JPH02203586A - 半導体レーザ装置とその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置とその製造方法Info
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- JPH02203586A JPH02203586A JP1024453A JP2445389A JPH02203586A JP H02203586 A JPH02203586 A JP H02203586A JP 1024453 A JP1024453 A JP 1024453A JP 2445389 A JP2445389 A JP 2445389A JP H02203586 A JPH02203586 A JP H02203586A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
-
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明発明は高出力動作を行なう半導体レーザ装置及び
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
第７図は従来の端面近傍に電流非注入領域を持つロスガ
イド型の半導体レーザ装置を示す図であり、第７図（ａ
）は共振器端面近傍及び共振器内部を示す図である。ま
た第７図（′ｂ）はレーザ発振領域８を分断する縦断面
図である。
イド型の半導体レーザ装置を示す図であり、第７図（ａ
）は共振器端面近傍及び共振器内部を示す図である。ま
た第７図（′ｂ）はレーザ発振領域８を分断する縦断面
図である。
図において、１はｎ型（以下ｎ−と記す）ＣａＡｓ基板
、２は”””Ａｊｌｏ、ｓ Ｇａｏ、＊ Ａｓ第１クラ
ッド層、４はｐ型（以下ｐ−と記す）Ａｊｌｏ、＋１Ｇ
ａｏ、＊ｓＡ３活性層、５は共振器端面近傍を除いて形
成されたストライプ状のリッヂ部分を有するｐ Ａｌ
２Ｏ，Ｓ Ｇａｏ、ｓ Ａｓ第２クランド層、６はｎ−
ＧａＡｓ電流ブロック層、７はｐ−ＧａＡｓコンタクト
層、８はレーザ発振領域、９は電流非注入領域である。
、２は”””Ａｊｌｏ、ｓ Ｇａｏ、＊ Ａｓ第１クラ
ッド層、４はｐ型（以下ｐ−と記す）Ａｊｌｏ、＋１Ｇ
ａｏ、＊ｓＡ３活性層、５は共振器端面近傍を除いて形
成されたストライプ状のリッヂ部分を有するｐ Ａｌ
２Ｏ，Ｓ Ｇａｏ、ｓ Ａｓ第２クランド層、６はｎ−
ＧａＡｓ電流ブロック層、７はｐ−ＧａＡｓコンタクト
層、８はレーザ発振領域、９は電流非注入領域である。
次に動作について説明する。レーザ発振領域８において
は動作中には、活性層中に１ｏ＋ｓ程度の少数キャリア
が注入されキャリアの反転分布が実現されており、注入
キャリアの大部分が光子に変換されている。電流非注入
領域９では、少数キャリアの注入量は微少であるので、
レーザ光による少数キャリアの励起が増大するが、この
励起キャリア密度は、注入キャリア密度より十分小さい
。
は動作中には、活性層中に１ｏ＋ｓ程度の少数キャリア
が注入されキャリアの反転分布が実現されており、注入
キャリアの大部分が光子に変換されている。電流非注入
領域９では、少数キャリアの注入量は微少であるので、
レーザ光による少数キャリアの励起が増大するが、この
励起キャリア密度は、注入キャリア密度より十分小さい
。
この効果により共振器端面の活性層の表面準位を介在す
る電子−正孔対の非発光再結合は電流非注入領域９のな
い場合に比べて大きく減少する。このため、共振器端面
の光による破壊の生じる光出力のレベル（所謂ＣＯＤレ
ベル）が向上する。
る電子−正孔対の非発光再結合は電流非注入領域９のな
い場合に比べて大きく減少する。このため、共振器端面
の光による破壊の生じる光出力のレベル（所謂ＣＯＤレ
ベル）が向上する。
しかしながら、従来の半導体レーザ装置は、共振器内部
での光の横方向の閉じ込めのため、ストライプ状のリッ
ヂを除く第２クラッド層５の厚さは０．３μｍ程度であ
る。このため共振器端面近傍の活性層４と電流ブロック
層６の間の第２クラッド層４も０．３μｍ程度となる。
での光の横方向の閉じ込めのため、ストライプ状のリッ
ヂを除く第２クラッド層５の厚さは０．３μｍ程度であ
る。このため共振器端面近傍の活性層４と電流ブロック
層６の間の第２クラッド層４も０．３μｍ程度となる。
電流ブロック層６はＧａＡＳから形成されているので、
レーザ光はバンド間吸収され、レーザ光の吸収係数は非
常に大きい、また、第８図に示すように、レーザ内部で
はレーザ光の発光領域は活性層を中心に第２クラッド層
厚と同程度に広がっている。ところが端面近傍では上述
のように光吸収係数の高い電流ブロック層が活性層から
極めて近傍に存在するため、光強度は第８図に示すよう
にはならず不安定なものとなる。これらのことより、共
振器端面では、光のモードが立たないもしくは、安定し
ない。このため、安定した光学特性が得られないという
問題点があった。
レーザ光はバンド間吸収され、レーザ光の吸収係数は非
常に大きい、また、第８図に示すように、レーザ内部で
はレーザ光の発光領域は活性層を中心に第２クラッド層
厚と同程度に広がっている。ところが端面近傍では上述
のように光吸収係数の高い電流ブロック層が活性層から
極めて近傍に存在するため、光強度は第８図に示すよう
にはならず不安定なものとなる。これらのことより、共
振器端面では、光のモードが立たないもしくは、安定し
ない。このため、安定した光学特性が得られないという
問題点があった。
また、さらに光出力を増大させる場合、レーザ光の活性
層による吸収のための活性層融解のため、端面非注入構
造を用いてもＣＯＤレベル向上には限界があるという問
題点があった。
層による吸収のための活性層融解のため、端面非注入構
造を用いてもＣＯＤレベル向上には限界があるという問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、安定した光学特性の、信頼性が高く、ＣＯＤ
レベルを大幅に向上できる半導体１／−ヂおよびその製
造方法を得ることを目的とする。
たもので、安定した光学特性の、信頼性が高く、ＣＯＤ
レベルを大幅に向上できる半導体１／−ヂおよびその製
造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基板上に
設けられたｎ型Ａ ｉ ＨＧ ａ Ｉ−Ｘ Ａ ３第１
クラッド層と、該第１クラッド層上に設けられたｎ型Ａ
Ｊ、Ｇａｔ−、Ａｓ （ｘ＞ｙ）光ガイド層と、該光
ガイド層上に設けられたｎ型もしくはｐ型もしくは真性
のＡＩｌｓ Ｇａｔ−ｍ Ａｓ （ｙ ＞ ２）活性層
と、該活性層上に設けられた、少なくとも一方の共振器
端面近傍を除く領域に形成されたストライプ状の凸形リ
ッヂ部分を有するｐ型ＡＪ、Ｇａ、、、、Ａｓ （ｐ＞
ｚ）第２クラッド層と、上記リッヂ部分以外の領域を埋
込む様に形成されたｎ型ＧａＡＳ電流ブロック層と、該
電流ブロック層とりッヂ部分上に設けられたｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層とを備えたものである。
設けられたｎ型Ａ ｉ ＨＧ ａ Ｉ−Ｘ Ａ ３第１
クラッド層と、該第１クラッド層上に設けられたｎ型Ａ
Ｊ、Ｇａｔ−、Ａｓ （ｘ＞ｙ）光ガイド層と、該光
ガイド層上に設けられたｎ型もしくはｐ型もしくは真性
のＡＩｌｓ Ｇａｔ−ｍ Ａｓ （ｙ ＞ ２）活性層
と、該活性層上に設けられた、少なくとも一方の共振器
端面近傍を除く領域に形成されたストライプ状の凸形リ
ッヂ部分を有するｐ型ＡＪ、Ｇａ、、、、Ａｓ （ｐ＞
ｚ）第２クラッド層と、上記リッヂ部分以外の領域を埋
込む様に形成されたｎ型ＧａＡＳ電流ブロック層と、該
電流ブロック層とりッヂ部分上に設けられたｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層とを備えたものである。
また、この発明の他の発明に係る半導体レーザは、ｎ型
ＧａＡｓ基板上に設けられたｎ型Ａβ。
ＧａＡｓ基板上に設けられたｎ型Ａβ。
Ｇ ａ Ｉ−＊ Ａ ！第１クラッド雇と、該第１クラ
ッド層上に設けられたｎ型のＡＡ、Ｇａｔ−ｙ Ａｓ
（ｘ＞ｙ）光ガイド層と、該光ガイド層上に設けられ
たｎ型もしくはｐ型もしくは真性のＡＩｌ、 Ｇ ａ
１−ｐＡｓ−ＡＩｌ、ｃａｌ−’４ Ａｓ （ｙ＞ｑ＞
ｐ）多重量子井戸層からなる活性層と、該活性層上に設
けられた、少なくとも一方の共振器端面近傍を除く部分
に形成されたストライプ状の凸型リッヂ部分を有するｐ
型Ａｌｚ Ｇａ１−ｎ Ａｓ （２＞ｑ）第２クラッド
層と、該第２クラッド層上でリッヂ部分以外の領域に設
けられた第２クラッド層より高濃度にドーピングされた
ｐ型ＧａＡｓバッファ層と、該パフファ門上に、該第２
クラッド層のリッチ部分以外の領域を埋め込む様に形成
されたｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層と、該電流ブロック
層とリッヂ部分、ｈに設けられたｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層とを備え、上記リッヂ部分の真下の領域を除く領域
の上記多重量子井戸層が、上記ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓバフ
フッ層からのｐ型ドーパントの拡散により無秩序化され
たものである。
ッド層上に設けられたｎ型のＡＡ、Ｇａｔ−ｙ Ａｓ
（ｘ＞ｙ）光ガイド層と、該光ガイド層上に設けられ
たｎ型もしくはｐ型もしくは真性のＡＩｌ、 Ｇ ａ
１−ｐＡｓ−ＡＩｌ、ｃａｌ−’４ Ａｓ （ｙ＞ｑ＞
ｐ）多重量子井戸層からなる活性層と、該活性層上に設
けられた、少なくとも一方の共振器端面近傍を除く部分
に形成されたストライプ状の凸型リッヂ部分を有するｐ
型Ａｌｚ Ｇａ１−ｎ Ａｓ （２＞ｑ）第２クラッド
層と、該第２クラッド層上でリッヂ部分以外の領域に設
けられた第２クラッド層より高濃度にドーピングされた
ｐ型ＧａＡｓバッファ層と、該パフファ門上に、該第２
クラッド層のリッチ部分以外の領域を埋め込む様に形成
されたｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層と、該電流ブロック
層とリッヂ部分、ｈに設けられたｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層とを備え、上記リッヂ部分の真下の領域を除く領域
の上記多重量子井戸層が、上記ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓバフ
フッ層からのｐ型ドーパントの拡散により無秩序化され
たものである。
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法は、第１
エピタキシャル成長工程で、ｎ１ＧａＡＳ基板上にｎ型
のＡ ｊ！ ＊ Ｇ ａ ｉ−ｘ Ａ Ｓ第１クラッド
層、ｎ型Ａ ｌｌｙ Ｇ ａ ｌ−１’ Ａ ｓ （
ｘ ＞ ｙ ）光ガイド［、ｎ型もしくはｐ型もしくは
真性のＡＩ、Ｇａ１−ｐ Ａｓ−Ａ６．Ｇａｔ−４Ａｓ
（ｙ＞ｑ＞ｐ）多重量子井戸層、Ａ＃、Ｇａ１−１
Ａｓ （ｚ＞ｑ）第２クラッドＮ、ｐ型Ｑ ａ Ａ Ｓ
第２クラッド層。
エピタキシャル成長工程で、ｎ１ＧａＡＳ基板上にｎ型
のＡ ｊ！ ＊ Ｇ ａ ｉ−ｘ Ａ Ｓ第１クラッド
層、ｎ型Ａ ｌｌｙ Ｇ ａ ｌ−１’ Ａ ｓ （
ｘ ＞ ｙ ）光ガイド［、ｎ型もしくはｐ型もしくは
真性のＡＩ、Ｇａ１−ｐ Ａｓ−Ａ６．Ｇａｔ−４Ａｓ
（ｙ＞ｑ＞ｐ）多重量子井戸層、Ａ＃、Ｇａ１−１
Ａｓ （ｚ＞ｑ）第２クラッドＮ、ｐ型Ｑ ａ Ａ Ｓ
第２クラッド層。
及びｐ型ＧａＡｓキャップ層を順次成長して」二記ｐ型
キャップ層とｐ型筒２クラッド層の一部を、少なくとも
一方の共振器端面近傍を除いたストライプ状にエツチン
グした後、上記ストライプ状の凸部の上部以外の領域上
にｐ型Ａβ、 Ｇ ａ ＋−ｓ ＡＳ第２クラッド層よ
り高濃度にドーピングされたｐ型Ｇ ａ Ａ ｓバッフ
ァ層とｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層を第２エピタキシャ
ル成長工程で順次成長し、さらに第３エピタキシャル成
長工程で、］二二戸型キャップ層のストライプ状の凸部
上面と上記ｎ型電流ブロック層上にｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層を成長するようにして、上記第２．第３エピタキ
シャル成長工程において、上記ｐ型バッファ層からのｐ
型ドーパントのオートドーピングにより、上記ストライ
プ状凸部の真下の領域除く領域の多重量子井戸層を無秩
序化するようにしたものである。
キャップ層とｐ型筒２クラッド層の一部を、少なくとも
一方の共振器端面近傍を除いたストライプ状にエツチン
グした後、上記ストライプ状の凸部の上部以外の領域上
にｐ型Ａβ、 Ｇ ａ ＋−ｓ ＡＳ第２クラッド層よ
り高濃度にドーピングされたｐ型Ｇ ａ Ａ ｓバッフ
ァ層とｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層を第２エピタキシャ
ル成長工程で順次成長し、さらに第３エピタキシャル成
長工程で、］二二戸型キャップ層のストライプ状の凸部
上面と上記ｎ型電流ブロック層上にｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層を成長するようにして、上記第２．第３エピタキ
シャル成長工程において、上記ｐ型バッファ層からのｐ
型ドーパントのオートドーピングにより、上記ストライ
プ状凸部の真下の領域除く領域の多重量子井戸層を無秩
序化するようにしたものである。
本発明における半導体レーザ装置は、第１クラッド層と
活性層との間に光ガイド層を設けたから、共振器内部に
おける光強度分布をこの光ガイド層側にシフトさせ、レ
ーザ光の発光領域を電流ブロック層より離し７、共振器
端面での光のモ・−ドを安定化できる。
活性層との間に光ガイド層を設けたから、共振器内部に
おける光強度分布をこの光ガイド層側にシフトさせ、レ
ーザ光の発光領域を電流ブロック層より離し７、共振器
端面での光のモ・−ドを安定化できる。
また、本発明の他の発明における半導体レーザ装置は、
第２クラッド層と電流ブロック層との間に第２クラッド
層より高濃度にドーピングしたｐ型ＧａＡｓバッファ層
を設・け、このｐ型ＧａＡｓバッファ層からのドーパン
トの拡散により、活性層の多重量子井戸層を共振器端面
近傍でのみ無秩序化し、端面窓構造としたから、ｐ−ｎ
接合面と再成長界面の一致を避けることができると共に
、ＣＯＤレベルを飛躍的に向上でき、高出力動作が可能
となる。
第２クラッド層と電流ブロック層との間に第２クラッド
層より高濃度にドーピングしたｐ型ＧａＡｓバッファ層
を設・け、このｐ型ＧａＡｓバッファ層からのドーパン
トの拡散により、活性層の多重量子井戸層を共振器端面
近傍でのみ無秩序化し、端面窓構造としたから、ｐ−ｎ
接合面と再成長界面の一致を避けることができると共に
、ＣＯＤレベルを飛躍的に向上でき、高出力動作が可能
となる。
また、本発明における半導体レーヅ装置の製造方法は、
少なくとも一方の端面近傍を除く部分にストライプ状凸
部を形成したｐ−第２クラッド層の該ストライプ状凸部
上部以外の部分に該第２クラッド層より高濃度にドープ
されたｐ−バッファ層、ｎ−電流ブロック層を順次エピ
タキシャル成長させ、さらに上記ストライプ状凸部上部
および上記ｎ−ブロック層上にｐ−コンタクト層をエピ
タキシャル成長させ、これらエピタキシャル成長工程中
に上記ストライプ状凸部の真下の領域を除く領域の活性
層の多重量子井戸を上記ｐ−バッファ層からのオートド
ーピングにより無秩序化するようにしたから、端面に電
流非注入領域及び窓構造を有し、高出力動作が可能な半
導体レーザ装置を極めて容易に製造できる。
少なくとも一方の端面近傍を除く部分にストライプ状凸
部を形成したｐ−第２クラッド層の該ストライプ状凸部
上部以外の部分に該第２クラッド層より高濃度にドープ
されたｐ−バッファ層、ｎ−電流ブロック層を順次エピ
タキシャル成長させ、さらに上記ストライプ状凸部上部
および上記ｎ−ブロック層上にｐ−コンタクト層をエピ
タキシャル成長させ、これらエピタキシャル成長工程中
に上記ストライプ状凸部の真下の領域を除く領域の活性
層の多重量子井戸を上記ｐ−バッファ層からのオートド
ーピングにより無秩序化するようにしたから、端面に電
流非注入領域及び窓構造を有し、高出力動作が可能な半
導体レーザ装置を極めて容易に製造できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザを示す図
であり、第１図（ａｌは本実施例装置の共振器端面近傍
及び共振器内部を示す図、第１図（ｂ）は本装置のレー
ザ発振領域８を分断する縦断面図である。これら図にお
いて、１はｎ ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ａｌ６，５Ｇ
ａｏ、ｓ Ａｓ第１クラッド層、３はｎ−Ａｊ！ＧａＡ
ｓ光ガイド層、４はｐ−ＡＡ。、、、Ｇａ、、、、Ａｓ
活性層、５は共振器端面近傍を除いて形成されたストラ
イプ状のリッヂ部分を有するｐ Ａｌｏ、ｓ Ｇａｏ、
ｓ Ａｓ第２クラッド層、６はｎ−ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層、７はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、８はレーザ発振
領域、９は電流非注入領域である。
であり、第１図（ａｌは本実施例装置の共振器端面近傍
及び共振器内部を示す図、第１図（ｂ）は本装置のレー
ザ発振領域８を分断する縦断面図である。これら図にお
いて、１はｎ ＧａＡｓ基板、２はｎ−Ａｌ６，５Ｇ
ａｏ、ｓ Ａｓ第１クラッド層、３はｎ−Ａｊ！ＧａＡ
ｓ光ガイド層、４はｐ−ＡＡ。、、、Ｇａ、、、、Ａｓ
活性層、５は共振器端面近傍を除いて形成されたストラ
イプ状のリッヂ部分を有するｐ Ａｌｏ、ｓ Ｇａｏ、
ｓ Ａｓ第２クラッド層、６はｎ−ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層、７はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、８はレーザ発振
領域、９は電流非注入領域である。
次に動作について説明する。レーザ発振のメカニズムは
、従来例と同様であるので省略する。従来例での問題で
あった共振器近傍での光のモードを安定化するため、本
発明では活性層４と第１クラッド層２との間に光ガイド
層３を設けている。
、従来例と同様であるので省略する。従来例での問題で
あった共振器近傍での光のモードを安定化するため、本
発明では活性層４と第１クラッド層２との間に光ガイド
層３を設けている。
活性層の片側に活性層４と第２のクラッド層５の中間の
屈折率をもつ光ガイド層３を設けることにより、第２図
に示すように光の分布は、光ガイド層３側にシフトする
ことが知られている（米津著光通信素子光学Ｐ、 １７
２参照）、このため共振器端面でのレーザ光の発光領域
は、電流ブロック層から離れ、レーザ光のモードは安定
化する。
屈折率をもつ光ガイド層３を設けることにより、第２図
に示すように光の分布は、光ガイド層３側にシフトする
ことが知られている（米津著光通信素子光学Ｐ、 １７
２参照）、このため共振器端面でのレーザ光の発光領域
は、電流ブロック層から離れ、レーザ光のモードは安定
化する。
次に製造方法について説明する。
第１回目のエピタキシャル成長で第５図（ａ）に示すｎ
−ＧａＡｓ基板１上に、第５図（ｂｌに示すようにｎ−
Ａ Ｉｌｚ Ｇ ａ ｌ−ｘ Ａ ｓ第１クラッド層２
、Ｘ〉ｙであるＡｊ’ｙ Ｇａ、、Ａｓ光ガイド層３、
ｙ＞ｑ ＞ｐであるｐ ＡＪｐ Ｇ；１１−ｅ Ａｓ
Ａｌｌ＠Ｇ ａ ｌ−４Ａ ｓ多重量子井戸層４１
、ｐ−Ａｊ！、Ｇａ１−ｘＡｓ第２クラッド層５、及び
ｐ−ＧａＡｓキャップ層７１の各層をエピタキシャル成
長した後、第５図（Ｃ）に示すように、ｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層７１上にアモルファス膜１０を形成する０次に
該アモルファス膜１０を、第５図（ｄ）に示すように共
振器端面近傍を除いたストライプ状にエツチングし、該
ストライプ状に形成されたアモルファス膜１０をエツチ
ングマスクとしてｐ−ＧａＡｓキャップ層７１とｐ−Ａ
ｌｘＧａ、−ｘＡｓ第２クラッド層の一部を、第５図（
ｉｌｌ）に示すように共振器端面近傍を除いたストライ
プ状のリッヂにエツチングし、この後、第２回目のエピ
タキシャル成長で、共振器端面近傍を除いたストライプ
状に形成したアモルファス膜１０を選択マスクとし、リ
ッヂ部分を除いた部分に、第５図（ｆ）に示すようにｎ
−ＧａＡｓ電流ブロックＮ６を形成する。そしてアモル
ファス膜１０除去後、第３回目のエピタキシャル成長で
リッヂ部分とｎ−ＧａＡｓ電流ブロックＪｉ６上に、第
５図（ｇ）に示すようにｐ−ＧａＡ３コンタクト層７を
形成する。この後、コンタク）・層７上にｐ＠電極、基
板１上にｎ＠電極を形成してレーザが完成する。
−ＧａＡｓ基板１上に、第５図（ｂｌに示すようにｎ−
Ａ Ｉｌｚ Ｇ ａ ｌ−ｘ Ａ ｓ第１クラッド層２
、Ｘ〉ｙであるＡｊ’ｙ Ｇａ、、Ａｓ光ガイド層３、
ｙ＞ｑ ＞ｐであるｐ ＡＪｐ Ｇ；１１−ｅ Ａｓ
Ａｌｌ＠Ｇ ａ ｌ−４Ａ ｓ多重量子井戸層４１
、ｐ−Ａｊ！、Ｇａ１−ｘＡｓ第２クラッド層５、及び
ｐ−ＧａＡｓキャップ層７１の各層をエピタキシャル成
長した後、第５図（Ｃ）に示すように、ｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層７１上にアモルファス膜１０を形成する０次に
該アモルファス膜１０を、第５図（ｄ）に示すように共
振器端面近傍を除いたストライプ状にエツチングし、該
ストライプ状に形成されたアモルファス膜１０をエツチ
ングマスクとしてｐ−ＧａＡｓキャップ層７１とｐ−Ａ
ｌｘＧａ、−ｘＡｓ第２クラッド層の一部を、第５図（
ｉｌｌ）に示すように共振器端面近傍を除いたストライ
プ状のリッヂにエツチングし、この後、第２回目のエピ
タキシャル成長で、共振器端面近傍を除いたストライプ
状に形成したアモルファス膜１０を選択マスクとし、リ
ッヂ部分を除いた部分に、第５図（ｆ）に示すようにｎ
−ＧａＡｓ電流ブロックＮ６を形成する。そしてアモル
ファス膜１０除去後、第３回目のエピタキシャル成長で
リッヂ部分とｎ−ＧａＡｓ電流ブロックＪｉ６上に、第
５図（ｇ）に示すようにｐ−ＧａＡ３コンタクト層７を
形成する。この後、コンタク）・層７上にｐ＠電極、基
板１上にｎ＠電極を形成してレーザが完成する。
ところで、上記実施例においては、第２クラッド層５上
に電流ブロックＮ６を直接形成していたが、第２クラッ
ド層５と電流ブロック層６の界面は製造法」−５再成長
界面となるやまた、第２クラッド層５はｐ型であり、電
流ブロック層はｎ型である。つまり第２クラッドＮ５と
電流ブロック層６との界面は、再成長界面でありｐ−ｎ
接合面でもある。このため装置の信頼性向」−の上で問
題点があった。
に電流ブロックＮ６を直接形成していたが、第２クラッ
ド層５と電流ブロック層６の界面は製造法」−５再成長
界面となるやまた、第２クラッド層５はｐ型であり、電
流ブロック層はｎ型である。つまり第２クラッドＮ５と
電流ブロック層６との界面は、再成長界面でありｐ−ｎ
接合面でもある。このため装置の信頼性向」−の上で問
題点があった。
第３図は上述のような問題点を解消した、本発明の他の
実施例による半導体レーザ装置を示す図であり、第３図
（ａ）は本実施例装置の共振器端面近傍及び共振器内部
を示す図であり、第３図（１１）は本装置のレーザ発振
領域８を分断する縦断面図である。これら図において、
第１図と同一符号は同−又は相当部分であり、６１はｐ
型ＧａＡＳバッファ層である。
実施例による半導体レーザ装置を示す図であり、第３図
（ａ）は本実施例装置の共振器端面近傍及び共振器内部
を示す図であり、第３図（１１）は本装置のレーザ発振
領域８を分断する縦断面図である。これら図において、
第１図と同一符号は同−又は相当部分であり、６１はｐ
型ＧａＡＳバッファ層である。
本実施例では、第２クラッド層５と電流ブロック層６と
の間にｐ−〇ａＡｓバッファＪｉ１６１が形成されてお
り、これにより再成長界面とｐ−ｎ接合が−・敗するの
を避けることができ、信頼性向」二の上で大きな効果が
ある。
の間にｐ−〇ａＡｓバッファＪｉ１６１が形成されてお
り、これにより再成長界面とｐ−ｎ接合が−・敗するの
を避けることができ、信頼性向」二の上で大きな効果が
ある。
ところで、半導体レーザｉｆにおいて光出力を増大さセ
・る場合、レーザ光の活性層による吸収のための活性層
融解のため、端面非注入構造を用いてもＣＯＤレベル向
上には限界がある。
・る場合、レーザ光の活性層による吸収のための活性層
融解のため、端面非注入構造を用いてもＣＯＤレベル向
上には限界がある。
第４図は上述のような問題を解消した、本発明のさらに
他の実施例による端面窓構造効果を持つ半導体レーザ装
置を示す図であり、第４図（ａｌは本実施例装置の共振
器端面近傍及び共振器内部を示す図であり、第４図０３
）は本装置の１／・−ザ発振領域８を分断する縦断面図
であるゆごれら図において、第１図又は第３図と同一符
号は同−又は相当部分であり、４ａ！、！ＡＩＧａＡ、
＋系の多重量子井戸層からなる活性層、６１’はｐ型Ａ
ｌｏ、５ Ｇａｏ、ｑＡｓ第２クラッド層よりド・−バ
ント濃度の大きいｐ型ＧａＡｓバッツ１層である。また
１５はｐ−ＧａＡｓバッファ層６１’からのｐ型ドー・
バンドのオートドーピングにより形成されたｐ型ドーパ
ント拡散領域である。また４ｂは４２はｐ−ＧａＡｓバ
ッファ層から拡散により多重量子井戸層が無秩序化され
た活性層である。
他の実施例による端面窓構造効果を持つ半導体レーザ装
置を示す図であり、第４図（ａｌは本実施例装置の共振
器端面近傍及び共振器内部を示す図であり、第４図０３
）は本装置の１／・−ザ発振領域８を分断する縦断面図
であるゆごれら図において、第１図又は第３図と同一符
号は同−又は相当部分であり、４ａ！、！ＡＩＧａＡ、
＋系の多重量子井戸層からなる活性層、６１’はｐ型Ａ
ｌｏ、５ Ｇａｏ、ｑＡｓ第２クラッド層よりド・−バ
ント濃度の大きいｐ型ＧａＡｓバッツ１層である。また
１５はｐ−ＧａＡｓバッファ層６１’からのｐ型ドー・
バンドのオートドーピングにより形成されたｐ型ドーパ
ント拡散領域である。また４ｂは４２はｐ−ＧａＡｓバ
ッファ層から拡散により多重量子井戸層が無秩序化され
た活性層である。
次に動作について説明する。
レーザ発振のメカニズムは、従来例および上記本発明の
実施例と同様であるので省略する。また光ガイド層３に
より共振器端面近傍でのレーザ光のモ・−ドは安定する
。さらにレーザ光のフォトンエネルギーは、共振器内部
の多重量子井戸層からなる活性層４１のバンドギャップ
エネルギーにより決定される。
実施例と同様であるので省略する。また光ガイド層３に
より共振器端面近傍でのレーザ光のモ・−ドは安定する
。さらにレーザ光のフォトンエネルギーは、共振器内部
の多重量子井戸層からなる活性層４１のバンドギャップ
エネルギーにより決定される。
共振器端面近傍の無秩序化された活性Ｎ４２は無秩序化
のため、バンドギャップエネルギーは無秩序化以前より
大きくなり、レーザ光を吸収せずいわゆる窓効果を持つ
。
のため、バンドギャップエネルギーは無秩序化以前より
大きくなり、レーザ光を吸収せずいわゆる窓効果を持つ
。
次に製造法について説明する。
第１回目のエピタキシャル成長で第６図（ａｌに示すｒ
Ｌ−ＧａＡｓ基板１上に、第６図（′ｂ）に示すように
ｎＡ ’２ ＊ Ｇ ａ ｌ−１１Ａ ｓ第１クラッド
層２、Ｘ〉ｙであるＡ ｌｙ Ｇ ａ ｉ−ｙ Ａ ｓ
光ガイド層３、ｙ＞ｑ ＞ｐであるｐ−Ａｌ、Ｇａ、−
、Ａｓ−Ａｊ２゜Ｇａ、−、Ａｓ多重量子井戸層４１、
Ｐ−ＡＩｘ Ｇｔａｎ−ｘＡｓ第２クラッド１１５、及
びｐ−ＧａＡｓキャップ層７１の各層をエピタキシャル
成長した後、第６図（０）に示すように、ｐ−ＧａＡｓ
キャップＩＩＪ７１上にアモルファス膜１０を形成する
０次に該アモルファス膜１０を、第６図（ｄ）に示すよ
うに共振器端面近傍を除いたス［・ライブ状にエツチン
グし、該ストライプ状に形成されたアモルファス膜１０
をエツチングマスクとしてｐ−ＧａＡｓキャップ層７１
と１） Ａ ｊ２ｙ Ｇ ａ Ｉ−Ｘ Ａ Ｓ第２ク
ラッド贋の一部を、第６図（ｅ）に示すように共振器端
面近傍を除いたストライプ状のリッヂにエツチングし、
この後、第２回目のエピタキシャル成長で、共振器端面
近傍を除いたストライプ状に形成したアモルファス膜１
０を選択マスクとし、リッヂ部分を除いた部分に、第６
図（ｆ）に示すようにｐ−Ａｌ。Ｇ ａ ｔ −ｘ Ａ
ｓ第２クラッド層５より高濃度にドーピングされたｐ
−ＧａＡｓバッファ層６１とｎ−ＧａＡｓ電流ブロック
ＮＧを形成する。
Ｌ−ＧａＡｓ基板１上に、第６図（′ｂ）に示すように
ｎＡ ’２ ＊ Ｇ ａ ｌ−１１Ａ ｓ第１クラッド
層２、Ｘ〉ｙであるＡ ｌｙ Ｇ ａ ｉ−ｙ Ａ ｓ
光ガイド層３、ｙ＞ｑ ＞ｐであるｐ−Ａｌ、Ｇａ、−
、Ａｓ−Ａｊ２゜Ｇａ、−、Ａｓ多重量子井戸層４１、
Ｐ−ＡＩｘ Ｇｔａｎ−ｘＡｓ第２クラッド１１５、及
びｐ−ＧａＡｓキャップ層７１の各層をエピタキシャル
成長した後、第６図（０）に示すように、ｐ−ＧａＡｓ
キャップＩＩＪ７１上にアモルファス膜１０を形成する
０次に該アモルファス膜１０を、第６図（ｄ）に示すよ
うに共振器端面近傍を除いたス［・ライブ状にエツチン
グし、該ストライプ状に形成されたアモルファス膜１０
をエツチングマスクとしてｐ−ＧａＡｓキャップ層７１
と１） Ａ ｊ２ｙ Ｇ ａ Ｉ−Ｘ Ａ Ｓ第２ク
ラッド贋の一部を、第６図（ｅ）に示すように共振器端
面近傍を除いたストライプ状のリッヂにエツチングし、
この後、第２回目のエピタキシャル成長で、共振器端面
近傍を除いたストライプ状に形成したアモルファス膜１
０を選択マスクとし、リッヂ部分を除いた部分に、第６
図（ｆ）に示すようにｐ−Ａｌ。Ｇ ａ ｔ −ｘ Ａ
ｓ第２クラッド層５より高濃度にドーピングされたｐ
−ＧａＡｓバッファ層６１とｎ−ＧａＡｓ電流ブロック
ＮＧを形成する。
そしてアモルファス膜１０除去後、第３回目のエピタキ
シャル成長でリッヂ部分とｎ−ＧａＡｓ電流ブロックＪ
ｉｌＳ上に、第６′図（噂に示すよ・）にｐ −ＧａＡ
ａコンタクトＮ７を形成する。この第２゜３回目のエピ
タキシャル成長の際、バッファ層６１からはｐ型不純物
のオートドーピングが生ずるが、第２クラッド層５とキ
ャップ層７１には共振器端面近傍を除いたストライプ状
の凸部が形成されており、これによる共振器端面と内部
での活性層の発光領域とバッファ層６１との距離の違い
により、上記ストライプ状凸部の真下の領域の多重量子
井戸Ｎ ４ ａを除く領域の多重量子井戸層４ｂが、バ
ッファ層６１からのｐ型ドーパントの拡散により第４図
に示すように無秩序化される。この後、この後、コンタ
クト層７上にｐ側電極、基板１上にｎ側電極を形成して
レーザが完成する。
シャル成長でリッヂ部分とｎ−ＧａＡｓ電流ブロックＪ
ｉｌＳ上に、第６′図（噂に示すよ・）にｐ −ＧａＡ
ａコンタクトＮ７を形成する。この第２゜３回目のエピ
タキシャル成長の際、バッファ層６１からはｐ型不純物
のオートドーピングが生ずるが、第２クラッド層５とキ
ャップ層７１には共振器端面近傍を除いたストライプ状
の凸部が形成されており、これによる共振器端面と内部
での活性層の発光領域とバッファ層６１との距離の違い
により、上記ストライプ状凸部の真下の領域の多重量子
井戸Ｎ ４ ａを除く領域の多重量子井戸層４ｂが、バ
ッファ層６１からのｐ型ドーパントの拡散により第４図
に示すように無秩序化される。この後、この後、コンタ
クト層７上にｐ側電極、基板１上にｎ側電極を形成して
レーザが完成する。
このように本実施例の製造方法によれば、ストライプ状
凸部の有無により活性層４１からバッフ１層６１までの
距離を異ならせ、バッファＪｉｉ６１からのｐ型不純物
のオートドーピングによりストライプ状凸部の直下の領
域を除く領域の多重量子井戸層４ｂを無秩序化するよう
にしたから、端面に電流、非注入領域及び窓構造を有し
、高出力動作が可能な半導体レーザ装置を極めて容易に
製造できる。
凸部の有無により活性層４１からバッフ１層６１までの
距離を異ならせ、バッファＪｉｉ６１からのｐ型不純物
のオートドーピングによりストライプ状凸部の直下の領
域を除く領域の多重量子井戸層４ｂを無秩序化するよう
にしたから、端面に電流、非注入領域及び窓構造を有し
、高出力動作が可能な半導体レーザ装置を極めて容易に
製造できる。
以上のように、この発明によれば、第１クラッド層と活
性層との間に光ガイド層を設けた構成としたから、レー
ザ光の発光領域を光ガイド層側にシフトして、電流ブロ
ック層より離すことができ、これにより共振器端面近傍
での光のモー・ドを安定化し、安定した光学特性を持つ
半導体レーザ装置を得ることができる効果がある。
性層との間に光ガイド層を設けた構成としたから、レー
ザ光の発光領域を光ガイド層側にシフトして、電流ブロ
ック層より離すことができ、これにより共振器端面近傍
での光のモー・ドを安定化し、安定した光学特性を持つ
半導体レーザ装置を得ることができる効果がある。
また、本発明によれば半導体し・−ザ装置において、第
２クラッド層と電流ブロック層との間に第２クラッド屑
より高濃度にドーピングしたｐ−ｃａＡｓバッファ層を
設け、このｐ−ＧａＡｓバッファ層からのドーパントの
拡散により、活性層の多重量子井戸層を共振器端面近傍
でのみ無秩序化し、端面窓構造としたから、ｐ−ｎ接合
面と再成長界面の一致を避けることができると共に、Ｃ
ＯＤレベルを飛躍的に向上でき、高出力動作が可能とな
る効果がある。
２クラッド層と電流ブロック層との間に第２クラッド屑
より高濃度にドーピングしたｐ−ｃａＡｓバッファ層を
設け、このｐ−ＧａＡｓバッファ層からのドーパントの
拡散により、活性層の多重量子井戸層を共振器端面近傍
でのみ無秩序化し、端面窓構造としたから、ｐ−ｎ接合
面と再成長界面の一致を避けることができると共に、Ｃ
ＯＤレベルを飛躍的に向上でき、高出力動作が可能とな
る効果がある。
また、本発明によれば半導体レーザ装置の製造方法にお
いて、少なくとも一方の端面近傍を除く部分にストライ
プ状凸部を形成したｐ−第２クラッド層の該ストライプ
状凸部上部以外の部分に該第２クラッド層より高濃度に
ドープされたｐ〜バッファ層。ｎ−電流ブロック層を順
次エピタキシャル成長させ、さらに上記ストライプ状凸
部上部および上記ｎ−ブロック層上にｐ−コンタクト層
をエピタキシャル成長させ、これらエピタキシャル成長
工程中に上記ストライプ状凸部の真下の領域を除く領域
の活性層の多重量子井戸を上記ｐ−バッファ層からのオ
・−トド−ピングにより無秩序化するようにしたから、
端面に電流、非注入領域及び窓構造を有し、高出力動作
が可能な半導体レーザ装置を極めて容易に製造できる効
果がある。
いて、少なくとも一方の端面近傍を除く部分にストライ
プ状凸部を形成したｐ−第２クラッド層の該ストライプ
状凸部上部以外の部分に該第２クラッド層より高濃度に
ドープされたｐ〜バッファ層。ｎ−電流ブロック層を順
次エピタキシャル成長させ、さらに上記ストライプ状凸
部上部および上記ｎ−ブロック層上にｐ−コンタクト層
をエピタキシャル成長させ、これらエピタキシャル成長
工程中に上記ストライプ状凸部の真下の領域を除く領域
の活性層の多重量子井戸を上記ｐ−バッファ層からのオ
・−トド−ピングにより無秩序化するようにしたから、
端面に電流、非注入領域及び窓構造を有し、高出力動作
が可能な半導体レーザ装置を極めて容易に製造できる効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す図、第２図は本発明の一実施例による半導体レーザ
装置の共振器端面近傍の光の分布を示す図、第３図は本
発明の他の実施例による半導体レーザ装置を示す図、第
４図は本発明のさらに他の実施例による半導体レーザ装
置を示す図、第５図は第１図の実施例の製造工程をしめ
ず斜視図、第６図は第４図の実施例の製造工程をしめず
斜視図、第７図は従来の半導体レーザを示す図、第８図
は従来の半導体レーザの共振器内部での光強度の分布を
示す図である。 １ばｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ Ａｌｏ、ｓＧａ。。 、ｆｉ、ｓ第１クラッド層、３はｎ−Ａ６ＧａＡｓ光ガ
イド層、４はｐ−Ａ１．。ＩＳＧ ａ Ｏｏ、ＳＡ３活
性層、５はｐ −Ａ ｊ？ ０゜ｓ Ｇａｏ、、Ａｓ第
２クラッド層、６はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、７は
ｐ −ＧａＡｓコンタクト層、８はレーザ発振領域、９
は電流非注入領域、１０はアモルファス膜、６］はｐ−
ＧａＡｓバッフｙＷｉ、４１はＡｌ１ＧａＡ３系多重量
子井戸層からなる活性層、４ａはｐ型ド−パントの拡散
されない多重量子井戸層、４ｂはｐ型ドーパントの拡散
により無秩序化された多重量子井戸層、６２はｐ−Ｇａ
Ａｓバッファ層から拡散したｐ型ドーパントの拡散領域
、７１はｐ−ＧａＡｓキャップ層である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
示す図、第２図は本発明の一実施例による半導体レーザ
装置の共振器端面近傍の光の分布を示す図、第３図は本
発明の他の実施例による半導体レーザ装置を示す図、第
４図は本発明のさらに他の実施例による半導体レーザ装
置を示す図、第５図は第１図の実施例の製造工程をしめ
ず斜視図、第６図は第４図の実施例の製造工程をしめず
斜視図、第７図は従来の半導体レーザを示す図、第８図
は従来の半導体レーザの共振器内部での光強度の分布を
示す図である。 １ばｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ Ａｌｏ、ｓＧａ。。 、ｆｉ、ｓ第１クラッド層、３はｎ−Ａ６ＧａＡｓ光ガ
イド層、４はｐ−Ａ１．。ＩＳＧ ａ Ｏｏ、ＳＡ３活
性層、５はｐ −Ａ ｊ？ ０゜ｓ Ｇａｏ、、Ａｓ第
２クラッド層、６はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、７は
ｐ −ＧａＡｓコンタクト層、８はレーザ発振領域、９
は電流非注入領域、１０はアモルファス膜、６］はｐ−
ＧａＡｓバッフｙＷｉ、４１はＡｌ１ＧａＡ３系多重量
子井戸層からなる活性層、４ａはｐ型ド−パントの拡散
されない多重量子井戸層、４ｂはｐ型ドーパントの拡散
により無秩序化された多重量子井戸層、６２はｐ−Ｇａ
Ａｓバッファ層から拡散したｐ型ドーパントの拡散領域
、７１はｐ−ＧａＡｓキャップ層である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）ｎ型ＧａＡｓ基板上に設けられたｎ型Ａｌ＿ｘＧ
ａ＿１＿−＿ｘＡｓ第１クラッド層と、 該第１クラッド層上に設けられたｎ型Ａｌ＿ｙＧａ＿１
＿−＿ｙＡｓ（ｘ＞ｙ）光ガイド層と、該光ガイド層上
に設けられたｎ型もしくはｐ型もしくは真性のＡｌ＿ｚ
Ｇａ＿１＿−＿ｚＡｓ（ｙ＞ｚ）活性層と、 該活性層上に設けられた、少なくとも一方の共振器端面
近傍を除いたストライプ状の凸形リッヂ部分を有するｐ
型Ａｌ＿ｐＧａ＿１＿−＿ｐＡｓ（ｐ＞ｚ）第２クラッ
ド層と、 該リッヂ部分以外の領域を埋込む様に形成されたｎ型Ｇ
ａＡｓ電流ブロック層と、 該電流ブロック層とリッヂ部分上に設けられたｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層とを備えたことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。 - （２）ｎ型ＧａＡｓ基板上に設けられたｎ型Ａｌ＿ｘＧ
ａ＿１＿−＿ｘＡｓ第１クラッド層と、 該第１クラッド層上に設けられたｎ型のＡｌ＿ｙＧａ＿
１＿−＿ｙＡｓ（ｘ＞ｙ）光ガイド層と、該光ガイド層
上に設けられたｎ型もしくはｐ型もしくは真性のＡｌ＿
ｐＧａ＿１＿−＿ｐＡｓ−Ａｌ＿ｑＧａ＿１＿−＿ｑＡ
ｓ（ｙ＞ｑ＞ｐ）多重量子井戸層からなる活性層と、 該活性層上に設けられた、少なくとも一方の共振器端面
近傍を除いたストライプ状の凸型リッヂ部分を有するｐ
型Ａｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚＡｓ（ｚ＞ｑ）第２クラッ
ド層と、 該第２クラッド層上でリッヂ部分以外の領域に設けられ
た第２クラッド層より高濃度にドーピングされたｐ型Ｇ
ａＡｓバッファ層と、 該バッファ層上に、該第２クラッド層のリッヂ部分以外
の領域を埋め込む様に形成されたｎ型ＧａＡｓ電流ブロ
ック層と、 該電流ブロック層とリッヂ部分上に設けられたｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層とを備え、 上記リッヂ部分の直下の領域を除く領域の上記多重量子
井戸層は、上記ｐ型ＧａＡｓバッファ層からのｐ型ドー
パントの拡散により無秩序化されていることを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - （３）ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型のＡｌ＿ｘＧａ＿１＿
−＿ｘＡｓ第１クラッド層、ｎ型Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−
＿ｙＡｓ（ｘ＞ｙ）光ガイド層、ｎ型もしくはｐ型もし
くは真性のＡｌ＿ｐＧａ＿１＿−＿ｐＡｓ−Ａｌ＿ｑＧ
ａ＿１＿−＿ｑＡｓ（ｙ＞ｑ＞ｐ）多重量子井戸層、Ａ
ｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚＡｓ（ｚ＞ｑ）第２クラッド層
、ｐ型ＧａＡｓ第２クラッド層、及びｐ型ＧａＡｓキャ
ップ層を順次エピタキシャル成長する第１エピタキシャ
ル成長工程と、 上記ｐ型キャップ層とｐ型第２クラッド層の一部を、少
なくとも一方の共振器端面近傍を除いたストライプ状に
エッチングする工程と、 上記ストライプ状の凸部の上部以外の領域上にｐ型Ａｌ
＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚＡｓ第２クラッド層より高濃度に
ドーピングされたｐ型ＧａＡｓバッファ層とｎ型ＧａＡ
ｓ電流ブロック層を順次エピタキシャル成長する第２エ
ピタキシャル成長工程と、上記ｐ型キャップ層のストラ
イプ状の凸部上面と上記ｎ型電流ブロック層上にｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層をエピタキシャル成長する第３のエ
ピタキシャル成長工程とを含み、 上記第２、第３エピタキシャル成長工程において、上記
ｐ型バッファ層からのｐ型ドーパントのオートドーピン
グにより、上記ストライプ状凸部の直下の領域を除く領
域の上記多重量子井戸層を無秩序化することを特徴とす
る半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1024453A JPH02203586A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
| US07/472,285 US5020067A (en) | 1989-02-01 | 1990-01-30 | Semiconductor laser device |
| DE4002970A DE4002970A1 (de) | 1989-02-01 | 1990-02-01 | Halbleiterlaser und verfahren zu dessen herstellung |
| NL9000254A NL9000254A (nl) | 1989-02-01 | 1990-02-01 | Een halfgeleiderlaserinrichting en werkwijze voor vervaardiging daarvan. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1024453A JPH02203586A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02203586A true JPH02203586A (ja) | 1990-08-13 |
Family
ID=12138580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1024453A Pending JPH02203586A (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5020067A (ja) |
| JP (1) | JPH02203586A (ja) |
| DE (1) | DE4002970A1 (ja) |
| NL (1) | NL9000254A (ja) |
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