JPH02278781A - 半導体レーザダイオード - Google Patents
半導体レーザダイオードInfo
- Publication number
- JPH02278781A JPH02278781A JP10042989A JP10042989A JPH02278781A JP H02278781 A JPH02278781 A JP H02278781A JP 10042989 A JP10042989 A JP 10042989A JP 10042989 A JP10042989 A JP 10042989A JP H02278781 A JPH02278781 A JP H02278781A
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- Japan
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- electrode
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- face
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- semiconductor laser
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- AZBAQHIVVLQMFX-UHFFFAOYSA-N 4-(2,4-dimethylphenyl)-5-methyl-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound S1C(N)=NC(C=2C(=CC(C)=CC=2)C)=C1C AZBAQHIVVLQMFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザダイオードの構造に関する。
従来、この種の半導体レーザダイオードは、第３図（ａ
）に示した上面図のように光の出射面１０および反射面
９の中央部近傍で凸部１１をもつｎ型電極１を有する構
造となっており、この電極１側をヒートシンクに固着す
る。第３図（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ第３図＜
ａ）におけるｈ−ｈ、 ｉ −ｉ 、 ｊ −ｊ断面
図である。
）に示した上面図のように光の出射面１０および反射面
９の中央部近傍で凸部１１をもつｎ型電極１を有する構
造となっており、この電極１側をヒートシンクに固着す
る。第３図（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ第３図＜
ａ）におけるｈ−ｈ、 ｉ −ｉ 、 ｊ −ｊ断面
図である。
一般に、この電極はエピタキシャル面全面に形成した電
極をリングラフィ技術を用いてストライプを中心に目合
わせし、凸部１１を残して周囲の電極を取り除くことに
よって作成される。この凸部を残すことには、次に述べ
るような意味がある。
極をリングラフィ技術を用いてストライプを中心に目合
わせし、凸部１１を残して周囲の電極を取り除くことに
よって作成される。この凸部を残すことには、次に述べ
るような意味がある。
半導体レーザダイオードにおいては、光出力あるいは内
部エネルギーの増大に伴う吸収領域における局部的発熱
がおこるが、端面発光部の上部に電極すなわち凸部１１
が設けられていない場合、この熱がヒートシンクに伝わ
りにくくなるなめ、端面発光部近傍の温度は増々上昇し
、急速に劣化が進み、ついては発振停止を引き起こすこ
とになる。このために、少なくとも出射面の中央部近傍
で電極を残す必要があるが、従来は、四角形の凸部１１
を設けることにより対応していた。
部エネルギーの増大に伴う吸収領域における局部的発熱
がおこるが、端面発光部の上部に電極すなわち凸部１１
が設けられていない場合、この熱がヒートシンクに伝わ
りにくくなるなめ、端面発光部近傍の温度は増々上昇し
、急速に劣化が進み、ついては発振停止を引き起こすこ
とになる。このために、少なくとも出射面の中央部近傍
で電極を残す必要があるが、従来は、四角形の凸部１１
を設けることにより対応していた。
上述した従来の半導体レーザダイオードでは、ヒートシ
ンクに固着する電極の形状が出射面と非出射面近傍に四
角形状の凸部を設ける形状となっていたために、（ａ）
凸部の強度が弱い、（ｂ）凸部の電極がはがれやすい、
（Ｃ）凸部の形状における微細加工が困難である、（ｄ
）凸部がストライプ中心からずれた場合の放熱に対する
影響が顕著である等多くの欠点を有していた。
ンクに固着する電極の形状が出射面と非出射面近傍に四
角形状の凸部を設ける形状となっていたために、（ａ）
凸部の強度が弱い、（ｂ）凸部の電極がはがれやすい、
（Ｃ）凸部の形状における微細加工が困難である、（ｄ
）凸部がストライプ中心からずれた場合の放熱に対する
影響が顕著である等多くの欠点を有していた。
本発明は、ヒートシンクに固着される側の電極面積がチ
ップ面積より小さい半導体レーザダイオードにおいて、
前記電極の形状は、少なくとも一方のレーザ共振器端面
近傍の電極幅が端面に向ってテーバ状に狭くなっている
ことを特徴とする。
ップ面積より小さい半導体レーザダイオードにおいて、
前記電極の形状は、少なくとも一方のレーザ共振器端面
近傍の電極幅が端面に向ってテーバ状に狭くなっている
ことを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ｉ）は本発明の第一の実施例における半導体レ
ーザダイオードの上面図であり、第１図（ｂ）、（ｃ）
、（ｄ）は、それぞれ第１図（ａ）におけるａ−ａ、
ｂ−ｂ、 ｃ−ｃ断面図である。ｐ型ＧａＡｓ基板７上
にエピタキシャル成長法によりｎ型ＧａＡｓ層６を形成
し、フォトレジスト工程によりチップの中央部に基板７
に達するＶ型の溝を設けた後に、再びエピタキシャル成
長法によりｐ型ＡｅＧａＡｓ層５、ｐ型＾ｌ ＧａＡｓ
活性層４、ｎ型ＡｅＧａＡｓ層３、ｎ型ＧａＡｓ層２を
形成する。次いで、基板７側にｐ型電極８を形成し、エ
ピタキシャル成長層表面側にｎ型電極１を形成する。こ
のｎ型電極１上にノボラック系ポジ型レジストを塗布し
、マスクを目合わせしてフォトリングラフィによりチッ
プの周囲のレジストを除き、レジストをマスクにイオン
ミリングをおこなって、第１図（ａ＞に示すような六角
形のｎ型電極１を形成した。ｎ型電極１は、図示のよう
に出射面１０と反射面９にテーパ状に狭くなって接して
いるが、接している長さは放熱効果が得られ、かつ襞間
が容易となる長さにすることが必要である。本実施例で
は３００μｍのチップ長、１０μｍのストライプ幅をも
つが、ｎ型電極１が出射面１０および反射面つと接して
いる長さは５０μｍとした。ｎ型電極１の大きさは、ス
トライプと平行な辺の長さが２５０μｍ、ストライプと
直交する方向の長さが２５０μｍとしな。この大きさに
することにより大面積の電極を設けることができ、また
放熱効果も充分得ることができた。
ーザダイオードの上面図であり、第１図（ｂ）、（ｃ）
、（ｄ）は、それぞれ第１図（ａ）におけるａ−ａ、
ｂ−ｂ、 ｃ−ｃ断面図である。ｐ型ＧａＡｓ基板７上
にエピタキシャル成長法によりｎ型ＧａＡｓ層６を形成
し、フォトレジスト工程によりチップの中央部に基板７
に達するＶ型の溝を設けた後に、再びエピタキシャル成
長法によりｐ型ＡｅＧａＡｓ層５、ｐ型＾ｌ ＧａＡｓ
活性層４、ｎ型ＡｅＧａＡｓ層３、ｎ型ＧａＡｓ層２を
形成する。次いで、基板７側にｐ型電極８を形成し、エ
ピタキシャル成長層表面側にｎ型電極１を形成する。こ
のｎ型電極１上にノボラック系ポジ型レジストを塗布し
、マスクを目合わせしてフォトリングラフィによりチッ
プの周囲のレジストを除き、レジストをマスクにイオン
ミリングをおこなって、第１図（ａ＞に示すような六角
形のｎ型電極１を形成した。ｎ型電極１は、図示のよう
に出射面１０と反射面９にテーパ状に狭くなって接して
いるが、接している長さは放熱効果が得られ、かつ襞間
が容易となる長さにすることが必要である。本実施例で
は３００μｍのチップ長、１０μｍのストライプ幅をも
つが、ｎ型電極１が出射面１０および反射面つと接して
いる長さは５０μｍとした。ｎ型電極１の大きさは、ス
トライプと平行な辺の長さが２５０μｍ、ストライプと
直交する方向の長さが２５０μｍとしな。この大きさに
することにより大面積の電極を設けることができ、また
放熱効果も充分得ることができた。
第２図（ａ＞は本発明の第２の実施例の上面図であり、
第２図（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）はそれぞれ第２
図（ａ）におけるｄ−ｄ、ｅ−ｅ、ｆ−ｆ、ｇｇ断面図
である。第１の実施例と同様の方法により、エピタキシ
ャル構造上に六角形の電極１を設ける。電極の形状は５
０μｍの長さの１辺が出射面１０と接しているのみで反
射面９側は電極１と離れている。電極のストライブ方向
の長さは２７０μｍ、ストライブに垂直な方向の長さは
２４０μｍである。この実施例では第１の実施例と同様
の効果が得られたが、その他出射面１０と反射面９の識
別が容易であるという利点がある。
第２図（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）はそれぞれ第２
図（ａ）におけるｄ−ｄ、ｅ−ｅ、ｆ−ｆ、ｇｇ断面図
である。第１の実施例と同様の方法により、エピタキシ
ャル構造上に六角形の電極１を設ける。電極の形状は５
０μｍの長さの１辺が出射面１０と接しているのみで反
射面９側は電極１と離れている。電極のストライブ方向
の長さは２７０μｍ、ストライブに垂直な方向の長さは
２４０μｍである。この実施例では第１の実施例と同様
の効果が得られたが、その他出射面１０と反射面９の識
別が容易であるという利点がある。
以上説明したように本発明は、半導体レーザダイオード
において、その電極の形状を少なくとも一方のレーザ共
振器端面近傍の電極幅が端面に近ずくにつれて狭くなっ
ているようにすることにより、電極の強度を強くできる
、電極はがれがおこりにくくできる、電極の加工が簡単
になる、放熱効果に対し電極中心とストライブのずれの
許容量を大きくできる等の効果が得られる。
において、その電極の形状を少なくとも一方のレーザ共
振器端面近傍の電極幅が端面に近ずくにつれて狭くなっ
ているようにすることにより、電極の強度を強くできる
、電極はがれがおこりにくくできる、電極の加工が簡単
になる、放熱効果に対し電極中心とストライブのずれの
許容量を大きくできる等の効果が得られる。
第１図（ａ＞は本発明の第１の実施例の上面図、第１図
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ第１図（ａ）におけ
るａ−ａ、 ｂ−ｂ、 ｃ−ｃ断面図、第２図（ａ）は
本発明の第２の実施例の上面図、第２図（ｂ）、（ｃ）
、（ｄ）、（ｅ）はそれぞれ第２図（ａ）におけるｄ−
ｄ、ｅ−ｅ、ｆｆ、ｇ−ｇ断面図、第３図（ａ＞は従来
例の上面図、第３図（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ
第３図（ａ＞におけるｈ−ｈ、 ｉ −ｉ 、 、ｊ−
、ｊ断面図である。 １・・・ｎ型電極、２・・・ｎ型ＧａＡｓ層、３・・・
ｎ型ＡｌＧａＡｓ層、４ ・Ｉ）型ｈｅ ＧａＡｓ活性
層、５ ・Ｐ型＾１ＧａＡｓＪＩ、６−・−ｎ型ＧａＡ
ｓ層、７ ・Ｐ型ＧａＡｓ基板、８・・ｎ型電極、９・
・・反射面、１０・・・出射面。 代理人 弁理士 内 原 晋 澗
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ第１図（ａ）におけ
るａ−ａ、 ｂ−ｂ、 ｃ−ｃ断面図、第２図（ａ）は
本発明の第２の実施例の上面図、第２図（ｂ）、（ｃ）
、（ｄ）、（ｅ）はそれぞれ第２図（ａ）におけるｄ−
ｄ、ｅ−ｅ、ｆｆ、ｇ−ｇ断面図、第３図（ａ＞は従来
例の上面図、第３図（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ
第３図（ａ＞におけるｈ−ｈ、 ｉ −ｉ 、 、ｊ−
、ｊ断面図である。 １・・・ｎ型電極、２・・・ｎ型ＧａＡｓ層、３・・・
ｎ型ＡｌＧａＡｓ層、４ ・Ｉ）型ｈｅ ＧａＡｓ活性
層、５ ・Ｐ型＾１ＧａＡｓＪＩ、６−・−ｎ型ＧａＡ
ｓ層、７ ・Ｐ型ＧａＡｓ基板、８・・ｎ型電極、９・
・・反射面、１０・・・出射面。 代理人 弁理士 内 原 晋 澗
Claims (1)
- ヒートシンクに固着される側の電極面積がチップ面積よ
り小さい半導体レーザダイオードにおいて、前記電極の
形状は、少なくとも一方のレーザ共振器端面近傍の電極
幅が端面に向ってテーパ状に狭くなっていることを特徴
とする半導体レーザダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10042989A JPH02278781A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 半導体レーザダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10042989A JPH02278781A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 半導体レーザダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02278781A true JPH02278781A (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=14273712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10042989A Pending JPH02278781A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 半導体レーザダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02278781A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993015537A1 (en) * | 1992-01-31 | 1993-08-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Tapered semiconductor laser gain structure with cavity spoiling grooves |
| US5555544A (en) * | 1992-01-31 | 1996-09-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Tapered semiconductor laser oscillator |
| JP2004095859A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Sharp Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2008141039A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Rohm Co Ltd | 端面発光型半導体レーザ |
| WO2011124914A1 (en) * | 2010-04-06 | 2011-10-13 | Oclaro Technology Limited | Semiconductor laser diodes |
-
1989
- 1989-04-19 JP JP10042989A patent/JPH02278781A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993015537A1 (en) * | 1992-01-31 | 1993-08-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Tapered semiconductor laser gain structure with cavity spoiling grooves |
| US5260822A (en) * | 1992-01-31 | 1993-11-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Tapered semiconductor laser gain structure with cavity spoiling grooves |
| US5555544A (en) * | 1992-01-31 | 1996-09-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Tapered semiconductor laser oscillator |
| JP2004095859A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Sharp Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2008141039A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Rohm Co Ltd | 端面発光型半導体レーザ |
| WO2011124914A1 (en) * | 2010-04-06 | 2011-10-13 | Oclaro Technology Limited | Semiconductor laser diodes |
| US8831062B2 (en) | 2010-04-06 | 2014-09-09 | Ii-Vi Laser Enterprise Gmbh | Semiconductor laser diodes |
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