JP2018508979A - 間隔が密なレーザダイオードの構成 - Google Patents

Abstract

全体のレーザ構造を適切に支持するのに十分な大きさのサブマウントに取り付けられたレーザバー（または類似のアレイ構造）を使用して、間隔の密なシングルエミッタレーザダイオード構造を作成する。レーザ構造が取付けられたサブマウントの表面は金属化され、一体型レーザ構造内のレーザダイオードへの個々の電気接点を形成する。互いにそれらが取り付けられると、隣接する発光エリア間に垂直な隔たりを作成することによりレーザ構造を個別化する。金属化されたサブマウントも同様にセグメント化され、関連するレーザダイオードを個別に励起するための別々の電極を形成する。【選択図】図５

Description

〔関連出願の相互参照〕
この出願は、２０１５年２月１８日に出願され、本明細書に参照によって組み込まれている米国仮出願第６２／１１７，６０７号の優先権を主張するものである。

本発明は、シングルエミッタレーザダイオードの構成に関し、より詳細には、間隔が密になるよう配置されたシングルエミッタレーザダイオードに関する。

様々な種類の光学系の設計および施行において、シングルエミッタレーザダイオードが個々の絶縁ヒートシンク（「サブマウント」）上に取り付けられ、直列で電気的に駆動する構成は周知となっている。より高集積でより複雑な光学系を作製するためには、これらのシングルエミッタレーザダイオードをできる限り互いに近接して配置はするが、エミッタ領域の光学アラインメントは維持し、それぞれ別々のデバイスを個々で制御できた方が好ましい。したがって、高集積の場合、関連する個々のサブマウント上に各レーザダイオードを個々に配置しなければならないため問題となる。間隔が密な配置において、この種の個々の配置は、あるレーザダイオードと他のレーザダイオードとの関係で、必然的にアラインメントエラーとなる。

間隔が密なレーザダイオードの配置を形成しようとするにあたっての更なる問題は、最終的な製品を作るために使用される特定の一連の製造工程に関連する。つまり、後半の製造工程でレーザとサブマウントの組合せの温度が上昇すると、前に位置調整されたレーザとサブマウントの要素が違った位置となってしまう可能性がある。例えば、高温度プロセスは、レーザとサブマウントの結合材料を「リフロー」し、ミス配置としてしまう。

先行技術で必要とされるものは、本発明によって対処され、それはシングルエミッタレーザダイオードの構成に関し、より詳細には間隔が密なシングルエミッタレーザダイオードの構成に関する。

本発明によると、複数の別々の発光領域（例えば、レーザバー、ウェーハベースのレーザ構造）を具えるように製造された集積型レーザ構造が、レーザ構造を適当に支持するのに十分な大きさのサブマウントに取り付けられる。レーザ構造が取り付けられたサブマウントの表面は金属被覆され、集積型レーザ構造内でレーザダイオードへの個々の電気接点を形成する。互いに取り付けられると、レーザ構造は、隣接する発光領域の間に垂直な仕切りを作製することによって個別化する。金属化されたサブマウントも同様にセグメントに分けられ、関連するレーザダイオードを個別に励起するための別々の電極を作る。

好ましい実施形態において、サブマウントは、レーザ構造自体（例えば、ＧａＡｓやその他の適当な材料）に似た熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する誘電材料で形成される。

（例えば、）互いにのり付け、ろう付け、またははんだ付けすることによりサブマウントとレーザ構造の２つの構成要素をボンディングできる。機械的安定性とともに熱伝導性および導電性が許容しうるものである限り、所望のいかなる構成にもできる。個別化は、ソーイング、レーザカッティング、エッチング等、を含むが、それに限らない集積型レーザ構造に溝を形成する、様々な適切な技術によって実施することができる。

本発明の例示的な実施形態は、間隔が密な光源を具える光学系の形態であって、複数の個別のシングルエミッタレーザダイオードと、ヒートシンク用材料の基板および基板の上面に沿って間隔が密な構成に配列された複数の個別の金属化領域を具えるサブマウントと、を具えている。複数の別々のシングルエミッタレーザダイオードが、一体型構造体として製造され、そこでは、ダイオードの発光エリアが、アレイ構成に並んでいる。レーザ構造をサブマウントに取り付けた後、個別化プロセスが実施され、（金属化領域の間のスペースだけでなく）隣接するシングルエミッタレーザダイオードの間にもスペース（溝）が形成され、それにより間隔が密な構成が作成される。

本発明の別の実施形態は、単一のサブマウントにより支持される複数の間隔が密なシングルエミッタレーザダイオードを形成する方法の形態をとり、（１）レーザダイオードのアレイに関連する発光エリアのアレイを具える集積型レーザ構造を提供するステップと、（２）上部に金属コンタクト層を具えるヒートシンクサブマウントを提供するステップと、（３）ヒートシンクサブマウントに集積型レーザ構造を取り付けるステップと、（４）発光エリアの分割、および複数の間隔が密なシングルエミッタレーザダイオードのため、ステップ（３）で形成された構成を個別化するステップと、を具えている。

本発明の他のさらなる実施形態および側面は、図面を参照して、以下の記載で明らかとなる。

図面を参照するにあたって、いくつかの図面の中の同じ符号は同じ要素を示している。
図１は、複数の別々のシングルエミッタレーザダイオードを共通のサブマウントに取り付けるにあたっての例示的な配置を示している。 図２は、図１と同じ構成であるが、共通のサブマウントの表面に形成された個々の電極に別々のレーザダイオードが取り付けられた構成を示している。 図３は、本発明による間隔の密なシングルエミッタレーザダイオードの集合体を製造する最初のステップであって、共通のサブマウント構造に接合する前の（発光エリアの１次元アレイを具える）レーザバーを示している。 図４は、この特定の製造プロセスにおける次のステップであって、共通のサブマウントに接合されたレーザバーを示している。 図５は、レーザバーの厚みを通して複数の溝を形成し、図４の配置を個別化することによる、間隔の密なシングルエミッタレーザダイオードの構造を示している。 図６は、サブマウントに接合されたレーザバーの先行技術の構成に関する「たわみ（bowing）」のプロットであって、レーザバーの長さに沿った（標準からの）変位を示している。 図７は、本発明による個別化されたレーザバーの利用に関するたわみのプロットであって、この形態の使用により達成されたたわみの縮小を示している。 図８は、本発明による間隔の密なシングルエミッタレーザダイオードの集合体を製造する最初のステップで、ウェーハスケール製造プロセスを利用した場合を示している。 図９は、特に、端面発光レーザダイオードとともに使用するのに非常に適した例示的なウェーハスケール製造プロセスにおける次のステップで、構造体の裏面から（すなわち、サブマウントを通して）個別化のための溝が最初に形成される状態を示している。 図１０は、レーザウェーハがさいの目に切られ、所望の間隔の密なレーザデバイスの集まりに分けられた配置である、この特定の製造プロセスにおける次に続くステップを示している。 図１１は、構造の裏面を通して溝を形成する代わりに利用可能な代替的なステップを示し、本例では、サブマウントウェーハの最上層の金属化を通してグルーブを形成している。 図１２は、図１１で形成されたグルーブのあるサブマウントにレーザベースのウェーハを接合する次に続くステップを示している。

本発明の第１の実施形態が、図１および図２に示されている。この実施形態では、単一の基板１０が、複数個のシングルエミッタレーザダイオード１２_１−１２_４を支持する絶縁サブマウントとして使用される。好ましくは、サブマウント１０は、レーザダイオード１２の製造に使用される半導体材料に似たＣＴＥを有する材料でできている。例えば、ＧａＡｓベースのレーザダイオード（ＧａＡｓのＣＴＥはおよそ５．７×１０^−６）を使用するとき、サブマウント材料の良い選択肢は、（およそ８．３×１０^−６のＣＴＥを有する）Ｃｕ_２０Ｗである。

金属層１４が、サブマウント１０の上面１０Ｓ上に形成され、レーザダイオード１２に
電気入力を提供するために使用される。示されている個々のレーザダイオードのそれぞれの１２_ｉは、「上部」金属層１６_ｉ、半導体層１８_ｉ（発光エリア２０_ｉを含む）、および「下部」金属層２２_ｉを具えている。半導体層１８内の発光エリア２０の位置に関連して、「上部」および「下部」と明示している。

この実施形態の好ましい配置において、金属層１４は、サブマウント１０上の複数の個々のレーザダイオード１２_ｉの数および配置と一致する、個々の金属コンタクトエリア１４_ｉ（以後「電極」と称する）のパターンとして形成される。パターン化された層は、コンタクトパッドを形成するために用いられる様々な集積回路製造技術を使用して形成できる。個々のコンタクトエリア（互いに電気的に切り離されている）を使用することで、シングルエミッタデバイスを利用するシステムで求められる方法で、それぞれ個々のレーザダイオード１２_ｉを、別々に励起し、個々に制御することができる。

図１に示す形態において、各レーザダイオード１２_ｉの上部金属層１６_ｉが、サブマウント１０上の対応する金属コンタクトエリア１４_ｉに面するように、レーザダイオード１２_１−１２_４は「トップダウン」に配置されている。図２は、一体一の関係で、別々の（そして、電気的に切り離された）電極１４_１−１４_４に取付けられた複数のレーザダイオード１２_１−１２_４の配置を示している。

本発明によると、個々のすべてのレーザダイオードは、単一の絶縁サブマウント（基板）１０によって終局的に支持され、これが作動したレーザダイオードからの望まない熱エネルギーを取り除くヒートシンクとしてだけでなく、レーザダイオードを機械的に支持するようにも作用する。各電極１４_ｉが互いに切り離されている限り、レーザダイオードも互いに切り離され、したがって別々に励起され、特定のアプリケーションに適当なシーケンスで動作する。したがって、各レーザダイオード１２_ｉの間のスペースΔは、各レーザダイオード要素の個々の大きさを制限するだけでなく、隣接する電極１４_ｉの間に形成されるスペースとして機能する。単一のサブマウントを使用することで、各シングルエミッタレーザダイオードの個々の制御はできても、各レーザダイオードが別々のサブマウントに配置されている先行技術の構成と比較して、図２のような密度（特定面積内に配置された個々のレーザダイオードの数）のより高い形態を提供できる。

図２に示すような単一のサブマウントプラットホームの使用は、シングルエミッタレーザダイオード構造の間のスペースを減らすことはできるが、各レーザダイオードを（図１および図２に示されているような）金属コンタクトエリア上に個々に配置しなければならず、時間を消費し、コスト高となる可能性がある（そして、個々のレーザダイオードの発光エリアの光学的なずれにつながる可能性がある）。図３−５に示されている本発明の好ましい実施形態は、この問題に対処するため、製造プロセスの最初のポイントとして個々のレーザダイオードのかわりに別々の発光エリアのアレイを具える集積レーザ構造を使用する。

図３を参照すると、示されているレーザバー３０は、構造上に規定された軸に沿って配置された複数の別々の発光領域３４を形成するように周知の方法で製造された半導体構造３２から形成されている（Ｘ軸方向に沿って図３に切り取り図として示されている）。その後、半導体構造３２は、構造３２の上部主要面３２_Ｔ上に形成された第１金属層３６（構造３２内の発光領域３４の位置に対して「上部」）と、構造３２の下部主要面３２_Ｂ上に形成された第２金属層３８とを具えるよう処理される。

上記の形態と同様に、単一のサブマウント４０が、サポート基板として、およびレーザバー３０に関連するヒートシンクとして使用される。ここでもサブマウント４０は、レーザバー３０と似たＣＴＥを示すことが好ましい。図３に示されているように、金属（コンタクト）層４２が、サブマウント４０の上面４０Ｓに重ねて堆積される。

図４は、この例示的な製造プロセスにおける次のステップを示し、レーザバー３０が、金属層４２の曝露された面に取付けられる。複数の別々の発光領域３４をサブマウント構造に取り付ける単一ステップを用いると、個々のダイオードが自動的に互いに並んで配置することになる。「上部」金属層３６または「下部」金属層３８のどちらでもサブマウント金属層４２に取り付けることができるが、熱（サブマウント４０を通る、発光領域３４からの、および、下の冷却要素への熱の効率的な移動）が問題となる実施例では上部層３６が好ましい。２層は、のり付け、ろう付け等により取り付けることができるが、はんだ付けが好ましい。これらの構成要素を互いに結合する材料や方法は、構成に機械的構造を加えるだけでなく、良好な熱伝導性および導電性を提供するように選択される。

本発明に必要とされる間隔が密な「シングルエミッタ」の構成は、その後、図４に示すような構成から、レーザ−バー３０内に形成された複数の発光領域３４を物理的に分離するために構造を個別化して形成される。このステップは図５に示され、個別化は、構造にわたって間隔を開けた位置に複数の溝５０を形成することにより作成される。溝５０は、周知の集積回路加工技術を使用して、ソーイング、レーザカッティング、エッチング等により形成されてもよく、それにより、溝が形成される特定の位置が制御される。ソーイングの場合、図５に示すように下部金属層３８を通して実施され、構成要素を結合するために使用されたはんだや他の結合材料とともに、半導体材料３２および上部金属層３６を通って実施される。

この個別化プロセスで得られる構造は、図２に示された形態と本質的に同一の構成となるが、予め位置合わせされた発光エリアを有する集積レーザ構造から始めるため、アラインメントの正確性が改善されている。

金属層４２を超えて、サブマウント４０内へと延在する溝５０を形成することにより、隣接するレーザダイオード３０の間に追加的な電気絶縁を提供することも可能である。図５は、特定の実施形態を図示する。サブマウント材料へと溝を延ばすステップにより、図２の構成で必要とされる、サブマウントの構造的な金属化と結合材料（はんだ）が不要となる。

本発明の好ましい実施形態によれば、最初のレーザバーから個別化された構造を作製することにより、個々のレーザダイオードが自動整列し、一方で、レーザバーを用いる先行技術の構成においてよく見られる輝線のずれ（「たわみ」または他の種類の波線の不規則なずれ）を大きく減らすことが分かった。図６は、従来技術のレーザバー内に形成されたレーザダイオードアレイの輝線の変位のプロットである。各ダイオードが同時に明るくされ、並列に駆動されるアレイ源としてこの構造が一般的に使用される限り、隣接するレーザダイオード間に仕切りは形成されない。バーの表面に対して垂直方向（ｙ軸）の変位が測定され、ここでは、４００μｍの厚さのＣｕ_２０Ｗサブマウント（ＣＴＥ〜８．３×１０^−６）に取り付けられた１１５μｍの厚さのＧａＡｓバー（ＣＴＥ〜５．７×１０^−６）が示されている。図６にプロットされた従来技術の構成によるたわみは、およそ９．３μｍである。

図７は、本発明によって形成された個別化されたレーザバー構成のプロットである。上記と同じ材料および大きさであるが、溝を導入し個別化された構造を形成することで、ウェーハのたわみを大きく低減することが示された。このプロットの縦座標に沿ったスケールは、図６に示されているスケールの半分の値であることを理解されたい。図６における先行技術のプロットと比較して、たわみの減少が明瞭に示されている。実際、本発明のこの例示的な実施形態において、個別化されたウェーハの最大のたわみは、約５．１μｍである（９．３μｍと比較）。

上記のように、個々のレーザダイオードまたはレーザバーをサブマウントに取り付ける多くの従来技術のプロセスの欠点は、最終的なアッセンブリの製造を完了するために必要な一連のプロセスフローに関連している。例えば、レーザトランスミッタ内に含められる別の要素を、レーザダイオードを支持するのに使用されるのと同じサブマウントに接着し、あるいはそうでなくても取付けられる必要がある場合がある。しかし、サブマウントの（その他のデバイスを接合するのに必要な）さらなる加熱は、サブマウントへのレーザダイオードのアラインメントを乱すことになる。

この問題は、本発明のさらに別の実施形態で対処できる。この場合において、シングルエミッタレーザダイオード構造と、付随するサブマウントは、ウェーハスケール製造プロセスを使用して形成される。

図３−図５に記載のプロセスにおいて、半導体材料の縦の「セグメント」を使用して、レーザバーを形成するかわりに、ウェーハ全体をシングルエミッタレーザダイオード構造で製造し、その後、そのウェーハをヒートシンクサブマウントとして用いる第２のウェーハ（金属コンタクト層が重なるよう形成されたサブマウントウェーハ）に接着してもよい。ウェーハとウェーハが接合された構成は、その後、所望の構造のさいの目に切られ、それは、（単一のサブマウント上に形成された）シングルレーザダイオードデバイス、１次元アレイのデバイス（図５に示されている）、または２次元（２Ｄ）アレイ（すなわち、単一のサブマウントに配置された個々のレーザダイオードの面）が含まれる。各ケースにおいて、周知のウェーハダイシングプロセスを用いて、所望のアレイ配置（１Ｄまたは２Ｄ）を形成し、上記のトレンチングプロセスを用いて、アレイ構造内の個々のレーザダイオード間に個別化を提供する。

この種の製造は、レーザダイオードからの発光が、発光エリアに対して垂直に延びるので、面発光型半導体レーザアレイ（ＶＣＳＥＬｓ）に非常に適している、つまり、その発光は、さいの目に切られた（または分割された）デバイスの表面に対して垂直に延びるので、ダイシングプロセスが、光の出るデバイス表面の光学的な質に影響することがない。しかし、端面発光レーザダイオードにとって、接合されたウェーハ構造を通るソーイングの機械的プロセスは、信号が通って出る光学面（すなわち、ファセット）の質に不利な影響を及ぼす可能性がある。この場合、図８−図１０に関して以下に示されるステップ群を用いて、本発明に係る端面発光シングルエミッタレーザダイオード（および付随するサブマウント構造）のウェーハスケール製造を提供してもよい。

上記様々な実施形態と同様に、ウェーハ型レーザ配置８０は、図８において、活性層８４が形成される半導体ウェーハ８２を具えるものとして示されている。このケースにおける面発光デバイスの光出力は、最終的に、活性層８４からｚ−ｘ面と平行な方向に出る。上部金属層８６が、ウェーハ８２の第１主要面に重なるように配置され、下部金属層８８が、ウェーハ８２の反対の第２主要面に重なるように配置されている。

図８に示されるように、ウェーハ型レーザ構造８０は、サブマウントウェーハ９０に取付けられ、特に、サブマウントウェーハ９０の上部主要面に重なって形成された金属コンタクト層９２に取付けられる。この実施形態の好ましい構成では、サブマウント９０のＣＴＥは、半導体ウェーハ８２のＣＴＥに比較的近い。レーザダイオード構造にサブマウントを最初に取付けるこのステップは、基本的に上記と同じである。

端面発光デバイスが使用されるこの形態においては、個別化プロセスを開始するにあたって、前述の実施形態のような、レーザ構造を通って「下に向かう」溝を形成する代わりに、サブマウントを通って「上に向かう」溝を形成することから開始することが提案される。この最初のステップは図９に示されており、複数の溝９０が、サブマウントウェーハ９０の下部表面９０Ｂから上方に延びて形成される。上記溝５０のように、端面発光デバイスの活性領域の既定の位置により、個々の溝９０の配置および間隙を決定する。溝９０の深さは、サブマウントウェーハ９０、金属コンタクト層９２、そしてときには、金属層８６の一部も通るように選択される。半導体ウェーハ８２に到達する前に止まるようトレンチプロセスを制御する。したがって、プロセスのこの時点では、端面発光放射のあるファセットの直接的なプロセスはない。

図１０に示されるように、プロセスの次のステップにて個々のレーザ発光領域を規定する。様々な周知技術を使用して、このステップを行う（例えば、下部金属層８８を通るエッチング、ダイシング）。セパレーションは、図１０において符号１００で示されている。このプロセスにおいて、特に発光エリアで最高の滑らかな面とするには、結晶面に沿ってダイシングすることが好ましい。ダイシングは、大気中で行っても、真空中で行ってもよい。ダイシングに次いで、光学的に滑らかな面を作成するため、よく理解されているように、誘電材料および／または半導体材料でできた膜で、半導体デバイスの発光エリアを不動態化、またはコーティングする。

図１１−１２は、図９に示すプロセスの部分の代替例を示す。このケースにおいて、サブマウントウェーハ９０と金属コンタクト層９２の組合せは、最初に、金属コンタクト層９２を通り、サブマウントウェーハ９０の形成材料の中に延在する複数のグルーブ１１０を形成するよう加工される。図１１に示されるように、グルーブ１１０は、サブマウントウェーハ９０の厚みの一部のみを通って延在している。

図１１に示すように、グルーブが設けられたサブマウント構造に、レーザベースのウェーハ構造９０を接合する。図１２に示される以降のステップで、サブマウントウェーハ９０の裏面を通る溝１１２が形成される。このケースにおいて、溝１１２の深さは、その前に形成したグルーブ１１０を曝露するだけの深さが必要である。このステップの完了後、図１０に示す処理を用いて、最終的な間隔が密な形態を形成する。

本発明の様々な好ましい実施形態を提供し、詳述してきたが、添付の請求項の範囲の意図または範囲を逸脱することなく、様々な変更および修正が可能であることを理解されたい。

Claims (22)

1. 間隔な密な光源を具える光学システムであって、複数の別々のシングルエミッタレーザダイオードと、
   ヒートシンク用材料の基板と、前記基板の上端に沿って間隔が密な構成に配置された複数の別々の金属領域と、を具えるサブマウントであって、前記別々のシングルエミッタレーザダイオードがそれぞれ、前記複数の別々の金属領域の上に個別に配置され接触していることを特徴とする光学システム。
2. 請求項１に記載の光学システムにおいて、前記複数の別々のシングルエミッタレーザダイオードが、複数の発光エリアを具える一体型レーザ構造を具えており、前記一体型レーザ構造が、前記サブマウントと接触後に個別化されることを特徴とする光学システム。
3. 請求項２に記載の光学システムにおいて、前記一体型レーザ構造が、隣接する発光エリア間に隔たりを形成するために、当該レーザ構造を通って垂直に設けられた複数の溝を具えることを特徴とする光学システム。
4. 請求項３に記載の光学システムにおいて、前記サブマウントの金属被覆が、単一の金属層として形成され、複数の溝が、前記単一の金属層を通って下方に延在して前記別々の金属領域を形成することを特徴とする光学システム。
5. 請求項４に記載の光学システムにおいて、前記複数の溝が前記基板内へと延在し、隣接するシングルエミッタレーザダイオード間に絶縁性を提供することを特徴とする光学システム。
6. 請求項２に記載の光学システムにおいて、前記一体型レーザ構造が、別々の発光エリアの１次元アレイを具えていることを特徴とする光学システム。
7. 請求項２に記載の光学システムにおいて、前記一体型レーザ構造が、別々の発光エリアの２次元アレイを具えていることを特徴とする光学システム。
8. 請求項２に記載の光学システムにおいて、前記基板の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、前記一体型レーザ構造のＣＴＥと類似のものが選択されることを特徴とする光学システム。
9. 請求項２に記載の光学システムにおいて、前記一体型レーザ構造が、ＧａＡｓベースの構成を具えることを特徴とする光学システム。
10. 請求項９に記載の光学システムにおいて、前記サブマウントが、３×１０^−６から１０×１０^−６の範囲のＣＴＥを示すよう選択されることを特徴とする光学システム。
11. 請求項１０に記載の光学システムにおいて、前記サブマウントが、Ｃｕ_２０Ｗを含むことを特徴とする光学システム。
12. 単一のサブマウントによって支持される複数の間隔の密なシングルエミッタレーザダイオードを形成する方法において、
    ａ）レーザダイオードのアレイに関連する発光エリアのアレイを具える一体型レーザ構造を提供するステップと、
    ｂ）上部金属コンタクト層を具えるヒートシンクサブマウントを提供するステップと、
    ｃ）前記ヒートシンクサブマウントに前記一体型レーザ構造を取付けるステップと、
    ｄ）前記発光エリアの分離と前記複数の間隔の密なシングルエミッタレーザダイオードのため、ステップｃ）で作成した構成を個別化するステップと、
    を具えることを特徴とする方法。
13. 請求項１２に記載の方法において、ステップａ）を実施するにあたって、発光エリアの１次元アレイを具えるレーザダイオードバーを提供することを特徴とする方法。
14. 請求項１２に記載の方法において、ステップａ）を実施するにあたって、発光エリアの２次元アレイを具えるウェーハ構造を提供することを特徴とする方法。
15. 請求項１２に記載の方法において、ステップｂ）を実施するにあたって、サブマウントは、前記一体型レーザ構造と似たＣＴＥを示すことを特徴とする方法。
16. 請求項１２に記載の方法において、ステップｃ）を実施するにあたって、前記一体型レーザ構造が、前記サブマウントの前記上部金属コンタクト層にはんだづけされることを特徴とする方法。
17. 請求項１２に記載の方法において、ステップｄ）を実施するにあたって、前記個別化を提供するために、複数の垂直な溝が、前記一体型レーザ構造および前記上部金属コンタクト層を通って下に向かって形成されることを特徴とする方法。
18. 請求項１７に記載の方法において、ステップｄ）を実施するにあたって、前記複数の垂直な溝は、前記基板内へと延在し、さらに個々のレーザダイオードを分離するよう形成されることを特徴とする方法。
19. 請求項１７に記載の方法において、前記複数の垂直な溝は、前記一体型レーザ構造を通ってソーイングすることによって形成されることを特徴とする方法。
20. 請求項１７に記載の方法において、前記複数の垂直な溝は、前記一体型レーザ構造を通ってエッチングすることによって形成されることを特徴とする方法。
21. 請求項１２に記載の方法において、ステップｄ）を実施するにあたって、
    ｄ１）前記サブマウントおよび前記上部金属コンタクト層を通って上方に向かう複数の垂直な溝を形成するステップと、
    ｄ２）前記一体型レーザ構造を通してダイシングを行い、前記複数のレーザダイオードの前記複数の発光領域を画定するステップと、
    を実施することを特徴とする方法。
22. 請求項２１に記載の方法において、ステップａ）を実施するにあたって、複数の端面発光レーザダイオードを提供し、ステップｄ２）の後、ステップｄ２）において作成された発光端面領域を不動態化するステップを実施することを特徴とする方法。

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