ｓｉ）によるｎ型伝導性への寄与率を大きくさせる不純物量制御を行うことができる結果、電流ブロック層から活性層への不純物の拡散を効果的に抑制することができる。同様に、ｐ型の化合物半導体素においても、少なくとも炭素（Ｃ）と炭素（Ｃ）の不純物の置換サイトとは異なる不純物とをコ・ドープさせることにより、ｐ型の不純物濃度（ホール濃度）を所望の濃度で一定に保ちつつ、活性層に拡散し難い特性を有する炭素（Ｃ）によるｐ型伝導性への寄与率を大きくさせる不純物量制御を行うことができる結果、電流ブロック層から活性層への不純物の拡散を効果的に抑制することができる。
図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１及び実施例５の半導体発光素子の概念図である。 図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１０及び実施例１８の半導体発光素子の概念図である。 図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１１及び実施例１９の半導体発光素子の概念図である。 図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例２及び実施例６の半導体発光素子の概念図である。 図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１２及び実施例２０の半導体発光素子の概念図である。 図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３及び実施例２１の半導体発光素子の概念図である。 図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例３及び実施例７の半導体発光素子の概念図である。 図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１４及び実施例２２の半導体発光素子の概念図である。 図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１５及び実施例２３の半導体発光素子の概念図である。 図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例４及び実施例８の半導体発光素子の概念図である。 図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１６及び実施例２４の半導体発光素子の概念図である。 図１２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１７及び実施例２５の半導体発光素子の概念図である。 図１３の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例９の半導体発光素子の概念図である。 図１４の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例９の半導体発光素子の変形例の概念図である。 図１５の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例９の半導体発光素子の別の変形例の概念図である。 図１６の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１７の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１８の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１９の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２０の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２３の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１の半導体発光素子の模式的な一部断面図、及び拡大された模式的な一部断面図である。 図２４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。 図２５は、図２４の（Ｂ）に引き続き、実施例１の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。 図２６の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１及び比較例１の半導体発光素子の断面写真を代用する図である。 図２７の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１及び比較例１の半導体発光素子の発光状態を撮影した写真を代用する図である。 図２８の（Ａ）は、実施例１及び比較例１の半導体発光素子における閾値電流の測定結果、及び、スロープ効率の測定結果を示すグラフであり、図２８の（Ｂ）は、電流ブロック層を多層構造としたときの半導体発光素子における閾値電流の測定結果、及び、スロープ効率の測定結果を示すグラフである。 図２９の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例３の半導体発光素子の模式的な一部断面図、及び拡大された模式的な一部断面図である。 図３０は、実施例１０の半導体発光素子、並びに、表１Ａに示した実施例１及び比較例１の半導体発光素子における光出力の測定結果を示すグラフである。
符号の説明
１０・・・基板、１１・・・発光部形成領域、１２・・・バッファ層、２０・・・発光部、２１・・・第１化合物半導体層、２２Ａ，２２Ｂ・・・第２化合物半導体層、２３・・・活性層、３０・・・電流ブロック層位置調整層、３１・・・埋込み層、３２・・・コンタクト層（キャップ層）、４０・・・電流ブロック層、４３・・・第３化合物半導体層、４４・・・第４化合物半導体層、５１・・・第１電極、５２・・・第２電極

Claims (4)

  1. （Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
    （Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
    を備えており、
    電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
    第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
    第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
    第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである半導体発光素子。
  2. （Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
    （Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
    を備えており、
    電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
    第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
    第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
    第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである半導体発光素子。
  3. （Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
    （Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
    を備えており、
    電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
    第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
    第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
    第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである半導体発光素子。
  4. （Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
    （Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
    を備えており、
    電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
    第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
    第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
    第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである半導体発光素子。
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