KR960043369A - 반도체 레이저 장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

반도체 레이저 장치 및 그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

웨이퍼 상태로 간편 또한 제어성이 좋은 창 구조가 얻게 되는 반도체 레이저 장치 및 그의 제조방법의 제공을 목적으로 한다.
본 발명의 반도체 레이저 장치는, 격자면(2, 1, 1)을 가지는 n-GaAs기판 26의 위에 결정성장한 결정성장층 2, 10, 11, 12, 6 및 7의 레이저광이 출력되는 격자면(1, 1, 1)에 창층 19을 형성하고, 결정성장층 중의 콘택트층 7의 상면 및 n-GaAs기판의 26의 하면에 설치한 전극8 및 9을 형성한 구성이다.

Description

반도체 레이저 장치 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예로 되는 반도체 레이저 장치를 표시하는 사시도(a) 및 A-A단면도(b).

Claims (11)

  1. 격자면 {2, 1, 1} GaAs기판 상에 적어도 제1 및 제2의 크래드층 간에 활성층을 가지는 결정성장한 결정성장층과 이 결정성장층의 격자면 {1, 1, 1}에 형성한 창면과, 이 창면에 적층한 창층과, 상기 결정성장층의 상면 및 상기 GaAs기판의 하면에 설치한 전극을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  2. 격자면 {2, 1, 1} GaAs기판 상에 적어도 제1 및 제2의 크래드층 간에 활성층을 가지는 결정성장층과, 이결정성장층의 각각의 격자면 {1, 1, 1}에 형성한 창면과, 이 창면에 적층한 창층과 상기 결정성장층의 각각의 상면 및 상기 GaAs기판의 하면에 설치한 전극을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 결정성장층의 제1의 크래드층이 n-AlGaINP에서 되는 하 크래드층과, 제2의 크래드층이 p-AlGaInp에서 되는 상 크래드층과, 활성층이 상기 n-AlGaInp에서 되는 하 크래드층 및 p-AlGaInp에서 되는 상 크래드층에 끼워진 GaInp 또는 AlGaInP를 포함하는 결정층에서 되는 활성층을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 결정성장층의 제1의 크래드층이 n-AlGaAS에서 되는 하 크래드층과, 제2의 크래드층이 p-AlGaAS에서 되는 상 크래드층과 활성층이 상기 n-AlGaAS에서 되는 하 크래드층 및 p-AlGaAS에서 되는 상 크래드층에 끼워진 GaAS 또는 AlGaAS를 포함하는 결정층에서 되는 활성층을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 창층이 Zn을 도프한 p+-AlGaInp 또는 p+-AlGaAs를 결정성장한 층에서 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  6. 격자면 {2, 1, 1}을 가지는 웨이퍼 상태의 GaAs기판상에 결정성장층을 결정성장하는 공정, 상기 결정성장층 상에, 이 결정성장층의 격자면{1, 1, 1}과 평행인 방향으로 스트라이프 상으로 신장하는 복수의 제1의 에칭보호막을 소정의 간격을 가지고 형성하는 공정, 상기 결정성장층의 격자면{1, 1, 1}A면에 대하여 상기 정지기구를 가지는 제1의 에칭액으로 상기 간격에 노출하는 결정성장층을 에칭하여 상기 {1, 1, 1}A면을 노정하는 공정, 상기 격자면{2, 1, 1}과 수직방향으로 노정한 상기 {1, 1, 1}A면에 제2의 에칭액으로 에칭한 후, 상기 제1의 에칭액으로 에칭하여 상기 결정성장층의 격자면{1, 1, 1}B면을 노정하는 공정, 상기 {1, 1, 1}A면 또는/및 {1}B면에 창층을 결정성장하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치의 제조방법.
  7. 격자면 {2, 1, 1}을 가지는 웨이퍼 상태의 GaAs기판상에 결정성장층을 결정성장하는 공정, 상기 결정성장층 상에, 이 결정성장층의 격자면{1, 1, 1}과 평행인 방향 및 수직인 방향으로 변을 구형상의 제1의 에칭보호막을 소정의 간격으로 형성하는 공정, 상기 결정성장층의 격자면{1, 1, 1}A면에 대하여 자기 정지기구를 가지는 제1의 에칭액으로 상기 간격에 노출하는 결정성장층을 에칭하여 상기 {1, 1, 1}A면을 노정하는 공정, 상기 격자면{2, 1, 1}과 수직방향으로 노정한 상기 {1, 1, 1}A면에 제2의 에칭보호막을 형성하는 공정, 에칭속도가 상기 결정성장층의 격자면에 의존하지 않은 제2의 에칭액으로 에칭한 후, 상기 제1의 에칭액으로 에칭하여 상기 결정성장층의 격자면{1, 1, 1}B면을 노정하는 공정, 상기 {1, 1, 1}A면 또는/및 {1, 1, 1}B면에 창층을 결정성장하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치의 제조방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 결정성장층이 n-AlGaInp에서 되는 크래드층과 p-AlGaInp에서 되는 크래드층과, 상기 n-AlGaInp에서 되는 크래드층 및 p-AlGaInp에서 되는 크래드층에 끼워진 GaInp 또는 AlGaInp를 포함하는 결정층에서 되는 활성층을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치의 제조방법.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서, 결정성장층이 n-AlGaAS에서 되는 크래드층과, 상기 n-AlGaInp에서 되는 크래드층 및 p-AlGaAs에서 되는 크래드층에 끼워진 GaAs 또는 AlGaAS를 포함하는 결정층에서 되는 활성층을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치의 제조방법.
  10. 제6항 또는 제7항에 있어서, 창층이 Zn을 도프한 p+-AlGaInp 또는 p+-AlGaAs를 결정성장한 층에서 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치의 제조방법.
  11. 제6항 또는 제7항에 있어서, 제1의 에칭액은 H2SO4와 H2O2와 H2O의 혼합액 혹은 주서산과 H2O2의 혼합액, 제2의 에칭액은 Br와 CH3OH의 혼합액으로 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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