JPH01283893A - 半導体レーザ増巾器 - Google Patents
半導体レーザ増巾器Info
- Publication number
- JPH01283893A JPH01283893A JP11288788A JP11288788A JPH01283893A JP H01283893 A JPH01283893 A JP H01283893A JP 11288788 A JP11288788 A JP 11288788A JP 11288788 A JP11288788 A JP 11288788A JP H01283893 A JPH01283893 A JP H01283893A
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- semiconductor substrate
- substrate
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板表面に対して垂直に入射したレー
ザ光を増巾して、半導体基板に対して垂直な方向に出力
光を取出すことのできる半導体レーザ地中器に関する。
ザ光を増巾して、半導体基板に対して垂直な方向に出力
光を取出すことのできる半導体レーザ地中器に関する。
従来の進行波型の半導体レーザ地中器は、例えば第３図
に示すように、基本的にはファブリ・ベロー型半導体レ
ーザ素子の両端面に無反射コーティングを施し、レーザ
発振を押えるようにしたものである。すなわち、半導体
基板ｎ−ＩｎＰ（］）の上に、ｎ−１ｎＰの第１クラッ
ド層（２）、Ｉ ｎＧａＡｓＰ（１，３ｕ）活性層（３
）、ｐ−１ｎＰの第２クラッド層（４）及びｐ−１ｎＧ
ａＡｓＰのキャップ層（５）を順次積層し、最後に上部
電極（６）及び下部電極（７）を付けたものである０両
端面には無反射コーティングＧ５ｌＯｘ膜（８）、（９
）が蒸着されている。このような構成の半導体レーザ地
中器においては、入射レーザ光は無反射コーテイング膜
（８）を経て活性層（３）に結合し、活性層（３）の内
部を伝搬することにより増巾され、無反射コーテイング
膜（９）を経て取出される。
に示すように、基本的にはファブリ・ベロー型半導体レ
ーザ素子の両端面に無反射コーティングを施し、レーザ
発振を押えるようにしたものである。すなわち、半導体
基板ｎ−ＩｎＰ（］）の上に、ｎ−１ｎＰの第１クラッ
ド層（２）、Ｉ ｎＧａＡｓＰ（１，３ｕ）活性層（３
）、ｐ−１ｎＰの第２クラッド層（４）及びｐ−１ｎＧ
ａＡｓＰのキャップ層（５）を順次積層し、最後に上部
電極（６）及び下部電極（７）を付けたものである０両
端面には無反射コーティングＧ５ｌＯｘ膜（８）、（９
）が蒸着されている。このような構成の半導体レーザ地
中器においては、入射レーザ光は無反射コーテイング膜
（８）を経て活性層（３）に結合し、活性層（３）の内
部を伝搬することにより増巾され、無反射コーテイング
膜（９）を経て取出される。
しかしながら、上記のような構造の半導体レーザ増巾器
においては、入射及び出射レーザ光は活性層の導波方向
と同じ方向から結合されなければならず、従って、その
結合を効率よくするためにはレンズを用いる必要があり
、レンズの軸合わせ及び固定方法などが問題となる。
においては、入射及び出射レーザ光は活性層の導波方向
と同じ方向から結合されなければならず、従って、その
結合を効率よくするためにはレンズを用いる必要があり
、レンズの軸合わせ及び固定方法などが問題となる。
〔課題を解決するための手段とその作用〕本発明は以上
のような点にかんがみてなされたもので、その目的とす
るところは、入出力レーザ光が半導体レーザ基板面に対
して垂直である半導体レーザ増巾器を提供することにあ
り、その要旨は、半導体基板上に、半導体基板に平行な
活性層を含むエピタキシャル層を存する半導体レーザ増
巾器において、半導体基板面に垂直な光の入射部分及び
出射部分を有し、活性層を含む光導波方向の両端面は、
半導体基板面に対して約４５°の角度をなして入出力光
の反射面を形成することを特徴とする半導体レーザ増巾
器である。
のような点にかんがみてなされたもので、その目的とす
るところは、入出力レーザ光が半導体レーザ基板面に対
して垂直である半導体レーザ増巾器を提供することにあ
り、その要旨は、半導体基板上に、半導体基板に平行な
活性層を含むエピタキシャル層を存する半導体レーザ増
巾器において、半導体基板面に垂直な光の入射部分及び
出射部分を有し、活性層を含む光導波方向の両端面は、
半導体基板面に対して約４５°の角度をなして入出力光
の反射面を形成することを特徴とする半導体レーザ増巾
器である。
上記のような構造では、第１図に示すように、入力レー
ザ光はキャップ層（５）に垂直に入射し、キャンプＮ（
５）と４５°の角度をなす端面ＯＩの活性層（３）との
交わる第１全反射部分０２）で全反射され、活性層（３
）中を伝搬して、キャップ層（５）と４５６の角度をな
す端面ＯＤの活性層（３）との交わる第２全反射部分面
において再び全反射され、キャップ層（５）から入射方
向と反対方向に出射する。
ザ光はキャップ層（５）に垂直に入射し、キャンプＮ（
５）と４５°の角度をなす端面ＯＩの活性層（３）との
交わる第１全反射部分０２）で全反射され、活性層（３
）中を伝搬して、キャップ層（５）と４５６の角度をな
す端面ＯＤの活性層（３）との交わる第２全反射部分面
において再び全反射され、キャップ層（５）から入射方
向と反対方向に出射する。
以下図面に示した実施例に基づいて本発明を説明する。
第１図は、本発明にかかる一実施例の断面図であり、ｎ
−１ｎＰ半導体基板（１）上に、ｎ−１ｎＰ第１クラッ
ド層（２）、Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層〔３）、ｐ−Ｉ
ｎＰ第２クラッド層（４）及びｐ−ＴｎＧａＡｓＰキャ
ップ層（５）を順次積層し、上部電極（６）と下部電極
（７）をつけたものである、半導体基板（１）と４５゜
の角度をなす端面０ω、（１０は、リアクティブ、イオ
ン・ビーム・エツチング（ＲＩＢＥ）により形成される
。キャップ層（５）の上面には無反射コーティングｌｌ
ｌ５ ｉ Ｏ，（８）、（９）がつけられ、入射光及び
出射光の反射を防止している。
−１ｎＰ半導体基板（１）上に、ｎ−１ｎＰ第１クラッ
ド層（２）、Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層〔３）、ｐ−Ｉ
ｎＰ第２クラッド層（４）及びｐ−ＴｎＧａＡｓＰキャ
ップ層（５）を順次積層し、上部電極（６）と下部電極
（７）をつけたものである、半導体基板（１）と４５゜
の角度をなす端面０ω、（１０は、リアクティブ、イオ
ン・ビーム・エツチング（ＲＩＢＥ）により形成される
。キャップ層（５）の上面には無反射コーティングｌｌ
ｌ５ ｉ Ｏ，（８）、（９）がつけられ、入射光及び
出射光の反射を防止している。
第２図は、本発明にかかる他の実施例の断面図であり、
キャップ層（５）上の人出耐部分に一体化されたレンズ
０４．０５）をＲＩＢＥ法により形成し、光ファイバあ
るいは他の光デバイスとの入出力結合を容易にしたもの
である。なお、レンズ０４、面の上面にさらに無反射コ
ーテイング膜を形成して不要な反射を防止できることは
言うまでもない。
キャップ層（５）上の人出耐部分に一体化されたレンズ
０４．０５）をＲＩＢＥ法により形成し、光ファイバあ
るいは他の光デバイスとの入出力結合を容易にしたもの
である。なお、レンズ０４、面の上面にさらに無反射コ
ーテイング膜を形成して不要な反射を防止できることは
言うまでもない。
以上説明したように本発明によれば、半導体基板面に垂
直な光の入射部分及び出射部分を有し、活性層を含む光
導波方向の両端面は、半導体基板面に対して約４５°の
角度をなして入出力光の反射面を形成しているため、半
導体基板面に対して垂直な方向の入射レーザ光を増巾し
て、再び半導体基板に対して垂直な方向に出力レーザ光
を得ることが可能になり、さらに、レンズを一体化して
形成することにより入出力結合を容易にすることができ
るという優れた効果がある。
直な光の入射部分及び出射部分を有し、活性層を含む光
導波方向の両端面は、半導体基板面に対して約４５°の
角度をなして入出力光の反射面を形成しているため、半
導体基板面に対して垂直な方向の入射レーザ光を増巾し
て、再び半導体基板に対して垂直な方向に出力レーザ光
を得ることが可能になり、さらに、レンズを一体化して
形成することにより入出力結合を容易にすることができ
るという優れた効果がある。
第１図は、本発明にかかる半導体レーザ増巾器の一実施
例の要部断面図、第２図は、他の実施例の要部断面図、
第３図は従来例の要部断面図である。 １・・・半導体基板、 ３・・・活性層、 ８，９・・
・無反射コーテイング膜、 １０．１１・・・４５＠
の角度をなす端面、 １２・・・第１全反射部分、
１３・・・第２全反射部分、 １４．１５・・・レ
ンズ。
例の要部断面図、第２図は、他の実施例の要部断面図、
第３図は従来例の要部断面図である。 １・・・半導体基板、 ３・・・活性層、 ８，９・・
・無反射コーテイング膜、 １０．１１・・・４５＠
の角度をなす端面、 １２・・・第１全反射部分、
１３・・・第２全反射部分、 １４．１５・・・レ
ンズ。
Claims (1)
- （１）半導体基板上に、半導体基板に平行な活性層を含
むエピタキシャル層を有する半導体レーザ増巾器におい
て、半導体基板面に垂直な光の入射部分及び出射部分を
有し、活性層を含む光導波方向の両端面は、半導体基板
面に対して約４５°の角度をなして入出力光の反射面を
形成することを特徴とする半導体レーザ増巾器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11288788A JPH01283893A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 半導体レーザ増巾器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11288788A JPH01283893A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 半導体レーザ増巾器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283893A true JPH01283893A (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14598005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11288788A Pending JPH01283893A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 半導体レーザ増巾器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283893A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5608750A (en) * | 1993-07-29 | 1997-03-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device and a method for the manufacture thereof |
-
1988
- 1988-05-10 JP JP11288788A patent/JPH01283893A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5608750A (en) * | 1993-07-29 | 1997-03-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device and a method for the manufacture thereof |
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