JP5186852B2 - 半導体発光素子 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体発光素子、より具体的には、発光部の横方向に電流狭窄のための電流ブロック層が設けられた半導体発光素子に関する。
低閾値電流Ｉthを有する半導体レーザとして、１回のエピタキシャル成長工程によって形成し得るＳＤＨ（Separated Double Hetero Junction）構造を有する半導体レーザ（以下、ＳＤＨ型半導体レーザと呼ぶ）が、例えば、特許第２９９０８３７号から周知である。
このＳＤＨ型半導体レーザにおいては、先ず、主面として｛１００｝面を有する基板に、｛１１０｝Ａ面方向に延びる凸部を形成する。そして、この基板の主面上において結晶成長を行うと、凸部の｛１００｝面（便宜上、凸部面と呼ぶ）の上に化合物半導体層の積層構造体から成る発光部が形成される。発光部は、例えば、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成されている。尚、凸部の延びる方向に対して垂直方向の仮想平面でこの発光部を切断したときの断面形状は例えば三角形であり、発光部の側面（斜面）は｛１１１｝Ｂ面から構成されている。一般に、ＭＯＣＶＤ法（ＭＯＶＰＥ法とも呼ばれる）においては、特殊な結晶成長条件を除けば、｛１１１｝Ｂ面は非成長面として知られている。従って、ＳＤＨ型半導体レーザの場合、側面が｛１１１｝Ｂ面である発光部が形成されると、その後、ＭＯＣＶＤを継続しても、発光部の結晶成長は「自己成長停止」が保持される。
尚、結晶面の表記、
Figure 0005186852
を、便宜上、本明細書においては、（ｈｋｌ）面、（ｈｋ−ｌ）面と表記し、以下に例示する方向の表記、
Figure 0005186852
を、便宜上、本明細書においては、［ｈｋｌ］方向、［ｈｋ−ｌ］方向と表記する。
一方、凸部を除く基板の主面である｛１００｝面の部分（便宜上、凹部面と呼ぶ）においては、非成長面が存在しないので、ＭＯＣＶＤを継続すると、やがて凹部面から結晶成長する化合物半導体層が、自己成長停止している発光部を完全に埋め尽くすようになる。凹部面から結晶成長した化合物半導体層は、第２化合物半導体層上に、電流ブロック層位置調整層、電流ブロック層、及び、埋込層が順次形成された構造を有する。ここで、電流ブロック層位置調整層の厚さを制御することによって、凹部面から結晶成長する化合物半導体層が発光部を埋め尽くす前の途中段階で（特に、発光部に形成された活性層の両側面近傍に差し掛かったときに）、電流ブロック層を形成することにより、発光部の活性層のみに電流注入が可能な構造を形成することができる。
このように、ＳＤＨ型半導体レーザにおいては、１回の結晶成長工程に基づき各化合物半導体層を形成することができ、しかも、発光部内で活性層を上下で挟む化合物半導体層（第１化合物半導体層及び第２化合物半導体層）に用いる材料や、発光部の外側に位置する電流ブロック層や埋込層、電流ブロック層位置調整層に用いる材料として、エネルギーバンドギャップが活性層よりも十分に高い材料、即ち、低屈折率の材料を選択することにより、光閉込めに好都合な化合物半導体層によって活性層を完全に囲むことが可能となる。そして、これによって、凸部の端面を光出射面として有する半導体レーザから出射されたビーム形状を、真円に近づけることができる。即ち、ファー・フィールド・パターン（Far Field Pattern，ＦＦＰ）において、
θ//≒θ⊥
を達成することができる。
あるいは又、例えば、レンズとのカップリング効率等に依っては、半導体レーザから出射されたビーム形状を楕円とすることが求められる場合がある。このような場合には、例えば、凸部の端面付近の幅を拡げた、所謂フレア・ストライプ構造を採用することにより（例えば、特許第３３９９０１８号参照）、ＦＦＰのθ//を小さく制御することができる。しかも、フレア・ストライプ構造を採用することにより、高光出力を達成することができる。
そして、以上に説明したＳＤＨ型半導体レーザにあっては、電流ブロック層の質（電流リーク抑制の程度）の向上が、非常に重要な技術的要素である。
従来のフレア・ストライプ構造を有する半導体レーザの製造方法の概要を、以下、説明する。
［工程−１０］
先ず、ｎ−ＧａＡｓから成る基板１０の｛１００｝結晶面、例えば（１００）結晶面から成る主面上に、所要の幅を有し、［０１１］Ａ方向に延びる概ねストライプ状の発光部形成領域１１を形成する。尚、発光部形成領域１１の幅方向は、［０−１１］Ｂ方向に平行である。こうして、図３２の（Ａ）に示す構造を得ることができる。発光部形成領域１１には、｛１１１｝Ｂ面から構成された斜面（側面）が形成される。図３２の（Ｂ）に発光部形成領域１１の平面形状を模式的に示すが、発光部形成領域１１は、中央部の幅が両端部の幅よりも狭い帯状の形状を有する。ここで、図３２の（Ｂ）において、発光部形成領域１１を明確化するために、発光部形成領域１１に斜線を付した。
［工程−２０］
次いで、通常のＭＯＣＶＤ法、即ち、有機金属や水素化合物を原料ガスとするＭＯＣＶＤ法に基づき、凸部面及び凹部面の上に、バッファ層１２、ｎ型第１化合物半導体層２１、活性層２３、ｐ型第２化合物半導体層２２をエピタキシャル成長させる。このとき、凸部面の化合物半導体層の斜面（側面）は｛１１１｝Ｂ面から構成され、上述したとおり、｛１１１｝Ｂ面は非成長面である。従って、バッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２によって形成される積層構造（所謂、ダブルヘテロ型構造）は、凸部面の上の領域と、凹部面の上の領域とでは、係るダブルヘテロ型構造が分断された状態（Separated Double Heterostructure）で形成（積層）される。ここで、発光部形成領域１１（凸部面）の幅と深さを適切に選択し、更には、バッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２の厚さを適切に選択することで、発光部形成領域１１（凸部面）の中央部上に、断面が三角形である発光部２０の積層構造を得ることができる。一方、この時点では、発光部形成領域１１の両端部においては、断面が台形である発光部２０の積層構造を得ることができる。
［工程−３０］
その後、第２化合物半導体層２２の形成に連続して、全面に、ｐ型化合物半導体層から成る電流ブロック層位置調整層３０をＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。こうして、発光部形成領域１１の中央部にあっては、図３３に示す断面構造を得ることができ、一方、この時点では、発光部形成領域１１の両端部にあっては、図３４に示す断面構造を得ることができる。更に、例えば、ｐ型化合物半導体層及びｎ型化合物半導体層の積層構造から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。電流ブロック層４０は、｛１１１｝Ｂ面上には成長しない。また、電流ブロック層４０の端面が、少なくとも活性層２３の側面を覆うように、電流ブロック層４０を形成する。尚、このような構成、構造は、電流ブロック層位置調整層３０の厚さを適切に選択することで達成することができる。
ここで、図３５に示すように、発光部形成領域１１の中央部にあっては、発光部２０の側面にのみ電流ブロック層４０が形成される。一方、この時点では、図３６に示すように、発光部形成領域１１の両端部にあっては、発光部２０の側面に電流ブロック層４０が形成されるだけでなく、発光部２０の積層構造の頂面（｛１００｝面）上には、｛１１１｝Ｂファセット面（側面）を形成しながら頂面の幅を狭めるように、電流ブロック層４０と同じ積層構造が形成される。尚、発光部２０の積層構造の頂面に形成された電流ブロック層４０と同じ積層構造を、便宜上、『堆積層４０”』と呼ぶ。また、堆積層４０”と発光部２０の積層構造の頂面との間には、電流ブロック層位置調整層３０と同じ構成を有する化合物半導体層３０’が形成されている。
［工程−４０］
次いで、全面に、埋込層３１及びコンタクト層（キャップ層）３２を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。一方、この時点では、発光部形成領域１１の両端部にあっては、堆積層４０”の頂面（｛１００｝面）上には、｛１１１｝Ｂファセット面（側面）を形成しながら頂面の幅を狭めるように埋込層が形成され、頂面の幅が十分に広い場合には、更に、コンタクト層（キャップ層）３２と同じ積層構造が形成される。尚、堆積層４０”上の埋込層を埋込層３１”で表す。その後、最表層として形成されたコンタクト層３２上に第２電極５２を真空蒸着法に基づき形成し、一方、基板１０を裏面側から適切な厚みにラッピングした後、第１電極５１を真空蒸着法に基づき形成する（図４２及び図４３参照）。
特許第２９９０８３７号 特許第３３９９０１８号
ところで、上述の［工程−３０］において、発光部形成領域１１の両端部にあっては、発光部２０の積層構造の頂面には、電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層４０”が形成される。この堆積層４０”は、ｐ型化合物半導体層及びｎ型化合物半導体層の積層構造から成るので、電流を通過させない。従って、第２電極５２から供給される電流は、コンタクト層（キャップ層）３２及び埋込層３１へ到達し、堆積層４０”の周囲から埋込層３１と接触している｛１１１｝Ｂ側面（接触面）を通じて第２化合物半導体層２２へと流れ込む。その結果、活性層への電流注入経路が｛１１１｝Ｂ側面（接触面）に限定されることに起因して、電気抵抗の増加による発熱や消費電流の増加といった問題、ひいては、半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題が生じる。
また、凹部面からの結晶成長によって得られる電流ブロック層４０は、発光部２０の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域、基板１０の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び、｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域（但し、ｈは４以上の整数であり、便宜上、高次の結晶面領域と呼ぶ場合がある）から構成されている。そして、特に、｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域、あるいは、係る領域の近傍において、電流ブロック層４０を構成するｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層との間での不純物相互拡散によって、電流ブロック層４０が消滅し、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなり、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題が生じる。
そして、特許第２９９０８３７号においては、このような問題を解決するために、基板１０としてｐ型基板を使用し、更には、電流ブロック層４０をｐ型化合物半導体層から構成する。ところで、｛３１１｝Ｂ結晶面領域はｎ型化し易く、高次の結晶面領域においてはｐ型化し易い。従って、｛３１１｝Ｂ結晶面領域は結果的に本来のｐ型エピタキシャル成長膜厚より厚さが減少して膜薄部となり、他方、高次の結晶面領域は結果的にｐ型化によって厚さが増加して膜厚部となる。その結果、電流ブロック層４０の高次の結晶面領域の厚さが大となるため、この部分におけるリーク電流を確実に回避することができる。
このように、特許第２９９０８３７号に開示された技術は、上述した問題の解決のために非常に有効な技術であるが、ｎ型基板の使用に対する強い要望がある。また、ｐ型基板を使用した場合にあっても、電流ブロック層４０におけるリーク電流の一層の低減を図ることが望ましい。
従って、本発明の第１の目的は、発光部の積層構造の頂面に電流ブロック効果を有する堆積層が存在せず、電気抵抗の増加による発熱や消費電流の増加といった問題、ひいては、半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題の発生を確実に回避することができる構造、構成を有する半導体発光素子を提供することにある。更には、本発明の第２の目的は、第１の目的に加え、複数の結晶面から形成される電流ブロック層において、電流ブロック層を構成する複数の化合物半導体層間における不純物の相互拡散等に影響されることなく、全面に亙り高い安定性を実現することができ、電流ブロック層におけるリーク電流の一層の低減を図ることができる構造、構成を有する半導体発光素子を提供することにある。
上記の第１の目的を達成するための本発明の半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、並びに、
（Ｃ）電流ブロック層及び発光部上に形成された埋込層、
を備え、
活性層の平面形状は、中央部の幅が両端部の幅よりも狭い帯状の形状を有し、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されている半導体発光素子であって、
第２導電型を有する埋込層は、第１埋込層及び第２埋込層が順次積層された積層構造体から構成されており、
電流ブロック層の上方に位置する埋込層において、第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、第２埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成ることを特徴とする。本発明の半導体発光素子は、所謂フレア・ストライプ構造を有する。
本発明の半導体発光素子にあっては、電流ブロック層の上方に位置する埋込層において、第１埋込層を第２導電型とするための不純物は、第１埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることが好ましい。また、電流ブロック層の上方に位置する埋込層において、第１埋込層を第２導電型とするための不純物は、第１埋込層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることが好ましい。尚、これらの好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子を、以下、『上記の好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子』と呼ぶ場合がある。
上記の好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができ、これによって、本発明の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を、『本発明の第１の態様の半導体発光素子』と呼ぶ。尚、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできるが、前者の積層構造を採用することがより好ましい。
本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ａの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ｂの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ａの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ｂの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ｃの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−Ｄの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ｃの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第１−ｄの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
以上に説明した本発明の第１の態様の好ましい構成に係る半導体発光素子、即ち、本発明の第１−Ａの態様、第１−ａの態様、第１−Ｂの態様、第１−ｂの態様、第１−Ｃの態様、第１−ｃの態様、第１−Ｄの態様、第１−ｄの態様に係る半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層は、第２導電型を有する第５化合物半導体層から更に構成されており、
第４化合物半導体層及び第５化合物半導体層によって第３化合物半導体層が挟まれた構造を有し、
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第５化合物半導体層を第２導電型とするための第５化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。尚、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第５化合物半導体層／第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。あるいは又、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第６化合物半導体層から更に構成されており、
第３化合物半導体層及び第６化合物半導体層によって第４化合物半導体層が挟まれた構造を有し、
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第６化合物半導体層を第１導電型とするための第６化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。尚、下から、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層／第６化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
尚、以下の説明において、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）及びイオウ（Ｓ）という３種類の不純物から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物を、便宜上、第ＶＩ族不純物と呼び、ケイ素（Ｓｉ）及び錫（Ｓｎ）という２種類の不純物から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物を、便宜上、第ＩＶ族不純物と呼び、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）及びマンガン（Ｍｎ）という４種類の不純物から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物を、便宜上、第ＩＩ族不純物と呼ぶ。
あるいは又、上記の好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができ、これによって、本発明の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第２−Ａの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第２−Ａの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、３×２×４×１の２４通りである。
尚、第ＶＩ族不純物が含まれる第１化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできるが、前者の積層構造を採用することがより好ましい。
あるいは又、上記の好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができ、これによって、本発明の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第２−Ｂの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第２−Ｂの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、２×３×４×１×４×２×４×１の７６８通りである。
あるいは又、上記の好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができ、これによって、本発明の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第２−Ｃの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第２−Ｃの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、４×１×３×２の２４通りである。
尚、第ＩＩ族不純物が含まれる第１化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできるが、前者の積層構造を採用することがより好ましい。
あるいは又、上記の好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができ、これによって、本発明の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第２−Ｄの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第２−Ｄの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、１×４×３×２×１×３×３×２の４３２通りである。
あるいは又、上記の好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができ、これによって、本発明の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第３−ａの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第３−ａの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、４×１×１×４の１６通りである。
尚、第ＩＩ族不純物が含まれる第２化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできるが、前者の積層構造を採用することがより好ましい。
あるいは又、上記の好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができ、これによって、本発明の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第３−ｂの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第３−ｂの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、２×３×４×１×１×３×１×４の２８８通りである。
あるいは又、上記の好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができ、これによって、本発明の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第３−ｃの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第３−ｃの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第２化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、３×２×２×３の３６通りである。
尚、第ＶＩ族不純物が含まれる第２化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできるが、前者の積層構造を採用することがより好ましい。
あるいは又、上記の好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができ、これによって、本発明の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第３−ｄの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第３−ｄの態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、１×４×３×２×２×４×２×３の１１５２通りである。
あるいは又、上記の好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層（あるいは、第１Ｂ化合物半導体層）を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なる構成とすることができ、これによって、本発明の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第４−Ａの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
尚、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なる不純物が含まれる第１化合物半導体層（あるいは、第１Ｂ化合物半導体層）は、具体的には、少なくとも活性層と接する部分である。尚、第１化合物半導体層が接する活性層には、井戸層、あるいは、閉じ込め層（Confinement 層）が包含される。以下の説明においても同様である。尚、閉じ込め層を設けることで、光の閉じ込め、及び／又は、キャリアの閉じ込めを行うことができる。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。また、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物よりも、面方位依存性が小さいことが望ましい。
あるいは又、上記の好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層（あるいは、第２Ｂ化合物半導体層）を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なる構成とすることができ、これによって、本発明の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第４−ａの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
尚、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なる不純物が含まれる第２化合物半導体層（あるいは、第２Ｂ化合物半導体層）は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。また、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物よりも、面方位依存性が小さいことが望ましい。
あるいは又、上記の好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層は、少なくとも、第２導電型を有する第４化合物半導体層、及び、第１導電型を有する第３化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成されており、
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第１化合物半導体層、電流ブロック層、及び、第２化合物半導体層を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在する構成とすることができ、これによって、本発明の第２の目的を達成することができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
本発明の第５の態様に係る半導体発光素子において、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。そして、この場合には、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
あるいは又、本発明の第５の態様に係る半導体発光素子において、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る構成とすることができる。尚、この場合、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
ところで、第１Ｂ化合物半導体層を用いる構成の場合、第１Ｂ化合物半導体層と、この第１Ｂ化合物半導体層の側面に接する第４化合物半導体層との関係においては、不純物の置換サイトが競合しない関係となる場合がある。そして、このような場合、先ず、この側面の部分で第１Ｂ化合物半導体層と第４化合物半導体層との間における不純物の拡散が発生し、次いで、電流ブロック層を構成する第３化合物半導体層に不純物の拡散が及んでしまい、電流のリークパスが形成される虞がある。
従って、このような場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第６化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１化合物半導体層（又は、第１Ａ化合物半導体層）を第１導電型とするための第１化合物半導体層（又は、第１Ａ化合物半導体層）における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。そして、このような構造を採用することで、不純物の置換サイトが互いに競合しない第１Ｂ化合物半導体層と第４化合物半導体層とが接しなくなるので、不純物が拡散することを防止できる。ここで、この場合には、迂回経路は、第１化合物半導体層（第１Ａ化合物半導体層及び第１Ｂ化合物半導体層）、第６化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
あるいは又、このような場合、第１Ｂ化合物半導体層から電流ブロック層内への不純物の拡散に起因した電流リークの発生を防止するために、電流ブロック層内に不純物拡散バリア層を設けることが望ましい。具体的には、第２導電型を有する第４化合物半導体層に対して、不純物の置換サイトが異なる第２導電型を有する第７化合物半導体層を「不純物拡散バリア層」として挿入すればよい。より具体的には、電流ブロック層を構成する第２導電型を有する第４化合物半導体層内に、同じく第２導電型を有する不純物拡散バリア層が少なくとも１層（例えば、第７化合物半導体層）、挿入され、第４化合物半導体層の不純物の置換サイトと、不純物拡散バリア層（例えば、不純物拡散バリア層が１層である場合、第７化合物半導体層）の不純物の置換サイトとが異なるように、不純物が選択されていればよい。そして、このような構成を採用することでも、電流ブロック層内を不純物が拡散することによって迂回経路に電流リークパスが形成される現象を、一層確実に防止することができる。
あるいは又、本発明の第５の態様に係る半導体発光素子において、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る構成とすることができる。尚、この場合、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
ところで、第２Ｂ化合物半導体層を用いる構成の場合、第２Ｂ化合物半導体層と、この第２Ｂ化合物半導体層の側面に接する第３化合物半導体層との関係においては、不純物の置換サイトが競合しない関係となる場合がある。そして、このような場合、先ず、この側面の部分で第２Ｂ化合物半導体層と第３化合物半導体層との間における不純物の拡散が発生し、次いで、電流ブロック層を構成する第４化合物半導体層に不純物の拡散が及んでしまい、電流のリークパスが形成される虞がある。
従って、このような場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第５化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層（又は、第２Ａ化合物半導体層）を第２導電型とするための第２化合物半導体層（又は、第２Ａ化合物半導体層）における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接している形態とすることができる。そして、このような構造を採用することで、不純物の置換サイトが互いに競合しない第２Ｂ化合物半導体層と第４化合物半導体層とが接しなくなるので、不純物が拡散することを防止できる。ここで、この場合には、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、第５化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層（第２Ｂ化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層）から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の３つである。
あるいは又、このような場合、第２Ｂ化合物半導体層から電流ブロック層内への不純物の拡散に起因した電流リークの発生を防止するために、電流ブロック層内に不純物拡散バリア層を設けることが望ましい。具体的には、第１導電型を有する第３化合物半導体層に対して、不純物の置換サイトが異なる第１導電型を有する第８化合物半導体層を「不純物拡散バリア層」として挿入すればよい。より具体的には、電流ブロック層を構成する第１導電型を有する第３化合物半導体層内に、同じく第１導電型を有する不純物拡散バリア層が少なくとも１層（例えば、第８化合物半導体層）、挿入され、第３化合物半導体層の不純物の置換サイトと、不純物拡散バリア層（例えば、不純物拡散バリア層が１層である場合、第８化合物半導体層）の不純物の置換サイトとが異なるように、不純物が選択されていればよい。そして、このような構成を採用することでも、電流ブロック層内を不純物が拡散することによって迂回経路に電流リークパスが形成される現象を、一層確実に防止することができる。
本発明の第５の態様に係る半導体発光素子において、第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層及び第３化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。あるいは又、第１Ａ化合物半導体層、第１Ｂ化合物半導体層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層及び第３化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。あるいは又、第１化合物半導体層、第２Ｂ化合物半導体層、第２Ａ化合物半導体層、第４化合物半導体層及び第３化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。
そして、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−Ａの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。
ここで、本発明の第５−Ａの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−Ａ−１の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第５−Ａ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、２×４×４×２×４×１の２５６通りである。
あるいは又、本発明の第５−Ａの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−Ａ−２の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第５−Ａ−２の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、４×２×２×４×２×３の３８４通りである。
あるいは又、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−ａの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。尚、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。
ここで、本発明の第５−ａの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−ａ−１の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第５−ａ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、３×１×１×３×１×４の３６通りである。
あるいは又、本発明の第５−ａの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−ａ−２の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第５−ａ−２の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、１×３×３×１×３×２の３６通りである。
あるいは又、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−Ｂの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
ここで、本発明の第５−Ｂの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−Ｂ−１の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第５−Ｂ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、２×３×４×４×２×４×１の７６８通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、本発明の第５−Ｂの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−Ｂ−２の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第５−Ｂ−２の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、４×１×２×２×４×２×３の３８４通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−ｂの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
ここで、本発明の第５−ｂの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−ｂ−１の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第５−ｂ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、３×２×１×１×３×１×４の７２通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、本発明の第５−ｂの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−ｂ−２の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第５−ｂ−２の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、１×４×３×３×１×３×２の２１６通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−Ｃの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
ここで、本発明の第５−Ｃの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−Ｃ−１の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第５−Ｃ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、２×１×４×４×２×４×１の２５６通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、本発明の第５−Ｃの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−Ｃ−２の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第５−Ｃ−２の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、４×３×２×２×４×２×３の１１５２通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−ｃの態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。
ここで、本発明の第５−ｃの態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−ｃ−１の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第５−ｃ−１の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、３×４×１×１×３×１×４の１４４通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、本発明の第５−ｃ態様に係る半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『本発明の第５−ｃ−２の態様に係る半導体発光素子』と呼ぶ。本発明の第５−ｃ−２の態様に係る半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、１×２×３×３×１×３×２の５４通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、本発明の第５の態様に係る半導体発光素子にあっては、電流ブロック層を構成する第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間に、複数の化合物半導体層を設けてもよい。即ち、第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間には、更に、少なくとも、第１導電型を有する化合物半導体層及び第２導電型を有する化合物半導体層の２層の化合物半導体層が順次積層されている構成とすることもできる。具体的には、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とした場合、電流ブロック層を、ｐ型第４化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型第３化合物半導体層といった４層積層構造から構成してもよいし、ｐ型第４化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型第３化合物半導体層といった６層積層構造から構成してもよいし、ｐ型第４化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型第３化合物半導体層といった８層積層構造から構成してもよい。尚、このような積層構造を、ｐ型第４化合物半導体層、（ｎ型化合物半導体層，ｐ型化合物半導体層）m、ｎ型第３化合物半導体層（但し、ｍ＝１，２，３・・・・）と表現する場合がある。あるいは又、具体的には、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型とした場合、電流ブロック層を、ｎ型第４化合物半導体層、（ｐ型化合物半導体層，ｎ型化合物半導体層）m、ｐ型第３化合物半導体層（但し、ｍ＝１，２，３・・・・）といった積層構造から構成してもよい。このように、電流ブロック層を多層構造とすることで、たとえ発光部と電流ブロック層との相対的な位置ズレが発生したとしても、迂回経路に電流リークパスが形成される現象を一層確実に防止することができる。尚、電流ブロック層を多層構造とする場合にあっても、電流ブロック層の厚さは増加させないことが望ましく、電流ブロック層を構成する化合物半導体層のｐｎ界面（あるいはｎｐ界面）が少なくとも１つ以上、活性層の側面と接触していることが一層望ましく、電流ブロック層を構成する化合物半導体層１層当たりの発光部の側面との接触面積が減少する結果、電気抵抗値が増加するので、漏れ電流がより一層抑制され、光出力の改善を図ることができる。
本発明の第１の態様〜第５の態様に係る半導体発光素子（以上に説明した各種の好ましい構成、形態を含む）を含む本発明の半導体発光素子（以下、これらを総称して、単に、本発明の半導体発光素子と呼ぶ場合がある）において、第１埋込層の厚さは、電流ブロック層上で成長してきた第１埋込層が、軸線に垂直な仮想平面で切断したときの発光部の断面形状が頂面及び両側面から構成された発光部の中央部あるいは発光部の両端部において、頂面と側面によって構成される稜線に到達するような厚さ、あるいは、それ以下の厚さとすることが望ましい。即ち、発光部の側面を覆う厚さ、あるいは、それ以下の厚さとすることが望ましい。一方、第２埋込層の厚さは、発光部の両端部の頂面上に電流ブロック層と同じタイミングで形成された堆積層の側面を少なくとも覆うような厚さとすることが好ましく、より望ましくは、第１埋込層と第２埋込層の積層によって、活性層で発生した光が吸収されない距離まで、頂面（頂点）を十分に覆うように厚く層を堆積することが好ましく、更には、より屈折率の低い材料を第１埋込層と第２埋込層用の材料として選択することが好ましい。
更に、電流ブロック層を構成する化合物半導体層の１層当たりの発光部の側面との接触面に関して、より望ましい形態として、電流ブロック層を構成する化合物半導体層の１層当たりの接触面の幅（発光部の側面の上下方向に沿った接触面の長さ）を、第１化合物半導体層（あるいは第１Ｂ化合物半導体層）と第２化合物半導体層（あるいは第２Ｂ化合物半導体層）とによって挟まれている活性層の総膜厚の幅（発光部の側面の上下方向に沿った活性層の長さ）以下とすることが望ましい。あるいは又、活性層が量子井戸構造を有する場合、電流ブロック層を構成する化合物半導体層の１層当たりの接触面の幅を、量子井戸構造を構成する井戸層１層の幅（発光部の側面の上下方向に沿った井戸層の長さ）以下とすることが望ましい。このような形態は、電流ブロック層を構成する各化合物半導体層の膜厚を非常に薄くする必要に迫られるため、従来の技術にあっては、先に説明したとおり、ｎ型化合物半導体層／ｐ型化合物半導体層（あるいはｐ型化合物半導体層／ｎ型化合物半導体層）界面における不純物の相互拡散による導電型の中和によって、｛３１１｝Ｂ面やより高次の結晶面で構成される電流ブロック層の一部が、消滅してしまったり、逆に、異常に厚くなってしまったりするといった問題があった。然るに、本発明の半導体発光素子にあっては、電流ブロック層を構成する各化合物半導体層において所望の導電型を得る際、不純物の置換サイトの競合関係を考慮した組み合わせを電流リーク抑制の視点から総合的に判断することにより、電流ブロック層を構成する各化合物半導体層の膜厚を非常に薄くした場合においても、不純物の相互拡散による導電型の中和を抑制して、電流ブロック層自身の電流ブロック品質を高め、更には、発光部の側面のリーク電流を確実に抑制する構造を実現することが可能になった。
本発明の半導体発光素子にあっては、積層構造体の対向する側面は｛１１１｝Ｂ面から構成されていることが好ましい。そして、この場合、発光部は、基板の発光部形成領域に形成されており；基板の発光部形成領域は、｛１００｝面から成る基板の主面に形成され、略｛１１０｝Ａ結晶面方向に延び、頂面が｛１００｝面である突起部から構成されている構成とすることができる。そして、更には、第３化合物半導体層は、発光部の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域；基板の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び；｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域（但し、ｈは４以上の整数）から構成されている形態とすることができ、あるいは又、第４化合物半導体層は、発光部の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域；基板の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び；｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域（但し、ｈは４以上の整数）から構成されている形態とすることができる。
本発明の半導体発光素子にあっては、基板として、ＧａＮ基板、ＧａＰ基板、ＧａＡｓ基板、ＡｌＮ基板、ＡｌＰ基板、ＩｎＮ基板、ＩｎＰ基板、ＡｌＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＡｌＩｎＮ基板、ＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＩｎＰ基板、ＡｌＧａＰ基板、ＡｌＩｎＰ基板、ＧａＩｎＰ基板、ＺｎＳ基板を例示することができ、特に、閃亜鉛鉱（ジンク・ブレンド）型の結晶構造を有する基板あるいは結晶膜が形成された基板を用いることが好ましい。尚、ジンク・ブレンド型の結晶構造を有する基板を構成する原子として、少なくとも、Ａｓ、ＳｂあるいはＢｉ等を挙げることができ、この原子が添加、ひいては混晶として含まれている基板を用いることが一層好ましい。更には、これらの基板の表面（主面）に下地層やバッファ層が形成されたものを基板として挙げることもできる。また、これらの基板を用いた結晶成長においても、少なくとも、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉの内の１つを、Ｖ族材料として添加し、あるいは、混晶として用いることが好ましい。そして、これによって、ＩＩＩ族原子がマイグレージョンし難い結晶成長条件の設定が容易となり、Ｖ族トリマーを｛１１１｝Ｂ面の最表面に形成することが可能となり、｛１１１｝Ｂ面を非成長面化することが可能となる。
また、本発明の半導体発光素子にあっては、活性層を含む各種化合物半導体層として、例えば、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体（ＧａＩｎＡｓ混晶あるいはＧａＮＡｓ混晶を含む）、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓＰ系化合物半導体、ＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＧａＰ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体を例示することができる。活性層を含む各種化合物半導体層の形成方法（成膜方法）として、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＶＰＥ法）や有機金属分子線エピタキシー法（ＭＯＭＢＥ法）、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）を挙げることができる。また、半導体発光素子として、半導体レーザや発光ダイオード（ＬＥＤ）を挙げることができる。
本発明の半導体発光素子において、電流ブロック層の上方に位置する埋込層にあっては、第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、第２埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。従って、第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、発光部の両端部における頂面上に形成された電流ブロック層と同じ組成を有する積層構造から構成された堆積層における第１導電型を有する化合物半導体層中に拡散し、係る第１導電型を有する化合物半導体層を第２導電型を有する化合物半導体層へと変化させる。そして、以上の結果として、発光部の上方に位置する化合物半導体層は、全て、第２導電型を有するようになる。それ故、発光部の積層構造の頂面には電流ブロック層と同じ積層構造を有する堆積層が存在しなくなり、半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題や、電気抵抗の増加による発熱や消費電極の増加といった問題の発生を確実に回避することができる。
そして、本発明の第１の態様に係る半導体発光素子にあっては、電流ブロック層を構成する第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。従って、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難く、その結果、電流ブロック層が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層が薄くなったりして、電流ブロック層の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。また、第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層と第２化合物半導体層との間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。
また、本発明の第２−Ａの態様あるいは本発明の第２−Ｂの態様に係る半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層あるいは第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は第ＶＩ族不純物であり、第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は第ＩＶ族不純物である。更には、本発明の第２−Ｃの態様あるいは本発明の第２−Ｄの態様に係る半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層あるいは第１Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は第ＩＩ族不純物であり、第３化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は炭素（Ｃ）である。また、本発明の第３−ａの態様あるいは本発明の第３−ｂの態様に係る半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層あるいは第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は第ＩＩ族不純物であり、第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は炭素（Ｃ）である。更には、本発明の第３−ｃの態様あるいは本発明の第３−ｄの態様に係る半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層あるいは第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は第ＶＩ族不純物であり、第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は第ＩＶ族不純物である。また、本発明の第４−Ａの態様に係る半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なり、本発明の第４−ａの態様に係る半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なる。そして、これらの構成、構造を採用することで、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難い構成、構造を達成することが可能となり、その結果、電流ブロック層が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層が薄くなったりして、電流ブロック層の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
更には、本発明の第５の態様に係る半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層、電流ブロック層、及び、第２化合物半導体層を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在し、しかも、各化合物半導体層を所定の導電型とするための不純物は、その化合物半導体層における不純物の置換サイトが、隣接する化合物半導体層を所定の導電型とするための係る隣接する化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。従って、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難く、加えて、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層やｐ型化合物半導体層と、発光部を構成するｐ型化合物半導体層やｎ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難く、その結果、電流ブロック層が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層が薄くなったりして、電流ブロック層の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
実施例１は、本発明の第１の態様（より具体的には、第１−Ａの態様）、第２−Ａの態様、本発明の第４−Ａの態様に関する。
実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例９においては、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）及びイオウ（Ｓ）から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物（第ＶＩ族不純物）として、具体的には、セレン（Ｓｅ）を使用し、ケイ素（Ｓｉ）及び錫（Ｓｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物（第ＩＶ族不純物）として、具体的には、ケイ素（Ｓｉ）を使用し、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）及びマンガン（Ｍｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物（第ＩＩ族不純物）として、具体的には、亜鉛（Ｚｎ）を使用するが、これらに限定するものではない。
また、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例９における半導体発光素子は、半導体レーザ、より具体的には、ＳＤＨ型半導体レーザから構成されている。
ここで、実施例１の半導体発光素子の概念図を図１の（Ａ）及び（Ｂ）に示し、模式的な一部断面図を図２９及び図３０に示し、拡大された模式的な一部断面図を図３１の（Ａ）〜（Ｃ）に示す。ここで、図１の（Ａ）は、半導体発光素子の中央部における概念図であり、図１の（Ｂ）は、半導体発光素子の端部における概念図である。また、図２９は、半導体発光素子の中央部における半導体発光素子の模式的な一部断面図であり、図３０は、半導体発光素子の端部における半導体発光素子の模式的な一部断面図である。更には、図３１の（Ａ）は、電流ブロック層周りの拡大された模式的な一部断面図であり、図３１の（Ｂ）及び（Ｃ）は、半導体発光素子の端部における発光部周りの拡大された模式的な一部断面図である。図２９に示した半導体発光素子の中央部における半導体発光素子の断面構造は、図４２を参照して説明した従来の半導体発光素子の断面構造と同じである。一方、図３０に示した半導体発光素子の両端部における半導体発光素子の断面構造は、図４３を参照して説明した従来の半導体発光素子の断面構造と、後述する堆積層の構成が異なっている。図２９に示した半導体発光素子の両端部における半導体発光素子の断面構造における各化合物半導体層の厚さと、図３０に示した半導体発光素子の両端部における半導体発光素子の断面構造における各化合物半導体層の厚さが異なっている場合があるが、実際には同じ厚さである。尚、図１〜図２８のそれぞれの（Ａ）及び（Ｂ）においては、「化合物半導体層」を単に「層」と表現した。即ち、例えば、第１層とは、第１化合物半導体層を意味する。また、図１〜図２８のそれぞれの（Ａ）は、半導体発光素子の中央部における概念図であり、図１〜図２８のそれぞれの（Ｂ）は、半導体発光素子の両端部における概念図である。
そして、実施例１の半導体発光素子は、
（Ａ）第１導電型（実施例１にあっては、ｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型（実施例１にあっては、ｐ型）を有する第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂが順次積層された積層構造体から構成された発光部２０、
（Ｂ）発光部２０の側面に接して設けられた電流ブロック層４０、並びに、
（Ｃ）電流ブロック層４０及び発光部２０上に形成された埋込層３１、
を備えており、
活性層の平面形状は、図３２の（Ｂ）に平面形状を模式的に示す発光部形成領域１１の上方に積層されることにより、中央部の幅が両端部の幅よりも狭い帯状の形状を有する。即ち、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例９の半導体発光素子は、所謂フレア・ストライプ構造を有する。
電流ブロック層４０は、第１導電型（ｎ型）を有する第３化合物半導体層４３、及び、第２導電型（ｐ型）を有し、第３化合物半導体層４３に接した第４化合物半導体層４４から構成されている半導体発光素子である。図面の簡素化のため、図面においては、同一の導電型あるいは同一の不純物サイトを有し、屈折率が異なる２層以上の層（例えば、２層の場合：第２化合物半導体層２２Ａ、第２化合物半導体層２２Ｂ）を纏めて１層（第２化合物半導体層２２）で表した。
そして、例えば、図３１に示すように、第２導電型を有する埋込層３１は、第１埋込層３１Ａ及び第２埋込層３１Ｂが順次積層された積層構造体から構成されており、電流ブロック層４０の上方に位置する埋込層３１において、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。更には、電流ブロック層４０の上方に位置する埋込層３１において、第１埋込層３１Ａを第２導電型とするための不純物は、第１埋込層３１Ａにおける不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。また、電流ブロック層４０の上方に位置する埋込層３１において、第１埋込層３１Ａを第２導電型とするための不純物は、第１埋込層３１Ａにおける不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。後述する実施例２〜実施例９の半導体発光素子においても、同様である。
ここで、図２９及び図３０に示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が形成されている。そして、第４化合物半導体層４４（ｐ型）とその上の第３化合物半導体層４３（ｎ型）とのｐｎ接合界面は、｛３１１｝Ｂ結晶面に沿って延びており、その端部が発光部２０（特に、活性層２３の側面）で接することで、新たな接合界面が２つ形成される。即ち、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ／第３化合物半導体層４３のｐｎ接合界面、第３化合物半導体層４３／第４化合物半導体層４４のｎｐ接合界面、第４化合物半導体層４４／第１化合物半導体層２１のｐｎ接合界面といった、ｐｎｐｎ接合構造から構成された電流経路が形成され、電流ブロック構造として望ましい設計である。
一方、このような積層構造とは逆に、第３化合物半導体層４３（ｎ型）と第４化合物半導体層４４（ｐ型）との位置関係を逆にして形成してもよい。そして、この場合には、第４化合物半導体層４４（ｐ型）とその下の第３化合物半導体層４３（ｎ型）とのｐｎ接合界面は、｛３１１｝Ｂ結晶面に沿って延びており、その端部が発光部２０（特に、活性層２３の側面）で接することで、新たな接合界面が２つ形成される。即ち、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ／第４化合物半導体層４４のｐｐ接合界面、第４化合物半導体層４４／第３化合物半導体層４３のｐｎ接合界面、第３化合物半導体層４３／第１化合物半導体層２１のｎｎ接合界面である。このように、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ／第４化合物半導体層４４／第３化合物半導体層４３／第１化合物半導体層２１によって、ｐｐｎｎ接合構造となってしまうが、電流ブロック層４０と発光部２０との接合面積（特に、ｎｎ接合面積）を減らすことにより、接触面における抵抗を増大させ、電流ブロック構造として望ましい設計にすることが可能になる。
更には、実施例１にあっては、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。また、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層４３と接する第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
具体的には、本発明の第１−Ａの態様に沿って表せば、実施例１の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、第３化合物半導体層４３、第４化合物半導体層４４、第１埋込層３１Ａ及び第２埋込層３１Ｂは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層３１Ａにおける不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、本発明の第２−Ａの態様に沿って表せば、実施例１の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、第３化合物半導体層４３、第４化合物半導体層４４、第１埋込層３１Ａ及び第２埋込層３１Ｂは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層４３を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層３１Ａを第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２埋込層３１Ｂを第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
あるいは又、実施例１の半導体発光素子は、本発明の第４−Ａの態様に沿って表せば、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物とは異なる。
具体的には、実施例１の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表１Ａあるいは表１Ｂに示す構成を有するが、第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、更には、電流ブロック層４０を構成する化合物半導体は、活性層２３を構成する化合物半導体と比較して、バンドギャップが大、即ち、屈折率が低い化合物半導体から成る。ここで、表１Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表１Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。尚、表１Ａ、表１Ｂ、あるいは、後述する表２Ａ、表２Ｂ、表３Ａ、表３Ｂ、表４Ａ、表４Ｂ、表５Ａ、表５Ｂ、表６Ａ、表６Ｂ、表７Ａ、表７Ｂ、表８Ａ、表８Ｂ、表９Ａ〜表９Ｌに示す積層構造にあっては、上段に記した層ほど、上層を占めている。
尚、以下の表に示す構造を有する活性層を、表１Ａ、表１Ｂ、表２Ａ、表２Ｂ、表５Ａ、表５ＢＡ、表６Ａ、表６Ｂ、表９Ａ、表９Ｃ、表９Ｅ、表９Ｇ、表９Ｉ、表９Ｋにおいては、［活性層−Ａ］と表現する。尚、この積層構造にあっては、上段に記した層ほど、上層を占めている。
［活性層−Ａ］
閉じ込め層 ・・・ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ：Ｚｎ
閉じ込め層 ・・・ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ
多重量子井戸構造・・・ｉ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ（井戸層）
ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ（障壁層）及び
ｉ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ（井戸層）
閉じ込め層 ・・・ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ
閉じ込め層 ・・・ｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ：Ｓｅ
また、以下の表に示す構造を有する活性層を、表３Ａ、表３Ｂ、表４Ａ、表４Ｂ、表７Ａ、表７Ｂ、表８Ａ、表８Ｂ、表９Ｂ、表９Ｄ、表９Ｆ、表９Ｈ、表９Ｊ、表９Ｌにおいては、［活性層−Ｂ］と表現する。尚、この積層構造にあっては、上段に記した層ほど、上層を占めている。
［活性層−Ｂ］
閉じ込め層 ・・・ｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ：Ｓｅ
閉じ込め層 ・・・ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ
多重量子井戸構造・・・ｉ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ（井戸層）
ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ（障壁層）及び
ｉ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ（井戸層）
閉じ込め層 ・・・ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ
閉じ込め層 ・・・ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ：Ｚｎ
［表１Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と第１埋込層３１Ａとの間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する第１埋込層３１Ａの部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表１Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第１埋込層３１Ａは、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層３１Ａと第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
実施例１にあっては、半導体発光素子の製造過程において、発光部２０の形成が完了した時点では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の中央部を切断したときの断面形状は三角形である。このとき、同時に一方では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の端部を切断したときの断面形状は台形である。従って、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）を形成するとき、発光部２０の中央部にあっては、発光部２０の側面にのみ電流ブロック層４０が形成される。このとき、同時に一方では、発光部２０の端部にあっては、発光部２０の側面に電流ブロック層４０が形成されるだけでなく、発光部２０の頂面にも、電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する層（堆積層４０”）が形成される（図３１の（Ｂ）参照）。ここで、堆積層４０”が形成された時点において、堆積層４０”を構成する第４化合物半導体層を堆積層第４化合物半導体層４４’と呼び、堆積層４０”を構成する第３化合物半導体層を堆積層第３化合物半導体層４３”と呼ぶ。尚、堆積層４０”と発光部２０の積層構造の頂面との間には、電流ブロック層位置調整層３０と同じ構成を有する化合物半導体層３０’が形成されている。
そして、電流ブロック層４０の形成に引き続き、特に両端部においては、発光部２０の側面と、発光部２０の上に更に積層された堆積層４０”の内の少なくとも１層の側面を覆うように、第１埋込層３１Ａを形成する。次いで、第１埋込層３１Ａが発光部２０の側面あるいは化合物半導体層３０’の側面を少なくとも覆い終わった時点で、第２埋込層３１Ｂの形成を開始し、全面を第２埋込層３１Ｂで被覆する。このとき、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイト（実施例１にあってはＶ族原子が占めるサイト）が、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイト（実施例１にあってはＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成る（表１Ａあるいは表１Ｂ参照）。従って、例えば最終的に頂点を覆うように厚く積層された第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、発光部２０の両端部における頂面上に形成された堆積層第３化合物半導体層４３”中に拡散し、係る堆積層第３化合物半導体層４３”を第２導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３’へと変化させる（図３１の（Ｃ）参照）。尚、このような状態となった堆積層を堆積層痕４０’と呼ぶ。更には、堆積層痕４０’上に形成された第１埋込層及び第２埋込層を、それぞれ、第１埋込層３１Ａ’、第２埋込層３１Ｂ’と呼ぶ。また、図１〜図２８の（Ａ）のそれぞれにおいて、堆積層第３化合物半導体層４３’を第３’層と呼び、堆積層第４化合物半導体層４４’を第４’層と呼ぶ。ここで、特に、堆積層４０”を構成する層として第１導電型を有する化合物半導体層が含まれる場合、この堆積層４０”を構成する第１導電型を有する化合物半導体層の不純物の置換サイトと競合しない第２導電型を有する埋込層３１が、堆積層４０”の側面の少なくとも一部で接していることが望ましい。これにより、埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）における第２導電型の不純物が堆積層４０”の側面の少なくとも一部から拡散する結果、電流ブロックの原因となる堆積層４０”を構成する第１導電型化合物半導体層を、先ずは導電型補償し、ひいては、第２導電型化することが可能になる。
また、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例９における半導体発光素子にあっては、発光部２０は、基板１０の発光部形成領域１１に形成されている。尚、基板１０の発光部形成領域１１は、｛１００｝面から成る基板１０の主面に形成されており、｛１１０｝Ａ面方向（図示した例では［０１１］Ａ面方向）に延び、頂面が｛１００｝面（図示した例では（１００）面）である突起部から構成されている。尚、基板１０は、ＧａＡｓ基板から成り、基板１０の導電型は、第１化合物半導体層の導電型と同じである。また、発光部形成領域１１は、所謂メサ構造（凸部）を有する。そして、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例９における半導体発光素子にあっては、積層構造体（発光部２０）の対向する側面は｛１１１｝Ｂ面（より具体的には、（１１−１）Ｂ面及び（１−１１）Ｂ面）から構成されている。
電流ブロック層の一部を構成する第３化合物半導体層４３は、
発光部２０の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域（より具体的には、（３１−１）Ｂ面及び（３−１１）Ｂ面）、
基板１０の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び、
｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域（より具体的には、（ｈ１−１）Ｂ面及び（ｈ−１１）Ｂ面であり、ここで、ｈは４以上の整数である）、
から構成されている。尚、｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域（但し、ｈは４以上の整数）を、便宜上、高次の結晶面領域と呼ぶ。
更には、第３化合物半導体層４３の下に形成された第４化合物半導体層４４も、
第３化合物半導体層４３と同様に、発光部２０の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域、
基板１０の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び、
｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する高次の結晶面領域、
から構成されている。
尚、後述する実施例２〜実施例９における半導体発光素子においても、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４は、層の上下の位置関係を除き、基本的には、上記の構造と同様の構造を有する。
実施例１の半導体発光素子にあっては、基板１０に設けられたメサ構造から成る発光部形成領域１１の上（凸部の｛１００｝面の上であり、凸部面の上と呼ぶ）に、順次、第１導電型を有するＧａＡｓから成るバッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２Ａが形成され、第２化合物半導体層２２Ａ上には、更に、第２化合物半導体層２２Ｂが形成され、頂点を形成している。ここで、｛０１１｝Ａ面で発光部形成領域１１を切断したときの第２化合物半導体層２２Ｂを含む発光部２０の断面形状は三角形であり、発光部２０の側面は、上述したとおり、｛１１１｝Ｂ面から構成されている。第２化合物半導体層２２Ａと第２化合物半導体層２２Ｂの組成を変えることで、断面形状が三角形の発光部２０を正確に形成することができる。一般に、ＭＯＣＶＤ法（ＭＯＶＰＥ法とも呼ばれる）においては、特殊な結晶成長条件を除けば、｛１１１｝Ｂ面は、Ａｓトリマーで覆われた非成長面として知られている。従って、ＳＤＨ型半導体レーザの場合、斜面（側面）が｛１１１｝Ｂ面である発光部２０が形成されると、その後、ＭＯＣＶＤを継続しても、発光部の結晶成長は「自己成長停止」が保持される。尚、｛１１１｝Ｂ面の角度は５４．７度である。尚、成長条件等によっては、断面形状が三角形の部分を発光部２０のみから構成することもできる。
一方、凸部を除く基板の主面である｛１００｝面（図示した例では、（１００）面）の部分（便宜上、凹部面と呼ぶ）にあっては、発光部２０と同じ構造、電流ブロック層位置調整層３０（実質的に第２化合物半導体層２２（あるいは第２化合物半導体層２２Ｂ）の続きである）、電流ブロック層４０、及び、埋込層（埋込み用クラッド層）３１（より具体的には、第１埋込層３１Ａ及び第２埋込層３１Ｂ）が順次形成されている。
また、全体は、第２導電型を有するＧａＡｓから成るコンタクト層（キャップ層）３２によって覆われている。そして、基板１０の裏面には、第１電極５１が形成されており、コンタクト層（キャップ層）３２上には第２電極５２が形成されている。
後述する実施例２〜実施例９の半導体発光素子も、基本的には、上述したと同様の構造を有する。
実施例１の半導体発光素子は、例えば、以下に説明する方法に基づき製造することができる。
［工程−１００］
先ず、ｎ−ＧａＡｓから成る基板１０の｛１００｝結晶面、例えば（１００）結晶面から成る主面上に、所要の幅を有し、［０１１］Ａ方向に延びる概ねストライプ状のエッチングマスクをフォトリソグラフィ技術に基づき形成し、このエッチングマスクを用い、例えばＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2とＨ2Ｏとが３：１：１の割合で混合されたエッチング液によって主面をウエット・エッチングすることで、［０１１］Ａ方向に延びる発光部形成領域１１を形成する。尚、発光部形成領域１１の幅方向は、［０−１１］Ｂ方向に平行である。その後、エッチングマスクを除去する。こうして、図３２の（Ａ）に示す構造を得ることができる。尚、発光部形成領域１１には、｛１１１｝Ｂ面から構成された斜面（側面）が形成される。図３２の（Ｂ）に発光部形成領域１１の平面形状を模式的に示すが、発光部形成領域１１は、中央部の幅が両端部の幅よりも狭い帯状の形状を有する。ここで、図３２の（Ｂ）において、発光部形成領域１１を明確化するために、発光部形成領域１１に斜線を付した。
［工程−１１０］
次いで、通常のＭＯＣＶＤ法、即ち、有機金属や水素化合物を原料ガスとするＭＯＣＶＤ法に基づき、凸部面及び凹部面の上に、バッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂをエピタキシャル成長させる。このとき、凸部面の化合物半導体層の斜面（側面）は｛１１１｝Ｂ面から構成され、上述したとおり、｛１１１｝Ｂ面は非成長面である。従って、バッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂは、凸部面の上の領域と、凹部面の上の領域とでは、分断された状態で形成（積層）される。
尚、発光部形成領域１１（凸部面）の幅と深さを適切に選択し、更には、バッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂの厚さを適切に選択することで、発光部形成領域１１（凸部面）の中央部上に、断面が三角形である発光部２０の積層構造を得ることができる。このとき、同時に一方では、発光部形成領域１１の両端部においては、断面が台形である発光部２０の積層構造を得ることができる。ここで、その後、第２化合物半導体層２２以降の層の成長が継続される過程で、中央部においては、成長停止状態にある三角形の側面が覆われながら、最終的に三角形の頂点も第２埋込層によって完全に埋め込まれる。一方、両端部においても、第２化合物半導体層２２以降の層の成長が継続される過程で、台形の頂面（｛１００｝面）で化合物半導体層の成長が継続するので、例えば、最終的に中央部の場合に比べて、断面が大きな三角形（頂点）が形成され、更に、その三角形の側面が覆われながら最終的に頂点も第２埋込層によって完全に埋め込まれる。
［工程−１２０］
具体的には、第２化合物半導体層２２Ｂの形成に連続して、全面に、電流ブロック層位置調整層３０をＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。こうして、発光部形成領域１１の中央部にあっては、図３３に示す断面構造を得ることができ、発光部形成領域１１の両端部にあっては、図３４に示す断面構造を得ることができる。そして、更に、例えば、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３の積層構造から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。こうして、発光部形成領域１１の中央部にあっては、図３５に示す断面構造を得ることができ、発光部形成領域１１の両端部にあっては、図３６に示す断面構造を得ることができる。電流ブロック層４０は、｛１１１｝Ｂ面上には成長しない。また、電流ブロック層４０の端面が、少なくとも活性層２３の側面を覆うように、電流ブロック層４０を形成する。尚、このような構成、構造は、電流ブロック層位置調整層３０の厚さを適切に選択することで達成することができる。尚、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４の構成、構造は、上述したとおりである。
［工程−１３０］
次いで、全面に、第１埋込層３１Ａ、第２埋込層３１Ｂ、並びに、コンタクト層（キャップ層）３２を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。即ち、ＭＯＣＶＤを継続すると、やがて凹部面から結晶成長する化合物半導体から成る第１埋込層３１Ａが、自己成長停止している発光部２０の側面と、両端部においては更に発光部２０の上に積層された堆積層４０”の側面の内の少なくとも１層の側面を完全に埋め尽くすようになる。この状態で、第１埋込層３１Ａの成長を停止させ、次いで、第２埋込層３１Ｂを成長させて、全面を第２埋込層３１Ｂで完全に埋め尽くす。こうして、発光部形成領域１１の中央部にあっては、図３７に示す断面構造を得ることができ、発光部形成領域１１の両端部にあっては、図３８に示す断面構造を得ることができる。その後、コンタクト層３２上に第２電極５２を真空蒸着法に基づき形成し、一方、基板１０を裏面側から適切な厚みにラッピングした後、第１電極５１を真空蒸着法に基づき形成する。こうして、発光部形成領域１１の中央部にあっては、図２９に示す断面構造を得ることができ、発光部形成領域１１の両端部にあっては、図３０に示す断面構造を得ることができる。
［工程−１４０］
その後、各半導体発光素子を分離することによって、半導体発光素子を得ることができる。尚、後述する実施例２〜実施例９の半導体発光素子も、基本的には、以上に説明した方法と同様の方法に基づき作製することができる。
ところで、電流ブロック層４０の上方に位置する埋込層３１にあっては、第１埋込層３１Ａを第２導電型とするための不純物は、第１埋込層３１Ａにおける不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。従って、第１埋込層３１Ａの不純物が第４化合物半導体層４４に拡散することを確実に防止することができる。一方、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。従って、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、発光部２０の両端部における頂面上に電流ブロック層と同じタイミングで形成された堆積層４０”における第１導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３”中に拡散し、係る堆積層第３化合物半導体層４３”を第２導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３’へと変化させる。そして、以上の結果として、発光部２０の両端部における発光部２０の上方に位置する化合物半導体層は、全て、第２導電型を有するようになる。それ故、発光部２０の積層構造の頂面に電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層が存在しなくなり、活性層２３への電流注入経路が｛１１１｝Ｂ側面（接触面）に限定されないので、電気抵抗の増加による発熱や消費電流の増加といった問題、ひいては、半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題の発生を確実に回避することができる。後述する実施例２〜実施例９にあっても、基本原理は同様である。
また、［工程−１２０］において、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３から成る電流ブロック層４０をＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。ここで、第４化合物半導体層４４はｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成り、第３化合物半導体層４３は、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉから成る。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物（Ｓｉ）の第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。また、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための不純物（Ｚｎ）の第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトも、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
従って、第３化合物半導体層４３を成膜した後、第４化合物半導体層４４、埋込層３１を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第３化合物半導体層４３と第４化合物半導体層４４との間で不純物相互拡散が生じ難い。また、電流ブロック層４０と、電流ブロック層４０に接する上下の２層との間の不純物相互拡散も生じ難い。その結果、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
また、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）が、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層２１と第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂとの間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。
ここで、実施例１の半導体発光素子にあっては、発光部形成領域１１（凸部面）の上に形成された活性層２３は、活性層２３よりも屈折率が低い電流ブロック層４０によって横方向（側面）が囲まれ、活性層２３よりも屈折率が低い第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂによって上下方向が囲まれている。従って、活性層２３の上下方向及び横方向は完全なる光閉込め構造となっている。しかも、凹部面の上にあっては、活性層２３の側面近傍は、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造（ｐ型埋込層３１−ｎ型第３化合物半導体層４３−ｐ型第４化合物半導体層４４、ｐ型電流ブロック層位置調整層３０（ｐ型第２化合物半導体層２２Ｂ）及びｐ型第２化合物半導体層２２Ａ−ｎ型第１化合物半導体層２１）の、いわばサイリスタ構造が形成される。従って、凹部面において電流が流れることが阻止され、これによって活性層２３に電流が集中し、低閾値電流化を図ることができる。ここで、ｐ型電流ブロック層位置調整層３０は、ｐ型第４化合物半導体層４４あるいはｐ型第２化合物半導体層２２Ｂと見做すこともできる。後述する実施例２、実施例５、実施例６においても、同様である。
図２９及び図３０には、電流ブロック層４０の端面が活性層２３の側面に接している構造を示したが、電流ブロック層４０の端面は、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂの側面に接している構造としてもよいし、第１化合物半導体層２１の側面に接している構造としてもよく、これによっても、リーク電流を実用上抑制することが可能である。しかしながら、望ましくは、電流ブロック層４０と発光部２０とが接する端面の位置としては、少なくとも電流ブロック層４０の一部が、活性層２３の側面と接していることが望ましい。後述する実施例２〜実施例９においても、同様である。
実施例２は、実施例１の変形であり、本発明の第１−Ｂの態様、及び、本発明の第２−Ｂの態様に関する。
具体的には、発光部の中央部における概念図を図２の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図２の（Ｂ）に示すように、本発明の第１−Ｂの態様に沿って表せば、実施例２の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、本発明の第２−Ｂの態様に沿って表せば、実施例２の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例２の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表２Ａあるいは表２Ｂに示す構成を有する。ここで、表２Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表２Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表２Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と第１埋込層との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する第１埋込層３１Ａの部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表２Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第１埋込層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
実施例２にあっては、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトも、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、更に、第４化合物半導体層と接する第３化合物半導体層における不純物の置換サイトも、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。即ち、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第４化合物半導体層を第２導電型（ｐ型）とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合する不純物から成り、更に、第４化合物半導体層と接する第３化合物半導体層を第１導電型（ｎ型）とするための不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）とも競合する不純物から成る。従って、第４化合物半導体層を成膜したとき、電流ブロック層を構成する第４化合物半導体層と第１Ａ化合物半導体層との間で、あるいは又、第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間で、不純物相互拡散が生じ難く、高い信頼性を有する電流ブロック層を形成することができる。尚、第４化合物半導体層と第３化合物半導体層とで構成されている電流ブロック層における不純物の相互拡散の抑制は、｛３１１｝Ｂ面や高次面における抑制効果であるのに対して、第４化合物半導体層と第１Ａ化合物半導体層との界面における不純物の相互拡散の抑制は、｛１１１｝Ｂ面界面における抑制効果である点で異なる。
実施例３も、実施例１の変形であり、本発明の第１−Ｃの態様、及び、本発明の第２−Ｃの態様に関し、更には、本発明の第４−Ａの態様に関する。尚、実施例３あるいは後述する実施例４における導電型を、実施例１における導電型と逆とした。即ち、実施例３あるいは後述する実施例４における第１導電型はｐ型であり、第２導電型はｎ型である。
具体的には、発光部の中央部における概念図を図３の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図３の（Ｂ）に示し、模式的な一部断面図を図３９及び図４０に示し、拡大された模式的な一部断面図を図４１の（Ａ）〜（Ｃ）に示す。ここで、図３９は、半導体発光素子の中央部における半導体発光素子の模式的な一部断面図であり、図４０は、半導体発光素子の端部における半導体発光素子の模式的な一部断面図である。更には、図４１の（Ａ）は、電流ブロック層周りの拡大された模式的な一部断面図であり、図４１の（Ｂ）及び（Ｃ）は、半導体発光素子の端部における発光部周りの拡大された模式的な一部断面図である。
本発明の第１−Ｃの態様に沿って表せば、実施例３の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、本発明の第２−Ｃの態様に沿って表せば、実施例３の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層４３を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
更には、本発明の第４−Ａの態様に沿って表せば、実施例３の半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｐ型）とするための不純物は、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｐ型）とするための不純物とは異なる。
より具体的には、実施例３の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表３Ａあるいは表３Ｂに示す構成を有する。ここで、表３Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表３Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。
［表３Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と第１埋込層３１Ａとの間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する第１埋込層３１Ａの部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表３Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第１埋込層３１Ａは、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層３１Ａと第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
実施例３にあっても、実施例１の［工程−１３０］と同様の工程において、発光部２０の形成が完了した時点では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の中央部を切断したときの断面形状は三角形である。このとき、同時に一方では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の端部を切断したときの断面形状は台形である。従って、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）を形成するとき、発光部２０の中央部にあっては、発光部２０の側面にのみ電流ブロック層４０が形成される。このとき、同時に一方では、発光部２０の端部にあっては、発光部２０の側面に電流ブロック層４０が形成されるだけでなく、発光部２０の頂面にも、電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層４０”が形成される。そして、電流ブロック層４０の形成に引き続き、特に両端部においては、発光部２０の側面と、発光部２０の上に更に積層された堆積層４０”の内の少なくとも１層の側面を覆うように第１埋込層３１Ａを形成する。次いで、第１埋込層３１Ａが発光部２０の側面あるいは化合物半導体層３０’の側面を少なくとも覆い終わった時点で、第２埋込層３１Ｂの形成を開始し、全面を第２埋込層３１Ｂで被覆する。このように、特に堆積層４０”を構成する層として第１導電型を有する化合物半導体層が含まれる場合、この堆積層４０”を構成する第１導電型を有する化合物半導体層の不純物の置換サイトと競合しない第２導電型を有する埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）が、堆積層４０”の側面の少なくとも一部で接していることが望ましい。これにより、埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）における第２導電型の不純物が堆積層４０”の側面の少なくとも一部から拡散し、電流ブロックの原因となる堆積層４０”を構成する第１導電型化合物半導体層を、先ずは導電型補償し、ひいては、第２導電型化することが可能になる。このとき、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイト（実施例３にあってはＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイト（実施例３にあってはＶ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成る（表３Ａあるいは表３Ｂ参照）。従って、例えば、最終的に頂点を覆うように厚く積層した第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、発光部２０の両端部における頂面上に形成された第１導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３”中に拡散し、係る堆積層第３化合物半導体層４３”を第２導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３’へと変化させる。そして、以上の結果として、発光部２０の両端部における発光部２０の上方に位置する化合物半導体層は、全て、第２導電型を有するようになる。それ故、発光部２０の積層構造の頂面に電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層が存在しなくなり、活性層への電流注入経路が｛１１１｝Ｂ側面（接触面）に限定されないので、電気抵抗の増加による発熱や消費電流の増加といった問題、ひいては、半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題の発生を確実に回避することができる。
また、実施例３にあっても、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程において、例えば、電流ブロック層位置調整層３０、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。ここで、第３化合物半導体層４３は、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃから成り、第４化合物半導体層４４はｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅから成る。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｐ型）とするための不純物（Ｃ）の第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。また、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｎ型）とするための不純物（Ｓｅ）の第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトも、Ｖ族原子が占めるサイトである。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
従って、第３化合物半導体層４３を成膜した後、第４化合物半導体層４４を成膜したとき、あるいは又、第４化合物半導体層４４を成膜した後、第３化合物半導体層４３を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第３化合物半導体層４３と第４化合物半導体層４４との間で不純物相互拡散が生じ難い。その結果、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
また、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｐ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｎ型）とするための第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層２１と第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂとの間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。
ここで、実施例３の半導体発光素子にあっても、発光部形成領域１１（凸部面）の上に形成された活性層２３は、活性層２３よりも屈折率が低い電流ブロック層４０によって横方向（側面）が囲まれ、活性層２３よりも屈折率が低い第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂによって上下方向が囲まれている。従って、活性層２３の上下方向及び横方向は完全なる光閉込め構造となっている。しかも、凹部面の上にあっては、活性層２３の側面近傍は、ｎ−ｐ−ｎ−ｐ構造（ｎ型埋込層３１−ｐ型第３化合物半導体層４３−ｎ型第４化合物半導体層４４−ｎ型電流ブロック層位置調整層３０（ｎ型第２化合物半導体層２２Ｂ）及びｎ型第２化合物半導体層２２Ａ−ｐ型第１化合物半導体層２１）の、いわばサイリスタ構造が形成される。従って、凹部面において電流が流れることが阻止され、これによって活性層２３に電流が集中し、低閾値電流化を図ることができる。ここで、ｎ型電流ブロック層位置調整層３０は、ｎ型第４化合物半導体層４４あるいは、ｎ型第２化合物半導体層２２Ｂと見做すこともできる。後述する実施例４、実施例７、実施例８においても、同様である。
ＭＯＣＶＤ法において、第３化合物半導体層４３の成膜時、炭素（Ｃ）を添加するための原料ガスとして、ＩＩＩ族原子用の原料ガスの分解で得られるメチル基あるいはエチル基を意図的に用いればよいし、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法において、第３化合物半導体層４３の成膜時、ＣＢｒ4ガスやＣＣｌ4ガスを添加してもよい。
実施例４は、実施例１及び実施例３の変形であり、本発明の第１−Ｄの態様、及び、本発明の第２−Ｄの態様に関する。
具体的には、発光部の中央部における概念図を図４の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図４の（Ｂ）に示すように、本発明の第１−Ｄの態様に沿って表せば、実施例４の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、本発明の第２−Ｄの態様に沿って表せば、実施例４の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
より具体的には、実施例４の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表４Ａあるいは表４Ｂに示す構成を有する。ここで、表４Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表４Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表４Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と第１埋込層との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する第１埋込層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表４Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第１埋込層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
実施例４において、図４の（Ａ）及び（Ｂ）に示した例と異なり、表４Ｂに示したように、第４化合物半導体層を下とし、第３化合物半導体層を上とする積層構造を形成した場合、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトも、Ｖ族原子が占めるサイトであり、更に、第４化合物半導体層と接する第３化合物半導体層における不純物の置換サイトも、Ｖ族原子が占めるサイトである。即ち、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型（ｐ型）とするための不純物は、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）が、第４化合物半導体層を第２導電型（ｎ型）とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）と競合する不純物から成り、更に、第４化合物半導体層と接する第３化合物半導体層を第１導電型（ｐ型）とするための不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）とも競合する不純物から成る。従って、第４化合物半導体層を成膜したとき、電流ブロック層を構成する第４化合物半導体層と第１Ａ化合物半導体層との間、あるいは、第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間で、不純物相互拡散が生じ難く、高い信頼性を有する電流ブロック層を形成することができる。その結果、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を、より一層効果的に回避することができる。
実施例５は、本発明の第１の態様（より具体的には、第１−ａの態様）、本発明の第３−ａの態様、及び、本発明の第４−ａの態様に係る半導体発光素子に関する。
具体的には、実施例５の半導体発光素子は、発光部の中央部における概念図を図５の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図５の（Ｂ）に示すように、本発明の第１−ａの態様に沿って表せば、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。尚、実施例５の半導体発光素子の模式的な一部断面図は、図２９及び図３０に示したと同様である。
また、本発明の第３−ａの態様に沿って表せば、実施例５の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層４４を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である。
あるいは又、本発明の第４−ａの態様に沿って表せば、実施例５の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための不純物は、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための不純物とは異なる。
より具体的には、実施例５の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表５Ａあるいは表５Ｂに示す構成を有する。ここで、表５Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表５Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。
［表５Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と第１埋込層３１Ａとの間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する第１埋込層３１Ａの部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表５Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第１埋込層３１Ａは、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層３１Ａと第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
実施例５にあっても、実施例１の［工程−１３０］と同様の工程において、発光部２０の形成が完了した時点では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の中央部を切断したときの断面形状は三角形である。このとき、同時に一方では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の端部を切断したときの断面形状は台形である。従って、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）を形成するとき、発光部２０の中央部にあっては、発光部２０の側面にのみ電流ブロック層４０が形成される。このとき、同時に一方では、発光部２０の端部にあっては、発光部２０の側面に電流ブロック層４０が形成されるだけでなく、発光部２０の頂面にも、電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層４０”が形成される。そして、電流ブロック層４０の形成に引き続き、特に両端部においては、発光部２０の側面と、発光部２０の上に更に積層された堆積層４０”の内の少なくとも１層の側面を覆うように第１埋込層３１Ａを形成する。次いで、第１埋込層３１Ａが発光部２０の側面あるいは化合物半導体層３０’の側面を少なくとも覆い終わった時点で、第２埋込層３１Ｂの形成を開始し、全面を第２埋込層３１Ｂで被覆する。このように、特に堆積層４０”を構成する層として第１導電型を有する化合物半導体層が含まれる場合、この堆積層４０”を構成する第１導電型を有する化合物半導体層の不純物の置換サイトと競合しない第２導電型を有する埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）が、堆積層４０”の側面の少なくとも一部で接していることが望ましい。これにより、埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）における第２導電型の不純物が堆積層４０”の側面の少なくとも一部から拡散し、電流ブロックの原因となる堆積層４０”を構成する第１導電型化合物半導体層を、先ずは導電型補償し、ひいては、第２導電型化することが可能になる。このとき、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイト（実施例５にあってはＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイト（実施例５にあってはＶ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成る（表５Ａあるいは表５Ｂ参照）。従って、例えば、最終的に頂点を覆うように厚く積層した第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、発光部２０の両端部における頂面上に形成された第１導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３”中に拡散し、係る堆積層第３化合物半導体層４３”を第２導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３’へと変化させる。そして、以上の結果として、発光部２０の両端部における発光部２０の上方に位置する化合物半導体層は、全て、第２導電型を有するようになる。それ故、発光部２０の積層構造の頂面に電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層が存在しなくなり、活性層への電流注入経路が｛１１１｝Ｂ側面（接触面）に限定されないので、電気抵抗の増加による発熱や消費電流の増加といった問題、ひいては、半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題の発生を確実に回避することができる。
実施例５にあっても、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程において、例えば、電流ブロック層位置調整層３０、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。ここで、第４化合物半導体層４４はｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃから成り、第３化合物半導体層４３は、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅから成る。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物（Ｓｅ）の第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。また、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための不純物（Ｃ）の第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトも、Ｖ族原子が占めるサイトである。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
従って、第４化合物半導体層４４を成膜した後、第３化合物半導体層４３を成膜したとき、あるいは又、第３化合物半導体層４３を成膜した後、第４化合物半導体層４４を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第３化合物半導体層４３と第４化合物半導体層４４との間で不純物相互拡散が生じ難い。その結果、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
また、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）が、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層２１と第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂとの間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。
ここで、実施例５の半導体発光素子にあっても、発光部形成領域１１（凸部面）の上に形成された活性層２３は、活性層２３よりも屈折率が低い電流ブロック層４０によって横方向（側面）が囲まれ、活性層２３よりも屈折率が低い第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂによって上下方向が囲まれている。従って、活性層２３の上下方向及び横方向は完全なる光閉込め構造となっている。しかも、凹部面の上にあっては、活性層２３の側面近傍は、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造（ｐ型埋込層３１−ｎ型第３化合物半導体層４３−ｐ型第４化合物半導体層４４、ｐ型電流ブロック層位置調整層３０（ｎ型第２化合物半導体層２２Ｂ）及びｐ型第２化合物半導体層２２Ａ−ｎ型第１化合物半導体層２１）の、いわばサイリスタ構造が形成される。従って、凹部面において電流が流れることが阻止され、これによって活性層２３に電流が集中し、低閾値電流化を図ることができる。
実施例６は、実施例５の変形であり、本発明の第１−ｂの態様、及び、本発明の第３−ｂの態様に関する。
具体的には、発光部の中央部における概念図を図６の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図６の（Ｂ）に示すように、本発明の第１−ｂの態様に沿って表せば、実施例６の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、本発明の第３−ｂの態様に沿って表せば、実施例６の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である。
より具体的には、実施例６の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表６Ａあるいは表６Ｂに示す構成を有する。ここで、表６Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表６Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表６Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｃ（又はＺｎ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と第１埋込層との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する第１埋込層３１Ａの部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表６Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｃ（又はＺｎ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第１埋込層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
実施例７も、実施例５の変形であり、本発明の第１−ｃの態様、及び、本発明の第３−ｃの態様に関し、更には、本発明の第４−ａの態様に関する。尚、実施例７あるいは後述する実施例８における導電型を、実施例５における導電型と逆とした。即ち、実施例７あるいは後述する実施例８における第１導電型はｐ型であり、第２導電型はｎ型である。
具体的には、発光部の中央部における概念図を図７の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図７の（Ｂ）に示すように、本発明の第１−ｃの態様に沿って表せば、実施例７の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。尚、実施例７の半導体発光素子の模式的な一部断面図は、図３９及び図４０に示したと同様である。
あるいは又、本発明の第３−ｃの態様に沿って表せば、実施例７の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層４４を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である。
更には、本発明の第４−ａの態様に沿って表せば、実施例７の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための不純物は、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための不純物とは異なる。
より具体的には、実施例７の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表７Ａあるいは表７Ｂに示す構成を有する。ここで、表７Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表７Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。
［表７Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と第１埋込層３１Ａとの間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する第１埋込層３１Ａの部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表７Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第１埋込層３１Ａは、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層３１Ａと第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
実施例７にあっても、実施例１の［工程−１３０］と同様の工程において、発光部２０の形成が完了した時点では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の中央部を切断したときの断面形状は三角形である。このとき、同時に一方では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の端部を切断したときの断面形状は台形である。従って、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）を形成するとき、発光部２０の中央部にあっては、発光部２０の側面にのみ電流ブロック層４０が形成される。このとき、同時に一方では、発光部２０の端部にあっては、発光部２０の側面に電流ブロック層４０が形成されるだけでなく、発光部２０の頂面にも、電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層４０”が形成される。そして、電流ブロック層４０の形成に引き続き、特に両端部においては、発光部２０の側面と、発光部２０の上に更に積層された堆積層４０”の内の少なくとも１層の側面を覆うように第１埋込層３１Ａを形成する。次いで、第１埋込層３１Ａが発光部２０の側面あるいは化合物半導体層３０’の側面を少なくとも覆い終わった時点で、第２埋込層３１Ｂの形成を開始し、全面を第２埋込層３１Ｂで被覆する。このように、特に堆積層４０”を構成する層として第１導電型を有する化合物半導体層が含まれる場合、この堆積層４０”を構成する第１導電型を有する化合物半導体層の不純物の置換サイトと競合しない第２導電型を有する埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）が、堆積層４０”の側面の少なくとも一部で接していることが望ましい。これにより、埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）における第２導電型の不純物が堆積層４０”の側面の少なくとも一部から拡散し、電流ブロックの原因となる堆積層４０”を構成する第１導電型化合物半導体層を、先ずは導電型補償し、ひいては、第２導電型化することが可能になる。このとき、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイト（実施例７にあってはＶ族原子が占めるサイト）が、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイト（実施例７にあってはＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成る（表７Ａあるいは表７Ｂ参照）。従って、例えば、最終的に頂点を覆うように厚く積層した第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、発光部２０の両端部における頂面上に形成された第１導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３”中に拡散し、係る堆積層第３化合物半導体層４３”を第２導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３’へと変化させる。そして、以上の結果として、発光部２０の両端部における発光部２０の上方に位置する化合物半導体層は、全て、第２導電型を有するようになる。それ故、発光部２０の積層構造の頂面に電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層が存在しなくなり、活性層への電流注入経路が｛１１１｝Ｂ側面（接触面）に限定されないので、電気抵抗の増加による発熱や消費電流の増加といった問題、ひいては、半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題の発生を確実に回避することができる。
また、実施例７にあっても、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程において、例えば、電流ブロック層位置調整層３０、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。ここで、第３化合物半導体層４３は、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成り、第４化合物半導体層４４はｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉから成る。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｐ型）とするための不純物（Ｚｎ）の第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。また、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｎ型）とするための不純物（Ｓｉ）の第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトも、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
従って、第３化合物半導体層４３を成膜した後、第４化合物半導体層４４を成膜したとき、あるいは又、第４化合物半導体層４４を成膜した後、第３化合物半導体層４３を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第３化合物半導体層４３と第４化合物半導体層４４との間で不純物相互拡散が生じ難い。その結果、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
また、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｐ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｎ型）とするための第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層２１と第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂとの間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。
ここで、実施例７の半導体発光素子にあっても、発光部形成領域１１（凸部面）の上に形成された活性層２３は、活性層２３よりも屈折率が低い電流ブロック層４０によって横方向（側面）が囲まれ、活性層２３よりも屈折率が低い第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂによって上下方向が囲まれている。従って、活性層２３の上下方向及び横方向は完全なる光閉込め構造となっている。しかも、凹部面の上にあっては、活性層２３の側面近傍は、ｎ−ｐ−ｎ−ｐ構造（ｎ型埋込層３１−ｐ型第３化合物半導体層４３−ｎ型第４化合物半導体層４４−ｎ型電流ブロック層位置調整層３０（ｎ型第２化合物半導体層２２Ｂ）及びｎ型第２化合物半導体層２２Ａ−ｐ型第１化合物半導体層２１）の、いわばサイリスタ構造が形成される。従って、凹部面において電流が流れることが阻止され、これによって活性層２３に電流が集中し、低閾値電流化を図ることができる。
しかも、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｎ型）とするための不純物であるケイ素（Ｓｉ）は、第２化合物半導体層２１を第２導電型（ｎ型）とするための不純物であるセレン（Ｓｅ）よりも面方位依存性が小さい。従って、第３化合物半導体層４３の形成（成膜）においては、第３化合物半導体層４３は、発光部２０の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域、基板１０の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び、｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する高次の結晶面領域が形成されるが、これらの領域への不純物としてのＳｉのドーピング濃度の変動が小さい。その結果、安定した（均一な）不純物濃度を有する第３化合物半導体層４３の形成（積層）が可能になり、第３化合物半導体層４３と接する別の伝導型を有する層との濃度バランスの調整が容易になる。従って、高い電流阻止能力を有する電流ブロック層４０を得ることができる。しかも、安定した不純物濃度を有する第３化合物半導体層４３の形成（積層）が可能になるので、第３化合物半導体層４３上に第４化合物半導体層４４を形成したとき、あるいは又、第４化合物半導体層４４上に第３化合物半導体層４３を形成したとき、第３化合物半導体層４３や第４化合物半導体層４４が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を一層確実に回避することができる。
実施例８は、実施例５及び実施例７の変形であり、本発明の第１−ｄの態様、及び、本発明の第３−ｄの態様に関する。
具体的には、発光部の中央部における概念図を図８の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図８の（Ｂ）に示すように、本発明の第１−ｄの態様に沿って表せば、実施例８の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、本発明の第３−ｄの態様に沿って表せば、実施例８の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である。
より具体的には、実施例８の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表８Ａあるいは表８Ｂに示す構成を有する。ここで、表８Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表８Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表８Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と第１埋込層との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する第１埋込層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表８Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第１埋込層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
実施例９は、本発明の第５の態様（より具体的には、第５−Ａ−１の態様）に係る半導体発光素子に関する。実施例９の半導体発光素子は、発光部の中央部における概念図を図９の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図９の（Ｂ）に示し、図２９、図３０に模式的な一部断面図を示し、拡大された模式的な一部断面図を図３１の（Ａ）〜（Ｃ）に示したと同様に、
（Ａ）第１導電型（実施例９にあっては、ｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型（実施例９にあっては、ｐ型）を有する第２化合物半導体層２２が順次積層された積層構造体から構成された発光部２０、並びに、
（Ｂ）発光部２０の側面に接して設けられた電流ブロック層４０、
を備えている。
電流ブロック層４０は、少なくとも、第２導電型を有する第４化合物半導体層４４、及び、第１導電型を有する第３化合物半導体層４３が順次積層された積層構造体から構成されている。そして、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層２１を第１導電型とするための第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。また、第２化合物半導体層２２を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層２２における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。更には、第１化合物半導体層２１、電流ブロック層４０、及び、第２化合物半導体層２２を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在する。
第４化合物半導体層４４は第１化合物半導体層２１の側面と接しており、第３化合物半導体層４３は第２化合物半導体層２２の側面と接している。そして、具体的には、迂回経路は、第１化合物半導体層２１、第４化合物半導体層４４、第３化合物半導体層４３、及び、第２化合物半導体層２２から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層２１の側面／第４化合物半導体層４４、第４化合物半導体層４４／第３化合物半導体層４３、及び、第３化合物半導体層４３／第２化合物半導体層２２の側面の３つである。
実施例９の半導体発光素子にあっても、第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。あるいは又、後述するように、第１Ａ化合物半導体層２１Ａ、第１Ｂ化合物半導体層２１Ｂ、第２化合物半導体層２２、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、あるいは又、第１化合物半導体層２１、第２Ａ化合物半導体層２２Ａ、第２Ｂ化合物半導体層２２Ｂ、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３、並びに、第１埋込層Ａ及び第２埋込層３１Ｂは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。
ここで、実施例９にあっては、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層２２における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。また、第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。そして、第１化合物半導体層２１及び第３化合物半導体層４３を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、ケイ素，Ｓｉ）であり、第２化合物半導体層２２及び第４化合物半導体層４４を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、亜鉛，Ｚｎ）であり、第１埋込層３１Ａを第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、亜鉛，Ｚｎ）であり、第２埋込層３１Ｂを第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表９Ａに示す構成を有する。
［表９Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、電流ブロック層位置調整層３０と第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
ここで、図３１の（Ａ）に示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が形成されている。そして、第３化合物半導体層４３（ｎ型）とその下の第４化合物半導体層４４（ｐ型）とのｐｎ接合界面は、｛３１１｝Ｂ結晶面に沿って延びており、その端部が発光部２０（特に、活性層２３の側面）で接することで、新たな接合界面が２つ形成される。即ち、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ／第３化合物半導体層４３のｐｎ接合界面、第３化合物半導体層４３／第４化合物半導体層４４のｎｐ接合界面、第４化合物半導体層４４／第１化合物半導体層２１のｐｎ接合界面といった、ｐｎｐｎ接合構造から構成された電流経路が形成され、電流ブロック構造として望ましい設計である。
しかも、実施例９にあっては、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイト、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層２２における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。即ち、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合する不純物から成る。また、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合する不純物から成る。更には、第２化合物半導体層２２を第２導電型（ｐ型）とするための不純物は、第２化合物半導体層２２における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合する不純物から成る。従って、第４化合物半導体層４４を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第４化合物半導体層４４と第１化合物半導体層２１との間で不純物相互拡散が生じ難く、また、第３化合物半導体層４３を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第３化合物半導体層４３と第４化合物半導体層４４との間で、あるいは又、第３化合物半導体層４３と第２化合物半導体層２２との間で、不純物相互拡散が生じ難く、高い信頼性を有する電流ブロック層４０を形成することができる。即ち、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を確実に回避することができる。
また、実施例９にあっても、実施例１の［工程−１３０］と同様の工程において、発光部２０の形成が完了した時点では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の中央部を切断したときの断面形状は三角形である。このとき、同時に一方では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の端部を切断したときの断面形状は台形である。従って、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）を形成するとき、発光部２０の中央部にあっては、発光部２０の側面にのみ電流ブロック層４０が形成される。このとき、同時に一方では、発光部２０の端部にあっては、発光部２０の側面に電流ブロック層４０が形成されるだけでなく、発光部２０の頂面にも、電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層４０”が形成される。そして、電流ブロック層４０の形成に引き続き、特に両端部においては、発光部２０の側面と、発光部２０の上に更に積層された堆積層４０”の内の少なくとも１層の側面を覆うように第１埋込層３１Ａを形成する。次いで、第１埋込層３１Ａが発光部２０の側面あるいは化合物半導体層３０’の側面を少なくとも覆い終わった時点で、第２埋込層３１Ｂの形成を開始し、全面を第２埋込層３１Ｂで被覆する。このように、特に堆積層４０”を構成する層として第１導電型を有する化合物半導体層が含まれる場合、この堆積層４０”を構成する第１導電型を有する化合物半導体層の不純物の置換サイトと競合しない第２導電型を有する埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）が、堆積層４０”の側面の少なくとも一部で接していることが望ましい。これにより、埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）における第２導電型の不純物が堆積層４０”の側面の少なくとも一部から拡散し、電流ブロックの原因となる堆積層４０”を構成する第１導電型化合物半導体層を、先ずは導電型補償し、ひいては、第２導電型化することが可能になる。このとき、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイト（実施例９にあってはＶ族原子が占めるサイト）が、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイト（実施例９にあってはＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成る（表９Ａあるいは表９Ｂ参照）。従って、例えば、最終的に頂点を覆うように厚く積層した第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、発光部２０の両端部における頂面上に形成された第１導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３”中に拡散し、係る堆積層第３化合物半導体層４３”を第２導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３’へと変化させる。そして、以上の結果として、発光部２０の両端部における発光部２０の上方に位置する化合物半導体層は、全て、第２導電型を有するようになる。それ故、発光部２０の積層構造の頂面に電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層が存在しなくなり、活性層への電流注入経路が｛１１１｝Ｂ側面（接触面）に限定されないので、電気抵抗の増加による発熱や消費電流の増加といった問題、ひいては半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題の発生を確実に回避することができる。
尚、以上の点を除き、実施例９の半導体発光素子は、基本的に、実施例１の半導体発光素子と同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。
以下、実施例９の半導体発光素子の変形例を説明する。
発光部の中央部における概念図を図１０の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図１０の（Ｂ）に示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第５−Ａ−２の態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｂに示す構成を有する。尚、表９Ａの（注１）及び（注２）と同じ注が付される（後述する表９Ｃ〜表９Ｊにおいても同様）。
［表９Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
発光部の中央部における概念図を図１１の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図１１の（Ｂ）に示すように、あるいは又、発光部の中央部における概念図を図１２の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図１２の（Ｂ）に示すように、実施例９の半導体発光素子のこれらの変形例は、本発明の第５−ａの態様に係る半導体発光素子であり、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
そして、図１１の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第５−ａ−１の態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｃに示す構成を有する。
［表９Ｃ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第２化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図１２の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第５−ａ−２の態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｄに示す構成を有する。
［表９Ｄ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
発光部の中央部における概念図を図１３の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図１３の（Ｂ）に示すように、あるいは又、発光部の中央部における概念図を図１５の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図１５の（Ｂ）に示すように、実施例９の半導体発光素子のこれらの変形例は、本発明の第５−Ｂの態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。尚、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。具体的には、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
そして、図１３の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第５−Ｂ−１の態様に係る半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｅに示す構成を有する。
［表９Ｅ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図１５の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第５−Ｂ−２の態様に係る半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｆに示す構成を有する。
［表９Ｆ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図１３の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図１５の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図１４の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図１６の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっては、
第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第６化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図１４の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては第ＩＶ族不純物，Ｓｉであり、図１６の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては第ＩＩ族不純物，Ｚｎである）から成り、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層（第１Ａ化合物半導体層及び第１Ｂ化合物半導体層）、第６化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
発光部の中央部における概念図を図１７の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図１７の（Ｂ）に示すように、あるいは又、発光部の中央部における概念図を図１９の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図１９の（Ｂ）に示すように、実施例９の半導体発光素子のこれらの変形例は、本発明の第５−ｂの態様に係る半導体発光素子であり、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
そして、図１７の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第５−ｂ−１の態様に係る半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｇに示す構成を有する。
［表９Ｇ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図１９の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第５−ｂ−２の態様に係る半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｈに示す構成を有する。
［表９Ｈ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図１７の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図１９の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図１８の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図２０の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっても、
第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第６化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図１８の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては第ＶＩ族不純物，Ｓｅであり、図２０の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては炭素（Ｃ）である）から成り、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層（第１Ａ化合物半導体層及び第１Ｂ化合物半導体層）、第６化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
発光部の中央部における概念図を図２１の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図２１の（Ｂ）に示すように、あるいは又、発光部の中央部における概念図を図２３の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図２３の（Ｂ）に示すように、実施例９の半導体発光素子のこれらの変形例は、本発明の第５−Ｃの態様に係る半導体発光素子であり、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。尚、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。具体的には、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
そして、図２１の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第５−Ｃ−１の態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｉに示す構成を有する。
［表９Ｉ］
（発光部の構成）
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図２３の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第５−Ｃ−２の態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｊに示す構成を有する。
［表９Ｊ］
（発光部の構成）
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図２１の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図２３の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図２２の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図２４の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっては、
第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第５化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図２３の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては第ＩＩ族不純物，Ｚｎであり、図２４の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては第ＩＶ族不純物，Ｓｉである）から成り、
第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、第５化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層（第２Ａ化合物半導体層及び第２Ｂ化合物半導体層）から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の３つである。
発光部の中央部における概念図を図２５の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図２５の（Ｂ）に示すように、あるいは又、発光部の中央部における概念図を図２７の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図２７の（Ｂ）に示すように、実施例９の半導体発光素子のこれらの変形例は、本発明の第５−ｃの態様に係る半導体発光素子であり、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
そして、図２５の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第５−ｃ−１の態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｋに示す構成を有する。
［表９Ｋ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図２７の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例は、本発明の第５−ｃ−２の態様に係る半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には，Ｓｉ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｌに示す構成を有する。
［表９Ｌ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図２５の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図２７の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例９の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図２６の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図２８の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっても、
第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第５化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図２６の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては炭素（Ｃ）であり、図２８の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては第ＶＩ族不純物，Ｓｅである）から成り、
第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、第５化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層（第２Ａ化合物半導体層及び第２Ｂ化合物半導体層）から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の３つである。
電流ブロック層内に、不純物拡散バリア層を設けてもよい。具体的には、電流ブロック層を構成する第２導電型を有する第４化合物半導体層内に、同じく第２導電型を有する不純物拡散バリア層が少なくとも１層（例えば、第７化合物半導体層）、挿入され、第４化合物半導体層の不純物の置換サイトと、不純物拡散バリア層（例えば、不純物拡散バリア層が１層である場合、第７化合物半導体層）の不純物の置換サイトとが異なるように、不純物を選択すればよい。より具体的には、例えば、図１３の（Ａ）及び（Ｂ）あるいは図１４の（Ａ）及び（Ｂ）に示した構造において、第４化合物半導体層における不純物を亜鉛（Ｚｎ）とし、第４化合物半導体層内に挿入する第２導電型の不純物拡散バリア層（第７化合物半導体層）における不純物を炭素（Ｃ）とする構成を採用することができる。即ち、
ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
ｐ型第７化合物半導体層（不純物：Ｃ）
ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった構成とすることができる。あるいは又、図１４の（Ａ）及び（Ｂ）あるいは図１５の（Ａ）及び（Ｂ）に示した構造において、第４化合物半導体層における不純物をケイ素（Ｓｉ）とし、第４化合物半導体層内に挿入する第２導電型の不純物拡散バリア層（第７化合物半導体層）における不純物をセレン（Ｓｅ）とする構成を採用することができる。即ち、
ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
ｎ型第７化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった構成とすることができる。このような構成とすれば、例えば、第１Ｂ化合物半導体層から不純物である第ＶＩ族不純物（Ｓｅ）や炭素（Ｃ）が電流ブロック層中（Ｚｎドープ層中あるいはＳｉドープ層中）を拡散した場合、係る不純物は、係る不純物の置換サイトが競合する不純物（炭素やセレン）を含んだ第７化合物半導体層中で拡散できず、高い信頼性を有する電流ブロック層を形成することができる。
同様に、電流ブロック層を構成する第１導電型を有する第３化合物半導体層内に、同じく第１導電型を有する不純物拡散バリア層が少なくとも１層（例えば、第８化合物半導体層）、挿入され、第３化合物半導体層の不純物の置換サイトと、不純物拡散バリア層（例えば、不純物拡散バリア層が１層である場合、第８化合物半導体層）の不純物の置換サイトとが異なるように、不純物を選択すればよい。例えば、図２１の（Ａ）及び（Ｂ）あるいは図２２の（Ａ）及び（Ｂ）に示した構造において、第３化合物半導体層における不純物をシリコン（Ｓｉ）とし、第３化合物半導体層内に挿入する第１導電型の不純物拡散バリア層（第８化合物半導体層）における不純物をセレン（Ｓｅ）とする構成を採用することができる。即ち、
ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
ｎ型第８化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった構成とすることができる。あるいは又、図２３の（Ａ）及び（Ｂ）あるいは図２４の（Ａ）及び（Ｂ）に示した構造において、第３化合物半導体層における不純物を亜鉛（Ｚｎ）とし、第３化合物半導体層内に挿入する第１導電型の不純物拡散バリア層（第８化合物半導体層）における不純物を炭素（Ｃ）とする構成を採用することができる。即ち、
ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
ｐ型第８化合物半導体層（不純物：Ｃ）
ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった構成とすることができる。このような構成とすることでも、例えば、第２Ｂ化合物半導体層から不純物である炭素（Ｃ）やセレン（Ｓｅ）が電流ブロック層中（Ｓｉドープ層中やＺｎドープ層中）を拡散した場合、係る不純物は、係る不純物の置換サイトが競合する不純物（第ＶＩ族不純物，Ｓｅや炭素）を含んだ第８化合物半導体層中で拡散できず、高い信頼性を有する電流ブロック層を形成することができる。
第１化合物半導体層を第１Ａ化合物半導体層及び第１Ｂ化合物半導体層から構成する他の半導体発光素子、第２化合物半導体層を第２Ａ化合物半導体層及び第２Ｂ化合物半導体層から構成する他の半導体発光素子においても、同様とすることができる。
不純物拡散バリア層（第７化合物半導体層や第８化合物半導体層）を挿入する形態は、特に、図１４の（Ａ）、（Ｂ）、図１６の（Ａ）、（Ｂ）、図１８の（Ａ）、（Ｂ）、図２０の（Ａ）、（Ｂ）、図２２の（Ａ）、（Ｂ）、図２４の（Ａ）、（Ｂ）、図２６の（Ａ）、（Ｂ）、図２８の（Ａ）、（Ｂ）等において不純物拡散バリアの効果が得易く、第７化合物半導体層や第８化合物半導体層を不純物拡散バリア層として、第７化合物半導体層や第８化合物半導体層と同一導電型である化合物半導体層（第４化合物半導体層あるいは第３化合物半導体層）に１層、挿入した例を上述のとおり挙げている。但し、不純物拡散バリアを目的とした不純物拡散バリア層の数は、第１化合物半導体層（あるいは第１Ｂ化合物半導体層）、あるいは、第２化合物半導体層（あるいは第２Ｂ化合物半導体層）から電流ブロック層に拡散する不純物の置換サイトと同じ不純物の置換サイトを有する化合物半導体層を不純物拡散バリア層として用いるのであれば、２層以上であってもよい。また、不純物拡散バリア層を設ける位置は、不純物拡散バリア層と同じ導電型を有する化合物半導体層内に限らず、異なる導電型を有する化合物半導体層内に１層以上挿入してもよい。
あるいは又、電流ブロック層を多層構成としてもよい。具体的には、例えば、図１４の（Ａ）及び（ｂ）に示した構造において、ｎ型第３化合物半導体層／ｐ型第４化合物半導体層／ｎ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（６）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（７）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（８）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（９）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（８）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（９）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（１０）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（１１）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。同様に、図１８の（Ａ）及び（Ｂ）に示した構造において、ｎ型第３化合物半導体層／ｐ型第４化合物半導体層／ｎ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（６）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（７）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（８）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（９）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（８）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（９）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（１０）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（１１）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。また、図１６の（Ａ）及び（Ｂ）に示した構造において、ｐ型第３化合物半導体層／ｎ型第４化合物半導体層／ｐ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（６）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（７）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（８）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（９）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（８）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（９）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（１０）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（１１）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。同様に、図２０の（Ａ）及び（Ｂ）に示した構造において、ｐ型第３化合物半導体層／ｎ型第４化合物半導体層／ｐ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（６）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（７）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（８）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（９）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（８）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（９）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（１０）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（１１）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。
このように、電流ブロック層の総厚を厚くすることなく電流ブロック層を多層構造とすることで、電流ブロック層を構成する各化合物半導体層（上述した第３化合物半導体層から第６化合物半導体層までに至る全ての化合物半導体層の内の少なくとも１層以上の化合物半導体層、あるいは、図２２の（Ａ）、（Ｂ）、図２４の（Ａ）、（Ｂ）、図２６の（Ａ）、（Ｂ）、図２８の（Ａ）、（Ｂ）の場合においても、上述したと同様に、第５化合物半導体層から第４化合物半導体層までに至る全ての化合物半導体層の内の少なくとも１層以上の化合物半導体層）の厚さを任意に薄くする設計が選択できるので、電流ブロック層を構成する１層の発光部の側面に接する接触面積を減らすことが可能になる。この接触面において、更に接触面積が減るように電流ブロック層を構成する各化合物半導体層の厚さを調節することによって、電流ブロック層を構成する１層の接触面だけで活性層（あるいは井戸層）の全側面を跨る状態を回避することが可能になるので、迂回経路に電流リークパスが形成される現象を一層確実に防止することができる。
実施例９にあっては、第１化合物半導体層を第１Ａ化合物半導体層と第１Ｂ化合物半導体層から構成し、併せて、第２化合物半導体層を第２Ａ化合物半導体層と第２Ｂ化合物半導体層から構成することもできる。
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１における第１化合物半導体層の構造（図１の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例２における第２化合物半導体層の構造（図２の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例１における第２化合物半導体層の構造（図１の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例２における第１化合物半導体層の構造（図２の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例３における第１化合物半導体層の構造（図３の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例４における第２化合物半導体層の構造（図４の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例３における第２化合物半導体層の構造（図３の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例４における第１化合物半導体層の構造（図４の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよい。また、実施例５における第１化合物半導体層の構造（図５の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例６における第２化合物半導体層の構造（図６の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例５における第２化合物半導体層の構造（図５の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例６における第１化合物半導体層の構造（図６の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例７における第１化合物半導体層の構造（図７の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例８における第２化合物半導体層の構造（図８の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例７における第２化合物半導体層の構造（図７の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例８における第１化合物半導体層の構造（図８の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよい。
また、実施例１〜実施例８において説明した半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層４０は、第２導電型を有する第５化合物半導体層から更に構成されており、
第４化合物半導体層４４及び第５化合物半導体層によって第３化合物半導体層４３が挟まれた構造を有し、
第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第５化合物半導体層を第２導電型とするための第５化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。
実施例１、実施例２、実施例５、実施例６にあっては、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４の積層状態にも依るが、第１埋込層３１Ａを第５化合物半導体層と見做すこともできる。実施例３、実施例４、実施例７、実施例８においても同様である。
あるいは又、実施例１〜実施例８において説明した半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層４０は、第１導電型を有する第６化合物半導体層から更に構成されており、
第３化合物半導体層４３及び第６化合物半導体層によって第４化合物半導体層４４が挟まれた構造を有し、
第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトが、第６化合物半導体層を第１導電型とするための第６化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。
実施例１、実施例２、実施例５、実施例６にあっては、電流ブロック層４０を、第３化合物半導体層４３（ｎ型）／第４化合物半導体層４４（ｐ型）／第６化合物半導体層（ｎ型）の順で積層された３層構成とすることができるし、あるいは又、第６化合物半導体層（ｎ型）／第４化合物半導体層４４（ｐ型）／第３化合物半導体層４３（ｎ型）の順で積層された３層構成とすることができる。また、実施例３、実施例４、実施例７、実施例８にあっても、電流ブロック層４０を、第３化合物半導体層４３（ｐ型）／第４化合物半導体層４４（ｎ型）／第６化合物半導体層（ｐ型）の順で積層された３層構成とすることができるし、あるいは又、第６化合物半導体層（ｐ型）／第４化合物半導体層４４（ｎ型）／第３化合物半導体層４３（ｐ型）の順で積層された３層構成とすることができる。
実施例１、実施例３、実施例５、実施例７においては、第２化合物半導体層を活性層側から、第２化合物半導体層２２Ａと第２化合物半導体層２２Ｂの２層構成とし、実施例２、実施例４、実施例６、実施例８においては、第２化合物半導体層を活性層側から、第２Ａ化合物半導体層と第２Ｂ化合物半導体層の２層構成としている。前者の場合には、バンドギャップ（又は屈折率）の変化で２層構成の第２化合物半導体層を定義している。一方、後者の場合には、不純物の置換サイトの変化で２層構成の第２化合物半導体層を定義している。従って、各実施例において説明した第２化合物半導体層の積層構造において、特に、第２Ａ化合物半導体層と第２Ｂ化合物半導体層の２層構成の場合、第２Ａ化合物半導体層を第２化合物半導体層２２Ａと見做し、第２Ｂ化合物半導体層を第２化合物半導体層２２Ｂと見做すことができるし、あるいは又、例えば、第２Ａ化合物半導体層が第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂの積層構造から構成されている場合もある得るし、第２Ｂ化合物半導体層が第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂの積層構造から構成されている場合もある得る。
図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の半導体発光素子の概念図である。 図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２の半導体発光素子の概念図である。 図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例３の半導体発光素子の概念図である。 図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例４の半導体発光素子の概念図である。 図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例５の半導体発光素子の概念図である。 図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例６の半導体発光素子の概念図である。 図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例７の半導体発光素子の概念図である。 図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例８の半導体発光素子の概念図である。 図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の変形例の概念図である。 図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の別の変形例の概念図である。 図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１３の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１５の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１６の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１７の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１８の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１９の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２０の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２３の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２５の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２６の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２７の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２８の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２９は、実施例１の半導体発光素子の中央部における半導体発光素子の模式的な一部断面図である。 図３０は、実施例１の半導体発光素子の両端部における半導体発光素子の模式的な一部断面図である。 図３１の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例１の半導体発光素子の拡大された模式的な一部断面図である。 図３２の（Ａ）は、実施例１の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図であり、図３２の（Ｂ）は、発光部形成領域の模式的な平面図である。 図３３は、図３２の（Ａ）に引き続き、実施例１の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の中央部）である。 図３４は、図３２の（Ａ）に引き続き、実施例１の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の両端部）である。 図３５は、図３３に引き続き、実施例１の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の中央部）である。 図３６は、図３４に引き続き、実施例１の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の両端部）である。 図３７は、図３５に引き続き、実施例１の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の中央部）である。 図３８は、図３６に引き続き、実施例１の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の両端部）である。 図３９は、実施例３の半導体発光素子の中央部における半導体発光素子の模式的な一部断面図である。 図４０は、実施例３の半導体発光素子の両端部における半導体発光素子の模式的な一部断面図である。 図４１の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例３の半導体発光素子の拡大された模式的な一部断面図である。 図４２は、従来の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の中央部）である。 図４３は、従来の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の両端部）である。
符号の説明
１０・・・基板、１１・・・発光部形成領域、１２・・・バッファ層、２０・・・発光部、２１・・・第１化合物半導体層、２２Ａ，２２Ｂ・・・第２化合物半導体層、２３・・・活性層、３０・・・電流ブロック層位置調整層、３１・・・埋込層、３１Ａ・・・第１埋込層、３１Ｂ・・・第２埋込層、３２・・・コンタクト層（キャップ層）、４０・・・電流ブロック層、４０’・・・堆積層痕、４０”・・・堆積層、４３・・・第３化合物半導体層、４４・・・第４化合物半導体層、５１・・・第１電極、５２・・・第２電極

Claims (20)

  1. （Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成され、｛０１１｝面から構成された端面から光が出射される発光部、
    （Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、並びに、
    （Ｃ）電流ブロック層及び発光部上に形成された埋込層、
    を備え、
    活性層の平面形状は、中央部の幅が、｛０１１｝方向に延びる活性層の両端部の幅よりも狭い帯状の形状を有し、
    電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されている半導体発光素子であって、
    発光部の両端部における頂面上には、電流ブロック層と同じ組成を有する積層構造から構成された堆積層が形成されており、
    第２導電型を有する埋込層は、第１埋込層及び第２埋込層が順次積層された積層構造体から構成されており、
    第２埋込層は堆積層を被覆しており、
    電流ブロック層の上方に位置する埋込層において、第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、第２埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、
    第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、堆積層における第１導電型を有する化合物半導体層中に拡散し、第２導電型を有する化合物半導体層へと変化させることを特徴とする半導体発光素子。
  2. 電流ブロック層の上方に位置する埋込層において、第１埋込層を第２導電型とするための不純物は、第１埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
  3. 第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、
    第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
  4. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
  5. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
    第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
    第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
  6. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
  7. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
    第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
    第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
  8. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
  9. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
    第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
    第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
  10. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
  11. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
    第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
    第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
    第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
    第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
  12. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
    第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
    第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
    第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
  13. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
    第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
    第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
    第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
    第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
    第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
    第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
    第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
    第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
    第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
  14. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
    第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
    第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
    第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
  15. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
    第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
    第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
    第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
    第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
    第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
    第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
    第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
    第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
    第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
  16. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第２化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
    第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
    第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
    第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
  17. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
    第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
    第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
    第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
    第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
    第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
    第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
    第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
    第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
    第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
  18. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第２化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
    第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
    第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
    第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
  19. 第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
    第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
    第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
    第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
    第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
    第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
    第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
    第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
    第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
    第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
    第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
  20. 電流ブロック層は、少なくとも、第２導電型を有する第４化合物半導体層、及び、第１導電型を有する第３化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成されており、
    第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接しており、
    第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
    第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
    第１化合物半導体層、電流ブロック層、及び、第２化合物半導体層を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
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