JP4802556B2 - チップ状電子部品の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)素子分離溝の幅が大きくなり、素子として利用できる半導体層の面積が小さくな り、半導体構成材料層の面積利用効率が低下する。
(2)素子のサイズや形状の均一性を保つのが困難になる。
(3)素子の形状が非対称となり、素子の特性に影響が生じる(特に、発光デバイスに おいてその光取り出し効率の低下を招く)。
といった問題が生じる。
実施の形態1では、チップ状電子部品の製造方法、及びチップ状電子部品の実装構造に関わる例として、マイクロLED及びその製造方法、並びにその実装構造について説明する。
実施の形態2では、チップ状電子部品の実装構造に関わる例として、マイクロLED10の第2の実装構造について説明する。この実装構造は、特開平9−120943号公報および特表2002−536695号公報に提案されている実装方法を、本発明のマイクロLED10に適用したものである。
2…n型アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン(AlGaInP)クラッド層、
3…多数のAlGaInP層とGaInP層が交互に積層されたMQW活性層、
4…p型アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン(AlGaInP)クラッド層、
5…p型ガリウム・ヒ素(GaAs)コンタクト層、7…半導体層、
8…ITOなどからなる透明電極(n電極)、9…p電極、
10、10V、10L、10R…マイクロ発光ダイオード(マイクロLED)、
11…光透過性基板、
12…n型アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン構成材料層、
13…MQW活性層構成材料層、
14…p型アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン構成材料層、
15…p型ガリウム・ヒ素構成材料層、17…半導体構成材料層、
18…ストライプ状のメサ構造に成形された半導体構成材料層、
20…n型ガリウム・リン(GaP)基板、21…主面、22…主面(光取り出し面)、
23…側面((111)面)、24…側面((11−1)面)、
25…側面((1−11)面)、26…側面((−111)面)、
30…マイクロLED、31…基板、32…凹部、51、57…レジストマスク、
52…素子分離溝、53…側面((111)面)、54…側面((11−1)面、
55…加工用基板、56…接着材層、100…マイクロLED、
101…レジストマスク、102…素子分離溝、
103、104…メサ構造の良好な側面、105…光取り出し面((001)面)、
106…短辺側の領域、107…長方形のかど(すみ)の領域
Claims (9)
- 一対の第1の対向側面と、一対の第2の対向側面と、第1の主面とこれに対向する第2の主面とを有するチップ状電子部品の製造方法であり、前記チップ状電子部品を複数個製造するに際し、各チップ状電子部品間を分離する第1の分離溝及び第2の分離溝をそれぞれウエットエッチングによって形成するためのライン・アンド・スペース型のマスクパターンを直交させ、前記第1の分離溝の側面として一対の第1の傾斜面を形成し、前記第2の分離溝の側面として一対の第2の傾斜面を形成するチップ状電子部品の製造方法であって、前記チップ状電子部品を構成する複数の半導体層からなる構成材料層を第1の基板で支持して、前記構成材料層を前記第1の主面の側である表面側から、前記第1の基板に達する深さまでウエットエッチングすることによって、前記第1の分離溝を形成し、前記一対の第1の対向側面を前記一対の第1の傾斜面に形成する第1の工程と、この第1の工程の後、前記表面側を第2の基板で支持した後、前記第1の基板を除去して、前記構成材料層を前記第2の主面の側である裏面側から、前記第2の基板に達する深さまでウエットエッチングすることによって、前記第2の分離溝を形成し、前記一対の第2の対向側面を前記一対の第2の傾斜面に形成する第2の工程とを有する、チップ状電子部品の製造方法。
- 前記チップ状電子部品が、(001)面に光取り出し面が形成された、リンを含み閃亜鉛鉱型結晶構造をもつIII−V族化合物半導体層からなる半導体発光素子であって、(111)面と(11−1)面からなる前記一対の第1の傾斜面、及び(1−11)面と(−111)面からなる前記一対の第2の傾斜面を、低温の塩酸をエッチャントとするウエットエッチングによって形成する、請求項1に記載のチップ状電子部品の製造方法。
- 前記一対の第1の傾斜面及び前記一対の第2の傾斜面を、塩酸を−10℃以下まで冷却したエッチャントとするウエットエッチングによって形成する、請求項2に記載のチップ状電子部品の製造方法。
- 前記第1の分離溝をウエットエッチングによって形成するための前記ライン・アンド・スペース型のマスクパターンは、[1−10]方向に延伸したストライプ状のマスクパターンでありその幅が前記第1の主面の短辺の長さに対応し、前記構成材料層のウエットエッチングによって形成された前記第1の分離溝の側面として(111)面及び(11−1)面を有し[1−10]方向に延伸したストライプ状のメサ構造体が成形され、前記第2の分離溝をウエットエッチングによって形成するための前記ライン・アンド・スペース型のマスクパターンは、[110]方向に延伸したストライプ状のマスクパターンでありその幅が前記第2の主面の短辺の長さに対応し、前記メサ構造体のウエットエッチングによって形成された前記第2の分離溝の側面として(1−11)面及び(−111)面が形成される、請求項2に記載のチップ状電子部品の製造方法。
- 前記第1の主面及び前記第2の主面の形状が長方形であり、前記第1の主面の長辺と前記第2の主面の長辺とが直交するように形成される、請求項2に記載のチップ状電子部品の製造方法。
- 前記構成材料層が、n型AlGaInPクラッド層と、AlGaInP層とGaInP層が交互に積層されて多重量子井戸を構成しているMQW活性層と、p型AlGaInPクラッド層と、p型GaAsコンタクト層とが積層されてなる、請求項2に記載のチップ状電子部品の製造方法。
- 前記第1の傾斜面と前記第2の傾斜面とが隣接し合っている、請求項1に記載のチップ状電子部品の製造方法。
- 前記第1の傾斜面と前記表面との交線と、前記第2の傾斜面と前記表面との交線とが直交している、請求項1に記載のチップ状電子部品の製造方法。
- 前記第1の傾斜面及び前記第2の傾斜面が光反射面として用いられる、請求項1に記載のチップ状電子部品の製造方法。
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