JPS5895889A - 半導体発光素子アレイ - Google Patents
半導体発光素子アレイInfo
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- JPS5895889A JPS5895889A JP56196161A JP19616181A JPS5895889A JP S5895889 A JPS5895889 A JP S5895889A JP 56196161 A JP56196161 A JP 56196161A JP 19616181 A JP19616181 A JP 19616181A JP S5895889 A JPS5895889 A JP S5895889A
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- 239000011104 metalized film Substances 0.000 claims abstract description 40
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 8
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
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- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は発光ダイオード、レーザダイオードなどの半
導体発光素子の複数個を直列に接続した半導体発光素子
アレイに関するものである０以下、発光ダイオード（以
下ｒ ＬＫＤＪと呼ぶ）の複数個を直列に接続したＬＥ
Ｄアレイを例にとり、その従来例の製造手順を第１図に
示すことによって、この従来例の構成を説明することに
する。
導体発光素子の複数個を直列に接続した半導体発光素子
アレイに関するものである０以下、発光ダイオード（以
下ｒ ＬＫＤＪと呼ぶ）の複数個を直列に接続したＬＥ
Ｄアレイを例にとり、その従来例の製造手順を第１図に
示すことによって、この従来例の構成を説明することに
する。
纂１図（Ａ）〜（０）はこの従来例の製造各段階の状態
を示す斜視図である０ まず、第１図（Ａ）に示すように、絶縁基板（１１の主
面上に金属化膜（２）管形成し、次に、長方形状のＬＥ
Ｄの４個を一列に並べて整列させた形状を有し一方の主
面部にｐ形半導体層が形成され他方の主面部にｎ形半導
体層が形成され長手側の端面全発光面とするＬ１１ｎＤ
結晶体（３）のｎ形半導体層をその発光面が絶縁基板（
１）の一方の端面に沿うように金属化膜（２）の表面上
の端縁中央部にろう付けする。次ＫＳ第１図（Ｂ） Ｋ
示すように、ＬＦｉＤ結晶体（３）の一方の短辺側の端
面に接してこの端面に沿う方向に金属化膜（２１を切断
分−する分離溝（４）を形成して金属化膜（２）のＬＥ
Ｄ結晶体（３）がろう付けされていない部分をこの従来
例のＬＥＤアレイの陽極端子になる金属化膜（６）とす
る。次いで、分離溝（４）と平行にＬＥＤ結晶体（３）
および金属化膜（２）管切断分離する分離溝（６ａ）、
（６ｂ）および（６ｃ）を形成して、ＬＫＤ結晶体１
３１ ｆ ４個のＬ Ｅ Ｄ （７ａ）、 （７１））
、 （７１０）および（７ｄ）に分割するとともに、金
属化膜ｉ２１．ｉ Ｌ Ｅ Ｄ （７ａ）、 （７ｂ）
、 （７ｃ）および（７ｄ）のそれぞれのｎ形半導体層
にろう付けされた金属化膜（８ａ）＋ （８ｂ ）＋
（８ｃ ）および（８ｄ）に分割する。この金属化膜（
８ｄ）はこの従来例のＬＢＤアレイの陰極端子になる。
を示す斜視図である０ まず、第１図（Ａ）に示すように、絶縁基板（１１の主
面上に金属化膜（２）管形成し、次に、長方形状のＬＥ
Ｄの４個を一列に並べて整列させた形状を有し一方の主
面部にｐ形半導体層が形成され他方の主面部にｎ形半導
体層が形成され長手側の端面全発光面とするＬ１１ｎＤ
結晶体（３）のｎ形半導体層をその発光面が絶縁基板（
１）の一方の端面に沿うように金属化膜（２）の表面上
の端縁中央部にろう付けする。次ＫＳ第１図（Ｂ） Ｋ
示すように、ＬＦｉＤ結晶体（３）の一方の短辺側の端
面に接してこの端面に沿う方向に金属化膜（２１を切断
分−する分離溝（４）を形成して金属化膜（２）のＬＥ
Ｄ結晶体（３）がろう付けされていない部分をこの従来
例のＬＥＤアレイの陽極端子になる金属化膜（６）とす
る。次いで、分離溝（４）と平行にＬＥＤ結晶体（３）
および金属化膜（２）管切断分離する分離溝（６ａ）、
（６ｂ）および（６ｃ）を形成して、ＬＫＤ結晶体１
３１ ｆ ４個のＬ Ｅ Ｄ （７ａ）、 （７１））
、 （７１０）および（７ｄ）に分割するとともに、金
属化膜ｉ２１．ｉ Ｌ Ｅ Ｄ （７ａ）、 （７ｂ）
、 （７ｃ）および（７ｄ）のそれぞれのｎ形半導体層
にろう付けされた金属化膜（８ａ）＋ （８ｂ ）＋
（８ｃ ）および（８ｄ）に分割する。この金属化膜（
８ｄ）はこの従来例のＬＢＤアレイの陰極端子になる。
しかるのち、金属化膜（６）とＬｌｌｉＤ（７ａ）のｐ
形半導体層との間、金Ｗｈ化ｈＣ８ａ）とＬＥＤ （’
７ｂ）のｐ形半導体層との間、金属化膜（８ｂ）とＬＢ
Ｄ（ツＣ）のｐ形半導体層との間、および金属化膜（８
Ｃ）とＬＫｐ（７ａ）のｐ形半導体層との間をそれぞれ
リード＠（９ａ）、 （９ｂ）、 （９０）および（９
ｄ）で接続すると、この従来例のＬＥＤアレイが得られ
る。
形半導体層との間、金Ｗｈ化ｈＣ８ａ）とＬＥＤ （’
７ｂ）のｐ形半導体層との間、金属化膜（８ｂ）とＬＢ
Ｄ（ツＣ）のｐ形半導体層との間、および金属化膜（８
Ｃ）とＬＫｐ（７ａ）のｐ形半導体層との間をそれぞれ
リード＠（９ａ）、 （９ｂ）、 （９０）および（９
ｄ）で接続すると、この従来例のＬＥＤアレイが得られ
る。
ところで、この従来例のＬＥＤアレイでは、金属化膜（
６）とＬＥＤ （７ａ）との間、金属化膜（８ａ）とＩ
Ｄ（）ｂ）との間、金属化膜（８ｂ）とｌｌＣＤ （７
Ｃ）との間および金属化膜（８Ｃ）とＬｉｎ（７ａ）と
の間をリード線（９ａ）＋（９ｂ）。
６）とＬＥＤ （７ａ）との間、金属化膜（８ａ）とＩ
Ｄ（）ｂ）との間、金属化膜（８ｂ）とｌｌＣＤ （７
Ｃ）との間および金属化膜（８Ｃ）とＬｉｎ（７ａ）と
の間をリード線（９ａ）＋（９ｂ）。
（９Ｃ）および（９ｄ）でそれぞれ接続する際の接続作
業上、これらのリードｉ （９ａ）、 （９ｂ）、 （
９０）および（９ｄ）の長さをそれぞれ分離＃（４）、
（６ａ）、（６ｂ）および（６Ｃ）の溝幅より長くする
必要かあるので、リード線（９ａ）、 （９ｂ）、 （
９０）および（９ｄ）のインピーダンス、特にインダク
タンスが大きくなり、陽極端子である金属化膜（６）と
陰極端子である金属化膜（８ｄ）との間の内部インピー
ダンスが大きくなる。従って、これらの金属化膜（６）
および（８ｄ）間に電圧パルスを印加してＬＦｉＤ （
７ａ）、 （’７１＋）、 （７ｃ）および（７ｄ）を
駆動した場合に、これらのＬＥＤ （７ａ）、（７ｂ）
、 （７０）および（７ｄ）に充分な駆動電流を流すこ
とができにくいという問題があった。
業上、これらのリードｉ （９ａ）、 （９ｂ）、 （
９０）および（９ｄ）の長さをそれぞれ分離＃（４）、
（６ａ）、（６ｂ）および（６Ｃ）の溝幅より長くする
必要かあるので、リード線（９ａ）、 （９ｂ）、 （
９０）および（９ｄ）のインピーダンス、特にインダク
タンスが大きくなり、陽極端子である金属化膜（６）と
陰極端子である金属化膜（８ｄ）との間の内部インピー
ダンスが大きくなる。従って、これらの金属化膜（６）
および（８ｄ）間に電圧パルスを印加してＬＦｉＤ （
７ａ）、 （’７１＋）、 （７ｃ）および（７ｄ）を
駆動した場合に、これらのＬＥＤ （７ａ）、（７ｂ）
、 （７０）および（７ｄ）に充分な駆動電流を流すこ
とができにくいという問題があった。
この発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、長
さの長いリード線を用いることなく、複数個の半導体発
光素子を直列に接続できる構造にすることによって、内
部インピーダンスが小さくなるようにして、電圧パルス
によって充分な駆動電流を流し得る半導体発光素子アレ
イを提供することを目的とする。
さの長いリード線を用いることなく、複数個の半導体発
光素子を直列に接続できる構造にすることによって、内
部インピーダンスが小さくなるようにして、電圧パルス
によって充分な駆動電流を流し得る半導体発光素子アレ
イを提供することを目的とする。
１１ｇ２図はこの発明の一実施例のＬＥＤアレイを示す
斜視図である。
斜視図である。
図において、嬶）は絶縁基板、（２２ａ）および（２２
ｂ）は絶縁基板シυの表面上に設けられ分離溝内によっ
て切断分離された金属化膜、（Ｚ４ａ）および（２４ｂ
）は一方の主面部にｐ形半導体層が形成され他方の主面
部にｎ形半導体層が形成された３個のＩ、ＦＤ（財）を
順次ろう付けして直列に積重ねたＬＥＤスタックで、こ
れらのＬＥＤスタック（ｚ４ａ）および（２４ｂ） ｎ
分離溝１２３１をはさんで並ぶようにＬＥＤスタック（
２４ａ）のｐ形半導体層側の主面およびＬＦｉＤスタッ
ク（２４ｂ）のｎ形半導体層側の主面がそれぞれ金属化
膜（２２ａ ）および（２２ｂ）の表面上の一方の端縁
部にろう付けされている。−はＴ、ＫＤスタック（２４
ａ）のｎ形半導体層側の主面とＬｍｆ）スタック（２４
ｂ）のｐ形半導体層側の主面とに共通にろう付けされた
板状の導電体である。なお、金属化膜（ｚ２ａ）Ｖｉこ
の実施例のＬＥＤアレイの陽極端子であり、金属化膜（
２２ｂ） Ｉｆｉこの実施例のＬＥＤアレイの陰極端子
であ妬この実施例のＬＥＤアレイでは、ＬＥＤスタック
（２４ａ）および（２４ｂ）間を接続する板状の導電体
熱の接続部分の長さを分離溝（ハ）の溝幅とほぼ同一に
することかで色るので、この接続部分のインピーダンス
が極めて小さくなる。従って、陽極端子である金属化１
［（２２ａ）と陰極端子である金属化膜（２２ｂ）との
間の内部インピーダンスが極めて小さくなり、これらの
金属化膜（２２ａ ）および（２２ｂ）間に電圧パルス
を印加して６個のＬＥＤ（ロ）を駆動した場合に、これ
らの６個のＬＢＤ陵に充分な駆動電流を流すことができ
る。
ｂ）は絶縁基板シυの表面上に設けられ分離溝内によっ
て切断分離された金属化膜、（Ｚ４ａ）および（２４ｂ
）は一方の主面部にｐ形半導体層が形成され他方の主面
部にｎ形半導体層が形成された３個のＩ、ＦＤ（財）を
順次ろう付けして直列に積重ねたＬＥＤスタックで、こ
れらのＬＥＤスタック（ｚ４ａ）および（２４ｂ） ｎ
分離溝１２３１をはさんで並ぶようにＬＥＤスタック（
２４ａ）のｐ形半導体層側の主面およびＬＦｉＤスタッ
ク（２４ｂ）のｎ形半導体層側の主面がそれぞれ金属化
膜（２２ａ ）および（２２ｂ）の表面上の一方の端縁
部にろう付けされている。−はＴ、ＫＤスタック（２４
ａ）のｎ形半導体層側の主面とＬｍｆ）スタック（２４
ｂ）のｐ形半導体層側の主面とに共通にろう付けされた
板状の導電体である。なお、金属化膜（ｚ２ａ）Ｖｉこ
の実施例のＬＥＤアレイの陽極端子であり、金属化膜（
２２ｂ） Ｉｆｉこの実施例のＬＥＤアレイの陰極端子
であ妬この実施例のＬＥＤアレイでは、ＬＥＤスタック
（２４ａ）および（２４ｂ）間を接続する板状の導電体
熱の接続部分の長さを分離溝（ハ）の溝幅とほぼ同一に
することかで色るので、この接続部分のインピーダンス
が極めて小さくなる。従って、陽極端子である金属化１
［（２２ａ）と陰極端子である金属化膜（２２ｂ）との
間の内部インピーダンスが極めて小さくなり、これらの
金属化膜（２２ａ ）および（２２ｂ）間に電圧パルス
を印加して６個のＬＥＤ（ロ）を駆動した場合に、これ
らの６個のＬＢＤ陵に充分な駆動電流を流すことができ
る。
第３図はこの発明の他の実施例のｉＤプレイを示す正面
図である。
図である。
図において、第２図に示した実施例の符号と同一符号は
同等部分を示す。（２υは絶縁基板、（２２ａ ）＋（
２２ｂ）および（２２０）は絶縁基板＠ｌ）の表面上に
設けられ分離溝（２３ａ）および（２３ｂ）によって切
断分離された金属化膜、（２５ａ）、 （２５１））、
（２５０）および（２５ｄ）は第２図に示したＬＥＤ
（ハ）と同様のＬＩＣＤで、ＬＥＤ（２５ａ ）および
（２５ｂ）は分離溝（２５ａ）をはさんで並ぶようＫＬ
ＦｊＤ（２５ａ）のｐ形半導体層およびＬＥＤ（２５に
＋）のｎ形半導体層がそれぞれ金属化＠ （２２ａ）お
よび（２２ｂ）の表面上の一方の端縁部にろう付けされ
ている。これと同様Ｋ 、 Ｌ ＥＤ （２５ｃ）およ
び（２５ｄ）は分離溝（２３１：＋）をはさんでＬＩＣ
Ｄ（２５ａ）および（２５ｂ）と−列に整列するように
ＬＥＤ（２５ａ）のｐ形半導体層およびＬ Ｂ Ｄ （
２５（１）のｎ形半導体層がそれぞれ金属化膜（２２ｂ
）および（２２ｃ ）の表面上の端縁ｓＶｃろう付けさ
れている。（２６ａ）および（２６ｂ）は板状の絶縁体
シηの表面上に設けられた金属化膜で、金属化膜（２６
ａ ）はＬ Ｆｉ Ｄ （２５ａ）のｎ形半導体層とＬ
ｙ：ｐ（２ａｂ）のｐ形半導体層とに共通にろう付けさ
れている。これと同様に、金属化膜（２６ｂ）はＩＪＩ
Ｉ（２５ａ）のｎ形半導体層とＩ、 Ｂ Ｄ （２５（
１）のｐ形半導体層とに共通にろう付けされている。（
ハ）は金属化膜（２６ａ）および（２６１））の相互間
を切断分離する分離溝である。なお、金属化膜（２２ａ
）はこの実施例のＬＥＤＩＤアレイ極端子であり、金属
化膜（２２ｃ）はこの実施例のＬＥＤＩＤアレイ極端子
である。
同等部分を示す。（２υは絶縁基板、（２２ａ ）＋（
２２ｂ）および（２２０）は絶縁基板＠ｌ）の表面上に
設けられ分離溝（２３ａ）および（２３ｂ）によって切
断分離された金属化膜、（２５ａ）、 （２５１））、
（２５０）および（２５ｄ）は第２図に示したＬＥＤ
（ハ）と同様のＬＩＣＤで、ＬＥＤ（２５ａ ）および
（２５ｂ）は分離溝（２５ａ）をはさんで並ぶようＫＬ
ＦｊＤ（２５ａ）のｐ形半導体層およびＬＥＤ（２５に
＋）のｎ形半導体層がそれぞれ金属化＠ （２２ａ）お
よび（２２ｂ）の表面上の一方の端縁部にろう付けされ
ている。これと同様Ｋ 、 Ｌ ＥＤ （２５ｃ）およ
び（２５ｄ）は分離溝（２３１：＋）をはさんでＬＩＣ
Ｄ（２５ａ）および（２５ｂ）と−列に整列するように
ＬＥＤ（２５ａ）のｐ形半導体層およびＬ Ｂ Ｄ （
２５（１）のｎ形半導体層がそれぞれ金属化膜（２２ｂ
）および（２２ｃ ）の表面上の端縁ｓＶｃろう付けさ
れている。（２６ａ）および（２６ｂ）は板状の絶縁体
シηの表面上に設けられた金属化膜で、金属化膜（２６
ａ ）はＬ Ｆｉ Ｄ （２５ａ）のｎ形半導体層とＬ
ｙ：ｐ（２ａｂ）のｐ形半導体層とに共通にろう付けさ
れている。これと同様に、金属化膜（２６ｂ）はＩＪＩ
Ｉ（２５ａ）のｎ形半導体層とＩ、 Ｂ Ｄ （２５（
１）のｐ形半導体層とに共通にろう付けされている。（
ハ）は金属化膜（２６ａ）および（２６１））の相互間
を切断分離する分離溝である。なお、金属化膜（２２ａ
）はこの実施例のＬＥＤＩＤアレイ極端子であり、金属
化膜（２２ｃ）はこの実施例のＬＥＤＩＤアレイ極端子
である。
この実施例のＬＥＤＩＤアレイいても、第２図に示した
実施例と同様の効果があることは述べるまでもない。
実施例と同様の効果があることは述べるまでもない。
なお、これまで、ＬＥＤの複数個を直列に接続したＬＩ
Ｄアレイを例にとり述べたが、この発明はこれに限らず
、レーザダイオードなどのその他の半導体発光素子を直
列に接続した半導体発光素子プレイにも適用することが
できる。
Ｄアレイを例にとり述べたが、この発明はこれに限らず
、レーザダイオードなどのその他の半導体発光素子を直
列に接続した半導体発光素子プレイにも適用することが
できる。
以上、説明したように、この発明の半導体発光素子アレ
イでは、絶縁基板の表面上に分離溝によって切断分離さ
れた金属化膜を設け、これらの金属化膜にそれぞれ順電
流方向を逆にした半導体からなる発光体をろう付けし、
これらの発光体の上記金属化膜にろう付けされていない
側を導電体で接続したので、上記導電体の相隣る上記発
光体を接続する部分の長さを上記分離溝の溝幅とほぼ同
一にすることができるから、内部インピーダンスを小さ
くすることが可能となり、電圧パルスによって上記発光
体に充分な駆動電流を流すことができる。
イでは、絶縁基板の表面上に分離溝によって切断分離さ
れた金属化膜を設け、これらの金属化膜にそれぞれ順電
流方向を逆にした半導体からなる発光体をろう付けし、
これらの発光体の上記金属化膜にろう付けされていない
側を導電体で接続したので、上記導電体の相隣る上記発
光体を接続する部分の長さを上記分離溝の溝幅とほぼ同
一にすることができるから、内部インピーダンスを小さ
くすることが可能となり、電圧パルスによって上記発光
体に充分な駆動電流を流すことができる。
第１図（Ａ）〜（０）は従来のＬＥＤＩＤアレイ例の製
造各段階の状態を示す斜視図、第２図はこの発明の一実
施例のＬＩＤプレイを示す斜視図、第３図はこの発明の
他の実施例のＬＥＤＩＤプレイす正面図である。 図において、シりは絶縁基板、（２２ａ）、 （２２ｂ
）およヒ（２２０） ｕ金ｊｌ化膜、’２３ ｍ （２
３ａ） ｋ ｊ Ｏ（”’ｂ） ｎ分離溝、（２４ａ）
および（２４ｂ）はＬＥＤ、’ｃ夕７り（半導体発光素
子、ｘ、 ｐ ：／ ｐ ＞ 、□ ｔ （２５＆）ｌ
（ａａｂ）ｔ （２５０）および（２５ａ ）はＬＫ
Ｄ（発光体）、（ハ）は導電体、（２６ａ）および（２
６ｂ）は金属化膜（導電体）である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一もしくは相当部分を
示す。 代理人 葛 野 信 −（ほか−名）第１図 ２ １’１ｌＦｉＪ”、悄ト：’＋１８８９ （４）第２１
ｆ１ 第：３図
造各段階の状態を示す斜視図、第２図はこの発明の一実
施例のＬＩＤプレイを示す斜視図、第３図はこの発明の
他の実施例のＬＥＤＩＤプレイす正面図である。 図において、シりは絶縁基板、（２２ａ）、 （２２ｂ
）およヒ（２２０） ｕ金ｊｌ化膜、’２３ ｍ （２
３ａ） ｋ ｊ Ｏ（”’ｂ） ｎ分離溝、（２４ａ）
および（２４ｂ）はＬＥＤ、’ｃ夕７り（半導体発光素
子、ｘ、 ｐ ：／ ｐ ＞ 、□ ｔ （２５＆）ｌ
（ａａｂ）ｔ （２５０）および（２５ａ ）はＬＫ
Ｄ（発光体）、（ハ）は導電体、（２６ａ）および（２
６ｂ）は金属化膜（導電体）である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一もしくは相当部分を
示す。 代理人 葛 野 信 −（ほか−名）第１図 ２ １’１ｌＦｉＪ”、悄ト：’＋１８８９ （４）第２１
ｆ１ 第：３図
Claims (4)
- （１）絶縁基板と、この絶縁基板の表面上に設けられ分
＊＊によって切断分離された第１および第２の金属化膜
と、これらの第１および第２の金属化膜の表面上にそれ
ぞれ上記分離溝をはさんで並ぶように互いに＠電流方向
を逆にして一方の主面がろう付けされ半導体からなる第
１および第２の発光体と、上記１１！１および第２の発
光体のそれぞれの上記第１および第２の金属化膜とは反
対側の主面に共通にろう付けされた導電体とからなる構
成体を備えた半導体発光素子プレイ。 - （２）発光体が半導体発光素子単体であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体発光素子プレイ
〇 - （３）発光体が半導体発光素子スタックであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体発光素子プ
レイ。 - （４）絶縁基板を共通にして複数個の構成体を設り１１ け、これらを直置に接続したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載された半導
体発光素子アレイ０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56196161A JPS5895889A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 半導体発光素子アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56196161A JPS5895889A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 半導体発光素子アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895889A true JPS5895889A (ja) | 1983-06-07 |
Family
ID=16353217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56196161A Pending JPS5895889A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 半導体発光素子アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895889A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1981
- 1981-12-02 JP JP56196161A patent/JPS5895889A/ja active Pending
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