JPS61220394A - レーザダイオードの製造方法 - Google Patents
レーザダイオードの製造方法Info
- Publication number
- JPS61220394A JPS61220394A JP6280385A JP6280385A JPS61220394A JP S61220394 A JPS61220394 A JP S61220394A JP 6280385 A JP6280385 A JP 6280385A JP 6280385 A JP6280385 A JP 6280385A JP S61220394 A JPS61220394 A JP S61220394A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザダイオード、特に高出力動作の可能な
レーザダイオードに関するものである。
レーザダイオードに関するものである。
レーザダイオードの従来例を第３図に示す。第３図にお
いて、１はＮ型ＧａＡｓ基板、２はＮ型Ａ Ｉｌ ｙＧ
ａ ５−ｙＡ Ｓクラッド層、３はＰ型ＡｆｉＸＧａ
Ｉ−ｘＡｓ活性層、４はＰ型Ａ ｌ 、Ｇ ａ ＋−ｙ
Ａ Ｓクラッド層、５はＰ型ＧａＡｓコンタクト層、６
はレーザ共振器の一端面を形成する臂開面としての共振
器端面、１１はＮ型電極、１２はＰ型電極であり、ｙ＞
ｘとなるように構成されている。第３図では左側の共振
器端面６のみを示したが、右側部分にも共振器端面を構
成する臂開面が存在する。
いて、１はＮ型ＧａＡｓ基板、２はＮ型Ａ Ｉｌ ｙＧ
ａ ５−ｙＡ Ｓクラッド層、３はＰ型ＡｆｉＸＧａ
Ｉ−ｘＡｓ活性層、４はＰ型Ａ ｌ 、Ｇ ａ ＋−ｙ
Ａ Ｓクラッド層、５はＰ型ＧａＡｓコンタクト層、６
はレーザ共振器の一端面を形成する臂開面としての共振
器端面、１１はＮ型電極、１２はＰ型電極であり、ｙ＞
ｘとなるように構成されている。第３図では左側の共振
器端面６のみを示したが、右側部分にも共振器端面を構
成する臂開面が存在する。
次にこのように構成された装置の動作について説明する
。電極１１．１２間に順バイアスを印加すると、活性層
３へ電子が注入され、正孔と再結合する際に光を発生す
る。印加電圧を大きくして注入レベルをあるしきい値レ
ベルまで上げると、誘導放出による光の発生の割合が吸
収や端面による損失の割合に等しくなりレーザ発振を開
始する。
。電極１１．１２間に順バイアスを印加すると、活性層
３へ電子が注入され、正孔と再結合する際に光を発生す
る。印加電圧を大きくして注入レベルをあるしきい値レ
ベルまで上げると、誘導放出による光の発生の割合が吸
収や端面による損失の割合に等しくなりレーザ発振を開
始する。
このようにレーザ）Ｘ−は活性層３内で発生するが、こ
の光は上下クラッド層２．４に比べて屈折率の大きい活
性層３内を主に導波し、共振器端面６を通して外部へ一
部放射される。
の光は上下クラッド層２．４に比べて屈折率の大きい活
性層３内を主に導波し、共振器端面６を通して外部へ一
部放射される。
以上述べたようにレーザ光は活性Ｎ３内で発生するが、
その波長に相当するエネルギーは、この活性層３のバン
ドギャップエネルギーよりも僅かに大きい。そのため活
性層３での吸収は自由電子によるものでごく小さいが、
共振器端面６の近傍では表面順位の吸収があり、さらに
その吸収による発熱が実効的なバンドギャップエネルギ
ーを狭めるため、吸収効果が大きくなっている。
その波長に相当するエネルギーは、この活性層３のバン
ドギャップエネルギーよりも僅かに大きい。そのため活
性層３での吸収は自由電子によるものでごく小さいが、
共振器端面６の近傍では表面順位の吸収があり、さらに
その吸収による発熱が実効的なバンドギャップエネルギ
ーを狭めるため、吸収効果が大きくなっている。
上述の従来のレーザダイオードを動作させる場合に高出
力動作を行わせると、レーザダイオード自身から発生す
るレーザ光の共振器端面６の近傍での吸収による発熱効
果が大きくなり、ある限界出力に至ると共振器端面６の
近傍が熱で破壊されてレーザダイオードが故障してしま
うという問題があった。
力動作を行わせると、レーザダイオード自身から発生す
るレーザ光の共振器端面６の近傍での吸収による発熱効
果が大きくなり、ある限界出力に至ると共振器端面６の
近傍が熱で破壊されてレーザダイオードが故障してしま
うという問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、高出力動作状態においても共振
器端面近傍での吸収が少な（、従って発熱による共振器
端面の損傷を押さえた高出力レーザダイオードを提供す
ることにある。
の目的とするところは、高出力動作状態においても共振
器端面近傍での吸収が少な（、従って発熱による共振器
端面の損傷を押さえた高出力レーザダイオードを提供す
ることにある。
本発明は、共振器端面近傍の活性層の／１モル比を共振
器内部に比べて大きくするようにしたものである。また
、製造方法として、共振器端面形成前にあらかじめ外部
から共振器端面相当位置に、レーザ光を照射し、このレ
ーザ光により共振器端面近傍の活性層のＡ１モル比を共
振器内部に比べて大きくするようにするものである。
器内部に比べて大きくするようにしたものである。また
、製造方法として、共振器端面形成前にあらかじめ外部
から共振器端面相当位置に、レーザ光を照射し、このレ
ーザ光により共振器端面近傍の活性層のＡ１モル比を共
振器内部に比べて大きくするようにするものである。
本発明においては、共振器端面近傍での活性層のＡ１モ
ル比が共振器内部に比べて大きくなっているため、共振
器端面付近でのレーザ光の吸収が押さえられる。
ル比が共振器内部に比べて大きくなっているため、共振
器端面付近でのレーザ光の吸収が押さえられる。
本発明に係わるレーザダイオードの一実施例を第１図に
示す。第１ｒｇＪにおいて、斜線の領域７は、共振器端
面６を形成する前にあらかじめレーザ光照射を受けて溶
融し、活性層３に比べてＡ１モル比の大きいクラッド層
２．４内のＡＩが活性′層３内へ拡散したため、元のＡ
１モル比よりも大きくなっている部分で、Ａｌ１ｙｎＧ
ａＩ−ｘｔＡｓ （ｘ＜ｘｉ＜ｙ）領域である。第１
図において第３図と同一部分又は相当部分には同一符号
が付しである。
示す。第１ｒｇＪにおいて、斜線の領域７は、共振器端
面６を形成する前にあらかじめレーザ光照射を受けて溶
融し、活性層３に比べてＡ１モル比の大きいクラッド層
２．４内のＡＩが活性′層３内へ拡散したため、元のＡ
１モル比よりも大きくなっている部分で、Ａｌ１ｙｎＧ
ａＩ−ｘｔＡｓ （ｘ＜ｘｉ＜ｙ）領域である。第１
図において第３図と同一部分又は相当部分には同一符号
が付しである。
レーザ光照射によるＡＩｔ買盲Ｇ ａ 、−、、Ａ ｓ
領域７の形成は、たとえば、以下のようにして行われる
。
領域７の形成は、たとえば、以下のようにして行われる
。
第２図に示すように、あらかじめエピタキシャル成長や
電極形成を終了し、まだ個々の素子に分離されていない
レーザダイオードウェハに対して、共振器端面に相当す
る線に沿ってウェハ上方よりレーザ光を照射する。この
場合、照射位置のＧａＡｓコンタクト層５があらかじめ
取り除かれており、照射レーザ光の波長相当エネルギー
がＡＩＩＸＧ ａ Ｉ−ＸＡ ！活性層３のバンドギャ
ップエネルギーよりも大きく、Ａ １７Ｇ ａ ＋−ｙ
Ａ ’クラフト層２゜４のバンドギャップエネルギーよ
りも小さければ、照射レーザ光は活性層３内で有効に吸
収される。
電極形成を終了し、まだ個々の素子に分離されていない
レーザダイオードウェハに対して、共振器端面に相当す
る線に沿ってウェハ上方よりレーザ光を照射する。この
場合、照射位置のＧａＡｓコンタクト層５があらかじめ
取り除かれており、照射レーザ光の波長相当エネルギー
がＡＩＩＸＧ ａ Ｉ−ＸＡ ！活性層３のバンドギャ
ップエネルギーよりも大きく、Ａ １７Ｇ ａ ＋−ｙ
Ａ ’クラフト層２゜４のバンドギャップエネルギーよ
りも小さければ、照射レーザ光は活性層３内で有効に吸
収される。
そうすると、その吸収部分の近傍が溶融し、上下のクラ
ッド層２．４のＡｔ’の拡散が生じて、活性層３自体の
Ａ１モル比は増大する。しかる後照射部の中心位置で襞
間すれば、第１図に示すレーザダイオードが得られる。
ッド層２．４のＡｔ’の拡散が生じて、活性層３自体の
Ａ１モル比は増大する。しかる後照射部の中心位置で襞
間すれば、第１図に示すレーザダイオードが得られる。
このように本実施例においては、共振器端面６の近傍で
活性層３のＡ１モル比が共振器内部に比べて大きくなっ
ており、吸収が少な（なっているので、従来のレーザダ
イオードに比べて共振器端面における光吸収損傷を受け
に＜＜、高出力動作が可能である。
活性層３のＡ１モル比が共振器内部に比べて大きくなっ
ており、吸収が少な（なっているので、従来のレーザダ
イオードに比べて共振器端面における光吸収損傷を受け
に＜＜、高出力動作が可能である。
また本実施例ではＡ Ｉ−Ｇ ａ −Ａ ｊ！系のレー
ザダイオードについて説明したが、他の成分系のレーザ
ダイオードにも適用できる事は勿論である。
ザダイオードについて説明したが、他の成分系のレーザ
ダイオードにも適用できる事は勿論である。
以上説明したように本発明は、共振器端面近傍の活性層
のＡ１モル比を共振器内部に比べて大きくしたことによ
り、共振器端面近傍における活性層のバンドギャップエ
ネルギーを共振器内部よりも大きくでき、高出力動作可
能なレーザダイオードを得ることができる効果がある。
のＡ１モル比を共振器内部に比べて大きくしたことによ
り、共振器端面近傍における活性層のバンドギャップエ
ネルギーを共振器内部よりも大きくでき、高出力動作可
能なレーザダイオードを得ることができる効果がある。
第１図は本発明に係わるレーザダイオードの−実施例を
示す断面図、第２図はその製造方法の一実施例を説明す
るための断面図、第３図は従来のレーザダイオードを示
す断面図である。 １・・・・Ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・・Ｎ型クラッド
層、３・・・・Ｐ型活性層、４・・・・Ｐ型りラッド層
、５・・・・Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、６・・・・共
振器端面、７・・・・領域、１１．１２・・・・電極。
示す断面図、第２図はその製造方法の一実施例を説明す
るための断面図、第３図は従来のレーザダイオードを示
す断面図である。 １・・・・Ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・・Ｎ型クラッド
層、３・・・・Ｐ型活性層、４・・・・Ｐ型りラッド層
、５・・・・Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、６・・・・共
振器端面、７・・・・領域、１１．１２・・・・電極。
Claims (2)
- （１）クラッド層−活性層−クラッド層から構成された
レーザダイオードにおいて、共振器端面近傍の活性層の
Ａｌモル比を共振器内部に比べて大きくしたことを特徴
とするレーザダイオード。 - （２）共振器端面形成前にあらかじめ外部から共振器端
面相当位置にレーザ光を照射し、このレーザ光により共
振器端面近傍の活性層のＡｌモル比を共振器内部に比べ
て大きくすることを特徴とするレーザダイオードの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6280385A JPS61220394A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | レーザダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6280385A JPS61220394A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | レーザダイオードの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220394A true JPS61220394A (ja) | 1986-09-30 |
| JPH0426558B2 JPH0426558B2 (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=13210859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6280385A Granted JPS61220394A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | レーザダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220394A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114287A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Seiko Epson Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| JPS649680A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-12 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor laser |
| JPS6428983A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor laser |
| JPS6439790A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-10 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor laser |
| JPS6457779A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor laser |
| JPS6469086A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor laser |
| JPH03297187A (ja) * | 1990-04-17 | 1991-12-27 | Nec Corp | 高出力半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4866980A (ja) * | 1971-12-17 | 1973-09-13 |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP6280385A patent/JPS61220394A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4866980A (ja) * | 1971-12-17 | 1973-09-13 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114287A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Seiko Epson Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| JPS649680A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-12 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor laser |
| JPS6428983A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor laser |
| JPS6439790A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-10 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor laser |
| JPS6457779A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor laser |
| JPS6469086A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor laser |
| JPH03297187A (ja) * | 1990-04-17 | 1991-12-27 | Nec Corp | 高出力半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0426558B2 (ja) | 1992-05-07 |
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