JP2015153862A - 面発光レーザアレイ及びレーザ装置 - Google Patents
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Description
[レーザ装置、面発光レーザアレイの構造]
まず、レーザ装置について説明する。図1は、第1の実施の形態に係るレーザ装置の概略構成を例示する図である。図1を参照するに、第1の実施の形態に係るレーザ装置1は、主要な構成要素として、面発光レーザアレイ10、マイクロレンズアレイ20、集光レンズ30、ファイバ40等を有し、これらの構成要素が筐体内に封止された装置である。レーザ装置1には駆動用の電極50が配置されており、ケーブル80を介して外部の駆動電源90を電極50に接続し通電を行う。
次に、面発光レーザアレイ10の製造方法について説明する。図4〜図6は、第1の実施の形態に係る面発光レーザアレイの製造工程を例示する図である。なお、図4〜図6において、図5(b)及び図6(b)は図3(a)に対応する断面を示しており、その他の図は図3(b)に対応する断面を示している。
第1の実施の形態の変形例では、素子部の分割数等が第1の実施の形態とは異なる面発光レーザアレイの例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
10、10A 面発光レーザアレイ
20 マイクロレンズアレイ
30 集光レンズ
40 ファイバ
50 電極
80 ケーブル
90 駆動電源
100 素子部
100x 溝
101、102、103、104 領域
200 面発光レーザ素子
201 下部コンタクト層
202 下部半導体DBR
203 下部スペーサ層
204 活性層
205 上部スペーサ層
206 上部半導体DBR
207 選択酸化層
207a 酸化領域
207b 非酸化領域
208 上部コンタクト層
209 絶縁層
210 上部電極
211 発光領域
220 メサ
220a メサ周囲の底面
300 サブマウント
310 基体
321、322、323、324、325 電極
400 充填材料
501、502、503、504 導電材
601、602、603、604 ボンディングワイヤ
900 搬送用基板
Claims (10)
- 順次積層された下部反射鏡、活性層、及び上部反射鏡を含む積層体を備えた面発光レーザ素子が複数個形成された面発光レーザアレイであって、
複数の面発光レーザ素子を備えた素子部と、
前記積層体を厚さ方向に完全に分離するように設けられ、前記素子部を複数の領域に分割する溝と、
前記溝を充填する充填材料と、を有し、
夫々の前記領域は前記面発光レーザ素子を備え、異なる前記領域に設けられた前記面発光レーザ素子同士は直列接続されていることを特徴とする面発光レーザアレイ。 - 基体と、
前記基体上に形成され、互いに電気的に独立した複数の電極と、を有し、
夫々の前記領域は、別々の電極上に実装されていることを特徴とする請求項1記載の面発光レーザアレイ。 - 前記充填材料は、前記電極間に露出する前記基体と平面視で重複する位置に設けられていることを特徴とする請求項2記載の面発光レーザアレイ。
- 前記充填材料は、前記積層体側から前記基体側に突出した突出部を備え、前記突出部と前記基体との間には間隙が設けられていることを特徴とする請求項3記載の面発光レーザアレイ。
- 前記突出部の幅は、前記電極間に露出する前記基体の幅よりも狭いことを特徴とする請求項4記載の面発光レーザアレイ。
- 前記充填材料はめっきであることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項記載の面発光レーザアレイ。
- 前記充填材料はポリイミドであることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項記載の面発光レーザアレイ。
- 夫々の前記領域は、並列接続された複数の前記面発光レーザ素子を備えていることを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項記載の面発光レーザアレイ。
- 異なる前記領域に設けられた前記面発光レーザ素子同士が直列接続されている直列接続アレイを複数個有し、
前記直列接続アレイ同士が並列接続されていることを特徴とする請求項1乃至8の何れか一項記載の面発光レーザアレイ。 - 請求項1乃至9の何れか一項記載の面発光レーザアレイと、
前記面発光レーザアレイより射出されるレーザ光をコリメートするマイクロレンズアレイと、
前記マイクロレンズアレイによりコリメートされた前記レーザ光を集光する集光レンズと、
集光された前記レーザ光を伝送して外部に取り出すファイバと、を備えていることを特徴とするレーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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