KR900002479A - 반도체 다이오드 레이저 - Google Patents
반도체 다이오드 레이저 Download PDFInfo
- Publication number
- KR900002479A KR900002479A KR1019890009149A KR890009149A KR900002479A KR 900002479 A KR900002479 A KR 900002479A KR 1019890009149 A KR1019890009149 A KR 1019890009149A KR 890009149 A KR890009149 A KR 890009149A KR 900002479 A KR900002479 A KR 900002479A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- diode laser
- semiconductor diode
- phase
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명에 따른 반도체 다이오드 레이저의 제1실시예를 부분적으로 도시한 투시도 및 횡단면도,
제 2도는 제1도의 반도체 다이오드 레이저를 Ⅱ-Ⅱ라인상에 도시한 부분도,
제 3도는 점 A의 지역에서 제2도의 횡단부에서 반도체 다이오드 레이저의 굴절 지수의 윤곽을 도시한 도면,
제4도는 위상층(d3)의 다른 두께의 값에 대해 제1도의 반도체 다이오드 레이저에서 효과적인 방사의 모듈(|reff|)과 위상을 극 다이어그램으로 도시한 도면.
Claims (9)
- pn 접합을 가진 반도체 몸체를 포함하고 매개체에 의해 둘러싸여진 반도체 다이오드 레이저에 있어서, 이러한 반도체 다이오드 레이저는 충분히 큰 전류 강도로 공진 공동내에 위치된 막대형의 활성 영역에서 순방향과 일치하는 전자기 방사를 발생시킬 수 있으며, 상기의 공진 공동은 경선 방향에서 효과적인 굴절 지수로 주기적인 방사에 의한 최소한 그 길이의 부분에 구성되고, 반사 방지 코팅으로 제공된 최소한 일부 및 활성 영역으로 대체로 직각에 되는 표면에 의해 경계되어지며, 상기 반도체 다이오드 레이저는 위상층을 지칭하는 층을 반사 방지 코팅에 인가하므로서, 이 반사 방지에 의해 발생된 방사의 최소한 일부에서 공진 공동으로 배면 제공되고, 상기 층의 굴절율 및 두께는 단일 모드 동작에 대한 최적의 위상을 유효 반사가 제공하도록 선택하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
- 제1항에 있어서, 상기 반사 방지 코팅은 반도체 몸체로부터, 이 반도체 몸체의 굴절율과 매개체의 굴절율 사이에 놓인 고 굴절율 및 저 굴절율을 연속적으로 갖는 두 레이지와, 이 레이저에 의해 발생된 방사에 대해 1/4 파장의 광학 경로에 일치하는 두께를 갖는 두 층을 포함하는 반면에, 상기 위상 코팅은 반도체 몸체의 굴절율과 매개체의 굴절율 사이에 존재하는 굴절율 및 방사 코팅의 제2층의 굴절율보다 큰 굴절율을 갖는 층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
- 제2항에 있어서, 상기 방지 코팅의 제1층 및 위상층은 제1재료를 구성되는 반면에, 반사 방지 코팅의 제2층의 제2재료를 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
- 제3항에 있어서,상기 제1재료는 하프늄 산화물(HfO2)이고, 제2재료는 실리콘 이산화물(SiO2)인 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
- 제1항 내지 제4항에 있어서, 상기 위상층에 반사 코팅을 인가하므로서, 레이저에서 발생하는 방사의 유효 반사를 위상과 관계없이 조정되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
- 제5항에 있어서, 상기 반사 코팅은 반도체와 매개체 사이에 존재하는 굴절율을 갖는 층을 포함하며, 그 수는 짝수이고, 그 두께는 반도체 다이오드 레이저에 의해 발생하는 방사에 대해 1/4파장의 광학 경로 길이와 일치하고, 저 굴절율 및 고 고절율을 가지며, 이들 층의 제1층은 위상층 보다 낮은 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
- 제6항에 있어서, 상기 반사 코팅은 2개의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
- 제6항에 있어서, 상기 반사 코팅은 4개의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.
- 제6항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, 상기 반사 코팅의 층을 구성하는 재료는 반사 방지 코팅의 층과 위상층을 구성하는 재료와 같은 재료인 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드 레이저.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8801667 | 1988-07-01 | ||
NL8801667A NL8801667A (nl) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | Fi - coating voor dfb/dbr laserdiodes. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR900002479A true KR900002479A (ko) | 1990-02-28 |
KR0142437B1 KR0142437B1 (ko) | 1998-07-15 |
Family
ID=19852553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890009149A KR0142437B1 (ko) | 1988-07-01 | 1989-06-30 | 반도체 다이오드 레이저 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4951292A (ko) |
EP (1) | EP0349082B1 (ko) |
JP (1) | JP2868019B2 (ko) |
KR (1) | KR0142437B1 (ko) |
CN (1) | CN1016915B (ko) |
DE (1) | DE68906207T2 (ko) |
NL (1) | NL8801667A (ko) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2941364B2 (ja) * | 1990-06-19 | 1999-08-25 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置 |
US5109386A (en) * | 1990-09-10 | 1992-04-28 | Tacan Corporation | Rugate filter on grating coupled surface emitting laser array |
US5056099A (en) * | 1990-09-10 | 1991-10-08 | General Dynamics Corp., Electronics Division | Rugate filter on diode laser for temperature stabilized emission wavelength |
US5111467A (en) * | 1990-09-10 | 1992-05-05 | Tacan Corporation | Hybrid rugate filter assembly for temperature stabilized emission of grating coupled surface emitting lasers |
DE69118482T2 (de) * | 1990-11-07 | 1996-08-22 | Fuji Electric Co Ltd | Laserdiode mit einer Schutzschicht auf ihrer lichtemittierenden Endfläche |
US5590144A (en) * | 1990-11-07 | 1996-12-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
US5394429A (en) * | 1992-10-30 | 1995-02-28 | Nec Corporation | Distributed-feedback laser with improved analog modulation distortion characteristics and method for fabricating the same |
US5629954A (en) * | 1994-10-25 | 1997-05-13 | Trw Inc. | Semiconductor laser diode with integrated etalon |
WO1996019023A2 (en) * | 1994-12-12 | 1996-06-20 | Philips Electronics N.V. | Semiconductor diode laser amplifier and method of manufacturing same |
JP2950302B2 (ja) * | 1997-11-25 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ |
KR100273134B1 (ko) * | 1997-11-29 | 2001-01-15 | 정선종 | 단일모드표면방출레이저및그제조방법 |
US6477194B1 (en) * | 1999-11-15 | 2002-11-05 | Agere Systems Guardian Corp. | Low temperature distributed feedback laser with loss grating and method |
US6647046B1 (en) | 1999-11-23 | 2003-11-11 | Corning Lasertron, Inc. | Mode-selective facet layer for pump laser |
JP2001284715A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Ando Electric Co Ltd | 外部共振器型レーザ光源 |
SE519379C2 (sv) * | 2001-07-13 | 2003-02-18 | Optillion Ab | Framställning av halvledarlasrar med gitter samt en sådan halvledarlaser |
KR100844771B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2008-07-07 | 엘지전자 주식회사 | 메탈 미러가 형성된 반도체 레이저 다이오드 |
US20040004217A1 (en) * | 2002-03-06 | 2004-01-08 | Vijaysekhar Jayaraman | Semiconductor opto-electronic devices with wafer bonded gratings |
IES20030516A2 (en) | 2003-07-11 | 2004-10-06 | Eblana Photonics Ltd | Semiconductor laser and method of manufacture |
WO2006008269A1 (en) * | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Eblana Photonics Ltd. | Single mode laser |
US7573925B1 (en) | 2006-05-15 | 2009-08-11 | Finisar Corporation | Semiconductor laser having a doped active layer |
US7567601B1 (en) | 2006-05-15 | 2009-07-28 | Finisar Corporation | Semiconductor laser having low stress passivation layer |
US7606279B1 (en) | 2006-05-15 | 2009-10-20 | Finisar Corporation | Thin INP spacer layer in a high speed laser for reduced lateral current spreading |
US8277877B1 (en) | 2006-05-15 | 2012-10-02 | Finisar Corporation | Method for applying protective laser facet coatings |
US8034648B1 (en) | 2006-05-15 | 2011-10-11 | Finisar Corporation | Epitaxial regrowth in a distributed feedback laser |
US7763485B1 (en) | 2006-05-15 | 2010-07-27 | Finisar Corporation | Laser facet pre-coating etch for controlling leakage current |
CN114725767A (zh) * | 2022-04-11 | 2022-07-08 | 哈尔滨工业大学 | 基于弛豫铁电单晶的电光调q开关 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56138701A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Minolta Camera Co Ltd | Antireflection film |
JPS5727213A (en) * | 1980-07-26 | 1982-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | Dielectric multilayer film mirror |
JPS59232477A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 誘電体多層膜形成方法 |
JPH0673388B2 (ja) * | 1983-11-04 | 1994-09-14 | 日本電気株式会社 | 単一軸モード半導体レーザ |
JPS60130187A (ja) * | 1983-12-17 | 1985-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
JPS61134094A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-21 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
JPS62209886A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-16 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レ−ザ |
JPS6332988A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Nec Corp | 分布帰還形半導体レ−ザ |
NL8602204A (nl) * | 1986-09-01 | 1988-04-05 | Philips Nv | Dfb laser met anti-reflectielaag. |
-
1988
- 1988-07-01 NL NL8801667A patent/NL8801667A/nl not_active Application Discontinuation
-
1989
- 1989-06-26 EP EP89201683A patent/EP0349082B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-26 US US07/371,876 patent/US4951292A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-26 DE DE89201683T patent/DE68906207T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-28 CN CN89106280A patent/CN1016915B/zh not_active Expired
- 1989-06-28 JP JP1164068A patent/JP2868019B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-30 KR KR1019890009149A patent/KR0142437B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0246789A (ja) | 1990-02-16 |
JP2868019B2 (ja) | 1999-03-10 |
NL8801667A (nl) | 1990-02-01 |
EP0349082B1 (en) | 1993-04-28 |
KR0142437B1 (ko) | 1998-07-15 |
CN1039511A (zh) | 1990-02-07 |
DE68906207T2 (de) | 1993-11-11 |
EP0349082A1 (en) | 1990-01-03 |
CN1016915B (zh) | 1992-06-03 |
US4951292A (en) | 1990-08-21 |
DE68906207D1 (de) | 1993-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR900002479A (ko) | 반도체 다이오드 레이저 | |
KR920007282A (ko) | 면발광형 반도체 레이저 | |
KR960003000A (ko) | 패턴화 미러 수직 공동 표면 방출 레이저(vcsel) 및 그 제조 방법 | |
JPS63205984A (ja) | 面発光型半導体レ−ザ | |
KR960002999A (ko) | 수직 공동 표면 방출 레이저(vcsel) 및 그 제조 방법 | |
EP0186387B1 (en) | An internal-reflection-interference semiconductor laser device | |
Takamori et al. | Folded‐cavity transverse junction stripe surface‐emitting laser | |
KR950004667A (ko) | 반도체레이저소자 및 그 제작방법 | |
KR930024241A (ko) | 반도체 레이저장치 및 이의 제조방법 | |
KR970060603A (ko) | 높은 주변 온도에서도 저잡음으로 동작이 가능한 반도체 레이저 디바이스 | |
JPH09326504A (ja) | スーパールミネッセントダイオード | |
RU96115455A (ru) | Полупроводниковый лазер | |
KR920011003A (ko) | 화합물 반도체 레이저 | |
JPS55107289A (en) | Semiconductor laser device | |
SHOJI | Semiconductor laser element and manufacture thereof | |
GEN-EI | Semiconducteur laser amplifier | |
SAEKO et al. | Semiconductor laser array | |
IKUO | Single longitudinal mode semiconductor laser | |
HIROKAZU | Semiconductor laser element | |
SHINICHI et al. | Semiconductor laser and manufacture thereof | |
SHINZO | Manufacture of buried type semiconductor laser | |
JPS62221175A (ja) | 分布反射型半導体レ−ザ | |
MASAFUMI et al. | Sole axial mode semiconductor laser | |
MORICHIKA et al. | Semiconductor laser device | |
ARMOUR et al. | Unstable resonator semiconductor laser |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |