JPS6265492A - 半導体レ−ザ−素子 - Google Patents

半導体レ−ザ−素子

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Publication number
JPS6265492A
JPS6265492A JP20799585A JP20799585A JPS6265492A JP S6265492 A JPS6265492 A JP S6265492A JP 20799585 A JP20799585 A JP 20799585A JP 20799585 A JP20799585 A JP 20799585A JP S6265492 A JPS6265492 A JP S6265492A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grooves
light emitting
semiconductor laser
emitting parts
parts
Prior art date
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Pending
Application number
JP20799585A
Other languages
English (en)
Inventor
Naotaka Otsuka
尚孝 大塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP20799585A priority Critical patent/JPS6265492A/ja
Publication of JPS6265492A publication Critical patent/JPS6265492A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は内部電流狭窄型の半導体レーザー素子に関する
ものである。
〈発明の概要〉 半導体レーザー素子の発光部（電荷性入部相当）を複数
個にし、かつその発光部間を２０μｍ以上離すことによ
り熱放散をより良くし、高出方化を図る。
〈従来の技術〉 半導体レーザー素子は、一般的には基板となる半導体上
に数回のエヒリキシャル成長を施すことにより、ダブル
へテロ接合等が形成されて、レーザー発振に必要なＰＮ
接合等も形成される。この−例として、第３図にＶＳＩ
Ｓ型半導体レーザー素子の断面図を示す。
図において、１はＰ型ＧａＡｓ基板、２はＮ型ＧａＡｓ
電流狭搾層、３はＰ型ＧａＡ／Ａｓクラッド層、４はＰ
型ＧａＡｌＡｓ活性層〔発光ｍ）５はＮ型ＧａＡｌＡｓ
クラッド層、６はＮ型ＧａＡｓキャップ層である。
図に明らかなように、電流が注入される溝７は素子内に
１本あるのみで、この溝７上でレーザー発振が起とシレ
ーチー光を発する。
〈発明が解決しようとする問題点〉 ところで量分、半導体レーザー素子のさらに高出力化が
望まれている。しかし、上記の如く溝７が１木のみの構
造では限界がある。
本発明は、発光部を複数個設けることにより、高出力化
を図った半導体レーザー素子を提供するものである。
〈問題点を解決するための手段〉 溝等の電流注入部を複数個設け、かつ電流注入部間の間
隔が２０μｍ以上となるように配置形成する。
〈作　用〉 上記構造により、発光部が複数となり、また間隔が２０
μｍ以上で、相互に受ける発光部の熱の影響を小ζく、
効率よく高出方化を図ることができる。
〈実施例〉 第１図にＶＳＩＳ型半導体レーザー素子に実施したもの
を示す。
図において、＠３図と同様、ｌはＰ型ＧａＡｓ基板、２
はＮ型ＧａＡｓ電流狭搾層、３はＰ型Ｇ　ａＡＪＡｓク
ラッド層、４はＰ型ＧａＡ＃Ａｓ活性層（発光層）、５
はＮ型ＧａＡ＃Ａｓクラッド層、６はＮ型ＧａＡｓキャ
ップ層である。また、７．７．・・・は電流注入を行な
う複数本の溝で、図では２木形成したものを示している
。なお、溝７と溝７の間隔りは２０μｍ以上である。
溝７，７．・・・は、第２図に示すように、フォトレジ
ストのマスク８をストライプ状に形成し、第１図のよう
なＧａＡｓ基板１であれば、硫酸系かモジくハアンモニ
ア系のエツチング液で、化学エツチングを行なうことに
よ９作ることが可能である。
上記構造において、溝７，７．・・・上でレーザー発振
が起こシレーチー光を発する。すなわち、発光部が複数
となって高出力のレーザー光を発する。
そして、溝７．７．・・・の間隔りは２０μｍ以上とし
ているため、相互の熱の影響を小ざくし、各発光部にお
ける光出力の低下を防止する。
一般は半導体レーザーのしきい値電流１ｔｈは、る。こ
こで、ＩＯ，ＴＯは定数である。よって、温度Ｔが上昇
すると１ｔｈは上昇するため、一定電流で発振させてい
る場合、温度が上昇すれば光出力は低下することになる
。溝間隔を２０μｍ以上と大きくするのは、近すけすぎ
るとレーザー発振時の熱の影響で光出力が低下するから
で、２０μｍ−以上とすれば下記のような問題点をも解
消して高出力化が図れる。
〈発明の効果〉 上述したように本発明によれば、簡単な構造で複数の発
光部を有する高出力の半導体レーザー素子が提供できる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は要部
形成法を説明する断面図、第３図は従来例を示す断面図
である。 １−Ｐ型ＧａＡｓ基板、　２・Ｎ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ？ａ
：流狭搾層、　３・・・Ｐ型ＧａＡＪクラッド層、４・
・・Ｐ型ＧａＡｌ１！Ａｓ活性層（発光層）、５・・・
Ｎ型Ｇ、ａＡＩＡｓクラッド層、　６−Ｎ型ＧａＡｓキ
ャップ層、　７・・・溝、　Ｄ・・・間隔。 代理人　弁理士　　福　士　愛　彦（他２名）第１図 第２図 第３１２Ｉ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、内部電流狭搾型の半導体レーザー素子において、電
    荷注入部を複数個設け、該電荷注入部間の間隔を２０μ
    ｍ以上離して配置、形成してなることを特徴とする半導
    体レーザー素子。
JP20799585A 1985-09-18 1985-09-18 半導体レ−ザ−素子 Pending JPS6265492A (ja)

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JPS6265492A true JPS6265492A (ja) 1987-03-24

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0395436A2 (en) * 1989-04-28 1990-10-31 Sharp Kabushiki Kaisha A semiconductor laser device, a semiconductor wafer, and a method for the production of the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0395436A2 (en) * 1989-04-28 1990-10-31 Sharp Kabushiki Kaisha A semiconductor laser device, a semiconductor wafer, and a method for the production of the same

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