KR970060603A - 높은 주변 온도에서도 저잡음으로 동작이 가능한 반도체 레이저 디바이스 - Google Patents

높은 주변 온도에서도 저잡음으로 동작이 가능한 반도체 레이저 디바이스 Download PDF

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Abstract

기판상에 수직 방향으로 레이저 공진기를 형성하기 위해 복수의 반도체 층을 적층한 반도체 레이저 디바이스에 있어서, 상기 레이저 공진기가 포화가능한 흡광영역을 포함하고 있다. 수직 방향에서의 광 도파로 프로파일의 스폿 크기가 0.4㎛ 보다 크다. 레이저 공진기는 50% 보다 큰 반사율을 제공하는 제1 및 제2반사막을 더 포함한다.

Description

높은 주변 온도에서도 저잡음으로 동작이 가능한 반도체 레이저 디바이스
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 기판상에 수직방향으로 레이저 공진기를 형성하기 위해 복수의 반도체 층을 적층하여 구성한 반도체 레이저 디바이스에 있어서, 상기 레이저 공진기는 포화가능한 흡광영역, 레이저 발광면을 한정하는 제1면(first facet) 및 상기 제1면에 대향하는 제2면(second facet)을 포함하며, 상기 수직 방향에서 광 도파르 프로파일의 스폿크기가 0.4㎛ 보다 크고, 상기 레이저 공진기가 상기 제1 및 제2면에 코트되어 있으면서 50% 보다 큰 반사율을 제공하는 제1 및 제2반사막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 반도체 층은 활성층 및 상기 활성층 상에 형성된 클래딩 층, 상기 클래딩 층 상에 형성되는 메사 구조를 포함하고, 또한 상기 메사 구조의 양측에 형성되어 전류를 한정하는 한쌍의 차단층을 더 구비하며, 상기 포화 가능한 흡광 영역은 상기 메사구조의 양측에 있는 상기 활성층에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 디바이스.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 반도체 층은 활성층 및 상기 활성층 위 및 상기 활성층 아래에 형성된 클래딩 층을 포함하고, 상기 포화가능한 흡광 영역은 적어도 하나 이상의 클래딩 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 디바이스.
  4. 제1항에 있어서, 상기 레이저 공진기에는 스트라이프 형상의 전류 주입 구조가 제공되며, 상기 스트라이프 형상의 전류 주입 구조의 일부분은 비전류 주입 영역이 되고, 상기 포화가능한 흡광영역은 상기 비 전류 주입 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 디바이스.
  5. 제4항에 있어서, 상기 이온 주입은 상기 포화가능한 흡광 영역에서 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 디바이스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970001138A 1996-01-17 1997-01-16 높은 주변 온도에서도 저잡음으로 동작이 가능한 반도체 레이저 디바이스 KR100227770B1 (ko)

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