JPS6356979A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPS6356979A JPS6356979A JP20046886A JP20046886A JPS6356979A JP S6356979 A JPS6356979 A JP S6356979A JP 20046886 A JP20046886 A JP 20046886A JP 20046886 A JP20046886 A JP 20046886A JP S6356979 A JPS6356979 A JP S6356979A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/162—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions made by diffusion or disordening of the active layer
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
量子井戸構造を活性層とする横方向注入レーザにおいて
、共振器端面に不純物を４人して形成したウィンドウ領
域を設け、この部分の禁制帯幅を拡げて光の吸収を落と
すことにより、Ｃｏｎ （Ｃａｔａ−ｓｔｒｏｐｈｉｃ
ａｌ ０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａｇｅ）を起してレーザ
が破壊するレベルを向上して、レーザの高出力化をはか
る。
、共振器端面に不純物を４人して形成したウィンドウ領
域を設け、この部分の禁制帯幅を拡げて光の吸収を落と
すことにより、Ｃｏｎ （Ｃａｔａ−ｓｔｒｏｐｈｉｃ
ａｌ ０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａｇｅ）を起してレーザ
が破壊するレベルを向上して、レーザの高出力化をはか
る。
本発明は量子井戸構造を活性層とする横方向注入レーザ
の共振器端面の構造に関する。
の共振器端面の構造に関する。
半導体レーザは光通信用の電源として多用されるように
なり、その性能改善のための技術開発が活発に行われて
しくる。
なり、その性能改善のための技術開発が活発に行われて
しくる。
本出願人はさきに、光の横方向の閉じ込め効果を向上し
、しきい値電流を低減し、かつ集積化に適した量子井戸
構造を活性層とする横方向注入レーザを特願昭６０−２
７０５９号明細占に開示したが、本発明はこのレーザを
さらに高出力化した構造を提起する。
、しきい値電流を低減し、かつ集積化に適した量子井戸
構造を活性層とする横方向注入レーザを特願昭６０−２
７０５９号明細占に開示したが、本発明はこのレーザを
さらに高出力化した構造を提起する。
横方向注入レーザにおいても、最高出力はレーザ端面の
ＣＯＤ レベルにより決定される。
ＣＯＤ レベルにより決定される。
活性層よりなる共振器が端面部分において露出する従来
のレーザでは活性層自身の光学吸収が大きいのでレーザ
出力を上げてゆくと真先にこの部分で破壊し、ＣＯＤレ
ベル向上に対して制約となっていた。
のレーザでは活性層自身の光学吸収が大きいのでレーザ
出力を上げてゆくと真先にこの部分で破壊し、ＣＯＤレ
ベル向上に対して制約となっていた。
第３図は従来例による量子井戸構造を活性層とする横方
向注入レーザの構造を説明する断面図である。
向注入レーザの構造を説明する断面図である。
図において、
■は５ｌ−ＧａＡｓ基板、
２．４はクラフト層で厚さ１μｍの
高抵抗（ＨＲ）−＾ｌＸＧａ１−．Ａｓｊｉ（ｘ＝０．
４５ ）、 ３は多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の活性層、３Ａは横方
向注入レーザの活性層（発光領域）で、幅０．５〜１．
５μｍ ５はｐ型不純物（Ｚｎ）の拡散により形成したｐ型頭域
（ｐ型電極領域）、 論はｎ型拡散による無秩序化領域、 ６はｎ型不純物（Ｓｉ）の拡散により形成したｎ型領域
（ｎ型電極領域）、 ６Ａはｎ型拡散による無秩序化領域 である。
４５ ）、 ３は多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の活性層、３Ａは横方
向注入レーザの活性層（発光領域）で、幅０．５〜１．
５μｍ ５はｐ型不純物（Ｚｎ）の拡散により形成したｐ型頭域
（ｐ型電極領域）、 論はｎ型拡散による無秩序化領域、 ６はｎ型不純物（Ｓｉ）の拡散により形成したｎ型領域
（ｎ型電極領域）、 ６Ａはｎ型拡散による無秩序化領域 である。
無秩序化領域５Ａ、６Ａは、ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓが
相互拡散して無秩序化し、平均組成の混晶が形成された
領域で、これにより活性層が横方向にダブルヘテロ構造
を形成し、横方向の光の閉じ込めを向上するものである
。
相互拡散して無秩序化し、平均組成の混晶が形成された
領域で、これにより活性層が横方向にダブルヘテロ構造
を形成し、横方向の光の閉じ込めを向上するものである
。
つぎに、このレーザの製造工程の概略を説明する。
まず、分子線エビクキシャル成長（ＭＢＥ）法、有機金
属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法、液相エピタキシャル
成長（ＬＰＥ）法等により、５ＬＧａＡｓ基板１上にＨ
Ｒ−ＡＩＧａＡｓクラフト層２、ＭＱＷ構造の活性層３
、ｔｌＲ−ＡＩＧａＡｓクラッド層４を順次成長する。
属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法、液相エピタキシャル
成長（ＬＰＥ）法等により、５ＬＧａＡｓ基板１上にＨ
Ｒ−ＡＩＧａＡｓクラフト層２、ＭＱＷ構造の活性層３
、ｔｌＲ−ＡＩＧａＡｓクラッド層４を順次成長する。
つぎに、６００℃でＺｎを拡散してｐ壁領域５を形成し
、８５０℃でＳｉを拡散してｎ型領域６を形成する。
、８５０℃でＳｉを拡散してｎ型領域６を形成する。
これらの領域形成は上記の気相拡散に代わってイオン注
入を用いてもよい。
入を用いてもよい。
以上の工程により横方向注入１’ｌＱＷレーザが形成さ
れる。
れる。
第４図はＭＱＷ構造（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの周期構
造）を説明するＡｌえＧａ 、 −ＸＡｓの混晶比×の
厚さ方向の分布図である。
造）を説明するＡｌえＧａ 、 −ＸＡｓの混晶比×の
厚さ方向の分布図である。
図において、ＭＱＷは厚さ８０人でＧａＡｓ層が５層、
厚さ１２０人のＡｌ）ＩＧａ＋−ｘＡｓ（ｘ＝０．３）
層が４層交互に積層して形成する。
厚さ１２０人のＡｌ）ＩＧａ＋−ｘＡｓ（ｘ＝０．３）
層が４層交互に積層して形成する。
以上説明した横方向注入？ＩＱＷレーザでは、キャリア
は電極より直接各ウェル層に横方向（ウェル層に平行）
に注入される。この場合共振器は紙面に垂直方向に形成
され、その端面ばＭＱＷ層がそのまま露出している。
は電極より直接各ウェル層に横方向（ウェル層に平行）
に注入される。この場合共振器は紙面に垂直方向に形成
され、その端面ばＭＱＷ層がそのまま露出している。
〔発明が解決しようとする問題点］
共Ｓ器長方向の光の強さの分布は端面で最強となる双曲
線関数であられされ、従って横方向注入ＭＱＷレーザに
おいても共振器端面のＣＯＤ レベルでレーザの最大発
振出力が制約されるという欠点があった。
線関数であられされ、従って横方向注入ＭＱＷレーザに
おいても共振器端面のＣＯＤ レベルでレーザの最大発
振出力が制約されるという欠点があった。
上記問題点の解決は、量子井戸構造の活性層と、該活性
層を挟む絶縁性または半絶縁性半導体層のクラッド層と
、該クラッド層を通して該活性層にたがいに間隔を隔て
て４電性不純物を導入して形成されたｐ型およびｎ型領
域を有し、該ｐ型およびｎ型領域内の量子井戸構造は無
秩序化され、該活性層は横方向にダブルヘテロ構造をも
つ横方向注入レーザにおいて、 該活性層の露出するすくなくとも一方の端面に該ｐ型お
よびｎ型領域より離れて不純物を導入して形成されたウ
ィンドウ領域を有し、該ウィンドウ領域内の量子井戸構
造は無秩序化されて禁制帯幅が大きくなついる本発明に
よる半導体レーザにより達成される。
層を挟む絶縁性または半絶縁性半導体層のクラッド層と
、該クラッド層を通して該活性層にたがいに間隔を隔て
て４電性不純物を導入して形成されたｐ型およびｎ型領
域を有し、該ｐ型およびｎ型領域内の量子井戸構造は無
秩序化され、該活性層は横方向にダブルヘテロ構造をも
つ横方向注入レーザにおいて、 該活性層の露出するすくなくとも一方の端面に該ｐ型お
よびｎ型領域より離れて不純物を導入して形成されたウ
ィンドウ領域を有し、該ウィンドウ領域内の量子井戸構
造は無秩序化されて禁制帯幅が大きくなついる本発明に
よる半導体レーザにより達成される。
本発明はレーザの素子厚を１くでき、集積化が容易で、
低しきい値で、かつ寄生型容量の小さい横方向注入量子
井戸レーザにおいて、レーザ端面部分において不純物を
４大して活性層の無秩序化を行い、この部分を活性層よ
りも禁制帯幅の大きい混晶としてウィンドウ領域を形成
することにより、この部分の光学吸収を低下させ、ＣＯ
Ｄ レベルを増大させて、レーザの最大発振出力を向上
するものである。
低しきい値で、かつ寄生型容量の小さい横方向注入量子
井戸レーザにおいて、レーザ端面部分において不純物を
４大して活性層の無秩序化を行い、この部分を活性層よ
りも禁制帯幅の大きい混晶としてウィンドウ領域を形成
することにより、この部分の光学吸収を低下させ、ＣＯ
Ｄ レベルを増大させて、レーザの最大発振出力を向上
するものである。
第１図（１）、（２）、（３）は本発明による量子井戸
構造を活性層とする横方向注入レーザの構造を説明する
平面図とＡ−Ａ断面図とＢ−８断面図である。
構造を活性層とする横方向注入レーザの構造を説明する
平面図とＡ−Ａ断面図とＢ−８断面図である。
図において、
１は５Ｉ−ＧａＡｓ基板、
２．４はクラッド層で厚さ１μｍの
ＨＲ−ＡＩＸＧａＩ−ＸＡｓ層
（ｘ−０，４５）、
３は１０Ｗ構造の活性層、
３八は横方向注入レーザの活性層（発光領域）で、幅０
．５〜１．５μｍ ５はＺｎの拡散により形成した ｎ型領域（ｐ型電極領域）、 ５Ａはｐ型拡散による無秩序化領域、 ６はＳｉの拡散により形成した ｎ型領域（ｐ型電極領域）、 ６Ａはｎ型拡散による無秩序化領域、 ７．８はＺｎの拡散により形成した ウィンドウ領域、 ７八、８Ａはｐ型拡散による無秩序化領域、９はコンタ
クト層でＧａＡｓ層、 １０は絶縁層でＳｉＮ層、 １１はｐ側電極で＾ｕ／Ｚｎ／Ａｕ層、１２はｎ側電極
で八ｕＧｅ／Ａｕ ｆ’Ｊである。
．５〜１．５μｍ ５はＺｎの拡散により形成した ｎ型領域（ｐ型電極領域）、 ５Ａはｐ型拡散による無秩序化領域、 ６はＳｉの拡散により形成した ｎ型領域（ｐ型電極領域）、 ６Ａはｎ型拡散による無秩序化領域、 ７．８はＺｎの拡散により形成した ウィンドウ領域、 ７八、８Ａはｐ型拡散による無秩序化領域、９はコンタ
クト層でＧａＡｓ層、 １０は絶縁層でＳｉＮ層、 １１はｐ側電極で＾ｕ／Ｚｎ／Ａｕ層、１２はｎ側電極
で八ｕＧｅ／Ａｕ ｆ’Ｊである。
無秩序化領域７Ａ、 ８Ａは、ＧａＡｓ（！：ＡｌＧａ
Ａｓが相互拡散して無秩序化し、平均組成の混晶が形成
された領域で、この部分の禁制帯幅が大きくなる。
Ａｓが相互拡散して無秩序化し、平均組成の混晶が形成
された領域で、この部分の禁制帯幅が大きくなる。
つぎに、これレーザの製造工程の概略を説明する。
まず、ＭＢＥ法、ＭＯＣＶＤ法、ＬＰＥ法等により、５
ｔ−ＧａＡｓ基十反１上にＨＲ−ＡＩＧａＡｓクラッド
層２．１臀構造の活性層３．１（Ｒ−ＡＩＧａＡｓクラ
ッド層４を順次成長する。
ｔ−ＧａＡｓ基十反１上にＨＲ−ＡＩＧａＡｓクラッド
層２．１臀構造の活性層３．１（Ｒ−ＡＩＧａＡｓクラ
ッド層４を順次成長する。
つぎに、６００°ＣでＺｎを拡散してｎ型領域５．７．
８を形成し、８５０℃でＳｉを拡散してｎ型領域６を形
成する。
８を形成し、８５０℃でＳｉを拡散してｎ型領域６を形
成する。
以上の工程により基板に横方向注入ＭＱＷレーザの主要
部が形成される。
部が形成される。
この後は、コンタクト層、絶縁層、電極を形成し、ウィ
ンドウ層７．８を過る（ａ）、（ｂｌ線と、これらに垂
直な（Ｃ）、ｆｄｉ線でへき関し、チップごとに分離す
る。
ンドウ層７．８を過る（ａ）、（ｂｌ線と、これらに垂
直な（Ｃ）、ｆｄｉ線でへき関し、チップごとに分離す
る。
第２図は本発明の他の実施例による量子井戸構造を活性
層とする横方向注入レーザの構造を説明する断面図であ
る。
層とする横方向注入レーザの構造を説明する断面図であ
る。
図は活性層を垂直方向に４層集積化した横方向注入レー
ザで、さらに高出力化をはかったものである。共振器端
面にはウィンドウ層７．８が第１図と同様に各活性層を
含んで形成されている。
ザで、さらに高出力化をはかったものである。共振器端
面にはウィンドウ層７．８が第１図と同様に各活性層を
含んで形成されている。
この断面図は第１図のＡ−Ａ断面図に相当し、平面図は
第１図と全く同様である。
第１図と全く同様である。
図において、
１は５Ｔ−ＧａＡｓ基板、
２．４１〜４４はクラッド層で厚さ１μｍのＨＲ−ＡＩ
ＸＧａＩ−ｘＡｓ層 （ｘ＝０．４５ ）、 ３１〜３４はＭ［ｌＷ構造の活性層、 ３１Ａ〜３４Ａは横方向注入レーザの活性層（発光領域
）で、幅０．５〜１．５μｍ５はＺｎの拡散により形成
した ｎ型領域（ｐ型電極領域）、 ６はＳｉの拡（ｆｋにより形成した ｎ型領域（ｎ型電極領域）、 ７．８はＺｎの拡散により形成した ウィンドウ領域、 ９はコンタクト層でＧａＡｓ層、 １０は絶縁層でＳｉＮ Ｎ、 １１はｐ側電極でＡｕ／Ｚｎ／Ａｕ層、１２はｎ側電極
でＡｕＧｅ／Ａｕ層 である。
ＸＧａＩ−ｘＡｓ層 （ｘ＝０．４５ ）、 ３１〜３４はＭ［ｌＷ構造の活性層、 ３１Ａ〜３４Ａは横方向注入レーザの活性層（発光領域
）で、幅０．５〜１．５μｍ５はＺｎの拡散により形成
した ｎ型領域（ｐ型電極領域）、 ６はＳｉの拡（ｆｋにより形成した ｎ型領域（ｎ型電極領域）、 ７．８はＺｎの拡散により形成した ウィンドウ領域、 ９はコンタクト層でＧａＡｓ層、 １０は絶縁層でＳｉＮ Ｎ、 １１はｐ側電極でＡｕ／Ｚｎ／Ａｕ層、１２はｎ側電極
でＡｕＧｅ／Ａｕ層 である。
実施例においては、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系のレーザ
にについて説明したが、無秩序化が可能なその他の組成
（ＧａＰ／ＧａＡｓＰ、 ＩｎＧａ’Ａｓ／ＧａＡｓｎ
Ｇａ等Ａｓレーザについても全く同様の効果が得られる
。
にについて説明したが、無秩序化が可能なその他の組成
（ＧａＰ／ＧａＡｓＰ、 ＩｎＧａ’Ａｓ／ＧａＡｓｎ
Ｇａ等Ａｓレーザについても全く同様の効果が得られる
。
以上詳細に説明したように本発明によれば、横方向注入
量子井戸レーザの共振器端面のＣＯＯレベルを向上させ
、高出力レーザが実現できる。
量子井戸レーザの共振器端面のＣＯＯレベルを向上させ
、高出力レーザが実現できる。
第１図（１）、（２）、（３）は本発明による量子井戸
構造を活性層とする横方向注入レーザの構造を説明する
平面図と＾−Ａ断面図とＢ−８断面図、′ｆＪ２図は本
発明の他の実施例による量子井戸構造を活性層とする横
方向注入レーザの構造を説明する断面図、 第３図は従来例による量子井戸構造を活性層とする横方
向注入レーザの構造を説明する断面図第４図はＭＱＷ構
造（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの周期構造）を説明するＡ
１．Ｇａ１−、仲の混晶比Ｘの厚さ方向の分布図である
。 図において、 １は３ｌ−ＧａＡｓ基板、 ２．４はクラッドＪｉ ＨＲ−へ１ＸＧａｌ−ｘＡｓ層
（ｘ＝０．４５ ）、 ３はＭ叶構造の活性層、 ３Ａは横方向注入レーザの活性層（発光領域）、５はＺ
ｎの拡散により形成した ｐ型頭域（ｐ型電極領域）、 ５Ａはｐ型拡散による無秩序化領域、 ６はＳｉの拡散により形成した ｎ型領域（ｎ型電極領域）、 ６Ａはｎ型拡散による無秩序化領域、 ７．８はＺｎの拡散により形成した ウィンドウ領域、 ７Ａ、８Ａはｐ型拡散による無秩序化領域、９はコンタ
クト層でＧａＡｓ層、 １０は絶縁層でＳｉＮ層、 １１はｐ（ＴＩ！ｌ電極でＡｕ／Ｚｎ／Ａｕ［。 １２はｎ側電極でＡｕＧｅ／Ａｕ層 である。 （２） ＩＪ（−Ａ断面耳 ２本イトＨ目のし一す“ 亨 １ ＠ ４１２−の爽施４ダ１の＃面目 茅２図 吃来’ｔｐ劫ホ財部訳り一丈゛）断叫阿第３阿 ＭＱＷｆ）χ年布園 番４＠
構造を活性層とする横方向注入レーザの構造を説明する
平面図と＾−Ａ断面図とＢ−８断面図、′ｆＪ２図は本
発明の他の実施例による量子井戸構造を活性層とする横
方向注入レーザの構造を説明する断面図、 第３図は従来例による量子井戸構造を活性層とする横方
向注入レーザの構造を説明する断面図第４図はＭＱＷ構
造（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの周期構造）を説明するＡ
１．Ｇａ１−、仲の混晶比Ｘの厚さ方向の分布図である
。 図において、 １は３ｌ−ＧａＡｓ基板、 ２．４はクラッドＪｉ ＨＲ−へ１ＸＧａｌ−ｘＡｓ層
（ｘ＝０．４５ ）、 ３はＭ叶構造の活性層、 ３Ａは横方向注入レーザの活性層（発光領域）、５はＺ
ｎの拡散により形成した ｐ型頭域（ｐ型電極領域）、 ５Ａはｐ型拡散による無秩序化領域、 ６はＳｉの拡散により形成した ｎ型領域（ｎ型電極領域）、 ６Ａはｎ型拡散による無秩序化領域、 ７．８はＺｎの拡散により形成した ウィンドウ領域、 ７Ａ、８Ａはｐ型拡散による無秩序化領域、９はコンタ
クト層でＧａＡｓ層、 １０は絶縁層でＳｉＮ層、 １１はｐ（ＴＩ！ｌ電極でＡｕ／Ｚｎ／Ａｕ［。 １２はｎ側電極でＡｕＧｅ／Ａｕ層 である。 （２） ＩＪ（−Ａ断面耳 ２本イトＨ目のし一す“ 亨 １ ＠ ４１２−の爽施４ダ１の＃面目 茅２図 吃来’ｔｐ劫ホ財部訳り一丈゛）断叫阿第３阿 ＭＱＷｆ）χ年布園 番４＠
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む絶縁性または
半絶縁性半導体層のクラッド層と、該クラッド層を通し
て該活性層にたがいに間隔を隔てて導電性不純物を導入
して形成されたｐ型およびｎ型領域を有し、該ｐ型およ
びｎ型領域内の量子井戸構造は無秩序化され、該活性層
は横方向にダブルヘテロ構造をもち、 該活性層の露出するすくなくとも一方の端面に該ｐ型お
よびｎ型領域より離れて不純物を導入して形成されたウ
インドウ領域を有し、該ウインドウ領域内の量子井戸構
造は無秩序化されていることを特徴とする半導体レーザ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20046886A JPS6356979A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20046886A JPS6356979A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6356979A true JPS6356979A (ja) | 1988-03-11 |
Family
ID=16424817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20046886A Pending JPS6356979A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6356979A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9000255A (nl) * | 1989-02-01 | 1990-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | Een halfgeleiderlaserinrichting en een productiewerkwijze daarvoor. |
| EP0852417A2 (en) * | 1997-01-07 | 1998-07-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor laser and method of making the same |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP20046886A patent/JPS6356979A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9000255A (nl) * | 1989-02-01 | 1990-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | Een halfgeleiderlaserinrichting en een productiewerkwijze daarvoor. |
| EP0852417A2 (en) * | 1997-01-07 | 1998-07-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor laser and method of making the same |
| EP0852417A3 (en) * | 1997-01-07 | 1998-09-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor laser and method of making the same |
| US6005881A (en) * | 1997-01-07 | 1999-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor laser and method of making the same |
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