JP2017212321A - 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光源ユニット及びレーザ装置 - Google Patents
面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光源ユニット及びレーザ装置 Download PDFInfo
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Abstract
Description
半導体基板の上にn型不純物がドーピングされた半導体材料により形成された下部ブラッグ反射鏡と、前記下部ブラッグ反射鏡の上に形成された活性層を含む共振器領域と、前記共振器領域の上に半導体材料により形成された上部ブラッグ反射鏡と、を有し、前記活性層は、(AlxGa1−x)yIn1−yAs(0≦x≦1、0≦y≦1)により形成された量子井戸層と、(AlsGa1−s)tIn1−tAs(0≦s≦1、0≦t≦1)により形成された障壁層とを有し、前記活性層と前記下部ブラッグ反射鏡との間、又は、前記下部ブラッグ反射鏡には、(AlaGa1−a)bIn1−bP(0≦a<1、0≦b<1)により形成された不純物拡散防止層が形成されていることを特徴とする。
(面発光レーザ)
第1実施形態の面発光レーザについて説明する。図1は、第1実施形態の面発光レーザの概略断面図である。図2は、第1実施形態の面発光レーザの説明図であり、図1における破線の領域A1を拡大して示している。
次に、第1実施形態の面発光レーザの製造方法について説明する。
次に、第1実施形態の面発光レーザの効果について、図3に基づき説明する。図3は、Se濃度の深さ方向プロファイルを示す図であり、2次イオン質量分析測定法(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)による測定結果を示している。なお、図3における横軸は深さ(μm)を示し、縦軸はSe濃度(/cm3)を示している。
第2実施形態の面発光レーザについて説明する。第2実施形態の面発光レーザは、第1実施形態の面発光レーザにおける下部ブラッグ反射鏡の一部に、P系材料である不純物拡散防止層が形成されている点で、第1実施形態と異なる。以下、第1実施形態と異なる点を中心に説明する。
第3実施形態の面発光レーザについて説明する。第3実施形態の面発光レーザは、第2実施形態の面発光レーザにおける下部スペーサ層が、Pを含まない材料により形成されている点で、第2実施形態と異なる。以下、第2実施形態と異なる点を中心に説明する。
第4実施形態では、第1実施形態から第3実施形態の面発光レーザのいずれかを有するレーザ装置について説明する。図9は、第4実施形態のレーザ装置の概略構成図である。
第5実施形態では、第1実施形態から第3実施形態の面発光レーザのいずれかを有する点火装置について説明する。図10は、第5実施形態の点火装置の概略構成図である。図11は、図10の点火装置におけるレーザ共振器を説明するための図である。
102 下部ブラッグ反射鏡
103 下部スペーサ層
104 活性層
105 上部スペーサ層
106 電流狭窄層
106a 選択酸化領域
106b 電流狭窄領域
107 上部ブラッグ反射鏡
108 コンタクト層
109 保護膜
110 上部電極
111 下部電極
201 半導体基板
202 下部ブラッグ反射鏡
203 下部スペーサ層
204 活性層
205 上部スペーサ層
206 電流狭窄層
206a 選択酸化領域
206b 電流狭窄領域
207 上部ブラッグ反射鏡
208 コンタクト層
209 保護膜
210 上部電極
211 下部電極
301 半導体基板
302 下部ブラッグ反射鏡
303 下部スペーサ層
304 活性層
305 上部スペーサ層
306 電流狭窄層
306a 選択酸化領域
306b 電流狭窄領域
307 上部ブラッグ反射鏡
308 コンタクト層
309 保護膜
310 上部電極
311 下部電極
410 光源ユニット
411 面発光レーザ
412 面発光レーザアレイ
413 マイクロレンズアレイ
420 集光レンズ
430 光ファイバ
Claims (7)
- 半導体基板の上にn型不純物がドーピングされた半導体材料により形成された下部ブラッグ反射鏡と、
前記下部ブラッグ反射鏡の上に形成された活性層を含む共振器領域と、
前記共振器領域の上に半導体材料により形成された上部ブラッグ反射鏡と、
を有し、
前記活性層は、(AlxGa1−x)yIn1−yAs(0≦x≦1、0≦y≦1)により形成された量子井戸層と、(AlsGa1−s)tIn1−tAs(0≦s≦1、0≦t≦1)により形成された障壁層とを有し、
前記活性層と前記下部ブラッグ反射鏡との間、又は、前記下部ブラッグ反射鏡には、(AlaGa1−a)bIn1−bP(0≦a<1、0≦b<1)により形成された不純物拡散防止層が形成されていることを特徴とする面発光レーザ。 - 前記不純物拡散防止層は、前記下部ブラッグ反射鏡に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記n型不純物は、セレンであることを特徴とする請求項1又は2に記載の面発光レーザ。
- 前記半導体基板は、GaAs基板であり、
前記GaAs基板の面方位は、(100)面から(011)面方向に15°傾斜した面であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の面発光レーザ。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の面発光レーザが2次元的に複数配列されていることを特徴とする面発光レーザアレイ。
- 請求項5に記載の面発光レーザアレイと、
前記面発光レーザアレイより射出される光を平行光とするマイクロレンズアレイと、
を有することを特徴とする光源ユニット。 - 請求項6に記載の光源ユニットと、
前記光源ユニットより射出される光を集光する集光レンズと、
前記集光レンズにより集光された光を伝送する光ファイバと、
を有することを特徴とするレーザ装置。
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