JPH04781A - 半導体レーザの構造 - Google Patents
半導体レーザの構造Info
- Publication number
- JPH04781A JPH04781A JP10205490A JP10205490A JPH04781A JP H04781 A JPH04781 A JP H04781A JP 10205490 A JP10205490 A JP 10205490A JP 10205490 A JP10205490 A JP 10205490A JP H04781 A JPH04781 A JP H04781A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- sch
- well
- laser
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 10
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 7
- 230000009103 reabsorption Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 101100225046 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) ecl2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は特に高出力動作が可能な量子井戸構造の半導
体レーザに関するものである。
体レーザに関するものである。
［従来の技術］
従来の量子井戸構造の半導体レーザ特にシングルファン
タムウェル・セパレートコンファイメントヘテロストラ
クチャーレーザ、略して５ＱＷ−３ＣＨレーザの典型的
な例を第２図（ａｌ〜（ｃｌに示す。
タムウェル・セパレートコンファイメントヘテロストラ
クチャーレーザ、略して５ＱＷ−３ＣＨレーザの典型的
な例を第２図（ａｌ〜（ｃｌに示す。
第２図（ａｌはブロード・エリア型ＳＱＷ −ＳＣＨレ
ーザの斜視図、第２図（ｂｌは５ＱＷ−３ＣＨ構造を示
す図、第２図（ｃｌは５ＱＷ−８ＣＨ構造のバンドギャ
ップエネルギーダイアグラム及び光強度分布をそれぞれ
ボす。図中、（１）はＮ形ＧａＡｓ基板、（２）はＮ形
Ａｆｏ、５Ｇａ（１，５Ａｓクラツド 層、（３）は５
ＱＷ−ＳＣＨ層、（４）はＰ形Ａｊ’ｏ、 ＩＩＧａｏ
、ａ Ａｓクラッド層、（５）はＮ形ＧａＡｓ ：）ン
タクト層、（６）はＰ電極、（７）はＮ電極、（８）は
Ｚｎ拡散領域、（９ａ）、（９ｂ）はＳＣＨ層、ＧＯ）
はウェル層をそれぞれボす。
ーザの斜視図、第２図（ｂｌは５ＱＷ−３ＣＨ構造を示
す図、第２図（ｃｌは５ＱＷ−８ＣＨ構造のバンドギャ
ップエネルギーダイアグラム及び光強度分布をそれぞれ
ボす。図中、（１）はＮ形ＧａＡｓ基板、（２）はＮ形
Ａｆｏ、５Ｇａ（１，５Ａｓクラツド 層、（３）は５
ＱＷ−ＳＣＨ層、（４）はＰ形Ａｊ’ｏ、 ＩＩＧａｏ
、ａ Ａｓクラッド層、（５）はＮ形ＧａＡｓ ：）ン
タクト層、（６）はＰ電極、（７）はＮ電極、（８）は
Ｚｎ拡散領域、（９ａ）、（９ｂ）はＳＣＨ層、ＧＯ）
はウェル層をそれぞれボす。
第２図（ａ）に示すＳＱＷ −ＳＣＨレーザのＰＮ接合
に対して順方向に、つまりＰ電極（６）に正、Ｎ電極（
７）に負となるよう電圧を印加すると、ＳＱＷ −ＳＣ
Ｈ層（３）中のウェルｍｕｏ＋に電子とホールが注入さ
れレーザ発振が生じる。なお、電流はＺｎ拡散領域（８
）によって侠客されるので、Ｚｎ拡散領域（８）直下の
５ＱＷ−８ＣＨ層（３１のみでレーザ発振か生じる。こ
こで、５ＱＷ−ＳＣＨ構造とは３００Å以下のウェル層
Ｕαを、それより大きいバンドギャップエネルギーのＳ
ＣＨ層（９ａ）、（９ｂ）で挾みこみ、更にＳＣＨ層（
９ａ）、（９ｂ）よりバンドギャップエネルギーの大き
いクラッド層＋２） 、 ＋４１で挾みこむという構造
のことを示す。
に対して順方向に、つまりＰ電極（６）に正、Ｎ電極（
７）に負となるよう電圧を印加すると、ＳＱＷ −ＳＣ
Ｈ層（３）中のウェルｍｕｏ＋に電子とホールが注入さ
れレーザ発振が生じる。なお、電流はＺｎ拡散領域（８
）によって侠客されるので、Ｚｎ拡散領域（８）直下の
５ＱＷ−８ＣＨ層（３１のみでレーザ発振か生じる。こ
こで、５ＱＷ−ＳＣＨ構造とは３００Å以下のウェル層
Ｕαを、それより大きいバンドギャップエネルギーのＳ
ＣＨ層（９ａ）、（９ｂ）で挾みこみ、更にＳＣＨ層（
９ａ）、（９ｂ）よりバンドギャップエネルギーの大き
いクラッド層＋２） 、 ＋４１で挾みこむという構造
のことを示す。
５ＱＷ−ＳＣＨ構造のような量子井戸構造の場合、電子
及びホールはウェル層［０）中の層厚方向に河して局在
化し、電子サイズ効果か生じる。この効果により、ウェ
ル＊ ｎｏ＋内で発生したレーザ光の再吸収が、従来の
半導体レーザの活性層の場合に比べて格段に小さくなる
ため、出射端面上の表面準位によるレーザ光の再吸収の
際、発生する熱によって出射端面が溶融・破壊するとい
う現象で決定される最大光出力か従来の半導体レーザに
比べて２〜３倍に向上する。
及びホールはウェル層［０）中の層厚方向に河して局在
化し、電子サイズ効果か生じる。この効果により、ウェ
ル＊ ｎｏ＋内で発生したレーザ光の再吸収が、従来の
半導体レーザの活性層の場合に比べて格段に小さくなる
ため、出射端面上の表面準位によるレーザ光の再吸収の
際、発生する熱によって出射端面が溶融・破壊するとい
う現象で決定される最大光出力か従来の半導体レーザに
比べて２〜３倍に向上する。
従来の５ＱＷ−８ＣＨレーザは以上のように構成されて
いたので、５ＱＷ−３ＣＨＩＩ造とすることにより通常
の半導体レーザの２〜３倍の最大光出力か得られるか、
実用上はより一層高出力動作をするレーザが望まれると
いう問題点があった。
いたので、５ＱＷ−３ＣＨＩＩ造とすることにより通常
の半導体レーザの２〜３倍の最大光出力か得られるか、
実用上はより一層高出力動作をするレーザが望まれると
いう問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、より高出力動作が可能な電子井戸レーザを得
ることを目的とする。
たもので、より高出力動作が可能な電子井戸レーザを得
ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
この発明に係る半導体レーザの構造は、量子井戸レーザ
のウェル層を挾みこむ２つのＳＣＨ層の層厚が互いに異
なるようにしたものである。
のウェル層を挾みこむ２つのＳＣＨ層の層厚が互いに異
なるようにしたものである。
〔作 用］
この発明における電子井戸レーザは、ウェル層の位置が
単峰の光強度分布のピークの位置と異なるので、より一
層高い光強度まで端面破壊が生じない。
単峰の光強度分布のピークの位置と異なるので、より一
層高い光強度まで端面破壊が生じない。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例である量子井戸レーザの５
ＱＷ−ＳＣＨＩｔ 餉域のバンドギャップエネルギーの
ダイアグラム及び光強度分布を示す図である。図におい
て、Ｅｌは第１及び第２５ＣＨ＠のバンドギャップエネ
ルギー、Ｅ！はクラッド層のバンドギャップエネルギー
、ｄｌは第１ ＳＣＨ層の層厚、ｄｌは第２ ＳＣＨ層
の＠厚、ＬＺはウェル層の層厚、Ｐｓは光強度分布にお
けるピーク光強度、Ｐｔはウェル層における光強度をそ
れぞれ示す。
ＱＷ−ＳＣＨＩｔ 餉域のバンドギャップエネルギーの
ダイアグラム及び光強度分布を示す図である。図におい
て、Ｅｌは第１及び第２５ＣＨ＠のバンドギャップエネ
ルギー、Ｅ！はクラッド層のバンドギャップエネルギー
、ｄｌは第１ ＳＣＨ層の層厚、ｄｌは第２ ＳＣＨ層
の＠厚、ＬＺはウェル層の層厚、Ｐｓは光強度分布にお
けるピーク光強度、Ｐｔはウェル層における光強度をそ
れぞれ示す。
次に動作について説明する。本実施例が従来の５ＱＷ−
３ＣＨ構造と根本的に異なるのは、第１、第２ ＳＣＨ
層の層厚ｄｌ ＋ ｄｌか異なる点にある。従来の５Ｑ
Ｗ−５ＣＨ構造では２つの５ＣＨＩＩの層厚は等しかっ
た。この場合、ウェル層１０１は５ＱＷ−３ＣＨ層の中
央に位置する。一方、レーザ光はクラッド層（２）、（
４）及びＳＣＨ層（９ａ） 、 （９ｂ）から成る屈折
率分布によって導波され、５ＱＷ−５ＣＨ層の中央部に
ピークを持つ単峰の分布、いわゆるガラス形状の光分布
となる。よって、ウェル層ｕ印の位置と光強度分布のピ
ーク位置とは一致する。
３ＣＨ構造と根本的に異なるのは、第１、第２ ＳＣＨ
層の層厚ｄｌ ＋ ｄｌか異なる点にある。従来の５Ｑ
Ｗ−５ＣＨ構造では２つの５ＣＨＩＩの層厚は等しかっ
た。この場合、ウェル層１０１は５ＱＷ−３ＣＨ層の中
央に位置する。一方、レーザ光はクラッド層（２）、（
４）及びＳＣＨ層（９ａ） 、 （９ｂ）から成る屈折
率分布によって導波され、５ＱＷ−５ＣＨ層の中央部に
ピークを持つ単峰の分布、いわゆるガラス形状の光分布
となる。よって、ウェル層ｕ印の位置と光強度分布のピ
ーク位置とは一致する。
本実施例の５ＱＷ−３ＣＨ構造では第１、第２ ＳＣＨ
層の層厚ｄｌ 、 ｄｌが異なるので、ウェル層は５Ｑ
Ｗ−ＳＣＨ層の中央部には位置せず、中央部から（ｄ＋
−ｄｚ）／２ （ｄ＋＞ｄｚの場合）の距離の所に位置
する。
層の層厚ｄｌ 、 ｄｌが異なるので、ウェル層は５Ｑ
Ｗ−ＳＣＨ層の中央部には位置せず、中央部から（ｄ＋
−ｄｚ）／２ （ｄ＋＞ｄｚの場合）の距離の所に位置
する。
一方、光強度分布自体はウェル層が５ＱＷ−３ＣＨ層中
のどこに位置しようと、ウェル層自身の層厚かＳＣＨ層
の層厚に比べて充分薄いため何ら影響を受けない。つま
り、従来と同様、光強度分布のピークは５ＱＷ−３ＣＨ
層の中央に位置する。出射端面の端面破壊は専らウェル
層の端面に露出した部分における表面準位を介してのレ
ーザ光の再吸収によって生じ、バンドギャップエネルギ
ーがレーザ光のフォトンエネルギーより大きいため、レ
ーザ光を吸収しにくいＳＣＨ層では端面破壊は生じにく
い。
のどこに位置しようと、ウェル層自身の層厚かＳＣＨ層
の層厚に比べて充分薄いため何ら影響を受けない。つま
り、従来と同様、光強度分布のピークは５ＱＷ−３ＣＨ
層の中央に位置する。出射端面の端面破壊は専らウェル
層の端面に露出した部分における表面準位を介してのレ
ーザ光の再吸収によって生じ、バンドギャップエネルギ
ーがレーザ光のフォトンエネルギーより大きいため、レ
ーザ光を吸収しにくいＳＣＨ層では端面破壊は生じにく
い。
よって、本実施例のように光強度分布のピークがＳＣＨ
層中にある場合は、従来の中央部にウェル層がある場合
に比べて端面破壊は生じにくい。つまり最大光出力はよ
り向上する。
層中にある場合は、従来の中央部にウェル層がある場合
に比べて端面破壊は生じにくい。つまり最大光出力はよ
り向上する。
以下、どれぐらい最大光出力か改善されるかを理論的に
説明する。
説明する。
まず、従来の５ＱＷ−８ＣＨ構造について考察する。
出射端面がレーザ光によって破壊される時のピーク光強
度をＰａ（第１図参照）とする。この時の最大光出力Ｐ
ｔｏｔは、 きなる。なお、上（１）式中のω０はビームスポット径
を表わし、ＳＣＨ層とクラッド層の屈折率分布でほぼ決
まる。
度をＰａ（第１図参照）とする。この時の最大光出力Ｐ
ｔｏｔは、 きなる。なお、上（１）式中のω０はビームスポット径
を表わし、ＳＣＨ層とクラッド層の屈折率分布でほぼ決
まる。
一方、本実施例の場合は５ＱＷ−５ＣＨ層の中央部から
（ｄｌｄ２）／２ （ただしｄｔ＞ ｄ２）に位置する
ウェル層の光強度Ｐｔが端面破壊レベルＰｏに達する時
、破壊される。破壊された時の、中央部のピーク光強度
をＰｓとすると、 Ｐｔ＝Ｐｏ＝Ｐｓｅ −（ｔｏ’６” ・・・（２） ａ、−ｄ。
（ｄｌｄ２）／２ （ただしｄｔ＞ ｄ２）に位置する
ウェル層の光強度Ｐｔが端面破壊レベルＰｏに達する時
、破壊される。破壊された時の、中央部のピーク光強度
をＰｓとすると、 Ｐｔ＝Ｐｏ＝Ｐｓｅ −（ｔｏ’６” ・・・（２） ａ、−ｄ。
・・・ （３
という関係か成り立つ。
よって、本実施例の場合の最大光出力ＰｔｏｔはＰ’ｔ
ｏｔ ＝ｆ” Ｐ ｅ−Ｃｃｕ６） ｄｘ−ｏｏ
８ ＝ ｅ （ａｌｏ）、 Ｐｔｏｔ 山ｔ４１と
なり、従来のｅ（丁Ｏ倍の最大光出力が得られることか
理論的に説明される。
ｏｔ ＝ｆ” Ｐ ｅ−Ｃｃｕ６） ｄｘ−ｏｏ
８ ＝ ｅ （ａｌｏ）、 Ｐｔｏｔ 山ｔ４１と
なり、従来のｅ（丁Ｏ倍の最大光出力が得られることか
理論的に説明される。
なお、上記実施例ではウェル層が１つだけのいわゆるシ
ングルファンタムウェル構造の場合についてのみ説明し
たが、ウェル層が複数個あるいわゆるマルチファンタム
ウェル構造についても同様な効果が得られることはいう
までもない。
ングルファンタムウェル構造の場合についてのみ説明し
たが、ウェル層が複数個あるいわゆるマルチファンタム
ウェル構造についても同様な効果が得られることはいう
までもない。
また、上記実施例では第１、第２ ＳＱＷ層のバンドギ
ャップエネルギーＥｓ ＣＨｌ、 ；ＥＳＣＨ，及び第
１、第２クラッド層のバンドギャップエネルギーＥＣＬ
１１ＥｃＬ２ がそれぞれ等しい、つまり、ＥＳＣＨ
１＝ＥＳＣＨ。
ャップエネルギーＥｓ ＣＨｌ、 ；ＥＳＣＨ，及び第
１、第２クラッド層のバンドギャップエネルギーＥＣＬ
１１ＥｃＬ２ がそれぞれ等しい、つまり、ＥＳＣＨ
１＝ＥＳＣＨ。
ｌ ＥＣＬｌ” ＥＣＬ２のみの場合を示したが、の関
係さえ満足しかつ上記のＥＳＣＨ，、ＥＳＣＨ２かウェ
ル層のバンドギャップエネルギーＥｗ より大きければ
、ＥＳＣＨ，４ＥＳＣＨ，あるいはＥＣＬ、 ”ｒ Ｅ
ＣＬ２でも何ら問題はない。
係さえ満足しかつ上記のＥＳＣＨ，、ＥＳＣＨ２かウェ
ル層のバンドギャップエネルギーＥｗ より大きければ
、ＥＳＣＨ，４ＥＳＣＨ，あるいはＥＣＬ、 ”ｒ Ｅ
ＣＬ２でも何ら問題はない。
〔発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、２つのＳＣＨ層の層厚
が互いに異なるようにしたので、光強度分布のピーク位
置とウェル−の位置が一致しないため、従来の両者が一
致する構造のものに比べて実効的な端面破壊レベルか向
上する結果、より高い光出力で動作６エ能な量子井戸レ
ーザが得られるという効果がある。
が互いに異なるようにしたので、光強度分布のピーク位
置とウェル−の位置が一致しないため、従来の両者が一
致する構造のものに比べて実効的な端面破壊レベルか向
上する結果、より高い光出力で動作６エ能な量子井戸レ
ーザが得られるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例である量子井戸レーザの５
ＱＷ−５ＣＨＩＩｉｌ域のバンドギャップエネルギーの
ダイアグラム及び光強度分布図、第２図（ａｌは典型的
なブロード・エリア型５ＱＷ−５ＣＨレーザの斜視図、
第２図（ｈはレーザ中の５ＱＷ−ＳＣＨ構造を示す図、
第２図（Ｃ）は５ＱＷ−５ＣＨ構造のバンドギャップエ
ネルギーダイアグラム及び光強度分布図を示す。 図中、（１）はＮ形ＧａＡｓ基板、（２）はＮ形Ａｌ！
０．５ＧａａｓＡｓクラッド層、（３）は５ＱＷ−８Ｃ
Ｈ層、（４）はＰ形Ａｌい。 Ｇａ Ｏ，５Ａｓクラッド層、（５）はＮ形ＧａＡｓコ
ンタクト層、（６）はＰ電極、（７）はＮ電極、（８）
はＺｎｎ拡散域域（９ａ）、 （９ｂ）はＳＣＨ層、０
０１はウェル層を示す。
ＱＷ−５ＣＨＩＩｉｌ域のバンドギャップエネルギーの
ダイアグラム及び光強度分布図、第２図（ａｌは典型的
なブロード・エリア型５ＱＷ−５ＣＨレーザの斜視図、
第２図（ｈはレーザ中の５ＱＷ−ＳＣＨ構造を示す図、
第２図（Ｃ）は５ＱＷ−５ＣＨ構造のバンドギャップエ
ネルギーダイアグラム及び光強度分布図を示す。 図中、（１）はＮ形ＧａＡｓ基板、（２）はＮ形Ａｌ！
０．５ＧａａｓＡｓクラッド層、（３）は５ＱＷ−８Ｃ
Ｈ層、（４）はＰ形Ａｌい。 Ｇａ Ｏ，５Ａｓクラッド層、（５）はＮ形ＧａＡｓコ
ンタクト層、（６）はＰ電極、（７）はＮ電極、（８）
はＺｎｎ拡散域域（９ａ）、 （９ｂ）はＳＣＨ層、０
０１はウェル層を示す。
Claims (1)
- 第１導電形の半導体基板と、この半導体基板上に順次形
成された第１導電形の第１クラッド層、第１、第２導電
形あるいはアンドープで前記第１クラッド層に比べて小
さいバンドギャップエネルギーを有しかつ屈折率が大き
いｄ＿１の層厚を有する第１セパレート・コンファイメ
ント・ヘテロストラクチャ（ＳＣＨ）層、この第１ＳＣ
Ｈ層に比べて小さいバンドギャップエネルギーを有しか
つ屈折率が大きいＬ＿Ｚの層厚を有する第１、第２導電
形あるいはアンドープのウェル層、前記第１ＳＣＨ層と
同じバンドギャップエネルギー及び屈折率を有し第１、
第２導電形あるいはアンドープでｄ＿２の層厚を有する
第２ＳＣＨ層、前記第１クラッド層と同じバンドギャッ
プエネルギー、屈折率を有し第２導電形である第２クラ
ッド層から成るいわゆる量子井戸構造のレーザにおいて
、ｄ＿１とｄ＿２が異なりかつＬ＿Ｚが３００Å以下で
あることを特徴とする半導体レーザの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10205490A JPH04781A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 半導体レーザの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10205490A JPH04781A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 半導体レーザの構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04781A true JPH04781A (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=14317057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10205490A Pending JPH04781A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 半導体レーザの構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04781A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6555403B1 (en) | 1997-07-30 | 2003-04-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser, semiconductor light emitting device, and methods of manufacturing the same |
| JP2007129270A (ja) * | 2007-02-09 | 2007-05-24 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2007189264A (ja) * | 1999-11-17 | 2007-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| JP2008034886A (ja) * | 1999-11-17 | 2008-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| JP2013505560A (ja) * | 2009-09-17 | 2013-02-14 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 端面発光半導体レーザー |
-
1990
- 1990-04-17 JP JP10205490A patent/JPH04781A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6555403B1 (en) | 1997-07-30 | 2003-04-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser, semiconductor light emitting device, and methods of manufacturing the same |
| JP2007189264A (ja) * | 1999-11-17 | 2007-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| JP2008034886A (ja) * | 1999-11-17 | 2008-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| JP2007129270A (ja) * | 2007-02-09 | 2007-05-24 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2013505560A (ja) * | 2009-09-17 | 2013-02-14 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 端面発光半導体レーザー |
| US8737444B2 (en) | 2009-09-17 | 2014-05-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Edge-emitting semiconductor laser |
| US8976831B2 (en) | 2009-09-17 | 2015-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Edge-emitting semiconductor laser |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1152623A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2008135786A (ja) | 高出力半導体レーザダイオード | |
| JP2005502207A5 (ja) | ||
| WO2021200168A1 (ja) | ２次元フォトニック結晶レーザ | |
| JPWO2020022116A1 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH04144183A (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
| JPH04781A (ja) | 半導体レーザの構造 | |
| JPS60192379A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH04296067A (ja) | スーパー・ルミネッセント・ダイオード | |
| WO2019111804A1 (ja) | 光半導体素子の駆動方法、及び光半導体素子 | |
| US4759025A (en) | Window structure semiconductor laser | |
| JPS61220394A (ja) | レーザダイオードの製造方法 | |
| JPH1022577A (ja) | 発光半導体装置 | |
| JPS6155276B2 (ja) | ||
| JP3211330B2 (ja) | 半導体レーザアレイ装置 | |
| JP3144821B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| KR100335075B1 (ko) | 반도체레이저 | |
| JP2817515B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPS63263790A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2000101186A (ja) | 半導体光素子およびその製造方法 | |
| JP2747324B2 (ja) | 半導体光スイッチ | |
| JPH04257284A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レーザ | |
| JPH0337875B2 (ja) | ||
| JPS6388886A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS63300586A (ja) | 半導体レ−ザ装置 |