KR950004667A - 반도체레이저소자 및 그 제작방법 - Google Patents

반도체레이저소자 및 그 제작방법 Download PDF

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KR950004667A
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crystal
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신이찌 나까쯔까
겐지 우찌다
미스즈 사가와
사또루 기꾸지
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가나이 쯔또무
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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Abstract

반도체레이저소자, 특히 레이저빔프린터, 광디스크, 레이저가공장치등의 광원으로써 사용되는 고출력 반도체레이저소자 및 그 제작방법에 관한 것으로써, 반도체레이저의 고출력화의 장해로 되는 끝면광 파괴현상을 방지하기 위해, 반도체레이저의 끝면부분의 활성층을 결정내부에 오목하게 하는 것에 의해 활성층부분의 방열성을 개선하여 끝면 광파괴한계를 향상시킨다.
이러한 것에 의해, 특수한 장치나 기술을 필요로 하지 않고 화학처리프로세스를 추가하는 것만으로 반도체레이저의 광출력을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체레이저소자 및 그 제작방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 의한 반도체레이저의 제 1의 실시예의 구조를 도시한 도면, 제 2 도는 본 발명에 의한 반도체레이저의 제 2 의 실시예의 구조를 도시한 도면, 제 3 도는 본 발명에 의한 반도체레이저의 제 3 의 실시예의 구조를 도시한 도면, 제 4 도는 본 발명에 의한 반도체레이저의 제 4 의 실시예의 구조를 도시한 도면.

Claims (16)

  1. 반도체결정에 의해 형성되는 2개의 클래드층 및 상기 2개의 클래드층간에 형성된 활성층을 갖고, 통전에 의해 결정의 끝면에서 레이저광을 방사하는 반도체레이저소자로써, 상기 레이저광을 출사하는 결정의 끝면에 있어서 상기 활성층이 결정내부에 오목해져 있는 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자.
  2. 반도체결정에 의해 형성되는 2개의 클래드층 및 상기 2개의 클래드층간에 형성된 활성층을 갖고, 통전에 의해 결정의 끝면에서 레이저광을 방사하는 반도체레이저소자로써, 상기 레이저광을 출사하는 결정의 끝면에 있어서 상기 활성층 및 상기 2개의 클래드층의 활성층에 인접하는 부분이 결정내부에 오목해져 있는 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 활성층의 오목부 표면에 VI족 원소가 부착된 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 활성층의 오목부의 깊이는 활성층의 두께보다 크며, 또한 상기 끝면의 반사체로써의 기능을 상실하지 않는 소정의 범위로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 오목부의 바닥면은 (111)면으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체레이저소자의 끝면에 절연물로 이루어지는 보호막을 마련하는데 있어서 오목부의 활성층과 보호막이 직접 접촉하고 있지 않은 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 활성층과 클래드층간에 광가이드층을 갖고, 상기 광가이드층은 단면부분의 활성층이 제거된 부분에도 남아 있는 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자.
  8. 반도체결정에 의해 형성되는 2개의 클래드층과 상기 2개의 클래드층간에 형성된 반도체결정으로 이루어지는 활성층을 갖는 반도체레이저의 제작방법으로써, 상기 2개의 클래드층과 상기 활성층을 갖는 웨이퍼를 작성한후 바형상으로 벽개하고, 벽개면을 상기 활성층을 선택적으로 에칭하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자의 제작방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 2개의 클래드층이 AlGaAs이고, 활성층이 GaAs를 웰층으로 하는 다중양자와 웰층이며, 상기 에칭하는 공정의 에칭액으로써 암모니아계 에칭액을 사용하는 것을 특징으로 하는 레이저소자의 제작방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 2개의 클래드층이 GaInP이고, 활성층이 GaInAs의 단일 웰층을 GaAs의 가이드층간에 형성하는 구성으로 되고, 상기 에칭하는 공정의 에칭액으로써 암모니아계 에칭액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자의 제작방법.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 2개의 클래드층이 AlGaInP이고, 활성층이 GaInP를 웰층으로 하는 다중양자 웰층이며, 상기 에칭하는 공정의 에칭액으로써 염산계 에칭액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자의 제작방법.
  12. 제 2 항에 있어서, 상기 활성층의 오목부 표면에 VI족 원소가 부착된 것을 특징으로 하는 반도체레이저 소자.
  13. 제 2 항에 있어서, 상기 활성층의 오목부의 깊이는 활성층의 두께보다 크며, 또한 상기 끝면의 반사체로써의 기능을 상실하지 않는 소정의 범위로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자.
  14. 제 2 항에 있어서, 상기 오목부의 바닥면은 (111)면으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체레이저 소자.
  15. 제 2 항에 있어서, 상기 반도체레이저소자의 끝면에 절연물로 이루어지는 보호막을 마련하는데 있어서 오목부의 활성층과 보호막이 직접 접촉하고 있지 않은 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자.
  16. 제 2 항에 있어서, 상기 활성층과 클래드층간에 광가이드층을 갖고, 상기 광가이드층은 단면부분의 활성층이 제거된 부분에도 남아 있는 것을 특징으로 하는 반도체레이저소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940017719A 1993-07-29 1994-07-22 반도체레이저소자 및 그 제작방법 KR950004667A (ko)

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