JP3193269B2 - 半導体量子細線構造の形成方法 - Google Patents
半導体量子細線構造の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、断面形状がＴ字型に
配置された半導体薄膜量子井戸構造を具えた半導体量子
細線構造の形成方法に関する。
配置された半導体薄膜量子井戸構造を具えた半導体量子
細線構造の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体量子細線構造の形
成方法の一例が、文献：「アプライド・フィジックス・
レータズ(Applied Physics Letters),vol.65,No.20,Nov
ember1994,pg.2510-2512 」に開示されている。この文
献に開示の技術によれば、先ず、化合物半導体基板の主
表面上に、化合物半導体薄膜からなる単一または多重量
子井戸構造を形成する。次に、量子井戸構造を形成した
積層体を、化合物半導体基板の主表面に垂直な方向に劈
開する。次に、この劈開端面に、化合物半導体量子井戸
構造を結晶成長させる。その結果、断面で見てＴ字型の
量子井戸構造が形成される。この量子井戸層同士がＴ字
型に交わる交点の部分では、その周囲よりもエネルギー
準位が局所的に低くなっている。このため、この交点の
部分が量子細線となる。
成方法の一例が、文献：「アプライド・フィジックス・
レータズ(Applied Physics Letters),vol.65,No.20,Nov
ember1994,pg.2510-2512 」に開示されている。この文
献に開示の技術によれば、先ず、化合物半導体基板の主
表面上に、化合物半導体薄膜からなる単一または多重量
子井戸構造を形成する。次に、量子井戸構造を形成した
積層体を、化合物半導体基板の主表面に垂直な方向に劈
開する。次に、この劈開端面に、化合物半導体量子井戸
構造を結晶成長させる。その結果、断面で見てＴ字型の
量子井戸構造が形成される。この量子井戸層同士がＴ字
型に交わる交点の部分では、その周囲よりもエネルギー
準位が局所的に低くなっている。このため、この交点の
部分が量子細線となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
文献に開示の技術によれば、劈開端面上に量子井戸構造
の結晶成長を行うという複雑な工程が必要となる。その
結果、量子細線構造の信頼性の低下や歩留の低下するお
それがある。
文献に開示の技術によれば、劈開端面上に量子井戸構造
の結晶成長を行うという複雑な工程が必要となる。その
結果、量子細線構造の信頼性の低下や歩留の低下するお
それがある。
【０００４】このため、Ｔ字型の量子井戸構造を容易に
形成できる半導体量子細線の形成方法の実現が望まれて
いた。
形成できる半導体量子細線の形成方法の実現が望まれて
いた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この出願に係る発明の半
導体量子細線の形成方法によれば、第１半導体基板の主
表面上に第１量子井戸構造の第１障壁層および第１井戸
層を順次に積層することにより、表面に該第１井戸層の
主表面が露出した第１積層体を形成する工程と、第２半
導体基板の主表面上に第２量子井戸構造の第２障壁層お
よび第２井戸層を積層することにより、第２積層体を形
成する工程と、第２積層体に、第２井戸層の断面が露出
した端面を形成する工程と、この第１井戸層の主表面
に、この端面を直接接着する工程とを含むことを特徴と
する。
導体量子細線の形成方法によれば、第１半導体基板の主
表面上に第１量子井戸構造の第１障壁層および第１井戸
層を順次に積層することにより、表面に該第１井戸層の
主表面が露出した第１積層体を形成する工程と、第２半
導体基板の主表面上に第２量子井戸構造の第２障壁層お
よび第２井戸層を積層することにより、第２積層体を形
成する工程と、第２積層体に、第２井戸層の断面が露出
した端面を形成する工程と、この第１井戸層の主表面
に、この端面を直接接着する工程とを含むことを特徴と
する。
【０００６】
【作用】この出願に係る発明の半導体量子細線の形成方
法によれば、第２井戸層の断面が露出した端面を形成
し、この端面を第１井戸層の主表面に直接接着する。こ
のため、従来例に様に量子井戸構造の断面の露出した端
面上に半導体層を結晶成長させる必要がない。その結
果、Ｔ字型の量子細線構造を容易に形成することができ
る。
法によれば、第２井戸層の断面が露出した端面を形成
し、この端面を第１井戸層の主表面に直接接着する。こ
のため、従来例に様に量子井戸構造の断面の露出した端
面上に半導体層を結晶成長させる必要がない。その結
果、Ｔ字型の量子細線構造を容易に形成することができ
る。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の半導体量
子細線構造の形成方法の例について説明する。尚、参照
する図面は、この発明の構成が理解できる程度に各構成
成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあ
るにすぎない。従って、この発明は図示例にのみ限定さ
れるものではない。
子細線構造の形成方法の例について説明する。尚、参照
する図面は、この発明の構成が理解できる程度に各構成
成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあ
るにすぎない。従って、この発明は図示例にのみ限定さ
れるものではない。
【０００８】＜第１実施例＞第１実施例では、図１およ
び図２を参照して、半導体レーザの活性層として用いて
好適な化合物半導体の量子細線構造の形成方法について
説明する。図１の（Ａ）および（Ｂ）は、第１実施例の
半導体量子細線の形成方法の説明に供する前半の断面工
程図である。また、図２の（Ａ）および（Ｂ）は、図１
の（Ｂ）に続く後半の断面工程図である。
び図２を参照して、半導体レーザの活性層として用いて
好適な化合物半導体の量子細線構造の形成方法について
説明する。図１の（Ａ）および（Ｂ）は、第１実施例の
半導体量子細線の形成方法の説明に供する前半の断面工
程図である。また、図２の（Ａ）および（Ｂ）は、図１
の（Ｂ）に続く後半の断面工程図である。
【０００９】ここでは、第１半導体基板として半絶縁性
ＧａＡｓ基板１０を使用する。この半絶縁性ＧａＡｓ基
板１０の主表面である（１００）面１０ａ上に、分子線
エピタキシー（ＭＢＥ）法を用いて、第１障壁層１４お
よび第１井戸層１６を順次に成長させて第１量子井戸構
造１２を形成する。第１量子井戸構造１２の形成にあた
っては、先ず、第１障壁層１４としてＡｌ組成０．５程
度のＡｌＧａＡｓ層１４を約１μｍの厚さに成長させ
る。次に、このＡｌＧａＡｓ層１４上に、第１井戸層と
してＧａＡｓ層１６を約７０Åの厚さに成長する。尚、
各層には、量子井戸構造の光吸収を小さくするために、
不純物を意図的に添加していない。第１量子井戸構造の
第１井戸層に対する第１障壁層は、片方がＡｌＧａＡｓ
層１２であり、もう片方は第１積層体の雰囲気（例えば
空気）に相当する。
ＧａＡｓ基板１０を使用する。この半絶縁性ＧａＡｓ基
板１０の主表面である（１００）面１０ａ上に、分子線
エピタキシー（ＭＢＥ）法を用いて、第１障壁層１４お
よび第１井戸層１６を順次に成長させて第１量子井戸構
造１２を形成する。第１量子井戸構造１２の形成にあた
っては、先ず、第１障壁層１４としてＡｌ組成０．５程
度のＡｌＧａＡｓ層１４を約１μｍの厚さに成長させ
る。次に、このＡｌＧａＡｓ層１４上に、第１井戸層と
してＧａＡｓ層１６を約７０Åの厚さに成長する。尚、
各層には、量子井戸構造の光吸収を小さくするために、
不純物を意図的に添加していない。第１量子井戸構造の
第１井戸層に対する第１障壁層は、片方がＡｌＧａＡｓ
層１２であり、もう片方は第１積層体の雰囲気（例えば
空気）に相当する。
【００１０】この様にして、表面に該第１井戸層の主表
面が露出した第１積層体１８を形成する（図１の
（Ａ））。
面が露出した第１積層体１８を形成する（図１の
（Ａ））。
【００１１】次に、第２半導体基板としての半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板２０を使用する。この半絶縁性ＧａＡｓ基板
２０の主表面である（１００）面２０ａ上に、分子線エ
ピタキシー（ＭＢＥ）法を用いて多重量子井戸構造の第
２量子井戸構造２２形成する。この第２量子井戸構造２
２は、第１クラッド層２４ａ、井戸層２６ａバリア層２
４ｂ、井戸層２６ｂ、バリア層２４ｃ、井戸層２６ｃ、
および第２クラッド層２４ｄを順次に積層して形成す
る。この第１クラッド層２４ａ、バリア層２４ｂおよび
２４ｃ、および第２クラッド層２４ｄが第２障壁層２４
を構成し、井戸層２６ａ、２６ｂおよび２６ｃが第２井
戸層２６を構成する。
ａＡｓ基板２０を使用する。この半絶縁性ＧａＡｓ基板
２０の主表面である（１００）面２０ａ上に、分子線エ
ピタキシー（ＭＢＥ）法を用いて多重量子井戸構造の第
２量子井戸構造２２形成する。この第２量子井戸構造２
２は、第１クラッド層２４ａ、井戸層２６ａバリア層２
４ｂ、井戸層２６ｂ、バリア層２４ｃ、井戸層２６ｃ、
および第２クラッド層２４ｄを順次に積層して形成す
る。この第１クラッド層２４ａ、バリア層２４ｂおよび
２４ｃ、および第２クラッド層２４ｄが第２障壁層２４
を構成し、井戸層２６ａ、２６ｂおよび２６ｃが第２井
戸層２６を構成する。
【００１２】第２量子井戸構造２２の形成にあたって
は、半絶縁性ＧａＡｓ基板２０上に、Ａｌ組成０．３程
度のＡｌＧａＡｓ層２２を約１μｍの厚さに成長させ
る。次に、井戸層２６ａ、２６ｂおよび２６ｃとして厚
さ７０Å程度のＧａＡｓ層および２６ｃ、および、バリ
ア層２４ｂおよび２４ｃとして厚さ２００Å程度のＡｌ
ＧａＡｓ層を交互に積層する。そして、第２クラッド層
２４ｄとしてＡｌ組成０．３程度のＡｌＧａＡｓ層を積
層する。尚、各層にはいずれも不純物を意図的に添加し
ていない。
は、半絶縁性ＧａＡｓ基板２０上に、Ａｌ組成０．３程
度のＡｌＧａＡｓ層２２を約１μｍの厚さに成長させ
る。次に、井戸層２６ａ、２６ｂおよび２６ｃとして厚
さ７０Å程度のＧａＡｓ層および２６ｃ、および、バリ
ア層２４ｂおよび２４ｃとして厚さ２００Å程度のＡｌ
ＧａＡｓ層を交互に積層する。そして、第２クラッド層
２４ｄとしてＡｌ組成０．３程度のＡｌＧａＡｓ層を積
層する。尚、各層にはいずれも不純物を意図的に添加し
ていない。
【００１３】この様にして、第２積層体２８を形成する
（図１の（Ｂ））。次に、第２積層体を劈開して、第２
井戸層２６ａ、２６ｂの断面が露出した端面（劈開面）
３０を形成する。
（図１の（Ｂ））。次に、第２積層体を劈開して、第２
井戸層２６ａ、２６ｂの断面が露出した端面（劈開面）
３０を形成する。
【００１４】次に、第１井戸層１６の主表面１６ａに、
第２積層体２８の端面３０を直接接着する。直接接着に
あたっては、先ず、第１積層体１８の第１井戸層１６の
主表面１６ａに、第２積層体２８の端面３０を物理的に
接触させる。図２の（Ａ）に、この際の第１および第２
積層体１８および２８の配置を示す。尚、図２の（Ａ）
では、便宜上、第１積層体１８と第２積層体２８との離
間して図示する。
第２積層体２８の端面３０を直接接着する。直接接着に
あたっては、先ず、第１積層体１８の第１井戸層１６の
主表面１６ａに、第２積層体２８の端面３０を物理的に
接触させる。図２の（Ａ）に、この際の第１および第２
積層体１８および２８の配置を示す。尚、図２の（Ａ）
では、便宜上、第１積層体１８と第２積層体２８との離
間して図示する。
【００１５】次に、第１および第２積層体１８および２
８に対して、水素雰囲気中で６００度の温度下で約１時
間熱処理を行う。この熱処理によって、第１井戸層１６
の主表面１６ａと、第２積層体２８の端面３０とが再結
晶化して結合する。
８に対して、水素雰囲気中で６００度の温度下で約１時
間熱処理を行う。この熱処理によって、第１井戸層１６
の主表面１６ａと、第２積層体２８の端面３０とが再結
晶化して結合する。
【００１６】その結果、断面で見てＴ字型に配置された
量子井戸構造が形成される。第１量子井戸層１６と第２
量子井戸層２６ａ、２６ｂおよび２６ｃとがＴ字型に交
わった部分（交点Ｘ1 、Ｘ2 およびＸ3 ）にそれぞれ量
子細線構造が形成される（図２の（Ｂ））。
量子井戸構造が形成される。第１量子井戸層１６と第２
量子井戸層２６ａ、２６ｂおよび２６ｃとがＴ字型に交
わった部分（交点Ｘ1 、Ｘ2 およびＸ3 ）にそれぞれ量
子細線構造が形成される（図２の（Ｂ））。
【００１７】尚、第１井戸層の主表面と端面との直接接
着させるのに用いた方法は、従来、２枚の基板表面同士
を接着する場合に用いられている方法であり、直接接着
法と呼ばれている。この直接接着法は、例えば文献：
「応用物理、１９９４年、第６３巻、第１号の第５３〜
５６頁」に「異種半導体基板の直接接着と光デバイスへ
の応用」と題して記載されている。
着させるのに用いた方法は、従来、２枚の基板表面同士
を接着する場合に用いられている方法であり、直接接着
法と呼ばれている。この直接接着法は、例えば文献：
「応用物理、１９９４年、第６３巻、第１号の第５３〜
５６頁」に「異種半導体基板の直接接着と光デバイスへ
の応用」と題して記載されている。
【００１８】＜第２実施例＞次に、図３を参照して、第
２実施例の半導体量子細線構造の形成方法について説明
する。図３の（Ａ）および（Ｂ）は、第２実施例の説明
に供する断面工程図である。図３において、図２に示し
た構成成分と同一の部分については、図２中の符号と同
一の符号を付して説明する。
２実施例の半導体量子細線構造の形成方法について説明
する。図３の（Ａ）および（Ｂ）は、第２実施例の説明
に供する断面工程図である。図３において、図２に示し
た構成成分と同一の部分については、図２中の符号と同
一の符号を付して説明する。
【００１９】第２実施例では、第３半導体基板４０上
で、第１積層体１８と第２積層体２８とを直接接着記す
ことにより、断面で見てＴ字型の交点に半導体量子細線
構造を形成する。
で、第１積層体１８と第２積層体２８とを直接接着記す
ことにより、断面で見てＴ字型の交点に半導体量子細線
構造を形成する。
【００２０】第２実施例では、第１積層体１８および第
２積層体２８を形成する工程、および、第２積層体２８
の端面３０を形成する工程は、第１実施例と同一であ
る。また、第２実施例では、第１積層体１８にも劈開に
より端面３２を形成してある。尚、この端面３２は、第
１井戸層１６の主表面１６ａと直交している。
２積層体２８を形成する工程、および、第２積層体２８
の端面３０を形成する工程は、第１実施例と同一であ
る。また、第２実施例では、第１積層体１８にも劈開に
より端面３２を形成してある。尚、この端面３２は、第
１井戸層１６の主表面１６ａと直交している。
【００２１】次に、第３半導体基板として、主表面に通
常の表面処理が施されている半絶縁性ＧａＡｓ基板４０
を用いる。そして、この半絶縁性ＧａＡｓ基板４０の主
表面４０ａと、第２積層体２８の第２クラッド層２４ｄ
の主表面２４ｓとを物理的に接触させて配置する。ま
た、第１積層体１８を、第１積層体１８の第１井戸層１
６の主表面１６ａと第２積層体の端面３０とを物理的に
接触させ、かつ、第１積層体の端面３２と第３半導体基
板４０の主表面４０ａとを物理的に接触させて配置する
（図３の（Ａ））。尚、図３の（Ａ）では、便宜上、第
３半導体４０、第１積層体１８および第２積層体２８を
互いに離間して図示する。
常の表面処理が施されている半絶縁性ＧａＡｓ基板４０
を用いる。そして、この半絶縁性ＧａＡｓ基板４０の主
表面４０ａと、第２積層体２８の第２クラッド層２４ｄ
の主表面２４ｓとを物理的に接触させて配置する。ま
た、第１積層体１８を、第１積層体１８の第１井戸層１
６の主表面１６ａと第２積層体の端面３０とを物理的に
接触させ、かつ、第１積層体の端面３２と第３半導体基
板４０の主表面４０ａとを物理的に接触させて配置する
（図３の（Ａ））。尚、図３の（Ａ）では、便宜上、第
３半導体４０、第１積層体１８および第２積層体２８を
互いに離間して図示する。
【００２２】次に、第１実施例と同一条件で熱処理を行
う。この熱処理によって、第１井戸層１６の主表面１６
ａと、第２積層体２８の端面３０とが再結晶化して結合
する。また、第３基板４０の主表面４０ａと、第１積層
体１８の端面３２および第２積層体２８の第２クラッド
層の主表面２４ｓとが再結晶化して結合する。
う。この熱処理によって、第１井戸層１６の主表面１６
ａと、第２積層体２８の端面３０とが再結晶化して結合
する。また、第３基板４０の主表面４０ａと、第１積層
体１８の端面３２および第２積層体２８の第２クラッド
層の主表面２４ｓとが再結晶化して結合する。
【００２３】その結果、第１実施例と同様に、断面で見
てＴ字型に配置された量子井戸構造が形成される。第２
実施例においても、第１量子井戸層１６と第２量子井戸
層２６ａ、２６ｂおよび２６ｃとがＴ字型に交わった部
分（交点Ｘ1 、Ｘ2 およびＸ3 ）にそれぞれ量子細線構
造が形成される（図３の（Ｂ））。
てＴ字型に配置された量子井戸構造が形成される。第２
実施例においても、第１量子井戸層１６と第２量子井戸
層２６ａ、２６ｂおよび２６ｃとがＴ字型に交わった部
分（交点Ｘ1 、Ｘ2 およびＸ3 ）にそれぞれ量子細線構
造が形成される（図３の（Ｂ））。
【００２４】上述した各実施例では、この発明を特定の
材料を使用し、特定の条件で形成した例について説明し
たが、この発明は多くの変更および変形を行うことがで
きる。例えば、上述した実施例では、化合物半導体を用
いて半導体量子細線構造を形成したが、この発明で用い
る材料は、化合物半導体に限定されない。例えば、Ｓｉ
を用いて量子井戸構造を形成しても良い。
材料を使用し、特定の条件で形成した例について説明し
たが、この発明は多くの変更および変形を行うことがで
きる。例えば、上述した実施例では、化合物半導体を用
いて半導体量子細線構造を形成したが、この発明で用い
る材料は、化合物半導体に限定されない。例えば、Ｓｉ
を用いて量子井戸構造を形成しても良い。
【００２５】また、上述した実施例では、各層に不純物
を添加しない例について説明したが、この発明では、各
層に、所望の不純物を添加して量子井戸構造を形成して
も良い。
を添加しない例について説明したが、この発明では、各
層に、所望の不純物を添加して量子井戸構造を形成して
も良い。
【００２６】また、上述した実施例では、ＭＢＥ法を用
いて結晶成長を行ったが、この発明では、例えば有機金
属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いても良い。
いて結晶成長を行ったが、この発明では、例えば有機金
属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いても良い。
【００２７】また、上述した実施例では、第２積層体に
多重量子井戸構造を形成したが、この発明では、第２積
層体に単一の量子井戸構造を形成しても良い。
多重量子井戸構造を形成したが、この発明では、第２積
層体に単一の量子井戸構造を形成しても良い。
【００２８】また、上述した実施例では、第２積層体を
劈開することにより端面を形成したが、この発明では、
例えばエッチングによって端面を形成しても良い。
劈開することにより端面を形成したが、この発明では、
例えばエッチングによって端面を形成しても良い。
【００２９】また、上述した実施例では、第１および第
２障壁層の材料としてＡｌＧａＡｓを（１．４５〜２．
３５ｅＶ）を使用し、第１および第２井戸層の材料とし
てＧａＡｓ（１．４５ｅＶ）を使用したが、この発明で
は、障壁層および井戸層の材料は、これに限定されるも
のでない。（第１および第２）障壁層および（第１およ
び第２）井戸層の材料は、、禁制帯幅の互いに異なる半
導体で、量子井戸構造を形成できる材料であれば良い。
さらに、直接接着の際の格子欠陥の発生を抑制するため
には、格子定数が近い（例えば、格子定数の差が±５％
程度以内の）材料同士の組み合わせが望ましい。また、
井戸層および劈開層の材料の組み合わせの例としては、
ＩｎＧａＡｓ（１．２〜１．４５ｅＶ）とＡｌＧａＡ
ｓ（１．４５〜２．４５ｅＶ）、ＧａＩｎＡｓ（０．
８５ｅＶ）とＩｎＰ（１．３ｅＶ）、ＧａＩｎＡｓＰ
（０．８〜１．３ｅＶ）とＩｎＰ（１．３ｅＶ）が挙げ
られる。尚、括弧の中の数値はバンドギャップエネルギ
ーの値を示す。
２障壁層の材料としてＡｌＧａＡｓを（１．４５〜２．
３５ｅＶ）を使用し、第１および第２井戸層の材料とし
てＧａＡｓ（１．４５ｅＶ）を使用したが、この発明で
は、障壁層および井戸層の材料は、これに限定されるも
のでない。（第１および第２）障壁層および（第１およ
び第２）井戸層の材料は、、禁制帯幅の互いに異なる半
導体で、量子井戸構造を形成できる材料であれば良い。
さらに、直接接着の際の格子欠陥の発生を抑制するため
には、格子定数が近い（例えば、格子定数の差が±５％
程度以内の）材料同士の組み合わせが望ましい。また、
井戸層および劈開層の材料の組み合わせの例としては、
ＩｎＧａＡｓ（１．２〜１．４５ｅＶ）とＡｌＧａＡ
ｓ（１．４５〜２．４５ｅＶ）、ＧａＩｎＡｓ（０．
８５ｅＶ）とＩｎＰ（１．３ｅＶ）、ＧａＩｎＡｓＰ
（０．８〜１．３ｅＶ）とＩｎＰ（１．３ｅＶ）が挙げ
られる。尚、括弧の中の数値はバンドギャップエネルギ
ーの値を示す。
【００３０】また、上述した各実施例では、第１および
第２積層体を個別に形成したが、この発明では、例え
ば、同一の基板上に多重量子井戸構造を形成したものを
劈開した一方を１積層体としもう一方を第２積層体と
し、さらに、第２積層体の劈開面を第２積層体の表面に
露出した井戸層に直接接着して量子細線構造を形成して
も良い。
第２積層体を個別に形成したが、この発明では、例え
ば、同一の基板上に多重量子井戸構造を形成したものを
劈開した一方を１積層体としもう一方を第２積層体と
し、さらに、第２積層体の劈開面を第２積層体の表面に
露出した井戸層に直接接着して量子細線構造を形成して
も良い。
【００３１】
【発明の効果】この出願に係る発明の半導体量子細線の
形成方法によれば、第２井戸層の断面が露出した端面を
形成し、この端面を第１井戸層の主表面に直接接着す
る。このため、従来例に様に量子井戸構造の断面の露出
した端面上に半導体層を結晶成長させる必要がない。そ
の結果、Ｔ字型の量子細線構造を容易に形成することが
できる。このため、量子細線構造の信頼性や歩留の向上
が期待できる。
形成方法によれば、第２井戸層の断面が露出した端面を
形成し、この端面を第１井戸層の主表面に直接接着す
る。このため、従来例に様に量子井戸構造の断面の露出
した端面上に半導体層を結晶成長させる必要がない。そ
の結果、Ｔ字型の量子細線構造を容易に形成することが
できる。このため、量子細線構造の信頼性や歩留の向上
が期待できる。
【図１】（Ａ）および（Ｂ）は、第１実施例の説明に供
する前半の断面工程図である。
する前半の断面工程図である。
【図２】（Ａ）および（Ｂ）は、図１の（Ｂ）に続く後
半の断面工程図である。
半の断面工程図である。
【図３】（Ａ）および（Ｂ）は、第２実施例の説明に供
する断面工程図である。
する断面工程図である。
【符号の説明】 １０：第１半導体基板（半絶縁性ＧａＡｓ基板） １０ａ：主表面、（１００）面 １２：第１量子井戸構造 １４：第１障壁層 １６：第１井戸層 １６ａ：主表面 １８：第１積層体 ２０：第２半導体基板（半絶縁性ＧａＡｓ基板） ２０ａ：主表面、（１００）面 ２２：第２量子井戸構造 ２４：第２障壁層 ２４ａ：第１クラッド層 ２４ｂ、２４ｃ：バリア層 ２４ｄ：第２クラッド層 ２６：第２井戸層 ２６ａ、２６ｂ、２６ｃ：井戸層 ２８：第２積層体 ３０：端面（劈開面） ３２：端面 ４０：第３半導体基板（半絶縁性ＧａＡｓ基板） ４０ａ：主表面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−308138（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−163928（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 29/00 - 29/96
Claims (1)
- 【請求項１】 第１半導体基板の主表面上に第１量子井
戸構造の第１障壁層および第１井戸層を順次に積層する
ことにより、表面に該第１井戸層の主表面が露出した第
１積層体を形成する工程と、 第２半導体基板の主表面上に第２量子井戸構造の第２障
壁層および第２井戸層を積層することにより、第２積層
体を形成する工程と、 該第２積層体に、前記第２井戸層の断面が露出した端面
を形成する工程と、 該第１井戸層の主表面に、該端面を直接接着する工程と
を含むことを特徴とする半導体量子細線構造の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16432895A JP3193269B2 (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 半導体量子細線構造の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16432895A JP3193269B2 (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 半導体量子細線構造の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917992A JPH0917992A (ja) | 1997-01-17 |
| JP3193269B2 true JP3193269B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=15791086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16432895A Expired - Fee Related JP3193269B2 (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 半導体量子細線構造の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3193269B2 (ja) |
-
1995
- 1995-06-29 JP JP16432895A patent/JP3193269B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0917992A (ja) | 1997-01-17 |
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