JP2009071172A - 半導体発光素子及びその製造方法、並びに、下地層の形成方法 - Google Patents

半導体発光素子及びその製造方法、並びに、下地層の形成方法 Download PDF

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Abstract

【課題】発光部を形成するための下地層（基部）の設計自由度を高くすることができ、しかも、高い発光効率を得ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、基板１０の｛１００｝面である主面上に形成された下地層１１、下地層１１の頂面上に形成された発光部２０、並びに、下地層１１が形成されていない基板１０の主面の部分の上方に形成され、発光部２０を構成する活性層２３の露出した側面を少なくとも覆う電流ブロック層４０を具備しており、下地層１１は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、基板１０の主面上にエピタキシャル成長法にて形成されており、基板１０の＜１１０＞方向と平行に延び、基板１０の該＜１１０＞方向に垂直な仮想平面で切断したときの断面形状が台形であり、該台形の２つの斜辺に相当する斜面が｛１１１｝Ｂ面であり、台形の上辺に相当する頂面が｛１００｝面である。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体発光素子及びその製造方法、並びに、下地層の形成方法に関する。
低閾値電流Ｉthを有する半導体レーザとして、１回のエピタキシャル成長工程によって形成し得るＳＤＨ（Separated Double Hetero Junction）構造を有する半導体レーザ（以下、ＳＤＨ型半導体レーザと呼ぶ）が、例えば、特許第２９９０８３７号から周知である。
このＳＤＨ型半導体レーザにおいては、先ず、主面として｛１００｝面を有する基板に、｛１１０｝Ａ面方向に延びる凸部を形成する。そして、この基板の主面上において結晶成長を行うと、凸部の｛１００｝面（便宜上、凸部面と呼ぶ）の上に化合物半導体層が積層されて成る発光部が形成される。発光部は、例えば、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された構造を有する。凸部の延びる方向に対して垂直方向の仮想平面でこの発光部を切断したときの断面形状は例えば三角形であり、発光部の側面（斜面）は｛１１１｝Ｂ面から構成されている。一般に、ＭＯＣＶＤ法（ＭＯＶＰＥ法とも呼ばれる）においては、特殊な結晶成長条件を除けば、｛１１１｝Ｂ面は非成長面として知られている。従って、ＳＤＨ型半導体レーザの場合、側面が｛１１１｝Ｂ面である発光部が形成されると、その後、ＭＯＣＶＤを継続しても、発光部の結晶成長は「自己成長停止」が保持される。ここで、｛１１１｝Ｂ面の傾斜角（α）は、５４．７度である。
尚、結晶面の表記、
Figure 2009071172
を、便宜上、本明細書においては、（ｈｋｌ）面、（ｈｋ−ｌ）面と表記し、以下に例示する方向の表記、
Figure 2009071172
を、便宜上、本明細書においては、［ｈｋｌ］方向、［ｈｋ−ｌ］方向と表記する。
一方、凸部を除く基板の主面である｛１００｝面の部分（便宜上、凹部面と呼ぶ）においては、非成長面が存在しないので、ＭＯＣＶＤを継続すると、やがて凹部面から結晶成長する化合物半導体層が、自己成長停止している発光部を完全に埋め尽くすようになる。凹部面から結晶成長した化合物半導体層は、第２化合物半導体層上に、電流ブロック層位置調整層、電流ブロック層、及び、埋込層が順次形成された構造を有する。ここで、通常、電流ブロック層位置調整層の厚さを制御することによって、凹部面から結晶成長する化合物半導体層が発光部を埋め尽くす前の途中段階で（特に、発光部に形成された活性層の両側面近傍に差し掛かったときに）、電流ブロック層を形成することにより、発光部の活性層のみに電流注入が可能な構造を形成することができる。
このように、ＳＤＨ型半導体レーザにおいては、１回の結晶成長工程に基づき各化合物半導体層を形成することができ、しかも、発光部内で活性層を上下で挟む化合物半導体層（第１化合物半導体層及び第２化合物半導体層）に用いる材料や、発光部の外側に位置する電流ブロック層や埋込層、電流ブロック層位置調整層に用いる材料として、エネルギーバンドギャップが活性層よりも十分に高い材料、即ち、低屈折率の材料を選択することにより、光閉込めに好都合な化合物半導体層によって活性層を完全に囲むことが可能となる。そして、これによって、凸部の端面を光出射面として有する半導体レーザから出射されたビーム形状を、真円に近づけることができる。即ち、ファー・フィールド・パターン（Far Field Pattern，ＦＦＰ）において、
θ//≒θ⊥
を達成することができる。
あるいは又、例えば、レンズとのカップリング効率等に依っては、半導体レーザから出射されたビーム形状を楕円とすることが求められる場合がある。このような場合には、例えば、凸部の端面付近の幅を拡げた、所謂フレア・ストライプ構造を採用することにより（例えば、特許第３３９９０１８号参照）、ＦＦＰのθ//を小さく制御することができる。しかも、フレア・ストライプ構造を採用することにより、高光出力を達成することができる。
特許第２９９０８３７号 特許第３３９９０１８号
ところで、上述したとおり、ＳＤＨ型半導体レーザにおいては、先ず、主面として｛１００｝面を有する基板に、｛１１０｝Ａ面方向に延びる凸部を形成する（図５８の（Ａ）参照）。従って、発光部の大きさは、凸部の幅（ＷP）によって規定される。一方、活性層の幅（ＷA）は、ＳＤＨ型半導体レーザの仕様に基づき決定される。それ故、凸部の幅（ＷP）が狭い場合、所望の幅（ＷA）の活性層を形成したとき、活性層から凸部までの距離（Ｈ1）が自ずと短くなる（図５８の（Ｂ）参照）。ここで、Ｈ1，ＷP，ＷAには、以下の関係がある。
Ｈ1＝｛（ＷP−ＷA）／２｝×ｔａｎ（α）
そして、活性層から凸部までの距離（Ｈ1）が短い場合、活性層で発生した光が凸部を構成する基板に吸収され、光閉込め効果が不完全となり、発光効率（光出力／注入電流にて表されるスロープ効率）が低下してしまうといった問題がある。
また、発光部の高さ（Ｈ2）も、凸部の幅（ＷP）によって規定される。ここで、Ｈ2，ＷPには、以下の関係がある。
Ｈ2＝（ＷP／２）×ｔａｎ（α）
そこで、図５９の（Ａ）に図示するように、凸部の高さ（Ｈ0）が低く、凸部の幅（ＷP）が広い、所謂低アスペクト比の凸部に基づきＳＤＨ型半導体レーザを製造した場合、図５９の（Ｂ）に図示するように、活性層の側面に電流ブロック層を形成する余地が無くなってしまう場合がある。
従って、本発明の目的は、発光部を形成するための下地層（基部）の設計自由度を高くすることができ、しかも、高い発光効率を得ることができる半導体発光素子、係る半導体発光素子を製造する方法、下地層の形成方法を提供することにある。
上記の目的を達成するための本発明の半導体発光素子は、
（Ａ）｛１００｝面を主面として有する基板の該主面上に形成された下地層、
（Ｂ）下地層の頂面上に、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る発光部、並びに、
（Ｃ）下地層が形成されていない基板の主面の部分の上方に形成され、発光部を構成する活性層の露出した側面を少なくとも覆う電流ブロック層、
を具備した半導体発光素子であって、
下地層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、基板の主面上にエピタキシャル成長法にて形成されており、基板の＜１１０＞方向と平行に延び、基板の該＜１１０＞方向に垂直な仮想平面で切断したときの断面形状が台形であり、該台形の２つの斜辺に相当する斜面が｛１１１｝Ｂ面であり、台形の上辺に相当する頂面が｛１００｝面であることを特徴とする。
本発明の半導体発光素子において、下地層を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg）は、基板を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg-0）よりも高いことが望ましい。尚、このような要件を、便宜上、『エネルギーバンドギャップ条件−Ａ』と呼ぶ。
また、上記の好ましい形態を含む本発明の半導体発光素子において、下地層を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg）は、第１化合物半導体層を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg-1）よりも高いことが望ましい。尚、このような要件を、便宜上、『エネルギーバンドギャップ条件−Ｂ』と呼ぶ。
以上に説明した各種の好ましい形態を含む本発明の半導体発光素子において、下地層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、その構成要素として、少なくとも、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）の内の１つ、及び、アルミニウム（Ａｌ）を含むことが好ましく、あるいは又、下地層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、その構成要素として、少なくともリン（Ｐ）を含むことが好ましい。前者の構成における（基板を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体，下地層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体，第１化合物半導体層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体）の組合せとして、エネルギーバンドギャップ条件−Ａあるいはエネルギーバンドギャップ条件−Ｂを満足する限りにおいて、
組成−Ａ：（ＧａＡｓ，Ａｌx1Ｇａ(1-x1)Ａｓ，ＡｌyＧａ(1-y)Ａｓ）［但し、０＜ｘ１≦１，０＜ｙ≦１であり、（ＧａＡｓのＥg）＜（Ａｌx1Ｇａ(1-x1)ＡｓのＥg-0），（Ａｌx1Ｇａ(1-x1)ＡｓのＥg）≧（ＡｌyＧａ(1-y)ＡｓのＥg-1）である］
組成−Ｂ：（ＧａＡｓ，Ａｌx2Ｇａ(1-x2)Ａｓ／Ａｌx3Ｇａ(1-x3)Ａｓの超格子，ＡｌyＧａ(1-y)Ａｓ）［但し、０≦ｘ２，ｘ３≦１，ｘ２≠ｘ３，０＜ｙ≦１であり、（ＧａＡｓのＥg）＜（Ａｌx2Ｇａ(1-x2)Ａｓ／Ａｌx3Ｇａ(1-x3)Ａｓの超格子のＥg-0），（Ａｌx2Ｇａ(1-x2)Ａｓ／Ａｌx3Ｇａ(1-x3)Ａｓの超格子のＥg）≧（ＡｌyＧａ(1-y)ＡｓのＥg-1）］
を例示することができる。更には、エネルギーバンドギャップ条件−Ａあるいはエネルギーバンドギャップ条件−Ｂを満足する限りにおいて、基板を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としてＧａＳｂ（Ａｓ）あるいはＧａＢｉ（Ａｓ）を用いるとき、組成−Ａあるいは組成−Ｂにあっては、Ａｓ（ヒ素）を含有する化合物半導体層の内、少なくとも１層において、Ａｓよりも原子半径が大きく、しかも、蒸気圧が低いＳｂ（アンチモン）あるいはＢｉ（ビスマス）を含有する組成を挙げることができるし、あるいは又、Ａｓ（ヒ素）を含有する化合物半導体層の内、少なくとも１層において、Ａｓよりも原子半径が大きく、しかも、蒸気圧が低いＳｂ（アンチモン）あるいはＢｉ（ビスマス）でＡｓが置換されている組成を挙げることができる。また、後者の構成における（基板を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体，下地層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体，第１化合物半導体層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体）の組合せとして、エネルギーバンドギャップ条件−Ａあるいはエネルギーバンドギャップ条件−Ｂを満足する限りにおいて、
組成−Ｃ：（ＧａＡｓ，｛Ａｌx4Ｇａ(1-x4)｝x5Ｉｎ(1-x5)Ｐ，ＡｌyＧａ(1-y)Ａｓ）［但し、０≦ｘ４≦１，０≦ｘ５≦１，０＜ｙ≦１であり、（ＧａＡｓのＥg）＜（｛Ａｌx4Ｇａ(1-x4)｝x5Ｉｎ(1-x5)ＰのＥg-0），（｛Ａｌx4Ｇａ(1-x4)｝x5Ｉｎ(1-x5)ＰのＥg）≧（ＡｌyＧａ(1-y)ＡｓのＥg-1）］
を例示することができる。更には、エネルギーバンドギャップ条件−Ａあるいはエネルギーバンドギャップ条件−Ｂを満足する限りにおいて、基板を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としてＧａＳｂ（Ａｓ）あるいはＧａＢｉ（Ａｓ）を用いるとき、組成−Ｃにあっては、Ａｓ（ヒ素）を含有する化合物半導体層の内、少なくとも１層において、Ａｓよりも原子半径が大きく、しかも、蒸気圧が低いＳｂ（アンチモン）あるいはＢｉ（ビスマス）を含有する組成を挙げることができるし、あるいは又、Ａｓ（ヒ素）を含有する化合物半導体層の内、少なくとも１層において、Ａｓよりも原子半径が大きく、しかも、蒸気圧が低いＳｂ（アンチモン）あるいはＢｉ（ビスマス）でＡｓが置換されている組成を挙げることができる。後述する本発明の半導体発光素子の製造方法においても、同様とすることができる。
あるいは又、上記の組成を含め、エネルギーバンドギャップ条件−Ａあるいはエネルギーバンドギャップ条件−Ｂを満足する限りにおいて、基板として、ＧａＮ基板、ＧａＰ基板、ＡｌＮ基板、ＡｌＰ基板、ＩｎＮ基板、ＩｎＰ基板、ＡｌＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＡｌＩｎＮ基板、ＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＩｎＰ基板、ＡｌＧａＰ基板、ＡｌＩｎＰ基板、ＧａＩｎＰ基板、ＺｎＳ基板等を例示することができるが、特に、閃亜鉛鉱（ジンク・ブレンド）型の結晶構造を有する基板あるいは結晶膜が形成された基板を用いることが好ましく、ここで、ジンク・ブレンド型の結晶構造を有する基板を構成する原子として、少なくとも、Ａｓ、ＳｂあるいはＢｉ等を挙げることができる。本発明にあっては、これらのＡｓ、ＳｂあるいはＢｉ等の原子が添加ひいては混晶として含まれている光吸収性の高い基板における光吸収を抑制することができる結果、半導体発光素子の特性の高性能化、均一化を達成することができる。更には、これらの基板の表面（主面）に、バッファ層や中間層が形成されたものを基板として用いることもできる。そして、これらの基板を用いた下地層の結晶成長において、少なくとも、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉの内の１つを、Ｖ族材料として添加し、あるいは、混晶として用いることによって、ＩＩＩ族原子がマイグレージョンし難い結晶成長条件の設定が容易となり、Ｖ族トリマーを｛１１１｝Ｂ面の最表面に形成することが可能となり、｛１１１｝Ｂ面を非成長面化することが可能となる。また、エネルギーバンドギャップ条件−Ａあるいはエネルギーバンドギャップ条件−Ｂを満足する限りにおいて、活性層を含めた各種化合物半導体層（基板、下地層、第１化合物半導体層）用の材料として、例えば、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体（ＧａＩｎＡｓ系混晶あるいはＧａＮＡｓ系混晶を含む）、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓＰ系化合物半導体、ＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＧａＰ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体を例示することができる。
上記の目的を達成するための本発明の半導体発光素子の製造方法は、
（ａ）｛１００｝面を主面として有する基板の該主面上に＜１１０＞方向に延びる複数のマスク層を形成し、マスク層とマスク層との間に基板の主面の一部分を露出させた後、
（ｂ）露出した基板の主面の一部分の上に、基板の該＜１１０＞方向に垂直な仮想平面で切断したときの断面形状が台形であって、該台形の２つの斜辺に相当する斜面が｛１１１｝Ｂ面であり、台形の上辺に相当する頂面が｛１００｝面であり、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層をエピタキシャル成長させ、次いで、マスク層を除去した後、
（ｃ）下地層の頂面上に、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る発光部を形成し、併せて、下地層が形成されていない露出した基板の主面上に、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体を形成し、その後、
（ｄ）該積層構造体上に、発光部を構成する活性層の露出した側面を少なくとも覆う電流ブロック層を形成する、
工程を具備することを特徴とする。
本発明の半導体発光素子の製造方法において、基板を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg-0）よりも高いエネルギーバンドギャップ（Ｅg）を有する材料から構成された下地層を用いることが望ましい。即ち、エネルギーバンドギャップ条件−Ａを満足することが望ましい。
また、上記の好ましい形態を含む本発明の半導体発光素子の製造方法において、第１化合物半導体層を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg-1）よりも高いエネルギーバンドギャップ（Ｅg）を有する材料から構成された下地層を用いることが望ましい。即ち、エネルギーバンドギャップ条件−Ｂを満足することが望ましい。
以上に説明した各種の好ましい形態を含む本発明の半導体発光素子の製造方法において、下地層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、その構成要素として、少なくとも、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）の内の１つ、及び、アルミニウム（Ａｌ）を含むことが好ましく、あるいは又、下地層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、少なくともリン（Ｐ）を含むことが好ましい。尚、（基板を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体，下地層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体，第１化合物半導体層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体）の組合せは、上述したとおりである。
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る下地層の形成方法は、
（ａ）基板の主面上に複数のマスク層を形成し、マスク層とマスク層との間に基板の主面の一部分を露出させた後、
（ｂ）露出した基板の主面の一部分の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層をエピタキシャル成長させ、次いで、マスク層を除去する、
工程を具備する下地層の形成方法であって、
ｎ型導電型を有する下地層のエピタキシャル成長において使用される原料には、下地層をｎ型導電型とするために、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物が添加されていることを特徴とする。
本発明の第１の態様に係る下地層の形成方法において、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物は、ケイ素及び錫から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物であり、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物は、セレン、テルル及びイオウから成る群から選択された少なくとも１種類の不純物である形態とすることができる。
上記の好ましい形態を含む本発明の第１の態様に係る下地層の形成方法において、基板はｎ型導電型を有する構成とすることができる。
あるいは又、上記の好ましい形態を含む本発明の第１の態様に係る下地層の形成方法において、
基板はｐ型導電型を有し、
前記工程（ａ）に引き続き、露出した基板の主面の一部分の上に、ｐ型導電型を有する基層をエピタキシャル成長させ、次いで、前記工程（ｂ）において、露出した基板の主面の一部分の上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る単一導電型の下地層をエピタキシャル成長させる代わりに、基層の上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層をエピタキシャル成長させ、
基層と下地層とによってトンネル接合を形成し、
ｐ型導電型を有する基層のエピタキシャル成長において使用される原料には、基層をｐ型導電型とするために、少なくとも基層と下地層との界面及び界面近傍においては、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物が添加されている構成とすることができる。ここで、特に、少なくとも基層と下地層との界面及び界面近傍において、超格子構造によるトンネル接合を形成してもよい。そして、この場合、例えば、少なくともトンネル接合部においては、
基層において、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物は、亜鉛、マグネシウム、ベリリウム及びマンガンから成る群から選択された少なくとも１種類の不純物であり、
基層において、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物は炭素である構成とすることが好ましい。また、
下地層において、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物は、ケイ素及び錫から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物であり、
下地層において、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物は、セレン、テルル及びイオウから成る群から選択された少なくとも１種類の不純物である構成とすることが好ましい。
ここで、基層と下地層とによってトンネル接合が形成される条件として、基板と同じ導電型を有する基層の上に、基板と反対の導電型を有する下地層を接合し、その上に、下地層と同じ導電型を有する、即ち、第１導電型を有する第１化合物半導体層を積層すればよい。そして、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る発光部を形成することができる。ここで、単純なｐｎ接合では、基本的には、逆方向には電流が流れない。しかし、逆方向に高電圧をかけると、空乏層が非常に薄くなり、電子は空乏層をトンネルし、電流が流れ始める。これをダイオードのツェナー降伏といい、このようなダイオードをツェナーダイオードというが、この空乏層の厚さは、不純物濃度によって更に調節することが可能である。従って、この場合、例えば、基層と下地層との界面接合部及びその近傍の各不純物濃度を、結晶の品質を著しく損なわない範囲内（１×１０18／ｃｍ3〜１×１０21／ｃＭ3のキャリア濃度）で出来るだけ大きくして接合すると、接合界面において形成される空乏層の幅が狭くなるので、トンネル効果が起こり易くなる。また、トンネル効果は、バンドギャップが小さい半導体ほど起こり易くなるので、少なくとも、界面接合構造部において、基層の最表面層（頂面層）、あるいは、基層に最も近い下地層の最下面層において、どちらか一方の層が、エネルギーバンドギャップが小さく、もう一方の層のエネルギーバンドギャップが大きくなるように、材料を選択してもよい。このような材料から成る化合物半導体層を更に超格子層として部分的に用いる（非常に薄い層を用いる）ことによって、エネルギーバンドギャップが小さい材料の割合を最小限に抑えられるので、発光層で発生した光の吸収量を、必要最低限に抑えることが可能になる。以上のように、基層と下地層との界面及び界面近傍を構成する化合物半導体層の不純物濃度、あるいは、エネルギーバンドギャップ、あるいは、厚さに着目することによって、トンネル効果の増大と光吸収量の抑制とを両立できる構造を得ることができる。次に述べる本発明の第２の態様に係る下地層の形成方法においても同様である。
また、上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る下地層の形成方法は、
（ａ）基板の主面上に複数のマスク層を形成し、マスク層とマスク層との間に基板の主面の一部分を露出させた後、
（ｂ）露出した基板の主面の一部分の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層をエピタキシャル成長させ、次いで、マスク層を除去する、
工程を具備する下地層の形成方法であって、
ｐ型導電型を有する下地層のエピタキシャル成長において使用される原料には、下地層をｐ型導電型とするために、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物が添加されていることを特徴とする。
本発明の第２の態様に係る下地層の形成方法において、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物は、亜鉛、マグネシウム、ベリリウム及びマンガンから成る群から選択された少なくとも１種類の不純物であり、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物は炭素である形態とすることができる。
上記の好ましい形態を含む本発明の第２の態様に係る下地層の形成方法において、基板はｐ型導電型を有する構成とすることができる。
あるいは又、上記の好ましい形態を含む本発明の第２の態様に係る下地層の形成方法において、
基板はｎ型導電型を有し、
前記工程（ａ）に引き続き、露出した基板の主面の一部分の上に、ｎ型導電型を有する基層をエピタキシャル成長させ、次いで、前記工程（ｂ）において、露出した基板の主面の一部分の上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る単一導電型の下地層をエピタキシャル成長させる代わりに、基層の上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層をエピタキシャル成長させ、
基層と下地層とによってトンネル接合を形成し、
ｎ型導電型を有する基層のエピタキシャル成長において使用される原料には、基層をｎ型導電型とするために、少なくとも基層と下地層との界面及び界面近傍においては、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物が添加されている構成とすることができる。ここで、特に、少なくとも基層と下地層との界面及び界面近傍において、超格子構造によるトンネル接合を形成してもよい。そして、この場合、例えば、少なくともトンネル接合部においては、
基層において、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物は、ケイ素及び錫から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物であり、
基層におきて、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物は、セレン、テルル及びイオウから成る群から選択された少なくとも１種類の不純物である構成とすることが好ましい。また、
下地層において、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物は、亜鉛、マグネシウム、ベリリウム及びマンガンから成る群から選択された少なくとも１種類の不純物であり、
下地層において、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物は炭素である構成とすることが好ましい。
本発明の半導体発光素子及びその製造方法、並びに、本発明の第１の態様若しくは第２の態様に係る下地層の形成方法にあっては、上述したとおり、エネルギーバンドギャップ条件−Ａあるいはエネルギーバンドギャップ条件−Ｂを満足することが望ましい。ここで、エネルギーバンドギャップとは、対象とする化合物半導体層が単層の場合である場合に限らず、対象とする化合物半導体層が積層構造（例えば、エネルギーバンドギャップが大きい化合物半導体層とエネルギーバンドギャップが小さい化合物半導体層との超格子積層構造、あるいは、量子井戸積層構造、あるいは、積層構造の平均組成）から得られる実効的なエネルギーバンドギャップも含めた、広義のエネルギーバンドギャップを指す。従って、本来、単層では光の吸収が起こると考えられる化合物半導体層が、他の光の吸収が起こらない化合物半導体層と組み合わされて下地層の一部に含まれている場合であっても、実質的に吸収層としては機能しない場合、本発明における下地層として用いることができる。
尚、以下の説明において、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）及びイオウ（Ｓ）という３種類の不純物から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物を、便宜上、第ＶＩ族不純物と呼び、ケイ素（Ｓｉ）及び錫（Ｓｎ）という２種類の不純物から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物を、便宜上、第ＩＶ族不純物と呼び、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）及びマンガン（Ｍｎ）という４種類の不純物から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物を、便宜上、第ＩＩ族不純物と呼ぶ。
以上に説明した各種の好ましい構成、形態を含む本発明の半導体発光素子及びその製造方法、並びに、本発明の第１の態様若しくは第２の態様に係る下地層の形成方法（以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場合がある）において、下地層を構成する材料として、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮといった半導体酸化物層あるいは半導体窒化物層、高融点金属層、高融点金属酸化物層、高融点金属窒化物層を例示することができる。マスク層の形成方法として、スパッタリング法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を挙げることができる。また、マスク層の除去は、マスク層を構成する材料に依存して、ウエットエッチング法を採用してもよいし、ドライエッチング法を採用してもよい。
本発明の半導体発光素子あるいはその製造方法にあっては、半導体発光素子として、半導体レーザや発光ダイオード（ＬＥＤ）を挙げることができる。
また、本発明において、下地層のエピタキシャル成長法、活性層を含む各種化合物半導体層の形成方法（成膜方法）として、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＶＰＥ法）や有機金属分子線エピタキシー法（ＭＯＭＢＥ法）、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）を挙げることができる。
本発明の半導体発光素子あるいはその製造方法にあっては、発光部を形成するために下地層を形成する。この下地層は基板上に、基板と別個に設けるので、幅の狭い下地層の上に、所望の幅の活性層を形成したとき、活性層から下地層までの距離が自ずと短くなったとしても、活性層で発生した光が下地層で吸収されないように下地層を構成する材料を選択することができる。その結果、発光効率（光出力／注入電流にて表されるスロープ効率）が低下してしまうといった問題の発生を抑制することができる。また、発光部の高さも下地層の幅によって規定されるが、下地層の高さを所望の高さに設計することができるので、活性層の側面に電流ブロック層を形成することができなくなるといった問題の発生も抑制することができる。
また、本発明の下地層の形成方法にあっては、ｎ型導電型あるいはｐ型導電型を有する下地層のエピタキシャル成長において使用される原料には、下地層をｎ型導電型あるいはｐ型導電型とするために、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物の両方が添加されているので、下地層の導電型を確実に所望の導電型とすることができる。
一般的には、例えば、アノードコモン型の半導体発光素子の場合、ｐ型導電性を有する基板上にｐ型導電型を有する下地層を高濃度で厚く形成すると、条件によっては、下地層に白濁が生じ、下地層を構成する化合物半導体層の結晶品質が著しく損なわれる虞がある。従って、このような下地層の上に積層される第１化合物半導体層、及び、発光層の結晶品質にも影響を与えてしまう虞がある。このような場合、下地層の導電型と反対の導電型を有する基板を用い、しかも、下地層の導電型と反対の導電型を有する基層を基板にエピタキシャル成長させることで、このような問題の発生を確実に回避することができ、ｐ型基板を用いた場合と同様にアノードコモン型の半導体発光素子を実現することができる。しかも、下地層と基層とによってトンネル接合が形成されているので、従来と同様の極性で半導体発光素子に電圧を印加した場合であっても、逆バイアスがトンネル接合界面に加わることで、トンネル電流が発生して導通するので、半導体発光素子の活性層に電流が流れて発光が得られる。尚、ここで、実際のトンネル接合構造は、トンネル効果の性能を上げるため、例えば、ｎ+層／（ｉ層（低濃度層）／ｎ層の所謂デルタドープ層）／ｐ+層としてもよい。
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
実施例１は、本発明の半導体発光素子及びその製造方法、並びに、本発明の第１の態様に係る下地層の形成方法に関する。
実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例２２においては、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）及びイオウ（Ｓ）から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物（第ＶＩ族不純物）として、具体的には、セレン（Ｓｅ）を使用し、ケイ素（Ｓｉ）及び錫（Ｓｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物（第ＩＶ族不純物）として、具体的には、ケイ素（Ｓｉ）を使用し、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）及びマンガン（Ｍｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物（第ＩＩ族不純物）として、具体的には、亜鉛（Ｚｎ）を使用するが、これらに限定するものではない。
また、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例２２における半導体発光素子は、半導体レーザ、より具体的には、ＳＤＨ型半導体レーザから構成されている。
実施例１の半導体発光素子の模式的な一部断面図を図１の（Ａ）に示し、基板及び下地層の模式的な一部断面図を図２に示すが、実施例１の半導体発光素子は、
（Ａ）｛１００｝面を主面として有する基板１０のこの主面上に形成された下地層１１、
（Ｂ）下地層１１の頂面上に、第１導電型（実施例１にあっては、ｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型（実施例１にあっては、ｐ型）を有する第２化合物半導体層２２が順次積層されて成る発光部２０、並びに、
（Ｃ）下地層１１が形成されていない基板１０の主面の部分（基板１０の露出面と呼ぶ場合がある）の上方に形成され、発光部２０を構成する活性層２３の露出した側面を少なくとも覆う電流ブロック層４０、
を具備している。
そして、下地層１１は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、基板１０の主面上にエピタキシャル成長法にて形成されており、基板１０の＜１１０＞方向と平行に延び、基板１０のこの＜１１０＞方向に垂直な仮想平面で切断したときの断面形状が台形であり、この台形の２つの斜辺に相当する斜面が｛１１１｝Ｂ面であり、台形の上辺に相当する頂面が｛１００｝面である。即ち、下地層１１は、所謂メサ構造を有し、［０１１］方向に延びている。
より具体的には、実施例１にあっては、基板１０はｎ−ＧａＡｓから成り、下地層１１を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、その構成要素として、少なくとも、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）の内の１つ、及び、アルミニウム（Ａｌ）を含む。より具体的には、下地層１１は、例えば、ｎ−Ａｌx1Ｇａ(1-x1)Ａｓ：Ｓｅ［但し、０＜ｘ１≦１であり、より具体的には、例えば、ｘ１＝０．１、あるいは、ｘ１＝０．２、あるいは、ｘ１＝０．３、あるいは、ｘ１＝０．４、あるいは、ｘ１＝０．４７］から成り、第１化合物半導体層２１は、ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅから成る。従って、下地層１１を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg）は、基板１０を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg-0）よりも高い。また、下地層１１を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg）は、第１化合物半導体層２１を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg-1）よりも高い。更には、電流ブロック層４０は、第１導電型（ｎ型）を有する第３化合物半導体層４３、及び、第２導電型（ｐ型）を有し、第３化合物半導体層４３に接した第４化合物半導体層４４から構成されている。図面の簡素化のため、図面においては、同一の導電型あるいは同一の不純物サイトを有し、屈折率が異なる２層以上の層（例えば、２層の場合：第２化合物半導体層２２Ａ、第２化合物半導体層２２Ｂ）を纏めて１層（第２化合物半導体層２２）で表した。尚、図１の（Ｂ）に、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４の一部を拡大した模式的な一部断面図を示す。実施例１の半導体発光素子における発光部２０を構成する各化合物半導体層の組成、電流ブロック層４０を構成する各化合物半導体層の組成の詳細は、後述する。
実施例１の半導体発光素子にあっては、基板１０に設けられた下地層１１の頂面上に、順次、第１導電型を有するＧａＡｓから成るバッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２Ａが形成され、第２化合物半導体層２２Ａ上には、更に、第２化合物半導体層２２Ｂが形成され、頂点を形成している。ここで、｛０１１｝Ａ面で下地層１１を切断したときの第２化合物半導体層２２Ｂを含む発光部２０の断面形状は三角形であり、発光部２０の側面は、｛１１１｝Ｂ面（より具体的には、（１１−１）Ｂ面及び（１−１１）Ｂ面）から構成されている。第２化合物半導体層２２Ａと第２化合物半導体層２２Ｂの組成を変えることで、断面形状が三角形の発光部２０を正確に形成することができる。一般に、ＭＯＣＶＤ法（ＭＯＶＰＥ法とも呼ばれる）においては、特殊な結晶成長条件を除けば、｛１１１｝Ｂ面は、Ａｓトリマーで覆われた非成長面として知られている。従って、ＳＤＨ型半導体レーザの場合、斜面（側面）が｛１１１｝Ｂ面である発光部２０が形成されると、その後、ＭＯＣＶＤを継続しても、発光部の結晶成長は「自己成長停止」が保持される。｛１１１｝Ｂ面の角度は５４．７度である。成長条件等によっては、断面形状が三角形の部分を発光部２０のみから構成することもできる。
一方、基板１０の露出面（主面）である｛１００｝面（図示した例では、（１００）面）の部分）にあっては、発光部２０と同じ構造、電流ブロック層位置調整層３０（実質的に第２化合物半導体層２２の続きである）、電流ブロック層４０、及び、埋込層（埋込み用クラッド層）３１が順次形成されている。
また、全体は、第２導電型を有するＧａＡｓから成るコンタクト層（キャップ層）３２によって覆われている。そして、基板１０の裏面には、第１電極５１が形成されており、コンタクト層（キャップ層）３２上には第２電極５２が形成されている。
実施例１の半導体発光素子の製造方法、あるいは又、下地層の形成方法を、以下、説明する。
［工程−１００］
先ず、｛１００｝面を主面として有する基板１０のこの主面上に＜１１０＞方向に延びる複数のマスク層１１Ａを形成し、マスク層１１Ａとマスク層１１Ａとの間に基板１０の主面の一部分を露出させる。あるいは又、基板１０の主面上に複数のマスク層１１Ａを形成し、マスク層１１Ａとマスク層１１Ａとの間に基板１０の主面の一部分を露出させる。具体的には、ｎ−ＧａＡｓから成る基板１０の｛１００｝結晶面、例えば（１００）結晶面から成る主面上に、ＳｉＯ2から成り、［０１１］Ａ方向に延びるマスク層１１ＡをＣＶＤ法及びフォトリソグラフィ技術に基づき形成する（図３の（Ａ）参照）。
［工程−１１０］
次いで、露出した基板１０の主面の一部分の上に、基板１０のこの＜１１０＞方向に垂直な仮想平面で切断したときの断面形状が台形であって、この台形の２つの斜辺に相当する斜面が｛１１１｝Ｂ面であり、台形の上辺に相当する頂面が｛１００｝面であり、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層１１をエピタキシャル成長させ、次いで、マスク層１１Ａを除去する。あるいは又、露出した基板１０の主面の一部分の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層１１をエピタキシャル成長させ、次いで、マスク層１１Ａを除去する。ここで、ｎ型導電型を有する下地層１１のエピタキシャル成長において使用される原料には、下地層１１をｎ型導電型とするために、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物が添加されている。
具体的には、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）あるいはトリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）をアルミニウム（Ａｌ）源の原料ガスとして用い、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）あるいはトリエチルガリウム（ＴＥＧａ）をガリウム（Ｇａ）源の原料ガスとして用い、ターシャリー・ブチル・アルシン（ＴＢＡｓ）あるいはアルシン（ＡｓＨ3）をヒ素（Ａｓ）源の原料ガスとして用いる。また、ｎ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＩＩＩ族サイトである場合、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、モノシラン（ＳｉＨ4）あるいはトリメチルスズ（ＴＭＳｎ）を用いる。更には、ｎ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＶ族サイトである場合、硫化化水素（Ｈ2Ｓ）、セレン化水素（Ｈ2Ｓｅ）あるいはテルル化水素（Ｈ2Ｔｅ）を用いる。そして、ＭＯＣＶＤ法に基づき、これらのＩＩＩ族ガス、Ｖ族ガス、不純物ガスを反応室に導入し、６００゜Ｃ〜９００゜Ｃの温度範囲で熱分解反応させて、高温成長させることによって、ＩＩＩ族原料のマイグレーションを促進させ、｛１００｝面の平坦性が高く、結晶品質が高い化合物半導体層をエピタキシャル成長させることができる。そして、これにより、少なくともＧａＡｓ基板よりもエネルギーバンドギャップが大きいＡｌＧａＡｓ系材料層で構成され、所望の頂面の幅と高さを有する台形状の下地層１１を形成することができる。
また、下地層１１の頂面の平坦性を一層改善するためには、反応室に導入する供給ガスの流速を高く調整したり、（Ｖ族ガス）／（ＩＩＩ族ガス）のモル供給比を小さく調整して、ＩＩＩ族原料のマイグレーションを促進させた成長条件とすればよい。更には、下地層１１のｎ型不純物の濃度を高くするためには、供給する原料（有機金属）ガスに含有されるメチル基（ＣＨ3−）やエチル基（Ｃ2Ｈ5−）、ターシャリー・ブチル基（（ＣＨ3）3Ｃ−）に起因するカーボン（Ｃ）のオートドーピング量（即ち、Ｖ族サイトを置換してホール（ｐ型導電型層）を形成する量）を低減すればよい。そのためには、ｎ型導電型層を形成する際に、Ｖ族サイトにおける置換では、メチル基（ＣＨ3−）やエチル基（Ｃ2Ｈ5−）、ターシャリー・ブチル基（（ＣＨ3）3Ｃ−）に起因するカーボン（Ｃ）と同じＶ族サイトにおける置換が可能なｎ型用不純物とが競合する条件を積極的に活用すればよい。具体的には、対カーボン比率を相対的に増加させればよく、より具体的には、ｎ型用不純物原料ガス（例えば、Ｈ2Ｓ、Ｈ2Ｓｅ、Ｈ2Ｔｅ等）のカーボン（Ｃ）に対するモル供給比を増大させたり、あるいは又、カーボン（Ｃ）自身の絶対量を減らすために発光層で発生した光を下地層１１が吸収しない範囲で、例えば、ここでは、ＡｌＧａＡｓ系下地層１１のＡｌ混晶比（ＴＭＡｌのガス供給量）を減らして、カーボン（Ｃ）の取り込みを低減させればよい。これは、一般に、ＡｌＧａＡｓ系下地層１１の成長時、例えば、ＴＭＡｌは２量体を形成しているので、Ａｌと共にメチル基（ＣＨ3−）やエチル基（Ｃ2Ｈ5−）も結晶に取り込まれ易く、ＡｌＧａＡｓ系下地層１１のＡｌ混晶比を下げることによって、カーボン（Ｃ）の取り込みの低減が可能となり、ひいては、オートドーピング量を低減することができるからである。
こうして、［０１１］Ａ方向に延びる下地層１１を得ることができる（図３の（Ｂ）参照）。下地層１１は基板１０の主面上には堆積するが、マスク層１１Ａ上には堆積しない。下地層１１の幅方向は、［０−１１］Ｂ方向に平行である。その後、ウエットエッチング法に基づき、ＳｉＯ2から成るマスク層１１Ａを除去する。こうして、図２に示した構造を得ることができる。下地層１１には、（１１−１）Ｂ面及び（１−１１）Ｂ面から構成された斜面（側面）が形成されており、下地層１１の頂面は（１００）面である。また、得られた下地層１１には、下地層１１をｎ型とするために、不純物としてセレン（置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物）及びケイ素（置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物）が含まれている。
［工程−１２０］
その後、下地層１１の頂面上に、第１導電型を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層２２が順次積層されて成る発光部２０を形成し、併せて、下地層１１が形成されていない露出した基板１０の主面（基板１０の露出面）上に、第１導電型を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層２２が順次積層された積層構造体を形成する。具体的には、通常のＭＯＣＶＤ法、即ち、有機金属や水素化合物を原料ガスとするＭＯＣＶＤ法に基づき、下地層１１上及び基板１０の露出面上に、バッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂをエピタキシャル成長させる。このとき、下地層１１上の化合物半導体層の斜面（側面）は｛１１１｝Ｂ面から構成され、上述したとおり、｛１１１｝Ｂ面は非成長面である。従って、バッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂは、下地層１１の上の領域と、基板１０の露出面上の領域とでは、分断された状態で形成（積層）される。こうして、図４に示す構造を得ることができる。
尚、下地層１１の頂面の幅と下地層１１の高さを適切に選択し、更には、バッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂの厚さを適切に選択することで、下地層１１の上に、断面が三角形である発光部２０の積層構造を得ることができる。
尚、代替的に、基板１０をｐ−ＧａＡｓから構成し、［工程−１００］に引き続き、露出した基板１０の主面の一部分の上に、ｐ型導電型を有する基層（具体的には、ｐ−Ａｌx1Ｇａ(1-x1)Ａｓ層［但し、０≦ｘ１≦１であり、特に、下地層に最も近いｐ型の基層の最上部（頂面部）においては、ｐ++−Ａｌx1Ｇａ(1-x1)Ａｓ層［但し、０＜ｘ１≦１］、あるいは、ｐ++−ＧａＡｓ層から成る超格子層となっていてもよい）をエピタキシャル成長させ、次いで、［工程−１１０］において、基層の上に上述したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層１１をエピタキシャル成長させてもよい。ここで、基層と下地層１１とによってトンネル接合を形成する。トンネル効果を発生させるためには、単純なｐｎ接合（基層と下地層とのｐｎ界面）では、基本的には、逆方向には電流が流れない。ところで、例えばこの空乏層の厚さは、不純物濃度によって更に調節することが可能であるため、結晶の品質を著しく損なわない範囲内で、出来るだけ接合界面を形成する領域における各層の不純物濃度を大きくすればよい。これにより、接合界面において形成される空乏層の幅が狭くなるので、逆バイアスを掛けたとき、トンネル効果が起こり易くなる。また、トンネル効果は、バンドギャップが小さい半導体ほど起こり易いので、少なくとも界面接合構造部において、基層の最表面層（頂面層）、あるいは、基層に最も近い下地層の最下面層において、どちらか一方の層が、エネルギーバンドギャップが小さく、もう一方の層のエネルギーバンドギャップが大きくなるように、材料を選択すればよい。この化合物半導体層を更に超格子層として部分的に用いる（非常に薄い層を用いる）ことによって、エネルギーバンドギャップが小さい材料の割合を最小限に抑えられるので、発光層で発生した光の吸収量を必要最低限に抑えることが可能になる。このように、基層と下地層との界面及び界面近傍を構成する化合物半導体層の不純物濃度、あるいは、エネルギーバンドギャップ、あるいは、厚さに着目した条件を採用すればよい。
尚、ｐ型導電型を有する基層のエピタキシャル成長において使用される原料には、基層をｐ型導電型とするために、少なくとも基層と下地層との界面及び界面近傍においては、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物が添加されている。具体的には、基層のエピタキシャル成長において使用される原料として、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）あるいはトリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）をアルミニウム（Ａｌ）源の原料ガスとして用い、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）あるいはトリエチルガリウム（ＴＥＧａ）をガリウム（Ｇａ）源の原料ガスとして用い、ターシャリー・ブチル・アルシン（ＴＢＡｓ）あるいはアルシン（ＡｓＨ3）をヒ素（Ａｓ）源の原料ガスとして用いる。また、ｐ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＩＩＩ族サイトである場合、例えば、トリメチル亜鉛（ＴＭＺｎ）、トリエチル亜鉛（ＴＥＺｎ）、ビス・シクロペンタ・ジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）、ビス・エチル・シクロペンタ・ジエニルマグネシウム（ＥｔＣｐ2Ｍｇ）、ビス・イソプロピル・シクロペンタ・ジエニルマグネシウム（ｉ−ＰｒＣｐ2Ｍｇ）、ビス・メチルシクロペンタ・ジエニルマグネシウム（ＭｅＣｐ2Ｍｇ）あるいはトリメチルマンガン（ＴＭＭｎ）等を用いる。更に、ｐ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＶ族サイトである場合、四塩化炭素（ＣＣｌ4）、四臭化炭素（ＣＢｒ4）あるいは四ヨウ化炭素（ＣＩ4）等をカーボン（Ｃ）源の原料ガスとして用いればよい。また、その他のカーボン（Ｃ）源として、Ａｌ源、Ｇａ源、あるいは、Ａｓ源の原料ガス（有機金属ガス）等に含有されるメチル基やエチル基が結晶に積極的に取り込まれる（オートドーピングされる）成長条件を用いてもよい。特に、ｐ型の基層とｎ型の下地層によって形成されるトンネル接合部及びその近傍においては、ｐ++型層（高濃度層）の基層とｎ++型の下地層とが必要になるので、ｐ++型基層用の不純物ドーピング用のガスの選択としては、不純物で置換するサイトがＩＩＩ族サイトとＶ族サイトとなる少なくとも２種類のガスを同一層に対して併用することが重要である。
［工程−１３０］
その後、積層構造体上に、発光部２０を構成する活性層２３の露出した側面を少なくとも覆う電流ブロック層４０を形成する。具体的には、第２化合物半導体層２２Ｂの形成に連続して、全面に、電流ブロック層位置調整層３０をＭＯＣＶＤ法に基づき形成し、更に、例えば、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する（図５参照）。電流ブロック層４０は、｛１１１｝Ｂ面上には成長しない。また、電流ブロック層４０の端面が、少なくとも活性層２３の側面を覆うように、電流ブロック層４０を形成する。このような構成、構造は、下地層１１の頂面の幅と下地層１１の高さ、電流ブロック層位置調整層３０の厚さを適切に選択することで達成することができる。第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４の構成、構造の詳細は、後述する。
［工程−１４０］
次いで、全面に、埋込層３１及びコンタクト層（キャップ層）３２を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。即ち、ＭＯＣＶＤを継続すると、やがて基板１０の露出面から結晶成長する化合物半導体から成る埋込層３１が、自己成長停止している発光部２０を完全に埋め尽くすようになる。その後、コンタクト層３２上に第２電極５２を真空蒸着法に基づき形成し、一方、基板１０を裏面側から適切な厚みにラッピングした後、第１電極５１を真空蒸着法に基づき形成する。
［工程−１５０］
その後、各半導体発光素子を分離することによって、半導体発光素子を得ることができる。尚、後述する実施例２〜実施例１３の半導体発光素子も、基本的には、以上に説明した方法と同様の方法に基づき作製することができる。
実施例１にあっては、発光部２０を形成するために下地層１１を形成する。ところで、この下地層１１は、基板１０上に、基板１０と別個に設けられているので、幅の狭い下地層１１の上に、所望の幅の活性層２３を形成したとき、たとえ、活性層２３から下地層１１までの距離が短くなったとしても、活性層２３で発生した光が下地層１１で吸収されないように、下地層１１を構成する材料を選択することができる。その結果、発光効率（スロープ効率）が低下してしまうといった問題の発生を抑制することができる。また、発光部２０の高さも下地層１１の幅によって規定されるが、活性層２３の側面に電流ブロック層４０の形成を可能にするためには、所望の活性層２３の幅に対応した下地層１１のアスペクト比（例えば、『高さ／幅』の値）には或る範囲が存在するので、その範囲にアスペクト比を収めなければならない。ここで、下地層１１の側面（台形斜面）である｛１１１｝Ｂ面の｛１００｝面に対する角度が常に一定（５４．７度の結晶面）であることも考慮して、マスク層１１Ａの開口部（マスク層１１Ａの窓）の幅の設計を行えば、下地層１１の頂面の幅とアスペクト比を、下地層１１のエピタキシャル成長の時間によって同時に制御することが可能となる。このように、従来、基板のエッチング（制御に揺らぎのあるエッチング）によって得られる凹凸基板のアスペクト比は、凸部の幅や高さに関して、基板内、更には、１つのマスク層１１Ａの開口部内でバラツキが生じ、その結果、一部の基板の領域においては、下地層１１の頂面上に形成した発光部における活性層の側面に電流ブロック層を形成することができないといった問題が生じていた。然るに、実施例１にあっては、所望の活性層２３の幅に対応した所望の下地層１１のアスペクト比をマスク層１１Ａの設計及び下地層１１のエピタキシャル成長時間によって制御することが可能となり、高キャリア濃度の改善だけでなく、基板内の凹凸構造の面内均一性に関しても大幅な改善が可能となった。更には、実施例１の下地層の形成方法にあっては、ｎ型導電型を有する下地層１１のエピタキシャル成長において使用される原料には、下地層１１をｎ型導電型とするために、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物が添加されているので、下地層１１の導電型を確実にｎ型導電型とすることができる。
実施例２は、実施例１の変形である。実施例２にあっては、下地層１１を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、その構成要素として、少なくともリン（Ｐ）を含む。より具体的には、下地層１１は、例えば、ＧａＡｓから成る基板と格子整合させ易いｎ−｛Ａｌx4Ｇａ(1-x4)｝x5Ｉｎ(1-x5)Ｐ：Ｓｅ［但し、０≦ｘ４≦１，ｘ５＝０．５であり、具体的には、例えば、ｘ４＝０、あるいは、ｘ４＝０．１、あるいは、ｘ４＝０．２、あるいは、ｘ４＝０．３、あるいは、ｘ４＝１］から成り、第１化合物半導体層２１は、ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅから成る。従って、下地層１１を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg）は、基板１０を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg-0）よりも高い。また、下地層１１を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg）は、第１化合物半導体層２１を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg-1）よりも高い。
実施例２の半導体発光素子の製造方法、あるいは又、下地層の形成方法にあっては、実施例１の［工程−１１０］と同様の工程において、具体的には、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）あるいはトリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）をアルミニウム（Ａｌ）源の原料ガスとして用い、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）あるいはトリエチルガリウム（ＴＥＧａ）をガリウム（Ｇａ）源の原料ガスとして用い、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）あるいはトリエチルインジウム（ＴＥＩｎ）をインジウム（Ｉｎ）源の原料ガスとして用い、ターシャリー・ブチル・ホスフィン（ＴＢＰ）あるいはホスフィン（ＰＨ3）をリン（Ｐ）源の原料ガスとして用いる。また、ｎ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＩＩＩ族サイトである場合、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、モノシラン（ＳｉＨ4）あるいはトリメチルスズ（ＴＭＳｎ）を用いる。更には、ｎ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＶ族サイトである場合、硫化化水素（Ｈ2Ｓ）、セレン化水素（Ｈ2Ｓｅ）あるいはテルル化水素（Ｈ2Ｔｅ）を用いる。そして、ＭＯＣＶＤ法に基づき、これらのＩＩＩ族ガス、Ｖ族ガス、不純物ガスを反応室に導入し、６００゜Ｃ〜９００゜Ｃの温度範囲で熱分解反応させて、高温成長させることによって、ＩＩＩ族原料のマイグレーションを促進させ、｛１００｝面の平坦性が高く、結晶品質が高い化合物半導体層をエピタキシャル成長させることができる。そして、これにより、少なくともＧａＡｓ基板よりもエネルギーバンドギャップが大きいＡｌＧａＡｓ系材料層で構成され、所望の頂面の幅と高さを有する台形状の下地層１１を形成することができる。
ここで、下地層１１の頂面の平坦性を一層改善するためには、反応室に導入する供給ガスの流速を高く調整したり、（Ｖ族ガス）／（ＩＩＩ族ガス）のモル供給比を小さく調整して、ＩＩＩ族原料のマイグレーションを促進させた成長条件とすればよい。また、ＡｌＧａＩｎＰ系（Ａｓを含まない）材料を用いた下地層１１の｛１１１｝Ｂ面（側面）成長は、ＡｌＧａＡｓ系（Ａｓを含む）材料を用いた下地層１１の｛１１１｝Ｂ面（側面）成長に比べて、格段に成長し易い（｛１１１｝Ｂ面成長する条件範囲が格段に広い）といった材料特性を有するので、ＡｌＧａＩｎＰ系材料の｛１１１｝Ｂ面（側面）成長の制御範囲を広くする（例えば、｛１１１｝Ｂ面（側面）の非成長面化を実現する）ためには、リン（Ｐ）源の原料ガスの選択が重要であり、その選択として、低温分解効率に優れた、ターシャリー・ブチル・ホスフィン（ＴＢＰ）を用いることが望ましい。このような低温分解効率の高いＶ族用原料ガスを用いることにより、分解効率の低いホスフィン（ＰＨ3）に比べて、少量の原料ガスモル供給量でも、熱分解時には、同じ実効的なＶ族／ＩＩＩ族モル供給比が実現可能となる。従って、ターシャリー・ブチル・ホスフィン（ＴＢＰ）とホスフィン（ＰＨ3）とを同一ガスモル供給量で比較した場合、ターシャリー・ブチル・ホスフィン（ＴＢＰ）を用いた場合の方が、ＭＦＣ（マスフローコントローラー）による広い流量調整だけで、低温成長から高温成長における広い温度範囲で、実効的なＶ族／ＩＩＩ族モル供給比が大きい条件範囲で変化させることが可能となり、下地層１１を構成する結晶面の制御（例えば、｛１００｝面の平坦性や｛１１１｝Ｂ面成長の度合いなど）を多様に扱うことが可能となる。尚、ここでは、『Ａｓを含まない』材料の例であるが故に、ターシャリー・ブチル・ホスフィン（ＴＢＰ）を優れた特性を有する原料ガスとして説明しているが、一方で、『Ａｓを含む』材料の例の場合、同様に優れた特性を有する原料ガスとして、ターシャリー・ブチル・アルシン（ＴＢＡｓ）を用いて説明できることは云うまでもない。
以上の点を除き、実施例２の半導体発光素子及びその製造方法、並びに、下地層の形成方法は、実施例１の半導体発光素子及びその製造方法、並びに、下地層の形成方法と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
尚、代替的に、基板１０をｐ−ＧａＡｓから構成し、［工程−１００］と同様の工程に引き続き、露出した基板１０の主面の一部分の上に、ｐ型導電型を有する基層（具体的には、ｐ−｛Ａｌx4Ｇａ(1-x4)｝x5Ｉｎ(1-x5)Ｐ［但し、０≦ｘ４≦１，ｘ５＝０．５であり、特に、下地層に最も近いｐ型の基層の最上部（頂面部）においては、ｐ++−｛Ａｌx4Ｇａ(1-x4)｝x5Ｉｎ(1-x5)Ｐ［但し、０≦ｘ４≦１，ｘ５＝０．５］、あるいは、ｐ++−ＧａＡｓ層から成る超格子層となっていてもよい）をエピタキシャル成長させ、次いで、［工程−１１０］と同様の工程において、基層の上に上述したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層１１をエピタキシャル成長させてもよい。ここで、基層と下地層１１とによってトンネル接合を形成する。トンネル効果を発生させるためには、単純なｐｎ接合（基層と下地層とのｐｎ界面）では、基本的には、逆方向には電流が流れない。ところで、例えばこの空乏層の厚さは、不純物濃度によって更に調節することが可能であるため、結晶の品質を著しく損なわない範囲内で、出来るだけ接合界面を形成する領域における各層の不純物濃度を大きくすればよい。これにより、接合界面において形成される空乏層の幅が狭くなるので、逆バイアスを掛けたとき、トンネル効果が起こり易くなる。また、トンネル効果は、バンドギャップが小さい半導体ほど起こり易いので、少なくとも界面接合構造部において、基層の最表面層（頂面層）、あるいは、基層に最も近い下地層の最下面層において、どちらか一方の層が、エネルギーバンドギャップが小さく、もう一方の層のエネルギーバンドギャップが大きくなるように、材料を選択すればよい。この化合物半導体層を更に超格子層として部分的に用いる（非常に薄い層を用いる）ことによって、エネルギーバンドギャップが小さい材料の割合を最小限に抑えられるので、発光層で発生した光の吸収量を必要最低限に抑えることが可能になる。このように、基層と下地層との界面及び界面近傍を構成する化合物半導体層の不純物濃度、あるいは、エネルギーバンドギャップ、あるいは、厚さに着目した条件を採用すればよい。
尚、ｐ型導電型を有する基層のエピタキシャル成長において使用される原料には、基層をｐ型導電型とするために、少なくとも基層と下地層との界面及び界面近傍においては、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物が添加されている。具体的には、基層のエピタキシャル成長において使用される原料として、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）あるいはトリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）をアルミニウム（Ａｌ）源の原料ガスとして用い、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）あるいはトリエチルガリウム（ＴＥＧａ）をガリウム（Ｇａ）源の原料ガスとして用い、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）あるいはトリエチルインジウム（ＴＥＩｎ）をインジウム（Ｉｎ）源の原料ガスとして用い、ターシャリー・ブチル・ホスフィン（ＴＢＰ）あるいはホスフィン（ＰＨ3）をリン（Ｐ）源の原料ガスとして用い、ターシャリー・ブチル・アルシン（ＴＢＡｓ）あるいはアルシン（ＡｓＨ3）をヒ素（Ａｓ）源の原料ガスとして用いる。また、ｐ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＩＩＩ族サイトである場合、例えば、トリメチル亜鉛（ＴＭＺｎ）、トリエチル亜鉛（ＴＥＺｎ）、ビス・シクロペンタ・ジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）、ビス・エチル・シクロペンタ・ジエニルマグネシウム（ＥｔＣｐ2Ｍｇ）、ビス・イソプロピル・シクロペンタ・ジエニルマグネシウム（ｉ−ＰｒＣｐ2Ｍｇ）、ビス・メチルシクロペンタ・ジエニルマグネシウム（ＭｅＣｐ2Ｍｇ）あるいはトリメチルマンガン（ＴＭＭｎ）等を用いる。更に、ｐ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＶ族サイトである場合、四塩化炭素（ＣＣｌ4）、四臭化炭素（ＣＢｒ4）あるいは四ヨウ化炭素（ＣＩ4）等をカーボン（Ｃ）源の原料ガスとして用いればよい。また、その他のカーボン（Ｃ）源として、Ａｌ源、Ｇａ源、あるいは、Ａｓ源の原料ガス（有機金属ガス）等に含有されるメチル基やエチル基が結晶に積極的に取り込まれる（オートドーピングされる）成長条件を用いてもよい。特に、ｐ型の基層とｎ型の下地層によって形成されるトンネル接合部及びその近傍においては、ｐ++型層（高濃度層）の基層とｎ++型の下地層とが必要になるので、ｐ++型基層用の不純物ドーピング用のガスの選択としては、不純物で置換するサイトがＩＩＩ族サイトとＶ族サイトとなる少なくとも２種類のガスを同一層に対して併用することが重要である。
実施例３は、実施例１の半導体発光素子及びその製造方法の変形であり、また、本発明の第２の態様に係る下地層の形成方法に関する。
実施例３の半導体発光素子の模式的な一部断面図を図６の（Ａ）に示す。尚、基板及び下地層の模式的な一部断面図は、図２に示したと同様である。実施例３の半導体発光素子は、一部の化合物半導体層の導電型が実施例１の半導体発光素子と異なる点を除き、実施例１の半導体発光素子と同じ構造を有する。
即ち、実施例３の半導体発光素子は、
（Ａ）｛１００｝面を主面として有する基板１０のこの主面上に形成された下地層１１、
（Ｂ）下地層１１の頂面上に、第１導電型（実施例３にあっては、ｐ型）を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型（実施例３にあっては、ｎ型）を有する第２化合物半導体層２２が順次積層されて成る発光部２０、並びに、
（Ｃ）下地層１１が形成されていない基板１０の主面（基板１０の露出面）の部分の上方に形成され、発光部２０を構成する活性層２３の露出した側面を少なくとも覆う電流ブロック層４０、
を具備している。
そして、下地層１１は、実施例１と同様と構造を有するが、構成は異なっている。
より具体的には、実施例３にあっては、基板１０はｐ−ＧａＡｓから成り、下地層１１を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、少なくともヒ素及びアルミニウムを含み、より具体的には、下地層１１は、例えば、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成り、第１化合物半導体層２１は、ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎから成る。従って、下地層１１を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg）は、基板１０を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg-0）よりも高い。また、下地層１１を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg）は、第１化合物半導体層２１を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg-1）よりも高い。更には、電流ブロック層４０は、第１導電型（ｐ型）を有する第３化合物半導体層４３、及び、第２導電型（ｎ型）を有し、第３化合物半導体層４３に接した第４化合物半導体層４４から構成されている。尚、図６の（Ｂ）に、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４の一部を拡大した模式的な一部断面図を示す。実施例３の半導体発光素子における発光部２０を構成する各化合物半導体層の組成、電流ブロック層４０を構成する各化合物半導体層の組成の詳細は、後述する。
実施例３の半導体発光素子の製造方法、あるいは又、下地層の形成方法を、以下、説明する。
［工程−３００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、｛１００｝面を主面として有する基板１０のこの主面上に＜１１０＞方向に延びる複数のマスク層１１Ａを形成し、マスク層１１Ａとマスク層１１Ａとの間に基板１０の主面の一部分を露出させる。あるいは又、基板１０の主面上に複数のマスク層１１Ａを形成し、マスク層１１Ａとマスク層１１Ａとの間に基板１０の主面の一部分を露出させる。具体的には、ｐ−ＧａＡｓから成る基板１０の｛１００｝結晶面、例えば（１００）結晶面から成る主面上に、ＳｉＯ2から成り、所要の幅を有し、［０１１］Ａ方向に延びるマスク層１１ＡをＣＶＤ法及びフォトリソグラフィ技術に基づき形成する。
［工程−３１０］
次いで、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、露出した基板１０の主面の一部分の上に、基板１０のこの＜１１０＞方向に垂直な仮想平面で切断したときの断面形状が台形であって、この台形の２つの斜辺に相当する斜面が｛１１１｝Ｂ面であり、台形の上辺に相当する頂面が｛１００｝面であり、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層１１をエピタキシャル成長させ、次いで、マスク層１１Ａを除去する。あるいは又、露出した基板１０の主面の一部分の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層１１をエピタキシャル成長させ、次いで、マスク層１１Ａを除去する。ここで、ｐ型導電型を有する下地層１１のエピタキシャル成長において使用される原料には、下地層１１をｐ型導電型とするために、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物が添加されている。
具体的には、例えば、実施例１と同じアルミニウム（Ａｌ）源、ガリウム（Ｇａ）源、ヒ素（Ａｓ）源の原料ガスを用いる。また、ｐ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＩＩＩ族サイトである場合、例えば、トリメチル亜鉛（ＴＭＺｎ）、トリエチル亜鉛（ＴＥＺｎ）、ビス・シクロペンタ・ジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）、ビス・エチル・シクロペンタ・ジエニルマグネシウム（ＥｔＣｐ2Ｍｇ）、ビス・イソプロピル・シクロペンタ・ジエニルマグネシウム（ｉ−ＰｒＣｐ2Ｍｇ）、ビス・メチルシクロペンタ・ジエニルマグネシウム（ＭｅＣｐ2Ｍｇ）あるいはトリメチルマンガン（ＴＭＭｎ）等を用いる。更に、ｐ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＶ族サイトである場合、四塩化炭素（ＣＣｌ4）、四臭化炭素（ＣＢｒ4）あるいは四ヨウ化炭素（ＣＩ4）等をカーボン（Ｃ）源の原料ガスとして用いればよい。また、その他のカーボン（Ｃ）源として、実施例１の［工程−１１０］において説明したように、Ａｌ源、Ｇａ源あるいはＩｎ源の原料ガス（有機金属ガス）等に含有されるメチル基やエチル基が結晶に積極的に取り込まれる（オートドーピングされる）成長条件を用いてもよい。そして、ＭＯＣＶＤ法に基づき、これらのＩＩＩ族ガス、Ｖ族ガス、不純物ガスを反応室に導入し、６００゜Ｃ〜９００゜Ｃの温度範囲で熱分解反応させて、高温成長させることによって、ＩＩＩ族原料のマイグレーションを促進させ、｛１００｝面の平坦性が高く、結晶品質が高い化合物半導体層をエピタキシャル成長させることができる。そして、これにより、少なくともＧａＡｓ基板よりもエネルギーバンドギャップが大きいＡｌＧａＡｓ系材料層で構成され、所望の頂面の幅と高さを有する台形状の下地層１１を形成することができる。
また、下地層１１の頂面の平坦性を一層改善するためには、反応室に導入する供給ガスの流速を高く調整したり、（Ｖ族ガス）／（ＩＩＩ族ガス）のモル供給比を小さく調整して、ＩＩＩ族原料のマイグレーションを促進させた成長条件とすればよい。更には、下地層１１のｐ型不純物の濃度を高くするためには、ドーパントの絶対量を増やすことは云うまでもないが、その他、メチル基（ＣＨ3−）やエチル基（Ｃ2Ｈ5−）に起因するカーボン（Ｃ）と、不純物の置換サイトとが競合しないカーボン（Ｃ）以外のｐ型不純物を一緒に用いることが有効である。具体的には、カーボン（Ｃ）が置換するサイトはＶ族サイトであることから、Ｖ族サイトと競合しないサイトはＩＩＩ族サイトである。従って、ＩＩ族の不純物原料ガスをカーボン（Ｃ）含有ガスと一緒に用いればよい。また、オートドーピングにおいてカーボン（Ｃ）自身の絶対量を増やすためには、発光層で発生した光を下地層１１が吸収しない範囲で、例えば、ＡｌＧａＡｓ系下地層１１のＡｌ混晶比（ＴＭＡｌのガス供給量）を増やしてカーボン（Ｃ）の取り込みを増大させてもよい。これは、ＡｌＧａＡｓ系下地層１１の成長時、例えば、ＴＭＡｌは２量体を形成しているため、Ａｌと共にメチル基（ＣＨ3−）やエチル基（Ｃ2Ｈ5−）も結晶に取り込まれ易く、ＡｌＧａＡｓ系下地層１１のＡｌ混晶比を上げることによって、カーボン（Ｃ）の取り込みの増大が可能となり、ひいては、オートドーピング量を増大することができるからである。特に、下地層１１におけるカーボン（Ｃ）のオートドーピング量を一層増加させるためには、ターシャリー・ブチル・アルシン（ＴＢＡｓ）をヒ素（Ａｓ）源の原料ガスとして用いることが望ましく、そうすることで、従来のＩＩＩ族原料（有機金属）に含まれるメチル基（ＣＨ3−）やエチル基（Ｃ2Ｈ5−）に起因するカーボン（Ｃ）だけを用いる技術に対して、Ｖ族原料（有機金属）に含まれるターシャリーブチル基（（ＣＨ3）3Ｃ−）に起因するカーボン（Ｃ）を用いることとなるので、カーボン（Ｃ）の絶対量が増え、オートドーピングによって結晶のＶ族サイトで置換されるカーボン（Ｃ）の量が増え、ひいては、ホール濃度を増やすことが可能となる。
こうして、［０１１］Ａ方向に延びる下地層１１を得ることができる。下地層１１の幅方向は、［０−１１］Ｂ方向に平行である。その後、ウエットエッチング法に基づき、ＳｉＯ2から成るマスク層１１Ａを除去する。尚、下地層１１には、（１１−１）Ｂ面及び（１−１１）Ｂ面から構成された斜面（側面）が形成されており、下地層１１の頂面は（１００）面である。また、得られた下地層１１には、下地層１１をｐ型とするために、不純物として亜鉛（置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物）及び炭素（置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物）が含まれている。
［工程−３２０］
その後、実施例１の［工程−１２０］〜［工程−１５０］と同様の工程を実行することで、実施例３の半導体発光素子を得ることができる。
尚、代替的に、基板１０をｎ−ＧａＡｓから構成し、［工程−１００］と同様の工程に引き続き、露出した基板１０の主面の一部分の上に、ｎ型導電型を有する基層（具体的には、ｎ−Ａｌx1Ｇａ(1-x1)Ａｓ層［但し、０≦ｘ１≦１であり、特に、下地層に最も近いｎ型の基層の最上部（頂面部）においては、ｎ++−Ａｌx1Ｇａ(1-x1)Ａｓ層［但し、０＜ｘ１≦１］、あるいは、ｎ++−ＧａＡｓ層から成る超格子層となっていてもよい）をエピタキシャル成長させ、次いで、［工程−１１０］と同様の工程において、基層の上に上述したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層１１をエピタキシャル成長させてもよい。ここで、基層と下地層１１とによってトンネル接合を形成する。トンネル効果を発生させるためには、単純なｎｐ接合（基層と下地層とのｎｐ界面）では、基本的には、逆方向には電流が流れない。ところで、例えばこの空乏層の厚さは、不純物濃度によって更に調節することが可能であるため、結晶の品質を著しく損なわない範囲内で、出来るだけ接合界面を形成する領域における各層の不純物濃度を大きくすればよい。これにより、接合界面において形成される空乏層の幅が狭くなるので、逆バイアスを掛けたとき、トンネル効果が起こり易くなる。また、トンネル効果は、バンドギャップが小さい半導体ほど起こり易いので、少なくとも界面接合構造部において、基層の最表面層（頂面層）、あるいは、基層に最も近い下地層の最下面層において、どちらか一方の層が、エネルギーバンドギャップが小さく、もう一方の層のエネルギーバンドギャップが大きくなるように、材料を選択すればよい。この化合物半導体層を更に超格子層として部分的に用いる（非常に薄い層を用いる）ことによって、エネルギーバンドギャップが小さい材料の割合を最小限に抑えられるので、発光層で発生した光の吸収量を必要最低限に抑えることが可能になる。このように、基層と下地層との界面及び界面近傍を構成する化合物半導体層の不純物濃度、あるいは、エネルギーバンドギャップ、あるいは、厚さに着目した条件を採用すればよい。
尚、ｎ型導電型を有する基層のエピタキシャル成長において使用される原料には、基層をｎ型導電型とするために、少なくとも基層と下地層との界面及び界面近傍においては、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物が添加されている。具体的には、基層のエピタキシャル成長において使用される原料として、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）あるいはトリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）をアルミニウム（Ａｌ）源の原料ガスとして用い、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）あるいはトリエチルガリウム（ＴＥＧａ）をガリウム（Ｇａ）源の原料ガスとして用い、ターシャリー・ブチル・アルシン（ＴＢＡｓ）あるいはアルシン（ＡｓＨ3）をヒ素（Ａｓ）源の原料ガスとして用いる。また、ｎ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＩＩＩ族サイトである場合、例えば、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、モノシラン（ＳｉＨ4）あるいはトリメチルスズ（ＴＭＳｎ）を用いる。更には、ｎ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＶ族サイトである場合、硫化化水素（Ｈ2Ｓ）、セレン化水素（Ｈ2Ｓｅ）あるいはテルル化水素（Ｈ2Ｔｅ）を用いる。特に、ｎ型の基層とｐ型の下地層によって形成されるトンネル接合部及びその近傍においては、ｎ++型層（高濃度層）の基層とｐ++型の下地層とが必要になるので、ｎ++型基層用の不純物ドーピング用のガスの選択としては、不純物で置換するサイトがＩＩＩ族サイトとＶ族サイトとなる少なくとも２種類のガスを同一層に対して併用することが重要である。
実施例４は、実施例３の変形である。実施例４にあっては、下地層１１を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、少なくともリンを含む。より具体的には、下地層１１は、例えば、ＧａＡｓから成る基板と格子整合させ易いｎ−｛Ａｌx4Ｇａ(1-x4)｝x5Ｉｎ(1-x5)Ｐ：Ｓｅ［但し、０≦ｘ４≦１，ｘ５＝０．５であり、具体的には、例えば、ｘ４＝０、あるいは、ｘ４＝０．１、あるいは、ｘ４＝０．２、あるいは、ｘ４＝０．３、あるいは、ｘ４＝１］から成り、第１化合物半導体層２１は、ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎから成る。従って、下地層１１を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg）は、基板１０を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg-0）よりも高い。また、下地層１１を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg）は、第１化合物半導体層２１を構成する材料のエネルギーバンドギャップ（Ｅg-1）よりも高い。
実施例４の半導体発光素子の製造方法、あるいは又、下地層の形成方法にあっては、実施例３の［工程−３１０］と同様の工程において、アルミニウム（Ａｌ）源の原料ガス、ガリウム（Ｇａ）源の原料ガス、インジウム（Ｉｎ）源、リン（Ｐ）源の原料ガスとして、実施例２において説明した原料ガスを用いればよい。また、ｐ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＩＩＩ族サイトである場合、実施例３において説明した原料ガスを用いればよい。更には、ｐ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＶ族サイトである場合、実施例３において説明したカーボン（Ｃ）源の原料ガスとして用いればよい。また、その他のカーボン（Ｃ）源として、実施例１の［工程−１１０］において説明したように、Ａｌ源、Ｇａ源あるいはＩｎ源の原料ガス（有機金属ガス）等に含有されるメチル基やエチル基が結晶に積極的に取り込まれる（オートドーピングされる）成長条件を用いてもよい。そして、ＭＯＣＶＤ法に基づき、これらのＩＩＩ族ガス、Ｖ族ガス、不純物ガスを反応室に導入し、６００゜Ｃ〜９００゜Ｃの温度範囲で熱分解反応させて、高温成長させることによって、ＩＩＩ族原料のマイグレーションを促進させ、｛１００｝面の平坦性が高く、結晶品質が高い化合物半導体層をエピタキシャル成長させることができる。そして、これにより、少なくともＧａＡｓ基板よりもエネルギーバンドギャップが大きいＡｌＧａＡｓ系材料層で構成され、所望の頂面の幅と高さを有する台形状の下地層１１を形成することができる。
また、下地層１１の頂面の平坦性を一層改善するためには、反応室に導入する供給ガスの流速を高く調整したり、（Ｖ族ガス）／（ＩＩＩ族ガス）のモル供給比を小さく調整して、ＩＩＩ族原料のマイグレーションを促進させた成長条件とすればよい。更には、下地層１１のｐ型不純物の濃度を高くするためには、ドーパントの絶対量を増やすことは云うまでもないが、その他、メチル基（ＣＨ3−）やエチル基（Ｃ2Ｈ5−）に起因するカーボン（Ｃ）と、不純物の置換サイトとが競合しないカーボン（Ｃ）以外のｐ型不純物を一緒に用いることが有効である。具体的には、カーボン（Ｃ）が置換するサイトはＶ族サイトであることから、Ｖ族サイトと競合しないサイトはＩＩＩ族サイトである。従って、ＩＩ族の不純物原料ガスをカーボン（Ｃ）含有ガスと一緒に用いればよい。また、オートドーピングにおいてカーボン（Ｃ）自身の絶対量を増やすためには、発光層で発生した光を下地層１１が吸収しない範囲で、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系あるいはＡｌＧａＡｓ系下地層１１のＡｌ混晶比（ＴＭＡｌのガス供給量）を増やしてカーボン（Ｃ）の取り込みを増大させてもよい。これは、ＡｌＧａＩｎＰ系あるいはＡｌＧａＡｓ系下地層１１の成長時、例えば、ＴＭＡｌは２量体を形成しているため、Ａｌと共にメチル基（ＣＨ3−）やエチル基（Ｃ2Ｈ5−）も結晶に取り込まれ易く、ＡｌＧａＩｎＰ系あるいはＡｌＧａＡｓ系下地層１１のＡｌ混晶比を上げることによって、カーボン（Ｃ）の取り込みの増大が可能となり、ひいては、オートドーピング量を増大することができるからである。特に、下地層１１におけるカーボン（Ｃ）のオートドーピング量を一層増加させるためには、ターシャリー・ブチル・ホスフィン（ＴＢＰ）をリン（Ｐ）源の原料ガスとして用いることが望ましく、そうすることで、従来のＩＩＩ族原料（有機金属）に含まれるメチル基（ＣＨ3−）やエチル基（Ｃ2Ｈ5−）に起因するカーボン（Ｃ）だけを用いる技術に対して、Ｖ族原料（有機金属）に含まれるターシャリーブチル基（（ＣＨ3）3Ｃ−）に起因するカーボン（Ｃ）を用いることとなるので、カーボン（Ｃ）の絶対量が増え、オートドーピングによって結晶のＶ族サイトで置換されるカーボン（Ｃ）の量が増え、ひいては、ホール濃度を増やすことが可能となる。
特に、ＡｌＧａＩｎＰ系（Ａｓを含まない）材料を用いた下地層１１の｛１１１｝Ｂ面（側面）成長は、ＡｌＧａＡｓ系（Ａｓを含む）材料を用いた下地層１１の｛１１１｝Ｂ面（側面）成長に比べて、格段に成長し易い（｛１１１｝Ｂ面成長する条件範囲が格段に広い）といった材料特性を有するので、ＡｌＧａＩｎＰ系材料の｛１１１｝Ｂ面（側面）成長の制御範囲を広くする（例えば、｛１１１｝Ｂ面（側面）の非成長面化を実現する）には、リン（Ｐ）源の原料ガスの選択が重要であり、その選択として、低温分解効率に優れた、ターシャリー・ブチル・ホスフィン（ＴＢＰ）を用いることが望ましい。このような低温分解効率の高いＶ族用原料ガスを用いることにより、分解効率の低いホスフィン（ＰＨ3）に比べて、少量の原料ガスモル供給量でも、熱分解時には、同じ実効的なＶ族／ＩＩＩ族モル供給比が実現可能となる。従って、ターシャリー・ブチル・ホスフィン（ＴＢＰ）とホスフィン（ＰＨ3）とを同一ガスモル供給量で比較した場合、ターシャリー・ブチル・ホスフィン（ＴＢＰ）を用いた場合の方が、ＭＦＣ（マスフローコントローラー）による広い流量調整だけで、低温成長から高温成長における広い温度範囲で、実効的なＶ族／ＩＩＩ族モル供給比が大きい条件範囲で変化させることが可能となり、下地層１１を構成する結晶面の制御（例えば、｛１００｝面の平坦性や｛１１１｝Ｂ面成長の度合いなど）を多様に扱うことが可能となる。尚、ここでは、『Ａｓを含まない』材料の例であるが故に、ターシャリー・ブチル・ホスフィン（ＴＢＰ）を優れた特性を有する原料ガスとして説明しているが、一方で、『Ａｓを含む』材料の例の場合、同様に優れた特性を有する原料ガスとして、ターシャリー・ブチル・アルシン（ＴＢＡｓ）を用いて説明できることは云うまでもない。
尚、代替的に、基板１０をｎ−ＧａＡｓから構成し、［工程−１００］と同様の工程に引き続き、露出した基板１０の主面の一部分の上に、ｎ型導電型を有する基層（具体的には、ｎ−｛Ａｌx4Ｇａ(1-x4)｝x5Ｉｎ(1-x5)Ｐ［但し、０≦ｘ４≦１，ｘ５＝０．５であり、特に、下地層に最も近いｎ型の基層の最上部（頂面部）においては、ｎ++−｛Ａｌx4Ｇａ(1-x4)｝x5Ｉｎ(1-x5)Ｐ［但し、０≦ｘ４≦１，ｘ５＝０．５］、あるいは、ｎ++−ＧａＡｓ層から成る超格子層となっていてもよい）をエピタキシャル成長させ、次いで、［工程−１１０］と同様の工程において、基層の上に上述したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層１１をエピタキシャル成長させてもよい。ここで、基層と下地層１１とによってトンネル接合を形成する。トンネル効果を発生させるためには、単純なｎｐ接合（基層と下地層とのｎｐ界面）では、基本的には、逆方向には電流が流れない。ところで、例えばこの空乏層の厚さは、不純物濃度によって更に調節することが可能であるため、結晶の品質を著しく損なわない範囲内で、出来るだけ接合界面を形成する領域における各層の不純物濃度を大きくすればよい。これにより、接合界面において形成される空乏層の幅が狭くなるので、逆バイアスを掛けたとき、トンネル効果が起こり易くなる。また、トンネル効果は、バンドギャップが小さい半導体ほど起こり易いので、少なくとも界面接合構造部において、基層の最表面層（頂面層）、あるいは、基層に最も近い下地層の最下面層において、どちらか一方の層が、エネルギーバンドギャップが小さく、もう一方の層のエネルギーバンドギャップが大きくなるように、材料を選択すればよい。この化合物半導体層を更に超格子層として部分的に用いる（非常に薄い層を用いる）ことによって、エネルギーバンドギャップが小さい材料の割合を最小限に抑えられるので、発光層で発生した光の吸収量を必要最低限に抑えることが可能になる。このように、基層と下地層との界面及び界面近傍を構成する化合物半導体層の不純物濃度、あるいは、エネルギーバンドギャップ、あるいは、厚さに着目した条件を採用すればよい。
尚、ｎ型導電型を有する基層のエピタキシャル成長において使用される原料には、基層をｎ型導電型とするために、少なくとも基層と下地層との界面及び界面近傍においては、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物が添加されている。具体的には、基層のエピタキシャル成長において使用される原料として、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）あるいはトリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）をアルミニウム（Ａｌ）源の原料ガスとして用い、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）あるいはトリエチルガリウム（ＴＥＧａ）をガリウム（Ｇａ）源の原料ガスとして用い、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）あるいはトリエチルインジウム（ＴＥＩｎ）をインジウム（Ｉｎ）源の原料ガスとして用い、ターシャリー・ブチル・ホスフィン（ＴＢＰ）あるいはホスフィン（ＰＨ3）をリン（Ｐ）源の原料ガスとして用い、ターシャリー・ブチル・アルシン（ＴＢＡｓ）あるいはアルシン（ＡｓＨ3）をヒ素（Ａｓ）源の原料ガスとして用いる。また、ｎ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＩＩＩ族サイトである場合、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、モノシラン（ＳｉＨ4）あるいはトリメチルスズ（ＴＭＳｎ）を用いる。更には、ｎ型不純物ドーピング用のガスとして、不純物で置換するサイトがＶ族サイトである場合、硫化化水素（Ｈ2Ｓ）、セレン化水素（Ｈ2Ｓｅ）あるいはテルル化水素（Ｈ2Ｔｅ）を用いる。特に、ｎ型の基層とｐ型の下地層によって形成されるトンネル接合部及びその近傍においては、ｎ++型層（高濃度層）の基層とｐ++型の下地層とが必要になるので、ｎ++型基層用の不純物ドーピング用のガスの選択としては、不純物で置換するサイトがＩＩＩ族サイトとＶ族サイトとなる少なくとも２種類のガスを同一層に対して併用することが重要である。
以上の点を除き、実施例４の半導体発光素子及びその製造方法、並びに、下地層の形成方法は、実施例３の半導体発光素子及びその製造方法、並びに、下地層の形成方法と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
実施例１〜実施例４において説明した下地層の考え方を組み合わせることによって、実現可能な下地層１１の特徴を纏めると、下記（１）〜（４）のとおりとなる。
（１）光吸収を抑制した下地層１１。
（２）幅、アスペクト比の基板内での均一性に優れた下地層１１。
（３）ｐ型不純物濃度やｎ型不純物濃度の高濃度化が可能な下地層１１。
（４）ｐ+／ｎ+接合（トンネル接合）の形成が可能な下地層１１。
特に、上記（４）のトンネル接合に場合にあっては、上述したとおり、基層と下地層との接合界面及びその近傍で形成される構造の具体例としては、ＧａＡｓ基板上に格子整合させ易い選択成長といった観点から、高濃度の（Ａｌ）ＧａＡｓ系層、あるいは、高濃度の（Ａｌ）ＧａＩｎＰ系層、あるいは、高濃度のＧａＡｓ層を、ｎ++型化合物半導体層、あるいは、ｐ++型化合物半導体層として例を挙げた。しかしながら、ここで、基板との格子整合性が保たれるのであれば、基層や下地層の材料の選択はこの限りではなく、ＧａＡｓ以外の基板を用いる場合においても、ＩＩＩ族材料としては、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの中から選択すればよく、Ｖ族材料としては、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉの中から選択してＩＩＩ−Ｖ族を組み合わせることで、トンネル効果が得やすい基層あるいは下地層を得ることができる。特に、トンネル効果と光の吸収、あるいは、格子整合性を両立させた品質の高い発光素子を考える場合には、トンネル接合界面に超格子層を部分的に採用することで、光の吸収量を極力低減させながら、臨界膜厚を調整することが可能になる。
ところで、基板１０の露出面における結晶成長によって得られる電流ブロック層４０は、発光部２０の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域、基板１０の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び、｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域（但し、ｈは４以上の整数であり、便宜上、高次の結晶面領域と呼ぶ場合がある）から構成されている（図１の（Ｂ）及び図６の（Ｂ）参照）。
そして、特に、｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域、あるいは、係る領域の近傍において、電流ブロック層４０を構成するｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層との間での不純物相互拡散によって、電流ブロック層４０が消滅し、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなり、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題が生じる場合がある。上述した特許第２９９０８３７号においては、このような問題を解決するために、基板としてｐ型基板を使用し、更には、電流ブロック層４０をｐ型化合物半導体層から構成する。ところで、｛３１１｝Ｂ結晶面領域はｎ型化し易く、高次の結晶面領域においてはｐ型化し易い。従って、｛３１１｝Ｂ結晶面領域は結果的に本来のｐ型エピタキシャル成長膜厚より厚さが減少して膜薄部となり、他方、高次の結晶面領域は結果的にｐ型化によって厚さが増加して膜厚部となる。その結果、電流ブロック層４０の高次の結晶面領域の厚さが大となるため、この部分におけるリーク電流を確実に回避することができる。このように、特許第２９９０８３７号に開示された技術は、上述した問題の解決のために非常に有効な技術であるが、ｎ型基板の使用に対する強い要望がある。また、ｐ型基板を使用した場合にあっても、電流ブロック層におけるリーク電流の一層の低減を図ることが望ましい。以上に説明した問題を、以下の説明のために、第２の問題と呼ぶ。
このような第２の問題を解決するために、本発明の半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。便宜上、係る構成を、『第（Ｉ）−１の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。尚、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
第（Ｉ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−１−Ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、第（Ｉ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−１−Ｂの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、第（Ｉ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−１−ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、第（Ｉ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−１−ｂの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、第（Ｉ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−１−Ｃの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、第（Ｉ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−１−Ｄの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、第（Ｉ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−１−ｃの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、第（Ｉ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−１−ｄの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
以上に説明した第（Ｉ）−１−Ａの構成、第（Ｉ）−１−ａの構成、第（Ｉ）−１−Ｂの構成、第（Ｉ）−１−ｂの構成、第（Ｉ）−１−Ｃの構成、第（Ｉ）−１−ｃの構成、第（Ｉ）−１−Ｄの構成、第（Ｉ）−１−ｄの構成の半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層は、第２導電型を有する第５化合物半導体層から更に構成されており、
第４化合物半導体層及び第５化合物半導体層によって第３化合物半導体層が挟まれた構造を有し、
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第５化合物半導体層を第２導電型とするための第５化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。尚、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第５化合物半導体層／第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。あるいは又、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第６化合物半導体層から更に構成されており、
第３化合物半導体層及び第６化合物半導体層によって第４化合物半導体層が挟まれた構造を有し、
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第６化合物半導体層を第１導電型とするための第６化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。尚、下から、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層／第６化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
あるいは又、上述した第２の問題を解決するために、本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−２−Ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−２−Ａの構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、３×２の６通りである。
尚、第ＶＩ族不純物が含まれる第１化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
あるいは又、上述した第２の問題を解決するために、本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−２−Ｂの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−２−Ｂの構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物）の組合せは、２×３×４×１×２×４の１９２通りである。
あるいは又、上述した第２の問題を解決するために、本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−２−Ｃの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−２−Ｃの構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、４×１の４通りである。
尚、第ＩＩ族不純物が含まれる第１化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
あるいは又、上述した第２の問題を解決するために、本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−２−Ｄの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−２−Ｄの構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物）の組合せは、１×４×３×２×１×３の７２通りである。
あるいは又、上述した第２の問題を解決するために、本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−３−ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−３−ａの構成の半導体発光素子にあっては、（第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物）の組合せは、４×１の４通りである。
尚、第ＩＩ族不純物が含まれる第２化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
あるいは又、上述した第２の問題を解決するために、本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−３−ｂの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−３−ｂの構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物）の組合せは、２×３×４×１×３×１の７２通りである。
あるいは又、上述した第２の問題を解決するために、本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−３−ｃの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−３−ｃの構成の半導体発光素子にあっては、（第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物）の組合せは、２×３の６通りである。
尚、第ＶＩ族不純物が含まれる第２化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
あるいは又、上述した第２の問題を解決するために、本発明の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−３−ｄの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−３−ｄの構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物）の組合せは、１×４×３×２×４×２の１９２通りである。
あるいは又、上述した第２の問題を解決するために、本発明の半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なる構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−４−Ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
尚、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なる不純物が含まれる第１化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層と接する部分である。第１化合物半導体層が接する活性層には、井戸層、あるいは、閉じ込め層（Confinement 層）が包含される。以下の説明においても同様である。閉じ込め層を設けることで、光の閉じ込め、及び／又は、キャリアの閉じ込めを行うことができる。下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
あるいは又、上述した第２の問題を解決するために、本発明の半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されている半導体発光素子であって、
第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なる構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−４−ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
尚、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なる不純物が含まれる第２化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
あるいは又、上述した第２の問題を解決するために、本発明の半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層は、少なくとも、第２導電型を有する第４化合物半導体層、及び、第１導電型を有する第３化合物半導体層が順次積層されて成り、
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第１化合物半導体層、電流ブロック層、及び、第２化合物半導体層を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在する構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
第（Ｉ）−５の構成の半導体発光素子において、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。そして、この場合には、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
あるいは又、第（Ｉ）−５の構成の半導体発光素子において、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る構成とすることができる。尚、この場合、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
ところで、第１Ｂ化合物半導体層を用いる構成の場合、第１Ｂ化合物半導体層と、この第１Ｂ化合物半導体層の側面に接する第４化合物半導体層との関係においては、不純物の置換サイトが競合しない関係となる場合がある。そして、このような場合、先ず、この側面の部分で第１Ｂ化合物半導体層と第４化合物半導体層との間における不純物の拡散が発生し、次いで、電流ブロック層を構成する第３化合物半導体層に不純物の拡散が及んでしまい、電流のリークパスが形成される虞がある。
従って、このような場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第６化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１化合物半導体層（又は、第１Ａ化合物半導体層）を第１導電型とするための第１化合物半導体層（又は、第１Ａ化合物半導体層）における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。そして、このような構造を採用することで、不純物の置換サイトが互いに競合しない第１Ｂ化合物半導体層と第４化合物半導体層とが接しなくなるので、不純物が拡散することを防止できる。ここで、この場合には、迂回経路は、第１化合物半導体層（第１Ａ化合物半導体層及び第１Ｂ化合物半導体層）、第６化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
あるいは又、このような場合、第１Ｂ化合物半導体層から電流ブロック層内への不純物の拡散に起因した電流リークの発生を防止するために、電流ブロック層内に不純物拡散バリア層を設けることが望ましい。具体的には、第２導電型を有する第４化合物半導体層に対して、不純物の置換サイトが異なる第２導電型を有する第７化合物半導体層を「不純物拡散バリア層」として挿入すればよい。より具体的には、電流ブロック層を構成する第２導電型を有する第４化合物半導体層内に、同じく第２導電型を有する不純物拡散バリア層が少なくとも１層（例えば、第７化合物半導体層）、挿入され、第４化合物半導体層の不純物の置換サイトと、不純物拡散バリア層（例えば、不純物拡散バリア層が１層である場合、第７化合物半導体層）の不純物の置換サイトとが異なるように、不純物が選択されていればよい。そして、このような構成を採用することでも、電流ブロック層内を不純物が拡散することによって迂回経路に電流リークパスが形成される現象を、一層確実に防止することができる。
あるいは又、第（Ｉ）−５の構成の半導体発光素子において、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る構成とすることができる。尚、この場合、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
ところで、第２Ｂ化合物半導体層を用いる構成の場合、第２Ｂ化合物半導体層と、この第２Ｂ化合物半導体層の側面に接する第３化合物半導体層との関係においては、不純物の置換サイトが競合しない関係となる場合がある。そして、このような場合、先ず、この側面の部分で第２Ｂ化合物半導体層と第３化合物半導体層との間における不純物の拡散が発生し、次いで、電流ブロック層を構成する第４化合物半導体層に不純物の拡散が及んでしまい、電流のリークパスが形成される虞がある。
従って、このような場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第５化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層（又は、第２Ａ化合物半導体層）を第２導電型とするための第２化合物半導体層（又は、第２Ａ化合物半導体層）における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接している形態とすることができる。そして、このような構造を採用することで、不純物の置換サイトが互いに競合しない第２Ｂ化合物半導体層と第４化合物半導体層とが接しなくなるので、不純物が拡散することを防止できる。ここで、この場合には、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、第５化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層（第２Ｂ化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層）から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の３つである。
あるいは又、このような場合、第２Ｂ化合物半導体層から電流ブロック層内への不純物の拡散に起因した電流リークの発生を防止するために、電流ブロック層内に不純物拡散バリア層を設けることが望ましい。具体的には、第１導電型を有する第３化合物半導体層に対して、不純物の置換サイトが異なる第１導電型を有する第８化合物半導体層を「不純物拡散バリア層」として挿入すればよい。より具体的には、電流ブロック層を構成する第１導電型を有する第３化合物半導体層内に、同じく第１導電型を有する不純物拡散バリア層が少なくとも１層（例えば、第８化合物半導体層）、挿入され、第３化合物半導体層の不純物の置換サイトと、不純物拡散バリア層（例えば、不純物拡散バリア層が１層である場合、第８化合物半導体層）の不純物の置換サイトとが異なるように、不純物が選択されていればよい。そして、このような構成を採用することでも、電流ブロック層内を不純物が拡散することによって迂回経路に電流リークパスが形成される現象を、一層確実に防止することができる。
第（Ｉ）−５の構成の半導体発光素子において、第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層及び第３化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。あるいは又、第１Ａ化合物半導体層、第１Ｂ化合物半導体層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層及び第３化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。あるいは又、第１化合物半導体層、第２Ｂ化合物半導体層、第２Ａ化合物半導体層、第４化合物半導体層及び第３化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。
そして、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−Ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。尚、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。
ここで、第（Ｉ）−５−Ａの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−Ａ−１の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−５−Ａ−１の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、２×４×４×２の６４通りである。
あるいは又、第（Ｉ）−５−Ａの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−Ａ−２の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−５−Ａ−２の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、４×２×２×４の６４通りである。
あるいは又、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。尚、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。
ここで、第（Ｉ）−５−ａの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−ａ−１の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−５−ａ−１の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、３×１×１×３の９通りである。
あるいは又、第（Ｉ）−５−ａの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−ａ−２の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−５−ａ−２の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、１×３×３×１の９通りである。
あるいは又、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−Ｂの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
ここで、第（Ｉ）−５−Ｂの構成の半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−Ｂ−１の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−５−Ｂ−１の構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、２×３×４×４×２の１９２通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第（Ｉ）−５−Ｂの構成の半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−Ｂ−２の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−５−Ｂ−２の構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、４×１×２×２×４の６４通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−ｂの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
ここで、第（Ｉ）−５−ｂの構成の半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−ｂ−１の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−５−ｂ−１の構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、３×２×１×１×３の１８通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第（Ｉ）−５−ｂの構成の半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−ｂ−２の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−５−ｂ−２の構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、１×４×３×３×１の３６通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−Ｃの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
ここで、第（Ｉ）−５−Ｃの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−Ｃ−１の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−５−Ｃ−１の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、２×４×１×４×２の６４通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第（Ｉ）−５−Ｃの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−Ｃ−２の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−５−Ｃ−２の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、４×２×３×２×４の１９２通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−ｃの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
ここで、第（Ｉ）−５−ｃの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−ｃ−１の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−５−ｃ−１の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、３×１×４×１×３の３６通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第（Ｉ）−５−ｃの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−ｃ−２の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−５−ｃ−２の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、１×３×２×３×１の９通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第（Ｉ）−５の構成の半導体発光素子にあっては、電流ブロック層を構成する第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間に、複数の化合物半導体層を設けてもよい。即ち、第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間には、更に、少なくとも、第１導電型を有する化合物半導体層及び第２導電型を有する化合物半導体層の２層の化合物半導体層が順次積層されている構成とすることもできる。具体的には、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とした場合、電流ブロック層を、ｐ型第４化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型第３化合物半導体層といった４層積層構造から構成してもよいし、ｐ型第４化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型第３化合物半導体層といった６層積層構造から構成してもよいし、ｐ型第４化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型第３化合物半導体層といった８層積層構造から構成してもよい。尚、このような積層構造を、ｐ型第４化合物半導体層、（ｎ型化合物半導体層，ｐ型化合物半導体層）m、ｎ型第３化合物半導体層（但し、ｍ＝１，２，３・・・・）と表現する場合がある。あるいは又、具体的には、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型とした場合、電流ブロック層を、ｎ型第４化合物半導体層、（ｐ型化合物半導体層，ｎ型化合物半導体層）m、ｐ型第３化合物半導体層（但し、ｍ＝１，２，３・・・・）といった積層構造から構成してもよい。このように、電流ブロック層を多層構造とすることで、たとえ発光部と電流ブロック層との相対的な位置ズレが発生したとしても、迂回経路に電流リークパスが形成される現象を一層確実に防止することができる。尚、電流ブロック層を多層構造とする場合にあっても、電流ブロック層の厚さは増加させないことが望ましく、電流ブロック層を構成する化合物半導体層のｐｎ界面（あるいはｎｐ界面）が少なくとも１つ以上、活性層の側面と接触していることが一層望ましく、電流ブロック層を構成する化合物半導体層１層当たりの発光部の側面との接触面積が減少する結果、電気抵抗値が増加するので、漏れ電流がより一層抑制され、光出力の改善を図ることができる。
更に、電流ブロック層を構成する化合物半導体層の１層当たりの発光部の側面との接触面に関して、より望ましい形態として、電流ブロック層を構成する化合物半導体層の１層当たりの接触面の幅（発光部の側面の上下方向に沿った接触面の長さ）を、第１化合物半導体層（あるいは第１Ｂ化合物半導体層）と第２化合物半導体層（あるいは第２Ｂ化合物半導体層）とによって挟まれている活性層の総膜厚の幅（発光部の側面の上下方向に沿った活性層の長さ）以下とすることが望ましい。あるいは又、活性層が量子井戸構造を有する場合、電流ブロック層を構成する化合物半導体層の１層当たりの接触面の幅を、量子井戸構造を構成する井戸層１層の幅（発光部の側面の上下方向に沿った井戸層の長さ）以下とすることが望ましい。このような形態は、電流ブロック層を構成する各化合物半導体層の膜厚を非常に薄くする必要に迫られるため、従来の技術にあっては、先に説明したとおり、ｎ型化合物半導体層／ｐ型化合物半導体層（あるいはｐ型化合物半導体層／ｎ型化合物半導体層）界面における不純物の相互拡散による導電型の中和によって、｛３１１｝Ｂ面やより高次の結晶面で構成される電流ブロック層の一部が、消滅してしまったり、逆に、異常に厚くなってしまったりするといった問題があった。然るに、第（Ｉ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、電流ブロック層を構成する各化合物半導体層において所望の導電型を得る際、不純物の置換サイトの競合関係を考慮した組み合わせを電流リーク抑制の視点から総合的に判断することにより、電流ブロック層を構成する各化合物半導体層の膜厚を非常に薄くした場合においても、不純物の相互拡散による導電型の中和を抑制して、電流ブロック層自身の電流ブロック品質を高め、更には、発光部の側面のリーク電流を確実に抑制する構造を実現することが可能となった。
第（Ｉ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、電流ブロック層を構成する第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。従って、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難く、その結果、電流ブロック層が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層が薄くなったりして、電流ブロック層の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。また、第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層と第２化合物半導体層との間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。
また、第（Ｉ）−２−Ａの構成あるいは第（Ｉ）−２−Ｂの構成の半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層あるいは第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は第ＶＩ族不純物であり、第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は第ＩＶ族不純物である。更には、第（Ｉ）−２−Ｃの構成あるいは第（Ｉ）−２−Ｄの構成の半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層あるいは第１Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は第ＩＩ族不純物であり、第３化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は炭素（Ｃ）である。また、第（Ｉ）−３−ａの構成あるいは第（Ｉ）−３−ｂの構成の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層あるいは第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は第ＩＩ族不純物であり、第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は炭素（Ｃ）である。更には、第（Ｉ）−３−ｃの構成あるいは第（Ｉ）−３−ｄの構成の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層あるいは第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は第ＶＩ族不純物であり、第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は第ＩＶ族不純物である。また、第（Ｉ）−４−Ａの構成の半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なり、第（Ｉ）−４−ａの構成の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なる。そして、これらの構成、構造を採用することで、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難い構成、構造を達成することが可能となり、その結果、電流ブロック層が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層が薄くなったりして、電流ブロック層の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
更には、第（Ｉ）−５の構成の半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層、電流ブロック層、及び、第２化合物半導体層を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在し、しかも、各化合物半導体層を所定の導電型とするための不純物は、その化合物半導体層における不純物の置換サイトが、隣接する化合物半導体層を所定の導電型とするための係る隣接する化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。従って、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難く、加えて、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層やｐ型化合物半導体層と、発光部を構成するｐ型化合物半導体層やｎ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難く、その結果、電流ブロック層が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層が薄くなったりして、電流ブロック層の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
次に、従来のフレア・ストライプ構造を有する半導体レーザの製造方法の概要を、説明し、更に、問題点を説明する。
［工程−１０］
先ず、ｎ−ＧａＡｓから成る基板１０の｛１００｝結晶面、例えば（１００）結晶面から成る主面上に、所要の幅を有し、［０１１］Ａ方向に延びる概ねストライプ状の凸部２１１を形成する。尚、凸部２１１の幅方向は、［０−１１］Ｂ方向に平行である。こうして、図６０の（Ａ）に示す構造を得ることができる。凸部２１１には、｛１１１｝Ｂ面から構成された斜面（側面）が形成される。図６０の（Ｂ）に凸部２１１の平面形状を模式的に示すが、凸部２１１は、中央部の幅が両端部の幅よりも狭い帯状の形状を有する。ここで、図６０の（Ｂ）において、凸部２１１を明確化するために、凸部２１１に斜線を付した。
［工程−２０］
次いで、通常のＭＯＣＶＤ法、即ち、有機金属や水素化合物を原料ガスとするＭＯＣＶＤ法に基づき、凸部２１１及び凹部面２１２の上に、バッファ層１２、ｎ型第１化合物半導体層２１、活性層２３、ｐ型第２化合物半導体層２２をエピタキシャル成長させる。このとき、凸部２１１の化合物半導体層の斜面（側面）は｛１１１｝Ｂ面から構成され、上述したとおり、｛１１１｝Ｂ面は非成長面である。従って、バッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２によって形成される積層構造（所謂、ダブルヘテロ型構造）は、凸部２１１の上の領域と、凹部面２１２の上の領域とでは、係るダブルヘテロ型構造が分断された状態（Separated Double Heterostructure）で形成（積層）される。
［工程−３０］
その後、第２化合物半導体層２２の形成に連続して、全面に、ｐ型化合物半導体層から成る電流ブロック層位置調整層３０をＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。更に、例えば、ｐ型化合物半導体層及びｎ型化合物半導体層の積層構造から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。電流ブロック層４０は、｛１１１｝Ｂ面上には成長しない。また、電流ブロック層４０の端面が、少なくとも活性層２３の側面を覆うように、電流ブロック層４０を形成する。こうして、凸部２１１の中央部にあっては、図６１に示す断面構造を得ることができ、凸部２１１の両端部にあっては、図６２に示す断面構造を得ることができる。
ここで、凸部２１１の中央部にあっては、発光部２０の側面にのみ電流ブロック層４０が形成される（図６１参照）。一方、この時点では、凸部２１１の両端部にあっては、発光部２０の側面に電流ブロック層４０が形成されるだけでなく、発光部２０の積層構造の頂面（｛１００｝面）上には、｛１１１｝Ｂファセット面（側面）を形成しながら頂面の幅を狭めるように、電流ブロック層４０と同じ積層構造が形成される（図６２参照）。尚、発光部２０の積層構造の頂面に形成された電流ブロック層４０と同じ積層構造を、便宜上、『堆積層４０”』と呼ぶ。また、堆積層４０”と発光部２０の積層構造の頂面との間には、電流ブロック層位置調整層３０と同じ構成を有する化合物半導体層３０’が形成されている。
［工程−４０］
次いで、全面に、埋込層３１及びコンタクト層（キャップ層）３２を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。一方、この時点では、凸部２１１の両端部にあっては、堆積層４０”の頂面（｛１００｝面）上には、｛１１１｝Ｂファセット面（側面）を形成しながら頂面の幅を狭めるように埋込層が形成され、頂面の幅が十分に広い場合には、更に、コンタクト層（キャップ層）３２と同じ積層構造が形成される。尚、堆積層４０”上の埋込層を埋込層３１”で表す。その後、最表層として形成されたコンタクト層３２上に第２電極５２を真空蒸着法に基づき形成し、一方、基板１０を裏面側から適切な厚みにラッピングした後、第１電極５１を真空蒸着法に基づき形成する（図６３及び図６４参照）。
ところで、上述の［工程−３０］において、凸部２１１の両端部にあっては、発光部２０の積層構造の頂面には、電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層４０”が形成される。この堆積層４０”は、ｐ型化合物半導体層及びｎ型化合物半導体層の積層構造から成るので、電流を通過させない。従って、第２電極５２から供給される電流は、コンタクト層（キャップ層）３２及び埋込層３１へ到達し、堆積層４０”の周囲から埋込層３１と接触している｛１１１｝Ｂ側面（接触面）を通じて第２化合物半導体層２２へと流れ込む。その結果、活性層への電流注入経路が｛１１１｝Ｂ側面（接触面）に限定されることに起因して、電気抵抗の増加による発熱や消費電流の増加といった問題、ひいては、半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題が生じる。以下の説明のために、これらの問題を、第３の問題と呼ぶ。
このような第３の問題を解決するために、本発明の半導体発光素子にあっては、
活性層の平面形状は、中央部の幅が両端部の幅よりも狭い帯状の形状を有し、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第２導電型を有する埋込層は、第１埋込層及び第２埋込層が順次積層された積層構造体から構成されており、
電流ブロック層の上方に位置する埋込層において、第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、第２埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る構成とすることができる。便宜上、係る構成を、『第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。この第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子は、所謂フレア・ストライプ構造を有する。
第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子にあっては、電流ブロック層の上方に位置する埋込層において、第１埋込層を第２導電型とするための不純物は、第１埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることが好ましい。また、電流ブロック層の上方に位置する埋込層において、第１埋込層を第２導電型とするための不純物は、第１埋込層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることが好ましい。尚、これらの好ましい構成を含む本発明の半導体発光素子を、以下、『上記の好ましい構成を含む第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子』と呼ぶ場合がある。
上記の好ましい構成を含む第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。便宜上、係る構成を、『第（ＩＩ）−１の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。尚、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできるが、前者の積層構造を採用することがより好ましい。
第（ＩＩ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−１−Ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、第（ＩＩ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−１−Ｂの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、第（ＩＩ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−１−ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、第（ＩＩ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−１−ｂの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、第（ＩＩ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−１−Ｃの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、第（ＩＩ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−１−Ｄの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、第（ＩＩ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−１−ｃの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
あるいは又、第（ＩＩ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−１−ｄの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
以上に説明した第（ＩＩ）−１−Ａの構成、第（ＩＩ）−１−ａの構成、第（ＩＩ）−１−Ｂの構成、第（ＩＩ）−１−ｂの構成、第（ＩＩ）−１−Ｃの構成、第（ＩＩ）−１−ｃの構成、第（ＩＩ）−１−Ｄの構成、第（ＩＩ）−１−ｄの構成の半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層は、第２導電型を有する第５化合物半導体層から更に構成されており、
第４化合物半導体層及び第５化合物半導体層によって第３化合物半導体層が挟まれた構造を有し、
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第５化合物半導体層を第２導電型とするための第５化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。尚、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第５化合物半導体層／第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。あるいは又、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第６化合物半導体層から更に構成されており、
第３化合物半導体層及び第６化合物半導体層によって第４化合物半導体層が挟まれた構造を有し、
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第６化合物半導体層を第１導電型とするための第６化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。尚、下から、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層／第６化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
あるいは又、上述した第３の問題を解決するために、上記の好ましい構成を含む第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−２−Ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−２−Ａの構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、３×２×４×１の２４通りである。
尚、第ＶＩ族不純物が含まれる第１化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできるが、前者の積層構造を採用することがより好ましい。
あるいは又、上述した第３の問題を解決するために、上記の好ましい構成を含む第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−２−Ｂの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−２−Ｂの構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、２×３×４×１×４×２×４×１の７６８通りである。
あるいは又、上述した第３の問題を解決するために、上記の好ましい構成を含む第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−２−Ｃの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−２−Ｃの構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、４×１×３×２の２４通りである。
尚、第ＩＩ族不純物が含まれる第１化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできるが、前者の積層構造を採用することがより好ましい。
あるいは又、上述した第３の問題を解決するために、上記の好ましい構成を含む第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−２−Ｄの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−２−Ｄの構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、１×４×３×２×１×３×３×２の４３２通りである。
あるいは又、上述した第３の問題を解決するために、上記の好ましい構成を含む第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−３−ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−３−ａの構成の半導体発光素子にあっては、（第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、４×１×１×４の１６通りである。
尚、第ＩＩ族不純物が含まれる第２化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできるが、前者の積層構造を採用することがより好ましい。
あるいは又、上述した第３の問題を解決するために、上記の好ましい構成を含む第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−３−ｂの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−３−ｂの構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、２×３×４×１×１×３×１×４の２８８通りである。
あるいは又、上述した第３の問題を解決するために、上記の好ましい構成を含む第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−３−ｃの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−３−ｃの構成の半導体発光素子にあっては、（第２化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、３×２×２×３の３６通りである。
尚、第ＶＩ族不純物が含まれる第２化合物半導体層は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできるが、前者の積層構造を採用することがより好ましい。
あるいは又、上述した第３の問題を解決するために、上記の好ましい構成を含む第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−３−ｄの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−３−ｄの構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第１埋込層における不純物，第２埋込層における不純物）の組合せは、１×４×３×２×２×４×２×３の１１５２通りである。
あるいは又、上述した第３の問題を解決するために、上記の好ましい構成を含む第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層（あるいは、第１Ｂ化合物半導体層）を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なる構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−４−Ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
尚、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なる不純物が含まれる第１化合物半導体層（あるいは、第１Ｂ化合物半導体層）は、具体的には、少なくとも活性層と接する部分である。第１化合物半導体層が接する活性層には、井戸層、あるいは、閉じ込め層（Confinement 層）が包含される。以下の説明においても同様である。閉じ込め層を設けることで、光の閉じ込め、及び／又は、キャリアの閉じ込めを行うことができる。下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
あるいは又、上述した第３の問題を解決するために、上記の好ましい構成を含む第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層（あるいは、第２Ｂ化合物半導体層）を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なる構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−４−ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
尚、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なる不純物が含まれる第２化合物半導体層（あるいは、第２Ｂ化合物半導体層）は、具体的には、少なくとも活性層（井戸層、閉じ込め層を含む）と接する部分である。また、下から、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層の積層構造とすることもできるし、第３化合物半導体層／第４化合物半導体層の積層構造とすることもできる。
あるいは又、上述した第３の問題を解決するために、上記の好ましい構成を含む第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層は、少なくとも、第２導電型を有する第４化合物半導体層、及び、第１導電型を有する第３化合物半導体層が順次積層されて成り、
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第１化合物半導体層、電流ブロック層、及び、第２化合物半導体層を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在する構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
第（ＩＩ）−５の構成の半導体発光素子において、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。そして、この場合には、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
あるいは又、第（ＩＩ）−５の構成の半導体発光素子において、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る構成とすることができる。尚、この場合、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
ところで、第１Ｂ化合物半導体層を用いる構成の場合、第１Ｂ化合物半導体層と、この第１Ｂ化合物半導体層の側面に接する第４化合物半導体層との関係においては、不純物の置換サイトが競合しない関係となる場合がある。そして、このような場合、先ず、この側面の部分で第１Ｂ化合物半導体層と第４化合物半導体層との間における不純物の拡散が発生し、次いで、電流ブロック層を構成する第３化合物半導体層に不純物の拡散が及んでしまい、電流のリークパスが形成される虞がある。
従って、このような場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第６化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１化合物半導体層（又は、第１Ａ化合物半導体層）を第１導電型とするための第１化合物半導体層（又は、第１Ａ化合物半導体層）における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。そして、このような構造を採用することで、不純物の置換サイトが互いに競合しない第１Ｂ化合物半導体層と第４化合物半導体層とが接しなくなるので、不純物が拡散することを防止できる。ここで、この場合には、迂回経路は、第１化合物半導体層（第１Ａ化合物半導体層及び第１Ｂ化合物半導体層）、第６化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
あるいは又、このような場合、第１Ｂ化合物半導体層から電流ブロック層内への不純物の拡散に起因した電流リークの発生を防止するために、電流ブロック層内に不純物拡散バリア層を設けることが望ましい。具体的には、第２導電型を有する第４化合物半導体層に対して、不純物の置換サイトが異なる第２導電型を有する第７化合物半導体層を「不純物拡散バリア層」として挿入すればよい。より具体的には、電流ブロック層を構成する第２導電型を有する第４化合物半導体層内に、同じく第２導電型を有する不純物拡散バリア層が少なくとも１層（例えば、第７化合物半導体層）、挿入され、第４化合物半導体層の不純物の置換サイトと、不純物拡散バリア層（例えば、不純物拡散バリア層が１層である場合、第７化合物半導体層）の不純物の置換サイトとが異なるように、不純物が選択されていればよい。そして、このような構成を採用することでも、電流ブロック層内を不純物が拡散することによって迂回経路に電流リークパスが形成される現象を、一層確実に防止することができる。
あるいは又、第（ＩＩ）−５の構成の半導体発光素子において、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る構成とすることができる。尚、この場合、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
ところで、第２Ｂ化合物半導体層を用いる構成の場合、第２Ｂ化合物半導体層と、この第２Ｂ化合物半導体層の側面に接する第３化合物半導体層との関係においては、不純物の置換サイトが競合しない関係となる場合がある。そして、このような場合、先ず、この側面の部分で第２Ｂ化合物半導体層と第３化合物半導体層との間における不純物の拡散が発生し、次いで、電流ブロック層を構成する第４化合物半導体層に不純物の拡散が及んでしまい、電流のリークパスが形成される虞がある。
従って、このような場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第５化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層（又は、第２Ａ化合物半導体層）を第２導電型とするための第２化合物半導体層（又は、第２Ａ化合物半導体層）における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接している形態とすることができる。そして、このような構造を採用することで、不純物の置換サイトが互いに競合しない第２Ｂ化合物半導体層と第４化合物半導体層とが接しなくなるので、不純物が拡散することを防止できる。ここで、この場合には、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、第５化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層（第２Ｂ化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層）から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の３つである。
あるいは又、このような場合、第２Ｂ化合物半導体層から電流ブロック層内への不純物の拡散に起因した電流リークの発生を防止するために、電流ブロック層内に不純物拡散バリア層を設けることが望ましい。具体的には、第１導電型を有する第３化合物半導体層に対して、不純物の置換サイトが異なる第１導電型を有する第８化合物半導体層を「不純物拡散バリア層」として挿入すればよい。より具体的には、電流ブロック層を構成する第１導電型を有する第３化合物半導体層内に、同じく第１導電型を有する不純物拡散バリア層が少なくとも１層（例えば、第８化合物半導体層）、挿入され、第３化合物半導体層の不純物の置換サイトと、不純物拡散バリア層（例えば、不純物拡散バリア層が１層である場合、第８化合物半導体層）の不純物の置換サイトとが異なるように、不純物が選択されていればよい。そして、このような構成を採用することでも、電流ブロック層内を不純物が拡散することによって迂回経路に電流リークパスが形成される現象を、一層確実に防止することができる。
第（ＩＩ）−５の構成の半導体発光素子において、第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層及び第３化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。あるいは又、第１Ａ化合物半導体層、第１Ｂ化合物半導体層、第２化合物半導体層、第４化合物半導体層及び第３化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。あるいは又、第１化合物半導体層、第２Ｂ化合物半導体層、第２Ａ化合物半導体層、第４化合物半導体層及び第３化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。
そして、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−Ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。尚、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。
ここで、第（ＩＩ）−５−Ａの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−Ａ−１の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−５−Ａ−１の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、２×４×４×２×４×１の２５６通りである。
あるいは又、第（ＩＩ）−５−Ａの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−Ａ−２の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−５−Ａ−２の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、４×２×２×４×２×３の３８４通りである。
あるいは又、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−ａの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。尚、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している形態とすることができる。
ここで、第（ＩＩ）−５−ａの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−ａ−１の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−５−ａ−１の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、３×１×１×３×１×４の３６通りである。
あるいは又、第（ＩＩ）−５−ａの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−ａ−２の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−５−ａ−２の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、１×３×３×１×３×２の３６通りである。
あるいは又、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−Ｂの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
ここで、第（ＩＩ）−５−Ｂの構成の半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−Ｂ−１の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−５−Ｂ−１の構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、２×３×４×４×２×４×１の７６８通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第（ＩＩ）−５−Ｂの構成の半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−Ｂ−２の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−５−Ｂ−２の構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、４×１×２×２×４×２×３の３８４通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−ｂの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
ここで、第（ＩＩ）−５−ｂの構成の半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−ｂ−１の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−５−ｂ−１の構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、３×２×１×１×３×１×４の７２通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第（ＩＩ）−５−ｂの構成の半導体発光素子にあっては、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−ｂ−２の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−５−ｂ−２の構成の半導体発光素子にあっては、（第１Ａ化合物半導体層における不純物，第１Ｂ化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、１×４×３×３×１×３×２の２１６通りである。
尚、この場合、第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−Ｃの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
ここで、第（ＩＩ）−５−Ｃの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−Ｃ−１の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−５−Ｃ−１の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、２×１×４×４×２×４×１の２５６通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第（ＩＩ）−５−Ｃの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−Ｃ−２の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−５−Ｃ−２の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、４×３×２×２×４×２×３の１１５２通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−ｃの構成の半導体発光素子』と呼ぶ。
ここで、第（ＩＩ）−５−ｃの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−ｃ−１の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−５−ｃ−１の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、３×４×１×１×３×１×４の１４４通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第（ＩＩ）−５−ｃの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−ｃ−２の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−５−ｃ−２の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、１×２×３×３×１×３×２の５４通りである。
尚、この場合、第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層及び第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接している構成とすることができる。
あるいは又、第（ＩＩ）−５の構成の半導体発光素子にあっては、電流ブロック層を構成する第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間に、複数の化合物半導体層を設けてもよい。即ち、第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間には、更に、少なくとも、第１導電型を有する化合物半導体層及び第２導電型を有する化合物半導体層の２層の化合物半導体層が順次積層されている構成とすることもできる。具体的には、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とした場合、電流ブロック層を、ｐ型第４化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型第３化合物半導体層といった４層積層構造から構成してもよいし、ｐ型第４化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型第３化合物半導体層といった６層積層構造から構成してもよいし、ｐ型第４化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型化合物半導体層、ｐ型化合物半導体層、ｎ型第３化合物半導体層といった８層積層構造から構成してもよい。尚、このような積層構造を、ｐ型第４化合物半導体層、（ｎ型化合物半導体層，ｐ型化合物半導体層）m、ｎ型第３化合物半導体層（但し、ｍ＝１，２，３・・・・）と表現する場合がある。あるいは又、具体的には、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型とした場合、電流ブロック層を、ｎ型第４化合物半導体層、（ｐ型化合物半導体層，ｎ型化合物半導体層）m、ｐ型第３化合物半導体層（但し、ｍ＝１，２，３・・・・）といった積層構造から構成してもよい。このように、電流ブロック層を多層構造とすることで、たとえ発光部と電流ブロック層との相対的な位置ズレが発生したとしても、迂回経路に電流リークパスが形成される現象を一層確実に防止することができる。尚、電流ブロック層を多層構造とする場合にあっても、電流ブロック層の厚さは増加させないことが望ましく、電流ブロック層を構成する化合物半導体層のｐｎ界面（あるいはｎｐ界面）が少なくとも１つ以上、活性層の側面と接触していることが一層望ましく、電流ブロック層を構成する化合物半導体層１層当たりの発光部の側面との接触面積が減少する結果、電気抵抗値が増加するので、漏れ電流がより一層抑制され、光出力の改善を図ることができる。
第（ＩＩ）−１の構成〜第（ＩＩ）−５の構成の半導体発光素子において、第１埋込層の厚さは、電流ブロック層上で成長してきた第１埋込層が、軸線に垂直な仮想平面で切断したときの発光部の断面形状が頂面及び両側面から構成された発光部の中央部あるいは発光部の両端部において、頂面と側面によって構成される稜線に到達するような厚さ、あるいは、それ以下の厚さとすることが望ましい。即ち、発光部の側面を覆う厚さ、あるいは、それ以下の厚さとすることが望ましい。一方、第２埋込層の厚さは、発光部の両端部の頂面上に電流ブロック層と同じタイミングで形成された堆積層の側面を少なくとも覆うような厚さとすることが好ましく、より望ましくは、第１埋込層と第２埋込層の積層によって、活性層で発生した光が吸収されない距離まで、頂面（頂点）を十分に覆うように厚く層を堆積することが好ましく、更には、より屈折率の低い材料を第１埋込層と第２埋込層用の材料として選択することが好ましい。
更に、電流ブロック層を構成する化合物半導体層の１層当たりの発光部の側面との接触面に関して、より望ましい形態として、電流ブロック層を構成する化合物半導体層の１層当たりの接触面の幅（発光部の側面の上下方向に沿った接触面の長さ）を、第１化合物半導体層（あるいは第１Ｂ化合物半導体層）と第２化合物半導体層（あるいは第２Ｂ化合物半導体層）とによって挟まれている活性層の総膜厚の幅（発光部の側面の上下方向に沿った活性層の長さ）以下とすることが望ましい。あるいは又、活性層が量子井戸構造を有する場合、電流ブロック層を構成する化合物半導体層の１層当たりの接触面の幅を、量子井戸構造を構成する井戸層１層の幅（発光部の側面の上下方向に沿った井戸層の長さ）以下とすることが望ましい。このような形態は、電流ブロック層を構成する各化合物半導体層の膜厚を非常に薄くする必要に迫られるため、従来の技術にあっては、先に説明したとおり、ｎ型化合物半導体層／ｐ型化合物半導体層（あるいはｐ型化合物半導体層／ｎ型化合物半導体層）界面における不純物の相互拡散による導電型の中和によって、｛３１１｝Ｂ面やより高次の結晶面で構成される電流ブロック層の一部が、消滅してしまったり、逆に、異常に厚くなってしまったりするといった問題があった。然るに、第（ＩＩ）−１の構成〜第（ＩＩ）−５の構成の半導体発光素子にあっては、電流ブロック層を構成する各化合物半導体層において所望の導電型を得る際、不純物の置換サイトの競合関係を考慮した組み合わせを電流リーク抑制の視点から総合的に判断することにより、電流ブロック層を構成する各化合物半導体層の膜厚を非常に薄くした場合においても、不純物の相互拡散による導電型の中和を抑制して、電流ブロック層自身の電流ブロック品質を高め、更には、発光部の側面のリーク電流を確実に抑制する構造を実現することが可能となった。
以上に説明した各種の好ましい構成、形態を含む第（Ｉ）−１の構成〜第（Ｉ）−５の構成、第（ＩＩ）−１の構成〜第（ＩＩ）−５の構成の半導体発光素子にあっては、第３化合物半導体層は、発光部の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域；基板の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び；｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域（但し、ｈは４以上の整数）から構成されている形態とすることができ、あるいは又、第４化合物半導体層は、発光部の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域；基板の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び；｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域（但し、ｈは４以上の整数）から構成されている形態とすることができる。
第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子において、電流ブロック層の上方に位置する埋込層にあっては、第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、第２埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。従って、第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、発光部の両端部における頂面上に形成された電流ブロック層と同じ組成を有する積層構造から構成された堆積層における第１導電型を有する化合物半導体層中に拡散し、係る第１導電型を有する化合物半導体層を第２導電型を有する化合物半導体層へと変化させる。そして、以上の結果として、発光部の上方に位置する化合物半導体層は、全て、第２導電型を有するようになる。それ故、発光部の積層構造の頂面には電流ブロック層と同じ積層構造を有する堆積層が存在しなくなり、半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題や、電気抵抗の増加による発熱や消費電極の増加といった問題の発生を確実に回避することができる。
そして、第（ＩＩ）−１の構成の半導体発光素子にあっては、電流ブロック層を構成する第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。従って、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難く、その結果、電流ブロック層が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層が薄くなったりして、電流ブロック層の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。また、第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層と第２化合物半導体層との間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。
また、第（ＩＩ）−２−Ａの構成あるいは第（ＩＩ）−２−Ｂの構成の半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層あるいは第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は第ＶＩ族不純物であり、第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は第ＩＶ族不純物である。更には、第（ＩＩ）−２−Ｃの構成あるいは第（ＩＩ）−２−Ｄの構成の半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層あるいは第１Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は第ＩＩ族不純物であり、第３化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は炭素（Ｃ）である。また、第（ＩＩ）−３−ａの構成あるいは第（ＩＩ）−３−ｂの構成の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層あるいは第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は第ＩＩ族不純物であり、第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は炭素（Ｃ）である。更には、第（ＩＩ）−３−ｃの構成あるいは第（ＩＩ）−３−ｄの構成の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層あるいは第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は第ＶＩ族不純物であり、第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は第ＩＶ族不純物である。また、第（ＩＩ）−４−Ａの構成の半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なり、第（ＩＩ）−４−ａの構成の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なる。そして、これらの構成、構造を採用することで、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難い構成、構造を達成することが可能となり、その結果、電流ブロック層が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層が薄くなったりして、電流ブロック層の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
更には、第（ＩＩ）−５の構成の半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層、電流ブロック層、及び、第２化合物半導体層を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在し、しかも、各化合物半導体層を所定の導電型とするための不純物は、その化合物半導体層における不純物の置換サイトが、隣接する化合物半導体層を所定の導電型とするための係る隣接する化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。従って、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層とｐ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難く、加えて、電流ブロック層を構成するｎ型化合物半導体層やｐ型化合物半導体層と、発光部を構成するｐ型化合物半導体層やｎ型化合物半導体層との間で不純物相互拡散が生じ難く、その結果、電流ブロック層が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層が薄くなったりして、電流ブロック層の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。
以下、実施例５〜実施例２２に基づき、各種の半導体発光素子を説明する。
実施例５は、第（Ｉ）−１の構成（より具体的には、第（Ｉ）−１−Ａの構成）、第（Ｉ）−２−Ａの構成、第（Ｉ）−４−Ａの構成の半導体発光素子に関する。実施例５の半導体発光素子の概念図を、図７の（Ａ）に概念図を示す。ここで、模式的な一部断面図は、図１の（Ａ）及び（Ｂ）に示したと同様である。尚、図７〜図４８のそれぞれの（Ａ）及び（Ｂ）においては、「化合物半導体層」を単に「層」と表現した。即ち、例えば、第１層とは、第１化合物半導体層を意味する。また、図２１〜図４８のそれぞれの（Ａ）は、半導体発光素子の中央部における概念図であり、図２１〜図４８のそれぞれの（Ｂ）は、半導体発光素子の両端部における概念図である。
そして、図１の（Ａ）及び（Ｂ）に示したように、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が形成されている。第４化合物半導体層４４（ｐ型）とその上の第３化合物半導体層４３（ｎ型）とのｐｎ接合界面は、｛３１１｝Ｂ結晶面に沿って延びており、その端部が発光部２０（特に、活性層２３の側面）で接することで、新たな接合界面が２つ形成される。即ち、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ／第３化合物半導体層４３のｐｎ接合界面、第３化合物半導体層４３／第４化合物半導体層４４のｎｐ接合界面、第４化合物半導体層４４／第１化合物半導体層２１のｐｎ接合界面といった、ｐｎｐｎ接合構造から構成された電流経路が形成され、電流ブロック構造として望ましい設計である。
一方、このような積層構造とは逆に、第３化合物半導体層４３（ｎ型）と第４化合物半導体層４４（ｐ型）との位置関係を逆にして形成してもよい。この場合には、第４化合物半導体層４４（ｐ型）とその下の第３化合物半導体層４３（ｎ型）とのｐｎ接合界面は、｛３１１｝Ｂ結晶面に沿って延びており、その端部が発光部２０（特に、活性層２３の側面）で接することで、新たな接合界面が２つ形成される。即ち、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ／第４化合物半導体層４４のｐｐ接合界面、第４化合物半導体層４４／第３化合物半導体層４３のｐｎ接合界面、第３化合物半導体層４３／第１化合物半導体層２１のｎｎ接合界面である。このように、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ／第４化合物半導体層４４／第３化合物半導体層４３／第１化合物半導体層２１によって、ｐｐｎｎ接合構造となってしまうが、電流ブロック層４０と発光部２０との接合面積（特に、ｎｎ接合面積）を減らすことにより、接触面における抵抗を増大させ、電流ブロック構造として望ましい設計にすることが可能となる。
そして、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。また、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層４３と接する第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。後述する実施例１４にあっても、同様とすることができる。
具体的には、第（Ｉ）−１−Ａの構成に沿って表せば、実施例５の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、第（Ｉ）−２−Ａの構成に沿って表せば、実施例５の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層４３を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
あるいは又、実施例５の半導体発光素子は、第（Ｉ）−４−Ａの構成に沿って表せば、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物とは異なる。
具体的には、実施例５の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表１Ａあるいは表１Ｂに示す構成を有するが、第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、更には、電流ブロック層４０を構成する化合物半導体は、活性層２３を構成する化合物半導体と比較して、バンドギャップが大、即ち、屈折率が低い化合物半導体から成る。ここで、表１Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表１Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。表１Ａ、表１Ｂ、あるいは、後述する表２Ａ、表２Ｂ、表３Ａ、表３Ｂ、表４Ａ、表４Ｂ、表５Ａ、表５Ｂ、表６Ａ、表６Ｂ、表７Ａ、表７Ｂ、表８Ａ、表８Ｂ、表９Ａ〜表９Ｌ、表１１Ａ、表１１Ｂ、あるいは、後述する表１２Ａ、表１２Ｂ、表１３Ａ、表１３Ｂ、表１４Ａ、表１４Ｂ、表１５Ａ、表１５Ｂ、表１６Ａ、表１６Ｂ、表１７Ａ、表１７Ｂ、表１８Ａ、表１８Ｂ、表１９Ａ〜表１９Ｌに示す積層構造にあっては、上段に記した層ほど、上層を占めている。
以下の表に示す構造を有する活性層を、表１Ａ、表１Ｂ、表２Ａ、表２Ｂ、表５Ａ、表５ＢＡ、表６Ａ、表６Ｂ、表９Ａ、表９Ｃ、表９Ｅ、表９Ｇ、表９Ｉ、表９Ｋ、表１１Ａ、表１１Ｂ、表１２Ａ、表１２Ｂ、表１５Ａ、表１５ＢＡ、表１６Ａ、表１６Ｂ、表１９Ａ、表１９Ｃ、表１９Ｅ、表１９Ｇ、表１９Ｉ、表１９Ｋにおいては、［活性層−Ａ］と表現する。この積層構造にあっては、上段に記した層ほど、上層を占めている。
［活性層−Ａ］
閉じ込め層 ・・・ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ：Ｚｎ
閉じ込め層 ・・・ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ
多重量子井戸構造・・・ｉ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ（井戸層）
ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ（障壁層）及び
ｉ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ（井戸層）
閉じ込め層 ・・・ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ
閉じ込め層 ・・・ｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ：Ｓｅ
また、以下の表に示す構造を有する活性層を、表３Ａ、表３Ｂ、表４Ａ、表４Ｂ、表７Ａ、表７Ｂ、表８Ａ、表８Ｂ、表９Ｂ、表９Ｄ、表９Ｆ、表９Ｈ、表９Ｊ、表９Ｌ、表１３Ａ、表１３Ｂ、表１４Ａ、表１４Ｂ、表１７Ａ、表１７Ｂ、表１８Ａ、表１８Ｂ、表１９Ｂ、表１９Ｄ、表１９Ｆ、表１９Ｈ、表１９Ｊ、表１９Ｌにおいては、［活性層−Ｂ］と表現する。この積層構造にあっては、上段に記した層ほど、上層を占めている。
［活性層−Ｂ］
閉じ込め層 ・・・ｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ：Ｓｅ
閉じ込め層 ・・・ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ
多重量子井戸構造・・・ｉ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ（井戸層）
ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ（障壁層）及び
ｉ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ（井戸層）
閉じ込め層 ・・・ｉ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ
閉じ込め層 ・・・ｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ：Ｚｎ
［表１Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
埋込層３１ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と埋込層３１との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する埋込層３１の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表１Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
埋込層３１ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）埋込層３１は、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込層３１と第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と電流ブロック層位置調整層３０との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する電流ブロック層位置調整層３０の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
電流ブロック層の一部を構成する第３化合物半導体層４３は、
発光部２０の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域（より具体的には、（３１−１）Ｂ面及び（３−１１）Ｂ面）、
基板１０の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び、
｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域（より具体的には、（ｈ１−１）Ｂ面及び（ｈ−１１）Ｂ面であり、ここで、ｈは４以上の整数である）、
から構成されている。尚、｛ｈ１１｝Ｂ結晶面領域（但し、ｈは４以上の整数）を、便宜上、高次の結晶面領域と呼ぶ。
更には、第３化合物半導体層４３の下に形成された第４化合物半導体層４４も、
第３化合物半導体層４３と同様に、発光部２０の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域、
基板１０の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び、
｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する高次の結晶面領域、
から構成されている。
尚、後述する実施例６〜実施例２２における半導体発光素子においても、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４は、層の上下の位置関係を除き、基本的には、上記の構造と同様の構造を有する。
ところで、実施例１の［工程−１３０］において、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３から成る電流ブロック層４０をＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。ここで、第４化合物半導体層４４はｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成り、第３化合物半導体層４３は、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉから成る。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物（Ｓｉ）の第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。また、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための不純物（Ｚｎ）の第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトも、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。後述する実施例１４にあっても同様である。
従って、第３化合物半導体層４３を成膜した後、第４化合物半導体層４４、埋込層３１を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第３化合物半導体層４３と第４化合物半導体層４４との間で不純物相互拡散が生じ難い。また、電流ブロック層４０と、電流ブロック層４０に接する上下の２層との間の不純物相互拡散も生じ難い。その結果、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。後述する実施例１４にあっても同様である。
また、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）が、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層２１と第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂとの間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。後述する実施例１４にあっても同様である。
ここで、実施例５の半導体発光素子にあっては、下地層１１の上に形成された活性層２３は、活性層２３よりも屈折率が低い電流ブロック層４０によって横方向（側面）が囲まれ、活性層２３よりも屈折率が低い第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂによって上下方向が囲まれている。従って、活性層２３の上下方向及び横方向は完全なる光閉込め構造となっている。しかも、基板１０の露出面の上にあっては、活性層２３の側面近傍は、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造（ｐ型埋込層３１−ｎ型第３化合物半導体層４３−ｐ型第４化合物半導体層４４、ｐ型電流ブロック層位置調整層３０（ｐ型第２化合物半導体層２２Ｂ）及びｐ型第２化合物半導体層２２Ａ−ｎ型第１化合物半導体層２１）の、いわばサイリスタ構造が形成される。従って、基板１０の露出面において電流が流れることが阻止され、これによって活性層２３に電流が集中し、低閾値電流化を図ることができる。ここで、ｐ型電流ブロック層位置調整層３０は、ｐ型第４化合物半導体層４４あるいはｐ型第２化合物半導体層２２Ｂと見做すこともできる。後述する実施例６、実施例９、実施例１０、実施例１４、実施例１５、実施例１８、実施例１９においても、同様である。
図４９、図５０、あるいは、後述する図５５及び図５６には、電流ブロック層４０の端面が活性層２３の側面に接している構造を示したが、電流ブロック層４０の端面は、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂの側面に接している構造としてもよいし、第１化合物半導体層２１の側面に接している構造としてもよく、これによっても、リーク電流を実用上抑制することが可能である。しかしながら、望ましくは、電流ブロック層４０と発光部２０とが接する端面の位置としては、少なくとも電流ブロック層４０の一部が、活性層２３の側面と接していることが望ましい。後述する実施例６〜実施例２２においても、同様である。
第３化合物半導体層４３の形成（成膜）においては、第３化合物半導体層４３は、発光部２０の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域、基板１０の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び、｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する高次の結晶面領域が形成される。そして、その結果、安定した（均一な）不純物濃度を有する第３化合物半導体層４３の形成（積層）が可能となり、第３化合物半導体層４３と接する別の伝導型を有する層との濃度バランスの調整が容易になる。従って、高い電流阻止能力を有する電流ブロック層４０を得ることができる。しかも、安定した不純物濃度を有する第３化合物半導体層４３の形成（積層）が可能となるので、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３を形成したとき、あるいは又、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４を形成したとき、第３化合物半導体層４３や第４化合物半導体層４４が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を一層確実に回避することができる。
実施例６は、実施例５の変形であり、第（Ｉ）−１−Ｂの構成、及び、第（Ｉ）−２−Ｂの構成に関する。
具体的には、図８の（Ａ）に概念図を示すように、第（Ｉ）−１−Ｂの構成に沿って表せば、実施例６の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、第（Ｉ）−２−Ｂの構成に沿って表せば、実施例６の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である。
より具体的には、実施例６の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表２Ａあるいは表２Ｂに示す構成を有する。ここで、表２Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表２Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表２Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と埋込層との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層が形成されていると見做すこともできる。
［表２Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）埋込層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する電流ブロック層位置調整層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
実施例６にあっては、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトも、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、更に、第４化合物半導体層と接する第３化合物半導体層における不純物の置換サイトも、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。即ち、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第４化合物半導体層を第２導電型（ｐ型）とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合する不純物から成り、更に、第４化合物半導体層と接する第３化合物半導体層を第１導電型（ｎ型）とするための不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）とも競合する不純物から成る。従って、第４化合物半導体層を成膜したとき、電流ブロック層を構成する第４化合物半導体層と第１Ａ化合物半導体層との間で、あるいは又、第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間で、不純物相互拡散が生じ難く、高い信頼性を有する電流ブロック層を形成することができる。尚、第４化合物半導体層と第３化合物半導体層とで構成されている電流ブロック層における不純物の相互拡散の抑制は、｛３１１｝Ｂ面や高次面における抑制効果であるのに対して、第４化合物半導体層と第１Ａ化合物半導体層との界面における不純物の相互拡散の抑制は、｛１１１｝Ｂ面界面における抑制効果である点で異なる。後述する実施例１５にあっても同様である。
実施例７も、実施例５の変形であり、第（Ｉ）−１−Ｃの構成、及び、第（Ｉ）−２−Ｃの構成に関し、更には、第（Ｉ）−４−Ａの構成に関する。尚、実施例７あるいは後述する実施例８における導電型を、実施例５における導電型と逆とした。即ち、実施例７あるいは後述する実施例８における第１導電型はｐ型であり、第２導電型はｎ型である。ここで、模式的な一部断面図は、図６の（Ａ）及び（Ｂ）に示したと同様である。
具体的には、図９の（Ａ）に概念図を示すように、第（Ｉ）−１−Ｃの構成に沿って表せば、実施例７の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、第（Ｉ）−２−Ｃの構成に沿って表せば、実施例７の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層４３を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
更には、第（Ｉ）−４−Ａの構成に沿って表せば、実施例７の半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｐ型）とするための不純物は、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｐ型）とするための不純物とは異なる。
より具体的には、実施例７の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表３Ａあるいは表３Ｂに示す構成を有する。ここで、表３Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表３Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。
［表３Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
埋込層３１ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と埋込層３１との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する埋込層３１の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表３Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
埋込層３１ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）埋込層３１は、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込層３１と第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と電流ブロック層位置調整層３０との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する電流ブロック層位置調整層３０の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
実施例７にあっても、実施例１の［工程−１３０］と同様の工程において、例えば、電流ブロック層位置調整層３０、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。ここで、第３化合物半導体層４３は、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃから成り、第４化合物半導体層４４はｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅから成る。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｐ型）とするための不純物（Ｃ）の第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。また、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｎ型）とするための不純物（Ｓｅ）の第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトも、Ｖ族原子が占めるサイトである。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。後述する実施例１６にあっても同様である。
従って、第３化合物半導体層４３を成膜した後、第４化合物半導体層４４を成膜したとき、あるいは又、第４化合物半導体層４４を成膜した後、第３化合物半導体層４３を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第３化合物半導体層４３と第４化合物半導体層４４との間で不純物相互拡散が生じ難い。その結果、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。後述する実施例１６にあっても同様である。
また、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｐ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｎ型）とするための第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層２１と第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂとの間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。後述する実施例１６にあっても同様である。
ここで、実施例７の半導体発光素子にあっても、下地層１１の上に形成された活性層２３は、活性層２３よりも屈折率が低い電流ブロック層４０によって横方向（側面）が囲まれ、活性層２３よりも屈折率が低い第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂによって上下方向が囲まれている。従って、活性層２３の上下方向及び横方向は完全なる光閉込め構造となっている。しかも、基板１０の露出面の上にあっては、活性層２３の側面近傍は、ｎ−ｐ−ｎ−ｐ構造（ｎ型埋込層３１−ｐ型第３化合物半導体層４３−ｎ型第４化合物半導体層４４−ｎ型電流ブロック層位置調整層３０（ｎ型第２化合物半導体層２２Ｂ）及びｎ型第２化合物半導体層２２Ａ−ｐ型第１化合物半導体層２１）の、いわばサイリスタ構造が形成される。従って、基板１０の露出面において電流が流れることが阻止され、これによって活性層２３に電流が集中し、低閾値電流化を図ることができる。ここで、ｎ型電流ブロック層位置調整層３０は、ｎ型第４化合物半導体層４４あるいは、ｎ型第２化合物半導体層２２Ｂと見做すこともできる。後述する実施例８、実施例１１、実施例１２、実施例１６、実施例１７、実施例２０、実施例２１においても、同様である。
ＭＯＣＶＤ法において、第３化合物半導体層４３の成膜時、炭素（Ｃ）を添加するための原料ガスとして、ＩＩＩ族原子用の原料ガスの分解で得られるメチル基あるいはエチル基を意図的に用いればよいし、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法において、第３化合物半導体層４３の成膜時、ＣＢｒ4ガスやＣＣｌ4ガスを添加してもよい。後述する実施例１６にあっても同様である。
実施例８は、実施例５及び実施例７の変形であり、第（Ｉ）−１−Ｄの構成、及び、第（Ｉ）−２−Ｄの構成に関する。
具体的には、図１０の（Ａ）に概念図を示すように、第（Ｉ）−１−Ｄの構成に沿って表せば、実施例８の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、第（Ｉ）−２−Ｄの構成に沿って表せば、実施例８の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である。
より具体的には、実施例８の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表４Ａあるいは表４Ｂに示す構成を有する。ここで、表４Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表４Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表４Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と埋込層との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する埋込層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表４Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）埋込層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する電流ブロック層位置調整層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
実施例８において、図１０の（Ａ）に示した例と異なり、表４Ｂに示したように、また、後述する実施例１７にあっても、図２４の（Ａ）及び（Ｂ）に示す例と異なり、表１４Ｂに示すように、第４化合物半導体層を下とし、第３化合物半導体層を上とする積層構造を形成した場合、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトも、Ｖ族原子が占めるサイトであり、更に、第４化合物半導体層と接する第３化合物半導体層における不純物の置換サイトも、Ｖ族原子が占めるサイトである。即ち、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型（ｐ型）とするための不純物は、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）が、第４化合物半導体層を第２導電型（ｎ型）とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）と競合する不純物から成り、更に、第４化合物半導体層と接する第３化合物半導体層を第１導電型（ｐ型）とするための不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）とも競合する不純物から成る。従って、第４化合物半導体層を成膜したとき、電流ブロック層を構成する第４化合物半導体層と第１Ａ化合物半導体層との間、あるいは、第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間で、不純物相互拡散が生じ難く、高い信頼性を有する電流ブロック層を形成することができる。その結果、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を、より一層効果的に回避することができる。
実施例９は、第（Ｉ）−１−ａの構成、第（Ｉ）−３−ａの構成、及び、第（Ｉ）−４−ａの構成の半導体発光素子に関する。
具体的には、実施例９の半導体発光素子は、図７の（Ｂ）に概念図を示すように、第（Ｉ）−１−ａの構成に沿って表せば、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。尚、実施例９の半導体発光素子の模式的な一部断面図は、図１の（Ａ）及び（Ｂ）に示したと同様である。
また、第（Ｉ）−３−ａの構成に沿って表せば、実施例９の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層４４を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
あるいは又、第（Ｉ）−４−ａの構成に沿って表せば、実施例９の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための不純物は、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための不純物とは異なる。
より具体的には、実施例９の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表５Ａあるいは表５Ｂに示す構成を有する。ここで、表５Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表５Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。
［表５Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
埋込層３１ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と埋込層３１との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する埋込層３１の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表５Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
埋込層３１ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）埋込層３１は、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込層３１と第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と電流ブロック層位置調整層３０との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する電流ブロック層位置調整層３０の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
実施例９にあっても、実施例１の［工程−１３０］と同様の工程において、例えば、電流ブロック層位置調整層３０、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。ここで、第４化合物半導体層４４はｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃから成り、第３化合物半導体層４３は、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅから成る。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物（Ｓｅ）の第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。また、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための不純物（Ｃ）の第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトも、Ｖ族原子が占めるサイトである。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。後述する実施例１８にあっても同様である。
従って、第４化合物半導体層４４を成膜した後、第３化合物半導体層４３を成膜したとき、あるいは又、第３化合物半導体層４３を成膜した後、第４化合物半導体層４４を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第３化合物半導体層４３と第４化合物半導体層４４との間で不純物相互拡散が生じ難い。その結果、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。後述する実施例１８にあっても同様である。
また、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）が、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層２１と第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂとの間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。後述する実施例１８にあっても同様である。
ここで、実施例９の半導体発光素子にあっても、下地層１１の上に形成された活性層２３は、活性層２３よりも屈折率が低い電流ブロック層４０によって横方向（側面）が囲まれ、活性層２３よりも屈折率が低い第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂによって上下方向が囲まれている。従って、活性層２３の上下方向及び横方向は完全なる光閉込め構造となっている。しかも、基板１０の露出面の上にあっては、活性層２３の側面近傍は、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造（ｐ型埋込層３１−ｎ型第３化合物半導体層４３−ｐ型第４化合物半導体層４４、ｐ型電流ブロック層位置調整層３０（ｎ型第２化合物半導体層２２Ｂ）及びｐ型第２化合物半導体層２２Ａ−ｎ型第１化合物半導体層２１）の、いわばサイリスタ構造が形成される。従って、基板１０の露出面において電流が流れることが阻止され、これによって活性層２３に電流が集中し、低閾値電流化を図ることができる。後述する実施例１８にあっても同様である。
実施例１０は、実施例９の変形であり、第（Ｉ）−１−ｂの構成、及び、第（Ｉ）−３−ｂの構成に関する。
具体的には、図８の（Ｂ）に概念図を示すように、第（Ｉ）−１−ｂの構成に沿って表せば、実施例１０の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、第（Ｉ）−３−ｂの構成に沿って表せば、実施例１０の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例１０の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表６Ａあるいは表６Ｂに示す構成を有する。ここで、表６Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表６Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表６Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｃ（又はＺｎ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と埋込層との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層が形成されていると見做すこともできる。
［表６Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｃ（又はＺｎ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）埋込層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する電流ブロック層位置調整層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
実施例１１も、実施例９の変形であり、第（Ｉ）−１−ｃの構成、及び、第（Ｉ）−３−ｃの構成に関し、更には、第（Ｉ）−４−ａの構成に関する。尚、実施例１１あるいは後述する実施例１２における導電型を、実施例９における導電型と逆とした。即ち、実施例１１あるいは後述する実施例１２における第１導電型はｐ型であり、第２導電型はｎ型である。
具体的には、図９の（Ｂ）に概念図を示すように、第（Ｉ）−１−ｃの構成に沿って表せば、実施例１１の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。尚、実施例１１の半導体発光素子の模式的な一部断面図は、図６の（Ａ）及び（Ｂ）に示したと同様である。
あるいは又、第（Ｉ）−３−ｃの構成に沿って表せば、実施例１１の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層４４を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
更には、第（Ｉ）−４−ａの構成に沿って表せば、実施例１１の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための不純物は、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための不純物とは異なる。
より具体的には、実施例１１の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表７Ａあるいは表７Ｂに示す構成を有する。ここで、表７Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表７Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。
［表７Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
埋込層３１ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と埋込層３１との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する埋込層３１の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表７Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
埋込層３１ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）埋込層３１は、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込層３１と第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と電流ブロック層位置調整層３０との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する電流ブロック層位置調整層３０の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
実施例１１にあっても、実施例１の［工程−１３０］と同様の工程において、例えば、電流ブロック層位置調整層３０、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。ここで、第３化合物半導体層４３は、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成り、第４化合物半導体層４４はｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉから成る。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｐ型）とするための不純物（Ｚｎ）の第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。また、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｎ型）とするための不純物（Ｓｉ）の第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトも、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。後述する実施例２０にあっても同様である。
従って、第３化合物半導体層４３を成膜した後、第４化合物半導体層４４を成膜したとき、あるいは又、第４化合物半導体層４４を成膜した後、第３化合物半導体層４３を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第３化合物半導体層４３と第４化合物半導体層４４との間で不純物相互拡散が生じ難い。その結果、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を回避することができる。後述する実施例２０にあっても同様である。
また、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｐ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｎ型）とするための第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイト（Ｖ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成るので、第１化合物半導体層２１と第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂとの間での意図的な不純物相互拡散により設計されるｐｎ接合制御が、各層不純物の濃度調整やドーピング位置調整によって細かく設計し易くなるため、発光特性の向上を図ることができる。後述する実施例２０にあっても同様である。
ここで、実施例１１の半導体発光素子にあっても、下地層１１の上に形成された活性層２３は、活性層２３よりも屈折率が低い電流ブロック層４０によって横方向（側面）が囲まれ、活性層２３よりも屈折率が低い第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂによって上下方向が囲まれている。従って、活性層２３の上下方向及び横方向は完全なる光閉込め構造となっている。しかも、基板１０の露出面の上にあっては、活性層２３の側面近傍は、ｎ−ｐ−ｎ−ｐ構造（ｎ型埋込層３１−ｐ型第３化合物半導体層４３−ｎ型第４化合物半導体層４４−ｎ型電流ブロック層位置調整層３０（ｎ型第２化合物半導体層２２Ｂ）及びｎ型第２化合物半導体層２２Ａ−ｐ型第１化合物半導体層２１）の、いわばサイリスタ構造が形成される。従って、基板１０の露出面において電流が流れることが阻止され、これによって活性層２３に電流が集中し、低閾値電流化を図ることができる。後述する実施例２０にあっても同様である。
第３化合物半導体層４３の形成（成膜）においては、第３化合物半導体層４３は、発光部２０の側面から延びる｛３１１｝Ｂ結晶面領域、基板１０の主面に沿って延びる｛１００｝結晶面領域、及び、｛３１１｝Ｂ結晶面領域と｛１００｝結晶面領域との間に位置する高次の結晶面領域が形成される。そして、その結果、安定した（均一な）不純物濃度を有する第３化合物半導体層４３の形成（積層）が可能となり、第３化合物半導体層４３と接する別の伝導型を有する層との濃度バランスの調整が容易になる。従って、高い電流阻止能力を有する電流ブロック層４０を得ることができる。しかも、安定した不純物濃度を有する第３化合物半導体層４３の形成（積層）が可能となるので、第３化合物半導体層４３上に第４化合物半導体層４４を形成したとき、あるいは又、第４化合物半導体層４４上に第３化合物半導体層４３を形成したとき、第３化合物半導体層４３や第４化合物半導体層４４が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を一層確実に回避することができる。後述する実施例２０にあっても同様である。
実施例１２は、実施例９及び実施例１１の変形であり、第（Ｉ）−１−ｄの構成、及び、第（Ｉ）−３−ｄの構成に関する。
具体的には、図１０の（Ｂ）に概念図を示すように、第（Ｉ）−１−ｄの構成に沿って表せば、実施例１２の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、第（Ｉ）−３−ｄの構成に沿って表せば、実施例１２の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
より具体的には、実施例１２の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表８Ａあるいは表８Ｂに示す構成を有する。ここで、表８Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表８Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表８Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と埋込層との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する埋込層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表８Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）埋込層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、埋込層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する電流ブロック層位置調整層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
実施例１３は、第（Ｉ）−５の構成（より具体的には、第（Ｉ）−５−Ａ−１の構成）に係る半導体発光素子に関する。実施例１３の半導体発光素子は、図１１の（Ａ）に概念図を示し、図１の（Ａ）に模式的な一部断面図を示し、拡大された模式的な一部断面図を図１の（Ｂ）に示したと同様に、
（Ａ）第１導電型（実施例１３にあっては、ｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型（実施例１３にあっては、ｐ型）を有する第２化合物半導体層２２が順次積層されて成る発光部２０、並びに、
（Ｂ）発光部２０の側面に接して設けられた電流ブロック層４０、
を備えている。
電流ブロック層４０は、少なくとも、第２導電型を有する第４化合物半導体層４４、及び、第１導電型を有する第３化合物半導体層４３が順次積層された積層構造体から構成されている。そして、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層２１を第１導電型とするための第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。また、第２化合物半導体層２２を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層２２における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。更には、第１化合物半導体層２１、電流ブロック層４０、及び、第２化合物半導体層２２を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在する。
第４化合物半導体層４４は第１化合物半導体層２１の側面と接しており、第３化合物半導体層４３は第２化合物半導体層２２の側面と接している。そして、具体的には、迂回経路は、第１化合物半導体層２１、第４化合物半導体層４４、第３化合物半導体層４３、及び、第２化合物半導体層２２から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層２１の側面／第４化合物半導体層４４、第４化合物半導体層４４／第３化合物半導体層４３、及び、第３化合物半導体層４３／第２化合物半導体層２２の側面の３つである。
実施例１３の半導体発光素子にあっても、第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。あるいは又、後述するように、第１Ａ化合物半導体層２１Ａ、第１Ｂ化合物半導体層２１Ｂ、第２化合物半導体層２２、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、あるいは又、第１化合物半導体層２１、第２Ａ化合物半導体層２２Ａ、第２Ｂ化合物半導体層２２Ｂ、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。
ここで、実施例１３にあっては、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層２２における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。そして、第１化合物半導体層２１及び第３化合物半導体層４３を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、ケイ素，Ｓｉ）であり、第２化合物半導体層２２及び第４化合物半導体層４４を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、亜鉛，Ｚｎ）である。
より具体的には、実施例１３の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表９Ａに示す構成を有する。
［表９Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
埋込層３１ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、電流ブロック層位置調整層３０と第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
ここで、図１の（Ｂ）に示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が形成されている。そして、第３化合物半導体層４３（ｎ型）とその下の第４化合物半導体層４４（ｐ型）とのｐｎ接合界面は、｛３１１｝Ｂ結晶面に沿って延びており、その端部が発光部２０（特に、活性層２３の側面）で接することで、新たな接合界面が２つ形成される。即ち、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ／第３化合物半導体層４３のｐｎ接合界面、第３化合物半導体層４３／第４化合物半導体層４４のｎｐ接合界面、第４化合物半導体層４４／第１化合物半導体層２１のｐｎ接合界面といった、ｐｎｐｎ接合構造から構成された電流経路が形成され、電流ブロック構造として望ましい設計である。後述する実施例２２にあっても同様である。
しかも、実施例１３にあっては、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイト、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層２２における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。即ち、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合する不純物から成る。また、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合する不純物から成る。更には、第２化合物半導体層２２を第２導電型（ｐ型）とするための不純物は、第２化合物半導体層２２における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト（ＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合する不純物から成る。従って、第４化合物半導体層４４を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第４化合物半導体層４４と第１化合物半導体層２１との間で不純物相互拡散が生じ難く、また、第３化合物半導体層４３を成膜したとき、電流ブロック層４０を構成する第３化合物半導体層４３と第４化合物半導体層４４との間で、あるいは又、第３化合物半導体層４３と第２化合物半導体層２２との間で、不純物相互拡散が生じ難く、高い信頼性を有する電流ブロック層４０を形成することができる。即ち、電流ブロック層４０が消滅したり、あるいは又、電流ブロック層４０が薄くなったりして、電流ブロック層４０の効果が安定せず、漏れ電流が増加するといった問題の発生を確実に回避することができる。後述する実施例２２にあっても同様である。
尚、以上の点を除き、実施例１３の半導体発光素子は、基本的に、実施例５の半導体発光素子と同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。
以下、実施例１３の半導体発光素子の変形例を説明する。
図１１の（Ｂ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−Ａ−２の構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）である。
より具体的には、実施例１３の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｂに示す構成を有する。尚、表９Ａの（注１）及び（注２）と同じ注が付される（後述する表９Ｃ〜表９Ｊにおいても同様）。
［表９Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
図１２の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−ａの構成の半導体発光素子であり、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
そして、図１２の（Ａ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−ａ−１の構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例１３の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｃに示す構成を有する。
［表９Ｃ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第２化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図１２の（Ｂ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−ａ−２の構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）である。
より具体的には、実施例１３の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｄに示す構成を有する。
［表９Ｄ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
図１３の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−Ｂの構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。尚、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。具体的には、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
そして、図１３の（Ａ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−Ｂ−１の構成の半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）である。
より具体的には、実施例１３の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｅに示す構成を有する。
［表９Ｅ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図１３の（Ｂ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−Ｂ−２の構成の半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）である。
より具体的には、実施例１３の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｆに示す構成を有する。
［表９Ｆ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図１３の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図１４の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっては、
第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第６化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図１４の（Ａ）にあっては第ＩＶ族不純物，Ｓｉであり、図１４の（Ｂ）にあっては第ＩＩ族不純物，Ｚｎである）から成り、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層（第１Ａ化合物半導体層及び第１Ｂ化合物半導体層）、第６化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
図１５の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−ｂの構成の半導体発光素子であり、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
そして、図１５の（Ａ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−ｂ−１の構成の半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例１３の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｇに示す構成を有する。
［表９Ｇ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図１５の（Ｂ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−ｂ−２の構成の半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）である。
より具体的には、実施例１３の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｈに示す構成を有する。
［表９Ｈ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図１５の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図１６の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっても、
第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第６化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図１６の（Ａ）にあっては第ＶＩ族不純物，Ｓｅであり、図１６の（Ｂ）にあっては炭素（Ｃ）である）から成り、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層（第１Ａ化合物半導体層及び第１Ｂ化合物半導体層）、第６化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
図１７の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−Ｃの構成の半導体発光素子であり、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。尚、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。具体的には、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
そして、図１７の（Ａ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−Ｃ−１の構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例１３の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｉに示す構成を有する。
［表９Ｉ］
（発光部の構成）
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図１７の（Ｂ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−Ｃ−２の構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）である。
より具体的には、実施例１３の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｊに示す構成を有する。
［表９Ｊ］
（発光部の構成）
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図１７の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図１８の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっては、
第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第５化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図１８の（Ａ）にあっては第ＩＩ族不純物，Ｚｎであり、図１８の（Ｂ）にあっては第ＩＶ族不純物，Ｓｉである）から成り、
第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、第５化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層（第２Ａ化合物半導体層及び第２Ｂ化合物半導体層）から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の３つである。
図１９の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−ｃの構成の半導体発光素子であり、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
そして、図１９の（Ａ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−ｃ−１の構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）である。
より具体的には、実施例１３の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｋに示す構成を有する。
［表９Ｋ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図１９の（Ｂ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例は、第（Ｉ）−５−ｃ−２の構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には，Ｓｉ）である。
より具体的には、実施例１３の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表９Ｌに示す構成を有する。
［表９Ｌ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図１９の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例１３の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図２０の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっても、
第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第５化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図２０の（Ａ）にあっては炭素（Ｃ）であり、図２０の（Ｂ）にあっては第ＶＩ族不純物，Ｓｅである）から成り、
第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、第５化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層（第２Ａ化合物半導体層及び第２Ｂ化合物半導体層）から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の３つである。
電流ブロック層内に、不純物拡散バリア層を設けてもよい。具体的には、電流ブロック層を構成する第２導電型を有する第４化合物半導体層内に、同じく第２導電型を有する不純物拡散バリア層が少なくとも１層（例えば、第７化合物半導体層）、挿入され、第４化合物半導体層の不純物の置換サイトと、不純物拡散バリア層（例えば、不純物拡散バリア層が１層である場合、第７化合物半導体層）の不純物の置換サイトとが異なるように、不純物を選択すればよい。より具体的には、例えば、図１３の（Ａ）や図１４の（Ａ）に示した構造において、あるいは又、後述する図３３の（Ａ）及び（Ｂ）あるいは図３４の（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造において、第４化合物半導体層における不純物を亜鉛（Ｚｎ）とし、第４化合物半導体層内に挿入する第２導電型の不純物拡散バリア層（第７化合物半導体層）における不純物を炭素（Ｃ）とする構成を採用することができる。即ち、
ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
ｐ型第７化合物半導体層（不純物：Ｃ）
ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった構成とすることができる。あるいは又、図１３の（Ｂ）や図１４の（Ｂ）に示した構造において、あるいは又、後述する図３４の（Ａ）及び（Ｂ）あるいは図３５の（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造において、第４化合物半導体層における不純物をケイ素（Ｓｉ）とし、第４化合物半導体層内に挿入する第２導電型の不純物拡散バリア層（第７化合物半導体層）における不純物をセレン（Ｓｅ）とする構成を採用することができる。即ち、
ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
ｎ型第７化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった構成とすることができる。このような構成とすれば、例えば、第１Ｂ化合物半導体層から不純物である第ＶＩ族不純物（Ｓｅ）や炭素（Ｃ）が電流ブロック層中（Ｚｎドープ層中あるいはＳｉドープ層中）を拡散した場合、係る不純物は、係る不純物の置換サイトが競合する不純物（炭素やセレン）を含んだ第７化合物半導体層中で拡散できず、高い信頼性を有する電流ブロック層を形成することができる。
同様に、電流ブロック層を構成する第１導電型を有する第３化合物半導体層内に、同じく第１導電型を有する不純物拡散バリア層が少なくとも１層（例えば、第８化合物半導体層）、挿入され、第３化合物半導体層の不純物の置換サイトと、不純物拡散バリア層（例えば、不純物拡散バリア層が１層である場合、第８化合物半導体層）の不純物の置換サイトとが異なるように、不純物を選択すればよい。例えば、図１７の（Ａ）や図１８の（Ａ）に示した構造において、あるいは又、後述する図４１の（Ａ）及び（Ｂ）あるいは図４２の（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造において、第３化合物半導体層における不純物をシリコン（Ｓｉ）とし、第３化合物半導体層内に挿入する第１導電型の不純物拡散バリア層（第８化合物半導体層）における不純物をセレン（Ｓｅ）とする構成を採用することができる。即ち、
ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
ｎ型第８化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった構成とすることができる。あるいは又、図１７の（Ｂ）や図１８の（Ｂ）に示した構造において、あるいは又、後述する図４３の（Ａ）及び（Ｂ）あるいは図４４の（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造において、第３化合物半導体層における不純物を亜鉛（Ｚｎ）とし、第３化合物半導体層内に挿入する第１導電型の不純物拡散バリア層（第８化合物半導体層）における不純物を炭素（Ｃ）とする構成を採用することができる。即ち、
ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
ｐ型第８化合物半導体層（不純物：Ｃ）
ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった構成とすることができる。このような構成とすることでも、例えば、第２Ｂ化合物半導体層から不純物である炭素（Ｃ）やセレン（Ｓｅ）が電流ブロック層中（Ｓｉドープ層中やＺｎドープ層中）を拡散した場合、係る不純物は、係る不純物の置換サイトが競合する不純物（第ＶＩ族不純物，Ｓｅや炭素）を含んだ第８化合物半導体層中で拡散できず、高い信頼性を有する電流ブロック層を形成することができる。
第１化合物半導体層を第１Ａ化合物半導体層及び第１Ｂ化合物半導体層から構成する他の半導体発光素子、第２化合物半導体層を第２Ａ化合物半導体層及び第２Ｂ化合物半導体層から構成する他の半導体発光素子においても、同様とすることができる。
不純物拡散バリア層（第７化合物半導体層や第８化合物半導体層）を挿入する形態は、特に、図１４の（Ａ）、（Ｂ）、図１６の（Ａ）、（Ｂ）、図１８の（Ａ）、（Ｂ）、図２０の（Ａ）、（Ｂ）、後述する図３４の（Ａ）、（Ｂ）、図３６の（Ａ）、（Ｂ）、図３８の（Ａ）、（Ｂ）、図４０の（Ａ）、（Ｂ）、図４２の（Ａ）、（Ｂ）、図４４の（Ａ）、（Ｂ）、図４６の（Ａ）、（Ｂ）、図４８の（Ａ）、（Ｂ）等において不純物拡散バリアの効果が得易く、第７化合物半導体層や第８化合物半導体層を不純物拡散バリア層として、第７化合物半導体層や第８化合物半導体層と同一導電型である化合物半導体層（第４化合物半導体層あるいは第３化合物半導体層）に１層、挿入した例を上述のとおり挙げている。但し、不純物拡散バリアを目的とした不純物拡散バリア層の数は、第１化合物半導体層（あるいは第１Ｂ化合物半導体層）、あるいは、第２化合物半導体層（あるいは第２Ｂ化合物半導体層）から電流ブロック層に拡散する不純物の置換サイトと同じ不純物の置換サイトを有する化合物半導体層を不純物拡散バリア層として用いるのであれば、２層以上であってもよい。また、不純物拡散バリア層を設ける位置は、不純物拡散バリア層と同じ導電型を有する化合物半導体層内に限らず、異なる導電型を有する化合物半導体層内に１層以上挿入してもよい。
あるいは又、電流ブロック層を多層構成としてもよい。具体的には、例えば、図１４の（Ａ）に示した構造において、あるいは又、後述する図３４の（Ａ）及び（ｂ）に示す構造において、ｎ型第３化合物半導体層／ｐ型第４化合物半導体層／ｎ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（６）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（７）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（８）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（９）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（８）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（９）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（１０）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（１１）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。同様に、図１６の（Ａ）に示した構造において、あるいは又、後述する図３８の（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造において、ｎ型第３化合物半導体層／ｐ型第４化合物半導体層／ｎ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（６）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（７）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（８）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（９）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（８）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（９）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（１０）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（１１）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。また、図１４の（Ｂ）に示した構造において、あるいは又、後述する図３６の（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造において、ｐ型第３化合物半導体層／ｎ型第４化合物半導体層／ｐ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（６）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（７）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（８）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（９）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（８）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（９）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（１０）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（１１）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。同様に、図１６の（Ｂ）に示した構造において、あるいは又、後述する図４０の（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造において、ｐ型第３化合物半導体層／ｎ型第４化合物半導体層／ｐ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（６）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（７）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（８）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（９）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（８）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（９）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（１０）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（１１）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。
このように、電流ブロック層の総厚を厚くすることなく電流ブロック層を多層構造とすることで、電流ブロック層を構成する各化合物半導体層（上述した第３化合物半導体層から第６化合物半導体層までに至る全ての化合物半導体層の内の少なくとも１層以上の化合物半導体層、あるいは、図１８の（Ａ）、（Ｂ）、図２０の（Ａ）、（Ｂ）の場合においても、また、後述する図４２の（Ａ）、（Ｂ）、図４４の（Ａ）、（Ｂ）、図４６の（Ａ）、（Ｂ）、図４８の（Ａ）、（Ｂ）の場合においても、上述したと同様に、第５化合物半導体層から第４化合物半導体層までに至る全ての化合物半導体層の内の少なくとも１層以上の化合物半導体層）の厚さを任意に薄くする設計が選択できるので、電流ブロック層を構成する１層の発光部の側面に接する接触面積を減らすことが可能となる。この接触面において、更に接触面積が減るように電流ブロック層を構成する各化合物半導体層の厚さを調節することによって、電流ブロック層を構成する１層の接触面だけで活性層（あるいは井戸層）の全側面を跨る状態を回避することが可能となるので、迂回経路に電流リークパスが形成される現象を一層確実に防止することができる。
実施例１３、あるいは又、後述する実施例２２にあっては、第１化合物半導体層を第１Ａ化合物半導体層と第１Ｂ化合物半導体層から構成し、併せて、第２化合物半導体層を第２Ａ化合物半導体層と第２Ｂ化合物半導体層から構成することもできる。
実施例１４は、第（ＩＩ）−１の構成（より具体的には、第（ＩＩ）−１−Ａの構成）、第（ＩＩ）−２−Ａの構成、第（ＩＩ）−４−Ａの構成の半導体発光素子に関する。
ここで、実施例１４の半導体発光素子の概念図を図２１の（Ａ）及び（Ｂ）に示し、模式的な一部断面図を図４９及び図５０に示し、拡大された模式的な一部断面図を図５１の（Ａ）〜（Ｃ）に示す。ここで、図２１の（Ａ）は、半導体発光素子の中央部における概念図であり、図２１の（Ｂ）は、半導体発光素子の端部における概念図である。また、図４９は、半導体発光素子の中央部における半導体発光素子の模式的な一部断面図であり、図５０は、半導体発光素子の端部における半導体発光素子の模式的な一部断面図である。更には、図５１の（Ａ）は、電流ブロック層周りの拡大された模式的な一部断面図であり、図５１の（Ｂ）及び（Ｃ）は、半導体発光素子の端部における発光部周りの拡大された模式的な一部断面図である。図４９に示した半導体発光素子の両端部における半導体発光素子の断面構造における各化合物半導体層の厚さと、図５０に示した半導体発光素子の両端部における半導体発光素子の断面構造における各化合物半導体層の厚さが異なっている場合があるが、実際には同じ厚さである。
そして、実施例１４の半導体発光素子は、電流ブロック層４０及び発光部２０上に形成された埋込層３１を更に備えており、活性層２３の平面形状は、図６０の（Ｂ）に平面形状を模式的に示す凸部２１１と同様の平面形状を有する下地層１１１（所謂メサ構造である）の上方に積層されることにより、中央部の幅が両端部の幅よりも狭い帯状の形状を有する。即ち、実施例１４、あるいは、後述する実施例１５〜実施例２２の半導体発光素子は、所謂フレア・ストライプ構造を有する。
第２導電型を有する埋込層３１は、第１埋込層３１Ａ及び第２埋込層３１Ｂが順次積層された積層構造体から構成されており、電流ブロック層４０の上方に位置する埋込層３１において、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。更には、電流ブロック層４０の上方に位置する埋込層３１において、第１埋込層３１Ａを第２導電型とするための不純物は、第１埋込層３１Ａにおける不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。また、電流ブロック層４０の上方に位置する埋込層３１において、第１埋込層３１Ａを第２導電型とするための不純物は、第１埋込層３１Ａにおける不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。後述する実施例１５〜実施例２２の半導体発光素子においても、同様である。
ここで、図４９及び図５０に示した例にあっては、実施例５にて説明したと同様に、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が形成されている。あるいは又、実施例５にて説明したと同様に、第３化合物半導体層４３（ｎ型）と第４化合物半導体層４４（ｐ型）との位置関係を逆にして形成してもよい。
また、第（ＩＩ）−１−Ａの構成に沿って表せば、実施例１４の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、第３化合物半導体層４３、第４化合物半導体層４４、第１埋込層３１Ａ及び第２埋込層３１Ｂは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層３１Ａにおける不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、第（ＩＩ）−２−Ａの構成に沿って表せば、実施例１４の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、第３化合物半導体層４３、第４化合物半導体層４４、第１埋込層３１Ａ及び第２埋込層３１Ｂは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層４３を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層３１Ａを第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２埋込層３１Ｂを第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
あるいは又、実施例１４の半導体発光素子は、第（ＩＩ）−４−Ａの構成に沿って表せば、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｎ型）とするための不純物は、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｎ型）とするための不純物とは異なる。
具体的には、実施例１４の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表１１Ａあるいは表１１Ｂに示す構成を有するが、第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、更には、電流ブロック層４０を構成する化合物半導体は、活性層２３を構成する化合物半導体と比較して、バンドギャップが大、即ち、屈折率が低い化合物半導体から成る。ここで、表１１Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表１１Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。
［表１１Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と第１埋込層３１Ａとの間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する第１埋込層３１Ａの部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表１１Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第１埋込層３１Ａは、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層３１Ａと第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
実施例１４にあっては、半導体発光素子の製造過程において、発光部２０の形成が完了した時点では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の中央部を切断したときの断面形状は三角形である。このとき、同時に一方では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の端部を切断したときの断面形状は台形である。従って、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）を形成するとき、発光部２０の中央部にあっては、発光部２０の側面にのみ電流ブロック層４０が形成される。このとき、同時に一方では、発光部２０の端部にあっては、発光部２０の側面に電流ブロック層４０が形成されるだけでなく、発光部２０の頂面にも、電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する層（堆積層４０”）が形成される（図５１の（Ｂ）参照）。ここで、堆積層４０”が形成された時点において、堆積層４０”を構成する第４化合物半導体層を堆積層第４化合物半導体層４４’と呼び、堆積層４０”を構成する第３化合物半導体層を堆積層第３化合物半導体層４３”と呼ぶ。尚、堆積層４０”と発光部２０の積層構造の頂面との間には、電流ブロック層位置調整層３０と同じ構成を有する化合物半導体層３０’が形成されている。
そして、電流ブロック層４０の形成に引き続き、特に両端部においては、発光部２０の側面と、発光部２０の上に更に積層された堆積層４０”の内の少なくとも１層の側面を覆うように、第１埋込層３１Ａを形成する。次いで、第１埋込層３１Ａが発光部２０の側面あるいは化合物半導体層３０’の側面を少なくとも覆い終わった時点で、第２埋込層３１Ｂの形成を開始し、全面を第２埋込層３１Ｂで被覆する。このとき、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイト（実施例１４にあってはＶ族原子が占めるサイト）が、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイト（実施例１４にあってはＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成る（表１１Ａあるいは表１１Ｂ参照）。従って、例えば最終的に頂点を覆うように厚く積層された第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、発光部２０の両端部における頂面上に形成された堆積層第３化合物半導体層４３”中に拡散し、係る堆積層第３化合物半導体層４３”を第２導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３’へと変化させる（図５１の（Ｃ）参照）。尚、このような状態となった堆積層を堆積層痕４０’と呼ぶ。更には、堆積層痕４０’上に形成された第１埋込層及び第２埋込層を、それぞれ、第１埋込層３１Ａ’、第２埋込層３１Ｂ’と呼ぶ。また、図２１〜図４８の（Ａ）のそれぞれにおいて、堆積層第３化合物半導体層４３’を第３’層と呼び、堆積層第４化合物半導体層４４’を第４’層と呼ぶ。ここで、特に、堆積層４０”を構成する層として第１導電型を有する化合物半導体層が含まれる場合、この堆積層４０”を構成する第１導電型を有する化合物半導体層の不純物の置換サイトと競合しない第２導電型を有する埋込層３１が、堆積層４０”の側面の少なくとも一部で接していることが望ましい。これにより、埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）における第２導電型の不純物が堆積層４０”の側面の少なくとも一部から拡散する結果、電流ブロックの原因となる堆積層４０”を構成する第１導電型化合物半導体層を、先ずは導電型補償し、ひいては、第２導電型化することが可能となる。
実施例１４の半導体発光素子は、例えば、以下に説明する方法に基づき製造することができる。即ち、実施例１の［工程−１００］〜［工程−１１０］と同様の工程に基づき、図６０の（Ｂ）に示す平面形状を有する下地層１１１を設ける。ここで、図６０の（Ｂ）において、下地層１１１を明確化するために、下地層１１１に斜線を付した。
次いで、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、下地層１１１の頂面上に、第１導電型を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層２２が順次積層されて成る発光部２０を形成し、併せて、基板１０の露出面上に、第１導電型を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層２２が順次積層された積層構造体を形成する。尚、下地層１１１の幅と深さを適切に選択し、更には、バッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂの厚さを適切に選択することで、下地層１１１の中央部上に、断面が三角形である発光部２０の積層構造を得ることができる。このとき、同時に一方では、下地層１１１の両端部においては、断面が台形である発光部２０の積層構造を得ることができる。ここで、その後、第２化合物半導体層２２以降の層の成長が継続される過程で、中央部においては、成長停止状態にある三角形の側面が覆われながら、最終的に三角形の頂点も第２埋込層によって完全に埋め込まれる。一方、両端部においても、第２化合物半導体層２２以降の層の成長が継続される過程で、台形の頂面（｛１００｝面）で化合物半導体層の成長が継続するので、例えば、最終的に中央部の場合に比べて、断面が大きな三角形（頂点）が形成され、更に、その三角形の側面が覆われながら最終的に頂点も第２埋込層によって完全に埋め込まれる。
具体的には、第２化合物半導体層２２Ｂの形成に連続して、全面に、電流ブロック層位置調整層３０をＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。そして、更に、例えば、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３の積層構造から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。こうして、下地層１１１の中央部にあっては、図５に示す断面構造を得ることができ、下地層１１１の両端部にあっては、図５２に示す断面構造を得ることができる。電流ブロック層４０は、｛１１１｝Ｂ面上には成長しない。また、電流ブロック層４０の端面が、少なくとも活性層２３の側面を覆うように、電流ブロック層４０を形成する。このような構成、構造は、下地層１１１の頂面の幅と下地層１１１の高さを適切に選択し、更には、電流ブロック層位置調整層３０の厚さを適切に選択することで達成することができる。第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４の構成、構造は、上述したとおりである。
次いで、全面に、第１埋込層３１Ａ、第２埋込層３１Ｂ、並びに、コンタクト層（キャップ層）３２を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。即ち、ＭＯＣＶＤを継続すると、やがて基板１０の露出面から結晶成長する化合物半導体から成る第１埋込層３１Ａが、自己成長停止している発光部２０の側面と、両端部においては更に発光部２０の上に積層された堆積層４０”の側面の内の少なくとも１層の側面を完全に埋め尽くすようになる。この状態で、第１埋込層３１Ａの成長を停止させ、次いで、第２埋込層３１Ｂを成長させて、全面を第２埋込層３１Ｂで完全に埋め尽くす。こうして、下地層１１１の中央部にあっては、図５３に示す断面構造を得ることができ、下地層１１１の両端部にあっては、図５４に示す断面構造を得ることができる。その後、コンタクト層３２上に第２電極５２を真空蒸着法に基づき形成し、一方、基板１０を裏面側から適切な厚みにラッピングした後、第１電極５１を真空蒸着法に基づき形成する。こうして、下地層１１１の中央部にあっては、図４９に示す断面構造を得ることができ、下地層１１１の両端部にあっては、図５０に示す断面構造を得ることができる。
その後、各半導体発光素子を分離することによって、半導体発光素子を得ることができる。尚、後述する実施例１５〜実施例２２の半導体発光素子も、基本的には、以上に説明した方法と同様の方法に基づき作製することができる。
ところで、電流ブロック層４０の上方に位置する埋込層３１にあっては、第１埋込層３１Ａを第２導電型とするための不純物は、第１埋込層３１Ａにおける不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。従って、第１埋込層３１Ａの不純物が第４化合物半導体層４４に拡散することを確実に防止することができる。一方、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。従って、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、発光部２０の両端部における頂面上に電流ブロック層と同じタイミングで形成された堆積層４０”における第１導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３”中に拡散し、係る堆積層第３化合物半導体層４３”を第２導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３’へと変化させる。そして、以上の結果として、発光部２０の両端部における発光部２０の上方に位置する化合物半導体層は、全て、第２導電型を有するようになる。それ故、発光部２０の積層構造の頂面に電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層が存在しなくなり、活性層２３への電流注入経路が｛１１１｝Ｂ側面（接触面）に限定されないので、電気抵抗の増加による発熱や消費電流の増加といった問題、ひいては、半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題の発生を確実に回避することができる。後述する実施例１５〜実施例２２にあっても、基本原理は同様である。
実施例１５は、実施例１４の変形であり、第（ＩＩ）−１−Ｂの構成、及び、第（ＩＩ）−２−Ｂの構成に関する。
具体的には、発光部の中央部における概念図を図２２の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図２２の（Ｂ）に示すように、第（ＩＩ）−１−Ｂの構成に沿って表せば、実施例１５の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、第（ＩＩ）−２−Ｂの構成に沿って表せば、実施例１５の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例１５の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表１２Ａあるいは表１２Ｂに示す構成を有する。ここで、表１２Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表１２Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表１２Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と第１埋込層との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する第１埋込層３１Ａの部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表１２Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第１埋込層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
実施例１６も、実施例１４の変形であり、第（ＩＩ）−１−Ｃの構成、及び、第（ＩＩ）−２−Ｃの構成に関し、更には、第（ＩＩ）−４−Ａの構成に関する。尚、実施例１６あるいは後述する実施例１７における導電型を、実施例１４における導電型と逆とした。即ち、実施例１６あるいは後述する実施例１７における第１導電型はｐ型であり、第２導電型はｎ型である。
具体的には、発光部の中央部における概念図を図２３の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図２３の（Ｂ）に示し、模式的な一部断面図を図５５及び図５６に示し、拡大された模式的な一部断面図を図５７の（Ａ）〜（Ｃ）に示す。ここで、図５５は、半導体発光素子の中央部における半導体発光素子の模式的な一部断面図であり、図５６は、半導体発光素子の端部における半導体発光素子の模式的な一部断面図である。更には、図５７の（Ａ）は、電流ブロック層周りの拡大された模式的な一部断面図であり、図５７の（Ｂ）及び（Ｃ）は、半導体発光素子の端部における発光部周りの拡大された模式的な一部断面図である。
第（ＩＩ）−１−Ｃの構成に沿って表せば、実施例１６の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、第（ＩＩ）−２−Ｃの構成に沿って表せば、実施例１６の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第３化合物半導体層４３を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
更には、第（ＩＩ）−４−Ａの構成に沿って表せば、実施例１６の半導体発光素子にあっては、第１化合物半導体層２１を第１導電型（ｐ型）とするための不純物は、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｐ型）とするための不純物とは異なる。
より具体的には、実施例１６の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表１３Ａあるいは表１３Ｂに示す構成を有する。ここで、表１３Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表１３Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。
［表１３Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と第１埋込層３１Ａとの間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する第１埋込層３１Ａの部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表１３Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第１埋込層３１Ａは、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層３１Ａと第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
実施例１６にあっても、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程において、発光部２０の形成が完了した時点では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の中央部を切断したときの断面形状は三角形である。このとき、同時に一方では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の端部を切断したときの断面形状は台形である。従って、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）を形成するとき、発光部２０の中央部にあっては、発光部２０の側面にのみ電流ブロック層４０が形成される。このとき、同時に一方では、発光部２０の端部にあっては、発光部２０の側面に電流ブロック層４０が形成されるだけでなく、発光部２０の頂面にも、電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層４０”が形成される。そして、電流ブロック層４０の形成に引き続き、特に両端部においては、発光部２０の側面と、発光部２０の上に更に積層された堆積層４０”の内の少なくとも１層の側面を覆うように第１埋込層３１Ａを形成する。次いで、第１埋込層３１Ａが発光部２０の側面あるいは化合物半導体層３０’の側面を少なくとも覆い終わった時点で、第２埋込層３１Ｂの形成を開始し、全面を第２埋込層３１Ｂで被覆する。このように、特に堆積層４０”を構成する層として第１導電型を有する化合物半導体層が含まれる場合、この堆積層４０”を構成する第１導電型を有する化合物半導体層の不純物の置換サイトと競合しない第２導電型を有する埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）が、堆積層４０”の側面の少なくとも一部で接していることが望ましい。これにより、埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）における第２導電型の不純物が堆積層４０”の側面の少なくとも一部から拡散し、電流ブロックの原因となる堆積層４０”を構成する第１導電型化合物半導体層を、先ずは導電型補償し、ひいては、第２導電型化することが可能となる。このとき、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイト（実施例１６にあってはＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイト（実施例１６にあってはＶ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成る（表１３Ａあるいは表１３Ｂ参照）。従って、例えば、最終的に頂点を覆うように厚く積層した第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、発光部２０の両端部における頂面上に形成された第１導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３”中に拡散し、係る堆積層第３化合物半導体層４３”を第２導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３’へと変化させる。そして、以上の結果として、発光部２０の両端部における発光部２０の上方に位置する化合物半導体層は、全て、第２導電型を有するようになる。それ故、発光部２０の積層構造の頂面に電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層が存在しなくなり、活性層への電流注入経路が｛１１１｝Ｂ側面（接触面）に限定されないので、電気抵抗の増加による発熱や消費電流の増加といった問題、ひいては、半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題の発生を確実に回避することができる。
実施例１７は、実施例１４及び実施例１６の変形であり、第（ＩＩ）−１−Ｄの構成、及び、第（ＩＩ）−２−Ｄの構成に関する。
具体的には、発光部の中央部における概念図を図２４の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図２４の（Ｂ）に示すように、第（ＩＩ）−１−Ｄの構成に沿って表せば、実施例１７の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、第（ＩＩ）−２−Ｄの構成に沿って表せば、実施例１７の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
より具体的には、実施例１７の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表１４Ａあるいは表１４Ｂに示す構成を有する。ここで、表１４Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表１４Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表１４Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と第１埋込層との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する第１埋込層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表１４Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｅ（又はＳｉ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第１埋込層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
実施例１８は、第（ＩＩ）−１−ａの構成、第（ＩＩ）−３−ａの構成、及び、第（ＩＩ）−４−ａの構成の半導体発光素子に関する。
具体的には、実施例１８の半導体発光素子は、発光部の中央部における概念図を図２５の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図２５の（Ｂ）に示すように、第（ＩＩ）−１−ａの構成に沿って表せば、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。尚、実施例１８の半導体発光素子の模式的な一部断面図は、図５５及び図５６に示したと同様である。
また、第（ＩＩ）−３−ａの構成に沿って表せば、実施例１８の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層４４を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である。
あるいは又、第（ＩＩ）−４−ａの構成に沿って表せば、実施例１８の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための不純物は、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための不純物とは異なる。
より具体的には、実施例１８の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表１５Ａあるいは表１５Ｂに示す構成を有する。ここで、表１５Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表１５Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。
［表１５Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と第１埋込層３１Ａとの間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する第１埋込層３１Ａの部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表１５Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第１埋込層３１Ａは、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層３１Ａと第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
実施例１８にあっても、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程において、発光部２０の形成が完了した時点では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の中央部を切断したときの断面形状は三角形である。このとき、同時に一方では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の端部を切断したときの断面形状は台形である。従って、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）を形成するとき、発光部２０の中央部にあっては、発光部２０の側面にのみ電流ブロック層４０が形成される。このとき、同時に一方では、発光部２０の端部にあっては、発光部２０の側面に電流ブロック層４０が形成されるだけでなく、発光部２０の頂面にも、電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層４０”が形成される。そして、電流ブロック層４０の形成に引き続き、特に両端部においては、発光部２０の側面と、発光部２０の上に更に積層された堆積層４０”の内の少なくとも１層の側面を覆うように覆うように第１埋込層３１Ａを形成する。次いで、第１埋込層３１Ａが発光部２０の側面あるいは化合物半導体層３０’の側面を少なくとも覆い終わった時点で、第２埋込層３１Ｂの形成を開始し、全面を第２埋込層３１Ｂで被覆する。このように、特に堆積層４０”を構成する層として第１導電型を有する化合物半導体層が含まれる場合、この堆積層４０”を構成する第１導電型を有する化合物半導体層の不純物の置換サイトと競合しない第２導電型を有する埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）が、堆積層４０”の側面の少なくとも一部で接していることが望ましい。これにより、埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）における第２導電型の不純物が堆積層４０”の側面の少なくとも一部から拡散し、電流ブロックの原因となる堆積層４０”を構成する第１導電型化合物半導体層を、先ずは導電型補償し、ひいては、第２導電型化することが可能となる。このとき、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイト（実施例１８にあってはＩＩＩ族原子が占めるサイト）が、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイト（実施例１８にあってはＶ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成る（表１５Ａあるいは表１５Ｂ参照）。従って、例えば、最終的に頂点を覆うように厚く積層した第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、発光部２０の両端部における頂面上に形成された第１導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３”中に拡散し、係る堆積層第３化合物半導体層４３”を第２導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３’へと変化させる。そして、以上の結果として、発光部２０の両端部における発光部２０の上方に位置する化合物半導体層は、全て、第２導電型を有するようになる。それ故、発光部２０の積層構造の頂面に電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層が存在しなくなり、活性層への電流注入経路が｛１１１｝Ｂ側面（接触面）に限定されないので、電気抵抗の増加による発熱や消費電流の増加といった問題、ひいては、半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題の発生を確実に回避することができる。
実施例１９は、実施例１８の変形であり、第（ＩＩ）−１−ｂの構成、及び、第（ＩＩ）−３−ｂの構成に関する。
具体的には、発光部の中央部における概念図を図２６の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図２６の（Ｂ）に示すように、第（ＩＩ）−１−ｂの構成に沿って表せば、実施例１９の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、第（ＩＩ）−３−ｂの構成に沿って表せば、実施例１９の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である。
より具体的には、実施例１９の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表１６Ａあるいは表１６Ｂに示す構成を有する。ここで、表１６Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表１６Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表１６Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｃ（又はＺｎ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と第１埋込層との間には、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する第１埋込層３１Ａの部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表１６Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｃ（又はＺｎ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第１埋込層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
実施例２０も、実施例１８の変形であり、第（ＩＩ）−１−ｃの構成、及び、第（ＩＩ）−３−ｃの構成に関し、更には、第（ＩＩ）−４−ａの構成に関する。尚、実施例２０あるいは後述する実施例２１における導電型を、実施例１８における導電型と逆とした。即ち、実施例２０あるいは後述する実施例２１における第１導電型はｐ型であり、第２導電型はｎ型である。
具体的には、発光部の中央部における概念図を図２７の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図２７の（Ｂ）に示すように、第（ＩＩ）−１−ｃの構成に沿って表せば、実施例２０の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。尚、実施例２０の半導体発光素子の模式的な一部断面図は、図５５及び図５６に示したと同様である。
あるいは又、第（ＩＩ）−３−ｃの構成に沿って表せば、実施例２０の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層４４を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である。
更には、第（ＩＩ）−４−ａの構成に沿って表せば、実施例２０の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｐ型）とするための不純物は、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｐ型）とするための不純物とは異なる。
より具体的には、実施例２０の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表１７Ａあるいは表１７Ｂに示す構成を有する。ここで、表１７Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層４４の上に第３化合物半導体層４３が積層されており、表１７Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層４３の上に第４化合物半導体層４４が積層されている。
［表１７Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層４４と電流ブロック層位置調整層３０との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層４３と第１埋込層３１Ａとの間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層４３との界面を構成する第１埋込層３１Ａの部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表１７Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層２３ ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第１埋込層３１Ａは、第４化合物半導体層４４に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層３１Ａと第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
実施例２０にあっても、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程において、発光部２０の形成が完了した時点では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の中央部を切断したときの断面形状は三角形である。このとき、同時に一方では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の端部を切断したときの断面形状は台形である。従って、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）を形成するとき、発光部２０の中央部にあっては、発光部２０の側面にのみ電流ブロック層４０が形成される。このとき、同時に一方では、発光部２０の端部にあっては、発光部２０の側面に電流ブロック層４０が形成されるだけでなく、発光部２０の頂面にも、電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層４０”が形成される。そして、電流ブロック層４０の形成に引き続き、特に両端部においては、発光部２０の側面と、発光部２０の上に更に積層された堆積層４０”の内の少なくとも１層の側面を覆うように第１埋込層３１Ａを形成する。次いで、第１埋込層３１Ａが発光部２０の側面あるいは化合物半導体層３０’の側面を少なくとも覆い終わった時点で、第２埋込層３１Ｂの形成を開始し、全面を第２埋込層３１Ｂで被覆する。このように、特に堆積層４０”を構成する層として第１導電型を有する化合物半導体層が含まれる場合、この堆積層４０”を構成する第１導電型を有する化合物半導体層の不純物の置換サイトと競合しない第２導電型を有する埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）が、堆積層４０”の側面の少なくとも一部で接していることが望ましい。これにより、埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）における第２導電型の不純物が堆積層４０”の側面の少なくとも一部から拡散し、電流ブロックの原因となる堆積層４０”を構成する第１導電型化合物半導体層を、先ずは導電型補償し、ひいては、第２導電型化することが可能となる。このとき、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイト（実施例２０にあってはＶ族原子が占めるサイト）が、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイト（実施例２０にあってはＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成る（表１７Ａあるいは表１７Ｂ参照）。従って、例えば、最終的に頂点を覆うように厚く積層した第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、発光部２０の両端部における頂面上に形成された第１導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３”中に拡散し、係る堆積層第３化合物半導体層４３”を第２導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３’へと変化させる。そして、以上の結果として、発光部２０の両端部における発光部２０の上方に位置する化合物半導体層は、全て、第２導電型を有するようになる。それ故、発光部２０の積層構造の頂面に電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層が存在しなくなり、活性層への電流注入経路が｛１１１｝Ｂ側面（接触面）に限定されないので、電気抵抗の増加による発熱や消費電流の増加といった問題、ひいては、半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題の発生を確実に回避することができる。
実施例２１は、実施例１８及び実施例２０の変形であり、第（ＩＩ）−１−ｄの構成、及び、第（ＩＩ）−３−ｄの構成に関する。
具体的には、発光部の中央部における概念図を図２８の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図２８の（Ｂ）に示すように、第（ＩＩ）−１−ｄの構成に沿って表せば、実施例２１の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
あるいは又、第（ＩＩ）−３−ｄの構成に沿って表せば、実施例２１の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である。
より具体的には、実施例２１の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表１８Ａあるいは表１８Ｂに示す構成を有する。ここで、表１８Ａに示した例にあっては、第４化合物半導体層の上に第３化合物半導体層が積層されており、表１８Ｂに示した例にあっては、第３化合物半導体層の上に第４化合物半導体層が積層されている。
［表１８Ａ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第４化合物半導体層は、電流ブロック層位置調整層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第４化合物半導体層と電流ブロック層位置調整層との間に境界は存在しない。
（注３）第３化合物半導体層と第１埋込層との間には、ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉから成る第５化合物半導体層（第３化合物半導体層との界面を構成する第１埋込層の部分が該当する）が形成されていると見做すこともできる。
［表１８Ｂ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｎ−ＧａＡｓ：Ｓｉ（又はＳｅ）

（注１）第２Ａ化合物半導体層に引き続き、電流ブロック層位置調整層が形成される。
（注２）第１埋込層は、第４化合物半導体層に引き続き、連続的に形成され、実質的には、第１埋込層と第４化合物半導体層との間に境界は存在しない。
実施例２２は、第（ＩＩ）−５の構成（より具体的には、第（ＩＩ）−５−Ａ−１の構成）に係る半導体発光素子に関する。実施例２２の半導体発光素子は、発光部の中央部における概念図を図２９の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図２９の（Ｂ）に示し、図４９、図５０に模式的な一部断面図を示し、拡大された模式的な一部断面図を図５１の（Ａ）〜（Ｃ）に示したと同様に、
（Ａ）第１導電型（実施例２２にあっては、ｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型（実施例２２にあっては、ｐ型）を有する第２化合物半導体層２２が順次積層されて成る発光部２０、並びに、
（Ｂ）発光部２０の側面に接して設けられた電流ブロック層４０、
を備えている。
そして、電流ブロック層４０は、実施例１３にて説明したと同様の構成、構造を有するし、電流ブロック層４０と発光部２０の側面との位置関係も実施例１３にて説明したと同様である。
ここで、実施例２２の半導体発光素子にあっても、第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。あるいは又、後述するように、第１Ａ化合物半導体層２１Ａ、第１Ｂ化合物半導体層２１Ｂ、第２化合物半導体層２２、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、あるいは又、第１化合物半導体層２１、第２Ａ化合物半導体層２２Ａ、第２Ｂ化合物半導体層２２Ｂ、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３、並びに、第１埋込層Ａ及び第２埋込層３１Ｂは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る。
実施例２２にあっては、第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層２２における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。また、第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。そして、第１化合物半導体層２１及び第３化合物半導体層４３を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、ケイ素，Ｓｉ）であり、第２化合物半導体層２２及び第４化合物半導体層４４を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、亜鉛，Ｚｎ）であり、第１埋込層３１Ａを第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、亜鉛，Ｚｎ）であり、第２埋込層３１Ｂを第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例２２の半導体発光素子にあっては、各層は、以下の表１９Ａに示す構成を有する。
［表１９Ａ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層２２Ｂ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層２２Ａ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層２３ ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層２１ ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
第２埋込層３１Ｂ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第１埋込層３１Ａ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層４３ ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層４４ ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層３０・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）

（注１）第２化合物半導体層２２Ｂに引き続き、電流ブロック層位置調整層３０が形成される。
（注２）第４化合物半導体層４４は、電流ブロック層位置調整層３０に引き続き、連続的に形成され、実質的には、電流ブロック層位置調整層３０と第４化合物半導体層４４との間に境界は存在しない。
実施例２２にあっても、実施例１の［工程−１２０］と同様の工程において、発光部２０の形成が完了した時点では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の中央部を切断したときの断面形状は三角形である。このとき、同時に一方では、発光部２０の軸線に垂直な仮想平面で発光部２０の端部を切断したときの断面形状は台形である。従って、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）を形成するとき、発光部２０の中央部にあっては、発光部２０の側面にのみ電流ブロック層４０が形成される。このとき、同時に一方では、発光部２０の端部にあっては、発光部２０の側面に電流ブロック層４０が形成されるだけでなく、発光部２０の頂面にも、電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層４０”が形成される。そして、電流ブロック層４０の形成に引き続き、特に両端部においては、発光部２０の側面と、発光部２０の上に更に積層された堆積層４０”の内の少なくとも１層の側面を覆うように第１埋込層３１Ａを形成する。次いで、第１埋込層３１Ａが発光部２０の側面あるいは化合物半導体層３０’の側面を少なくとも覆い終わった時点で、第２埋込層３１Ｂの形成を開始し、全面を第２埋込層３１Ｂで被覆する。このように、特に堆積層４０”を構成する層として第１導電型を有する化合物半導体層が含まれる場合、この堆積層４０”を構成する第１導電型を有する化合物半導体層の不純物の置換サイトと競合しない第２導電型を有する埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）が、堆積層４０”の側面の少なくとも一部で接していることが望ましい。これにより、埋込層３１（例えば、埋込層３１Ｂ層）における第２導電型の不純物が堆積層４０”の側面の少なくとも一部から拡散し、電流ブロックの原因となる堆積層４０”を構成する第１導電型化合物半導体層を、先ずは導電型補償し、ひいては、第２導電型化することが可能となる。このとき、第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、第２埋込層３１Ｂにおける不純物の置換サイト（実施例２２にあってはＶ族原子が占めるサイト）が、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイト（実施例２２にあってはＩＩＩ族原子が占めるサイト）と競合しない不純物から成る（表１９Ａあるいは表１９Ｂ参照）。従って、例えば、最終的に頂点を覆うように厚く積層した第２埋込層３１Ｂを第２導電型とするための不純物は、発光部２０の両端部における頂面上に形成された第１導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３”中に拡散し、係る堆積層第３化合物半導体層４３”を第２導電型を有する堆積層第３化合物半導体層４３’へと変化させる。そして、以上の結果として、発光部２０の両端部における発光部２０の上方に位置する化合物半導体層は、全て、第２導電型を有するようになる。それ故、発光部２０の積層構造の頂面に電流ブロック層４０と同じ積層構造を有する堆積層が存在しなくなり、活性層への電流注入経路が｛１１１｝Ｂ側面（接触面）に限定されないので、電気抵抗の増加による発熱や消費電流の増加といった問題、ひいては半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題の発生を確実に回避することができる。
尚、以上の点を除き、実施例２２の半導体発光素子は、基本的に、実施例１４の半導体発光素子と同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。
以下、実施例２２の半導体発光素子の変形例を説明する。
発光部の中央部における概念図を図３０の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図３０の（Ｂ）に示す実施例２２の半導体発光素子の変形例は、第（ＩＩ）−５−Ａ−２の構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である。
より具体的には、実施例２２の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表１９Ｂに示す構成を有する。尚、表１９Ａの（注１）及び（注２）と同じ注が付される（後述する表１９Ｃ〜表１９Ｊにおいても同様）。
［表１９Ｂ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
発光部の中央部における概念図を図３１の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図３１の（Ｂ）に示すように、あるいは又、発光部の中央部における概念図を図３２の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図３２の（Ｂ）に示すように、実施例２２の半導体発光素子のこれらの変形例は、第（ＩＩ）−５−ａの構成の半導体発光素子であり、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
そして、図３１の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例２２の半導体発光素子の変形例は、第（ＩＩ）−５−ａ−１の構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である。
より具体的には、実施例２２の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表１９Ｃに示す構成を有する。
［表１９Ｃ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第２化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層３２ ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図３２の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例２２の半導体発光素子の変形例は、第（ＩＩ）−５−ａ−２の構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
より具体的には、実施例２２の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表１９Ｄに示す構成を有する。
［表１９Ｄ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
発光部の中央部における概念図を図３３の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図３３の（Ｂ）に示すように、あるいは又、発光部の中央部における概念図を図３５の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図３５の（Ｂ）に示すように、実施例２２の半導体発光素子のこれらの変形例は、第（ＩＩ）−５−Ｂの構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。尚、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。具体的には、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
そして、図３３の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例２２の半導体発光素子の変形例は、第（ＩＩ）−５−Ｂ−１の構成の半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例２２の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表１９Ｅに示す構成を有する。
［表１９Ｅ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図３５の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例２２の半導体発光素子の変形例は、第（ＩＩ）−５−Ｂ−２の構成の半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である。
より具体的には、実施例２２の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表１９Ｆに示す構成を有する。
［表１９Ｆ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図３３の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図３５の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例２２の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図３４の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図３６の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっては、
第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層及び第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第６化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図３４の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては第ＩＶ族不純物，Ｓｉであり、図３６の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては第ＩＩ族不純物，Ｚｎである）から成り、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層（第１Ａ化合物半導体層及び第１Ｂ化合物半導体層）、第６化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
発光部の中央部における概念図を図３７の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図３７の（Ｂ）に示すように、あるいは又、発光部の中央部における概念図を図３９の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図３９の（Ｂ）に示すように、実施例２２の半導体発光素子のこれらの変形例は、第（ＩＩ）−５−ｂの構成の半導体発光素子であり、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
そして、図３７の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例２２の半導体発光素子の変形例は、第（ＩＩ）−５−ｂ−１の構成の半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である。
より具体的には、実施例２２の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表１９Ｇに示す構成を有する。
［表１９Ｇ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第２化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図３９の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例２２の半導体発光素子の変形例は、第（ＩＩ）−５−ｂ−２の構成の半導体発光素子であり、
第１Ａ化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
より具体的には、実施例２２の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表１９Ｈに示す構成を有する。
［表１９Ｈ］
（発光部の構成）
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第２化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第１Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図３７の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図３９の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例２２の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図３８の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図４０の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっても、
第４化合物半導体層の下に、第１導電型を有する第６化合物半導体層が設けられており、
第６化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第６化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図３８の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては第ＶＩ族不純物，Ｓｅであり、図４０の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては炭素（Ｃ）である）から成り、
第６化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面（少なくとも第１Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第１Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接しており、第３化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層（第１Ａ化合物半導体層及び第１Ｂ化合物半導体層）、第６化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層から構成されており、ｐｎ接合界面は、第６化合物半導体層／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第２化合物半導体層の側面の３つである。
発光部の中央部における概念図を図４１の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図４１の（Ｂ）に示すように、あるいは又、発光部の中央部における概念図を図４３の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図４３の（Ｂ）に示すように、実施例２２の半導体発光素子のこれらの変形例は、第（ＩＩ）−５−Ｃの構成の半導体発光素子であり、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。尚、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。具体的には、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
そして、図４１の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例２２の半導体発光素子の変形例は、第（ＩＩ）−５−Ｃ−１の構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である。
より具体的には、実施例２２の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表１９Ｉに示す構成を有する。
［表１９Ｉ］
（発光部の構成）
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図４３の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例２２の半導体発光素子の変形例は、第（ＩＩ）−５−Ｃ−２の構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である。
より具体的には、実施例２２の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表１９Ｊに示す構成を有する。
［表１９Ｊ］
（発光部の構成）
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図４１の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図４３の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例２２の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図４２の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図４４の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっては、
第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第５化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図４３の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては第ＩＩ族不純物，Ｚｎであり、図４４の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては第ＩＶ族不純物，Ｓｉである）から成り、
第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、第５化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層（第２Ａ化合物半導体層及び第２Ｂ化合物半導体層）から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の３つである。
発光部の中央部における概念図を図４５の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図４５の（Ｂ）に示すように、あるいは又、発光部の中央部における概念図を図４７の（Ａ）に示し、発光部の端部における概念図を図４７の（Ｂ）に示すように、実施例２２の半導体発光素子のこれらの変形例は、第（ＩＩ）−５−ｃの構成の半導体発光素子であり、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
そして、図４５の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例２２の半導体発光素子の変形例は、第（ＩＩ）−５−ｃ−１の構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物である。
より具体的には、実施例２２の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表１９Ｋに示す構成を有する。
［表１９Ｋ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｚｎ
活性層 ・・・［活性層−Ａ］
第１化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
第１埋込層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第３化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第４化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
電流ブロック層位置調整層・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｚｎ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
あるいは又、図４７の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例２２の半導体発光素子の変形例は、第（ＩＩ）−５−ｃ−２の構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物（具体的には、Ｓｅ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には，Ｓｉ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である。
より具体的には、実施例２２の半導体発光素子のこの変形例にあっては、各層は、以下の表１９Ｌに示す構成を有する。
［表１９Ｌ］
（発光部の構成）
第２Ａ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｅ
第２Ｂ化合物半導体層・・・ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｓｉ
活性層 ・・・［活性層−Ｂ］
第１化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓ：Ｃ
（電流ブロック層）
第２埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｉ
第１埋込層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
第３化合物半導体層 ・・・ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃ
第４化合物半導体層 ・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
電流ブロック層位置調整層・・・ｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅ
（全体）
コンタクト層 ・・・ｐ−ＧａＡｓ：Ｚｎ（又はＣ）
これらの図４５の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図４７の（Ａ）及び（Ｂ）に概念図を示す実施例２２の半導体発光素子の変形例の更なる変形例の概念図を、図４６の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図４８の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。これらの更なる変形例にあっても、
第３化合物半導体層の上に、第２導電型を有する第５化合物半導体層が設けられており、
第５化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第５化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物（具体的には、図４６の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては炭素（Ｃ）であり、図４８の（Ａ）及び（Ｂ）にあっては第ＶＩ族不純物，Ｓｅである）から成り、
第４化合物半導体層は第１化合物半導体層の側面と接しており、第５化合物半導体層は第２化合物半導体層の側面（少なくとも第２Ａ化合物半導体層の側面の一部、及び、第２Ｂ化合物半導体層の側面の全て）と接している。尚、迂回経路は、第１化合物半導体層、第４化合物半導体層、第３化合物半導体層、第５化合物半導体層、及び、第２化合物半導体層（第２Ａ化合物半導体層及び第２Ｂ化合物半導体層）から構成されており、ｐｎ接合界面は、第１化合物半導体層の側面／第４化合物半導体層、第４化合物半導体層／第３化合物半導体層、及び、第３化合物半導体層／第５化合物半導体層の３つである。
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例５における第１化合物半導体層の構造（図７の（Ａ）参照）と実施例６における第２化合物半導体層の構造（図８の（Ａ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例５における第２化合物半導体層の構造（図７の（Ａ）参照）と実施例６における第１化合物半導体層の構造（図８の（Ａ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例７における第１化合物半導体層の構造（図９の（Ａ）参照）と実施例８における第２化合物半導体層の構造（図１０の（Ａ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例７における第２化合物半導体層の構造（図９の（Ａ）参照）と実施例８における第１化合物半導体層の構造（図１０の（Ａ）参照）とを組み合わせてもよい。また、実施例９における第１化合物半導体層の構造（図７の（Ｂ）参照）と実施例１０における第２化合物半導体層の構造（図８の（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例９における第２化合物半導体層の構造（図７の（Ｂ）参照）と実施例１０における第１化合物半導体層の構造（図８の（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例１１における第１化合物半導体層の構造（図９の（Ｂ）参照）と実施例１２における第２化合物半導体層の構造（図１０の（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例１１における第２化合物半導体層の構造（図９の（Ｂ）参照）と実施例１２における第１化合物半導体層の構造（図１０の（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよい。
また、実施例１４における第１化合物半導体層の構造（図２１の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例１５における第２化合物半導体層の構造（図２２の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例１４における第２化合物半導体層の構造（図２１の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例１５における第１化合物半導体層の構造（図２２の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例１６における第１化合物半導体層の構造（図２３の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例１７における第２化合物半導体層の構造（図２４の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例１６における第２化合物半導体層の構造（図２３の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例１７における第１化合物半導体層の構造（図２４の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよい。また、実施例１８における第１化合物半導体層の構造（図２５の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例１９における第２化合物半導体層の構造（図２６の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例１８における第２化合物半導体層の構造（図２５の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例１９における第１化合物半導体層の構造（図２６の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例２０における第１化合物半導体層の構造（図２７の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例２１における第２化合物半導体層の構造（図２８の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよいし、実施例２０における第２化合物半導体層の構造（図２７の（Ａ）及び（Ｂ）参照）と実施例２１における第１化合物半導体層の構造（図２８の（Ａ）及び（Ｂ）参照）とを組み合わせてもよい。
更には、実施例５〜実施例１２、実施例１４〜実施例２１において説明した半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層４０は、第２導電型を有する第５化合物半導体層から更に構成されており、
第４化合物半導体層４４及び第５化合物半導体層によって第３化合物半導体層４３が挟まれた構造を有し、
第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第５化合物半導体層を第２導電型とするための第５化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。
実施例５、実施例６、実施例９、実施例１０にあっては、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４の積層状態にも依るが、電流ブロック層位置調整層３０を第５化合物半導体層と見做すこともできるし、埋込層３１を第５化合物半導体層と見做すこともできる。実施例７、実施例８、実施例１１、実施例１２においても同様である。
また、実施例１４、実施例１５、実施例１８、実施例１９にあっては、第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４の積層状態にも依るが、電流ブロック層位置調整層３０を第５化合物半導体層と見做すこともできるし、第１埋込層３１Ａを第５化合物半導体層と見做すこともできる。実施例１６、実施例１７、実施例２０、実施例２１においても同様である。
あるいは又、実施例５〜実施例１２、実施例１４〜実施例２１において説明した半導体発光素子にあっては、
電流ブロック層４０は、第１導電型を有する第６化合物半導体層から更に構成されており、
第３化合物半導体層４３及び第６化合物半導体層によって第４化合物半導体層４４が挟まれた構造を有し、
第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトが、第６化合物半導体層を第１導電型とするための第６化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る構成とすることができる。
実施例５、実施例６、実施例９、実施例１０にあっては、電流ブロック層４０を、第３化合物半導体層４３（ｎ型）／第４化合物半導体層４４（ｐ型）／第６化合物半導体層（ｎ型）の順で積層された３層構成とすることができるし、あるいは又、第６化合物半導体層（ｎ型）／第４化合物半導体層４４（ｐ型）／第３化合物半導体層４３（ｎ型）の順で積層された３層構成とすることができる。また、実施例７、実施例８、実施例１１、実施例１２にあっても、電流ブロック層４０を、第３化合物半導体層４３（ｐ型）／第４化合物半導体層４４（ｎ型）／第６化合物半導体層（ｐ型）の順で積層された３層構成とすることができるし、あるいは又、第６化合物半導体層（ｐ型）／第４化合物半導体層４４（ｎ型）／第３化合物半導体層４３（ｐ型）の順で積層された３層構成とすることができる。
実施例５、実施例７、実施例９、実施例１１においては、第２化合物半導体層を活性層側から、第２化合物半導体層２２Ａと第２化合物半導体層２２Ｂの２層構成とし、実施例６、実施例８、実施例１０、実施例１２においては、第２化合物半導体層を活性層側から、第２Ａ化合物半導体層と第２Ｂ化合物半導体層の２層構成としている。前者の場合には、バンドギャップ（又は屈折率）の変化で２層構成の第２化合物半導体層を定義している。一方、後者の場合には、不純物の置換サイトの変化で２層構成の第２化合物半導体層を定義している。従って、各実施例において説明した第２化合物半導体層の積層構造において、特に、第２Ａ化合物半導体層と第２Ｂ化合物半導体層の２層構成の場合、第２Ａ化合物半導体層を第２化合物半導体層２２Ａと見做し、第２Ｂ化合物半導体層を第２化合物半導体層２２Ｂと見做すことができるし、あるいは又、例えば、第２Ａ化合物半導体層が第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂの積層構造から構成されている場合もある得るし、第２Ｂ化合物半導体層が第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂの積層構造から構成されている場合もある得る。
実施例１４、実施例１５、実施例１８、実施例１９にあっては、電流ブロック層４０を、第３化合物半導体層４３（ｎ型）／第４化合物半導体層４４（ｐ型）／第６化合物半導体層（ｎ型）の順で積層された３層構成とすることができるし、あるいは又、第６化合物半導体層（ｎ型）／第４化合物半導体層４４（ｐ型）／第３化合物半導体層４３（ｎ型）の順で積層された３層構成とすることができる。また、実施例１６、実施例１７、実施例２０、実施例２１にあっても、電流ブロック層４０を、第３化合物半導体層４３（ｐ型）／第４化合物半導体層４４（ｎ型）／第６化合物半導体層（ｐ型）の順で積層された３層構成とすることができるし、あるいは又、第６化合物半導体層（ｐ型）／第４化合物半導体層４４（ｎ型）／第３化合物半導体層４３（ｐ型）の順で積層された３層構成とすることができる。
実施例１４、実施例１６、実施例１８、実施例２０においては、第２化合物半導体層を活性層側から、第２化合物半導体層２２Ａと第２化合物半導体層２２Ｂの２層構成とし、実施例１５、実施例１７、実施例１９、実施例２１においては、第２化合物半導体層を活性層側から、第２Ａ化合物半導体層と第２Ｂ化合物半導体層の２層構成としている。前者の場合には、バンドギャップ（又は屈折率）の変化で２層構成の第２化合物半導体層を定義している。一方、後者の場合には、不純物の置換サイトの変化で２層構成の第２化合物半導体層を定義している。従って、各実施例において説明した第２化合物半導体層の積層構造において、特に、第２Ａ化合物半導体層と第２Ｂ化合物半導体層の２層構成の場合、第２Ａ化合物半導体層を第２化合物半導体層２２Ａと見做し、第２Ｂ化合物半導体層を第２化合物半導体層２２Ｂと見做すことができるし、あるいは又、例えば、第２Ａ化合物半導体層が第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂの積層構造から構成されている場合もある得るし、第２Ｂ化合物半導体層が第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂの積層構造から構成されている場合もある得る。
図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１の半導体発光素子の模式的な一部断面図、及び、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層の一部を拡大した模式的な一部断面図である。 図２は、基板及び下地層の模式的な一部断面図である。 図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の半導体発光素子及びその製造方法、並びに、下地層の形成方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。 図４は、図３の（Ｂ）に引き続き、実施例１の半導体発光素子及びその製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。 図５は、図４に引き続き、実施例１の半導体発光素子及びその製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。 図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例３の半導体発光素子の模式的な一部断面図、及び、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層の一部を拡大した模式的な一部断面図である。 図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例５及び実施例９の半導体発光素子の概念図である。 図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例６及び実施例１０の半導体発光素子の概念図である。 図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例７及び実施例１１の半導体発光素子の概念図である。 図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例８及び実施例１２の半導体発光素子の概念図である。 図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の概念図である。 図１２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の変形例の概念図である。 図１３の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の別の変形例の概念図である。 図１４の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１５の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１６の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１７の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１８の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図１９の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２０の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図２１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１４の半導体発光素子の概念図である。 図２２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１５の半導体発光素子の概念図である。 図２３の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１６の半導体発光素子の概念図である。 図２４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１７の半導体発光素子の概念図である。 図２５の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１８の半導体発光素子の概念図である。 図２６の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１９の半導体発光素子の概念図である。 図２７の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２０の半導体発光素子の概念図である。 図２８の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２１の半導体発光素子の概念図である。 図２９の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の変形例の概念図である。 図３０の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の別の変形例の概念図である。 図３１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図３２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図３３の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図３４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図３５の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図３６の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図３７の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図３８の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図３９の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図４０の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図４１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図４２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図４３の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図４４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図４５の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図４６の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図４７の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図４８の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。 図４９は、実施例１４の半導体発光素子の両端部における半導体発光素子の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の中央部）である。 図５０は、実施例１４の半導体発光素子の両端部における半導体発光素子の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の両端部）である。 図５１の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例こ１の半導体発光素子の拡大された模式的な一部断面図である。 図５２は、実施例１４の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の両端部）である。 図５３は、実施例１４の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の両端部）である。 図５４は、実施例１４の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の両端部）である。 図５５は、実施例１６の半導体発光素子の中央部における半導体発光素子の模式的な一部断面図である。 図５６は、実施例１６の半導体発光素子の両端部における半導体発光素子の模式的な一部断面図である。 図５７の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例１６の半導体発光素子の拡大された模式的な一部断面図である。 図５８の（Ａ）及び（Ｂ）は、従来の半導体発光素子における問題点を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。 図５９の（Ａ）及び（Ｂ）は、従来の半導体発光素子における別の問題点を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。 図６０の（Ａ）は、従来の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図であり、図６０の（Ｂ）は、フレア・ストライプ構造を有する半導体発光素子を製造するための凸部あるいは下地層の模式的な平面図である。 図６１は、図６０の（Ａ）に引き続き、フレア・ストライプ構造を有する半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の中央部に相当する）である。 図６１は、図６０の（Ａ）に引き続き、フレア・ストライプ構造を有する半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の両端部に相当する）である。 図６３は、図６１に引き続き、フレア・ストライプ構造を有する半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の中央部に相当する）である。 図６４は、図６２に引き続き、フレア・ストライプ構造を有する半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の両端部に相当する）である。
符号の説明
１０・・・基板、１１，１１１・・・下地層、１２・・・バッファ層、２０・・・発光部、２１・・・第１化合物半導体層、２２Ａ，２２Ｂ・・・第２化合物半導体層、２３・・・活性層、３０・・・電流ブロック層位置調整層、３１・・・埋込層、３１Ａ・・・第１埋込層、３１Ｂ・・・第２埋込層、３２・・・コンタクト層（キャップ層）、４０・・・電流ブロック層、４０’・・・堆積層痕、４０”・・・堆積層、４３・・・第３化合物半導体層、４４・・・第４化合物半導体層、５１・・・第１電極、５２・・・第２電極

Claims (20)

  1. （Ａ）｛１００｝面を主面として有する基板の該主面上に形成された下地層、
    （Ｂ）下地層の頂面上に、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る発光部、並びに、
    （Ｃ）下地層が形成されていない基板の主面の部分の上方に形成され、発光部を構成する活性層の露出した側面を少なくとも覆う電流ブロック層、
    を具備した半導体発光素子であって、
    下地層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、基板の主面上にエピタキシャル成長法にて形成されており、基板の＜１１０＞方向と平行に延び、基板の該＜１１０＞方向に垂直な仮想平面で切断したときの断面形状が台形であり、該台形の２つの斜辺に相当する斜面が｛１１１｝Ｂ面であり、台形の上辺に相当する頂面が｛１００｝面であることを特徴とする半導体発光素子。
  2. 下地層を構成する材料のエネルギーバンドギャップは、基板を構成する材料のエネルギーバンドギャップよりも高いことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
  3. 下地層を構成する材料のエネルギーバンドギャップは、第１化合物半導体層を構成する材料のエネルギーバンドギャップよりも高いことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
  4. 下地層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、その構成要素として、少なくとも、ヒ素、アンチモン、ビスマスの内の１つ、及び、アルミニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
  5. 下地層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、その構成要素として、少なくともリンを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
  6. （ａ）｛１００｝面を主面として有する基板の該主面上に＜１１０＞方向に延びる複数のマスク層を形成し、マスク層とマスク層との間に基板の主面の一部分を露出させた後、
    （ｂ）露出した基板の主面の一部分の上に、基板の該＜１１０＞方向に垂直な仮想平面で切断したときの断面形状が台形であって、該台形の２つの斜辺に相当する斜面が｛１１１｝Ｂ面であり、台形の上辺に相当する頂面が｛１００｝面であり、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層をエピタキシャル成長させ、次いで、マスク層を除去した後、
    （ｃ）下地層の頂面上に、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る発光部を形成し、併せて、下地層が形成されていない露出した基板の主面上に、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体を形成し、その後、
    （ｄ）該積層構造体上に、発光部を構成する活性層の露出した側面を少なくとも覆う電流ブロック層を形成する、
    工程を具備することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
  7. 基板を構成する材料のエネルギーバンドギャップよりも高いエネルギーバンドギャップを有する材料から構成された下地層を用いることを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子の製造方法。
  8. 第１化合物半導体層を構成する材料のエネルギーバンドギャップよりも高いエネルギーバンドギャップを有する材料から構成された下地層を用いることを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子の製造方法。
  9. 下地層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、その構成要素として、少なくとも、ヒ素、アンチモン、ビスマスの内の１つ、及び、アルミニウムを含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子の製造方法。
  10. 下地層を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、その構成要素として、少なくともリンを含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子の製造方法。
  11. （ａ）基板の主面上に複数のマスク層を形成し、マスク層とマスク層との間に基板の主面の一部分を露出させた後、
    （ｂ）露出した基板の主面の一部分の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層をエピタキシャル成長させ、次いで、マスク層を除去する、
    工程を具備する下地層の形成方法であって、
    ｎ型導電型を有する下地層のエピタキシャル成長において使用される原料には、下地層をｎ型導電型とするために、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物が添加されていることを特徴とする下地層の形成方法。
  12. 置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物は、ケイ素及び錫から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物であり、
    置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物は、セレン、テルル及びイオウから成る群から選択された少なくとも１種類の不純物であることを特徴とする請求項１１に記載の下地層の形成方法。
  13. 基板はｎ型導電型を有することを特徴とする請求項１１に記載の下地層の形成方法。
  14. 基板はｐ型導電型を有し、
    前記工程（ａ）に引き続き、露出した基板の主面の一部分の上に、ｐ型導電型を有する基層をエピタキシャル成長させ、次いで、前記工程（ｂ）において、露出した基板の主面の一部分の上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層をエピタキシャル成長させる代わりに、基層の上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層をエピタキシャル成長させ、
    基層と下地層とによってトンネル接合を形成し、
    ｐ型導電型を有する基層のエピタキシャル成長において使用される原料には、基層をｐ型導電型とするために、少なくとも基層と下地層との界面及び界面近傍においては、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物が添加されていることを特徴とする請求項１１に記載の下地層の形成方法。
  15. 基層において、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物は、亜鉛、マグネシウム、ベリリウム及びマンガンから成る群から選択された少なくとも１種類の不純物であり、
    基層において、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物は炭素であることを特徴とする請求項１４に記載の下地層の形成方法。
  16. （ａ）基板の主面上に複数のマスク層を形成し、マスク層とマスク層との間に基板の主面の一部分を露出させた後、
    （ｂ）露出した基板の主面の一部分の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層をエピタキシャル成長させ、次いで、マスク層を除去する、
    工程を具備する下地層の形成方法であって、
    ｐ型導電型を有する下地層のエピタキシャル成長において使用される原料には、下地層をｐ型導電型とするために、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物が添加されていることを特徴とする下地層の形成方法。
  17. 置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物は、亜鉛、マグネシウム、ベリリウム及びマンガンから成る群から選択された少なくとも１種類の不純物であり、
    置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物は炭素であることを特徴とする請求項１６に記載の下地層の形成方法。
  18. 基板はｐ型導電型を有することを特徴とする請求項１６に記載の下地層の形成方法。
  19. 基板はｎ型導電型を有し、
    前記工程（ａ）に引き続き、露出した基板の主面の一部分の上に、ｎ型導電型を有する基層をエピタキシャル成長させ、次いで、前記工程（ｂ）において、露出した基板の主面の一部分の上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層をエピタキシャル成長させる代わりに、基層の上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る下地層をエピタキシャル成長させ、
    基層と下地層とによってトンネル接合を形成し、
    ｎ型導電型を有する基層のエピタキシャル成長において使用される原料には、基層をｎ型導電型とするために、少なくとも基層と下地層との界面及び界面近傍においては、不純物として、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物、及び、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物が添加されていることを特徴とする請求項１６に記載の下地層の形成方法。
  20. 基層において、置換サイトがＩＩＩ族原子が占めるサイトである不純物は、ケイ素及び錫から成る群から選択された少なくとも１種類の不純物であり、
    基層におきて、置換サイトがＶ族原子が占めるサイトである不純物は、セレン、テルル及びイオウから成る群から選択された少なくとも１種類の不純物であることを特徴とする請求項１９に記載の下地層の形成方法。
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