JP2004095859A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】同一の半導体ウエハから異なる共振器長のレーザチップを生産することができる半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハ１０の上面に電極パターン３′を形成する電極パターン形成工程と、電極パターン３′が形成された半導体ウエハ１０を所定ピッチで切断し、複数本の半導体バー１１を得るウエハ切断工程と、得られた半導体バー１１を所定のチップサイズに分割し、半導体レーザＲ_１を得る半導体バー分割工程とを備える。前記電極パターン形成工程で形成される電極パターン３′を、少なくとも共振器長方向Ａに連続させる。
【選択図】　　　　図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ及びその製造方法に関し、特に半導体レーザの電極パターンに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＤ‐Ｒ／ＲＷやＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ等の光学系記憶媒体のデータ読み取り及び／又は書き込みに使用する高出力半導体レーザは、各種の光学系記憶媒体によってそれぞれ最適な共振器長が定められており、対象とする光学系記憶媒体に適さない共振器長の半導体レーザを用いると、ＳＣＯＯＰ不良（戻り光によるノイズ）が発生する。したがって、各種の光学系記憶媒体にはそれぞれ最適な共振器長の半導体レーザ（レーザチップ）が必要となる。
【０００３】
従来、この種の半導体レーザの製造では、半導体ウエハの上面に、予め決められた共振器長のチップサイズ内に収まるチップサイズよりも小さい電極パターン７２（図９参照）を、共振器長方向Ａ及びチップ幅方向Ｂに所定間隔で複数形成し、その後、所定の共振器長Ｌ間隔でチップ幅方向Ｂに切断して複数本のレーザバーに分割する。この際、半導体ウエハの上面における各電極パターン７２間がチップ分割位置を示す目印となっている。そして、このレーザバーを所定のチップ幅Ｗに切断して、図９に示すような個々の半導体レーザ（レーザチップ）７０に分割していた（実開平６−７９１７２号公報等参照）。このレーザチップ７０は、複数の半導体層が積層され、かつその共振器長方向Ａの両端にへき開面７３、７４を有する半導体層部７１と、この半導体層部７１の上面に形成された電極パターン７２とを備え、共振器長方向Ａの長さＬが所定の共振器長に設定されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したように、従来の半導体レーザの製造方法では、予め決められた共振器長Ｌのチップサイズ内に収まる電極パターン７２を個々に形成しているため、同一のウエハから異なった共振器長のレーザチップを生産することは不可能であった。つまり、図９と図１０（ａ）（ｂ）に示すように、予め決められた共振器長Ｌとは異なる共振器長Ｌ′のレーザチップを生産すると、電極８２が二つに分離したチップ８１が発生し、このようなレーザチップ８１では、バースクライブ工程にて認識不良が発生し装置不具合が生じてしまう。そのため、異なるレーザチップを製造するには、その共振器長に対応した電極パターンを半導体ウエハ上に形成しなければならず、レーザチップの生産計画の変更に柔軟に対応することができなかった。
【０００５】
本発明の主要な目的の一つは、同一の半導体ウエハから異なる共振器長のレーザチップを生産することができる半導体レーザ及びその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体ウエハの上面に電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
電極パターンが形成された半導体ウエハを所定ピッチで切断し、複数本の半導体バーを得るウエハ切断工程と、
得られた半導体バーを所定のチップサイズに分割し、半導体レーザを得る半導体バー分割工程とを備えた半導体レーザの製造方法であって、
前記電極パターン形成工程で形成される電極パターンを、少なくとも共振器長方向に連続させる半導体レーザの製造方法を提供できる。
すなわち、本発明は、半導体層部と、この半導体層部の上面に形成された電極パターンとを備え、この電極パターンの共振器長方向側の両端を、半導体層部のへき開面に一致させた半導体レーザを製造する製造方法である。
【０００７】
ここで、本発明において、半導体ウエハとは、複数の半導体層が積層され、かつその下面に電極層が積層されたレーザ光発光用の半導体ウエハであると定義する。また、本発明において、チップ幅方向とは、半導体レーザのへき開面と平行な平面方向であり、共振器長方向とは、半導体レーザのへき開面と直角な平面方向であると定義する。
【０００８】
本発明において、ウエハ切断工程及び半導体バー分割工程は、下記の▲１▼又は▲２▼の方法を実施することができる。
▲１▼ウエハ切断工程において、電極パターンが形成された半導体ウエハを、共振器長方向に所定の共振器長間隔で切断して、チップ幅方向に長い半導体バー（レーザバー）を得る。この場合、半導体バー分割工程において、得られた半導体バーを所定のチップ幅間隔で分割（切断）して、所定チップサイズの半導体レーザを得る。
▲２▼ウエハ切断工程において、電極パターンが形成された半導体ウエハを、チップ幅方向に所定のチップ幅間隔で切断して、共振器長方向に長い半導体バーを得る。この場合、半導体バー分割工程において、得られた半導体バーを所定の共振器長間隔で分割（切断）して、所定チップサイズの半導体レーザを得る。
【０００９】
本発明の半導体レーザの製造方法によれば、電極パターン形成工程において、半導体ウエハの上面に、共振器長方向に連続した（途中で切れ目のない）電極パターンを形成するので、前記▲１▼又は▲２▼による工程中に電極パターンを共振器長方向の所望の共振器長に切断することができる。つまり、電極パターンの切断ピッチを変更することができる。したがって、本発明によれば、同一のウエハから異なった共振器長の半導体レーザ（以下、レーザチップと称することがある）を製造することができ、異なるレーザチップの生産計画の変更に柔軟に対応することができる。
【００１０】
本発明の半導体レーザの製造方法において、電極パターン形成工程は、下記の▲３▼▲４▼▲５▼の具体例を挙げることができる。
▲３▼電極パターン形成工程において、電極パターンを、チップ幅方向に所定間隔で複数列形成し、かつ各列の電極パターンのチップ幅方向側の一側縁又は両側縁に所定形状のマーカを共振器長以下のピッチで複数形成する。このようにすれば、半導体ウエハ上に共振器長方向に連続して電極パターンが形成されるので、前記▲１▼又は▲２▼の工程にて異なる共振器長に電極パターンを切断することができる。また、この帯状の電極パターンのチップ幅方向側の一側縁又は両側縁には、所定形状のマーカが一体形成されるので、このマーカの形状、数、位置、あるいはこれらの組み合わせ等によって、レーザチップの種類やレーザ光主出射面等を容易に判別することができる。したがって、レーザチップをヒートシンクやパッケージに実装する際に、レーザチップのレーザ光主出射面を所定の方向に向けてミスなく正確に実装することができる。
▲４▼電極形成工程において、電極パターンを、半導体ウエハの略全上面に一体に形成し、この電極パターンのチップ分割位置にチップ幅間隔で、かつ共振器長方向に共振器長以下のピッチで複数のマーカを形成する。このようにしても、半導体ウエハ上に共振器長方向に連続して電極パターンが形成されるので、前記▲１▼又は▲２▼の工程にて異なる共振器長に電極パターンを切断することができると共に、チップ分割位置をマーカにて容易かつ確実に検出することができる。
▲５▼電極形成工程において、電極パターンを、半導体ウエハの略全上面に一体に形成し、この電極パターンのレーザ発光チャネル対応位置にチップ幅間隔で、かつ共振器長方向に共振器長以下のピッチで複数のマーカを形成する。このようにしても、半導体ウエハ上に共振器長方向に連続して電極パターンが形成されるので、前記▲１▼又は▲２▼の工程にて異なる共振器長に電極パターンを切断することができると共に、製造されたレーザチップをヒートシンクやパッケージに実装する際に、レーザ発光点をマーカによって所定の位置に高精度にかつ容易に配置させることができる。
【００１１】
前記▲３▼において、電極パターンのチップ幅方向側の両側縁にそれぞれ形成されるマーカは、電極パターンのチップ幅方向の中心線に対して対称形であり、かつ共振器長方向にその全長を二分する仮想線に対して非対称形（例えば直角三角形、台形等）であるようにしてもよい。このようにすれば、電極パターンのチップ幅方向側の両側縁にそれぞれマーカが形成される場合に、それらのマーカによる形状的な特徴を、レーザチップのレーザ光主出射面を判別する材料とすることができる。なお、詳しくは後述の実施の形態にて説明する。
一方、前記▲３▼において、電極パターンのチップ幅方向側の一側縁のみにマーカを形成した場合は、例えば、マーカを手前にしたときのチップ右側がレーザ光主出射面であるというような判別を行うことができる。
【００１２】
また、前記▲３▼のマーカは、等ピッチで複数形成され、その共振器長方向の全長が、共振器長／整数（１以上）に、かつマーカのピッチと等しく設定されるものとしてもよい。このようにすれば、１個のレーザチップ内にあるマーカの数を数えることで共振器長を容易に識別することができ、共振器長の異なる機種が混在するのを防止、あるいは混在した異なる機種を容易に分別することができる。
【００１３】
また、前記▲３▼のマーカは、その共振器長方向の全長とチップ幅方向の最大長さとの比が１：５〜５：１に設定されるものとしてもよい。例えば、レーザチップを共振器長７００〜９００μｍ、チップ幅２００〜２５０μｍとした場合、マーカを共振器長方向の全長３０〜３００μｍ、チップ幅方向の最大長さ１５０〜３０μｍに設定する。このようにすれば、目視によって容易にマーカ形状を識別することができるため、例えばマーカ形状でレーザチップの種類を識別する場合には識別ミスを有効に防止することができる。なお、マーカにおいて、その共振器長方向の最大長さとチップ幅方向の最大長さとの比が１：５〜５：１の範囲を逸脱すると、マーカ形状が識別し難くなって識別ミスを起こすおそれがある。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、本発明は実施の形態に限定されるものではない。
【００１５】
［実施の形態１］
図１は本発明の実施の形態１に係る半導体レーザを示す概略斜視図であり、図２は同実施の形態１における半導体レーザの平面図であり、図３は同実施の形態１の半導体レーザの製造過程を説明する説明図であって、ウエハ切断工程を示している。
【００１６】
この半導体レーザ（レーザチップ）Ｒ_１は、複数の半導体層が積層され、かつその下面に電極部２を有する半導体層部１と、この半導体層部１の上面に形成された電極パターン３とを備え、半導体層部１の共振器長方向Ａ側の両端にへき開面４、５を有している。なお、図１において、矢印Ｂはチップ幅方向を表している。また、半導体レーザＲ_１は、共振器長方向Ａの長さ寸法である共振器長Ｌが例えば８００μｍであり、チップ幅Ｗが例えば２３０μｍである。
【００１７】
半導体層部１の上面の電極パターン３は、その共振器長方向Ａ側の両端がそれぞれ半導体層部１の一対のへき開面４、５に一致しており、さらにチップ幅方向Ｂ側の一側縁には直角三角形のマーカ６が等ピッチで複数（この場合４個）鋸歯状に形成されている。一方、電極パターン３のチップ幅方向Ｂ側の他側縁はストレート形に形成されている。なお、電極パターン３のチップ幅方向Ｂの全幅Ｗ_１は、チップ幅Ｗより小さい例えば１７０μｍとされている。
【００１８】
マーカ６は、その共振器長方向Ａの全長Ｍ_１が例えば１００μｍに設定され、チップ幅方向Ｂの最大長さＮ_１が例えば４０μｍに設定されており、その比は５：２である。また、マーカ６の前記全長Ｍ_１は、共振器長Ｌ／４に、かつマーカ６のピッチＰ_１と等しく設定されている。
【００１９】
このように構成された実施の形態１の半導体レーザＲ_１によれば、電極パターン３のチップ幅方向Ｂ側の一側縁のみにマーカ６を有しているため、例えばマーカ６を手前に配置したときの右側のへき開面４を前面（レーザ光主出射面）、左側のへき開面５を後面というように容易に判別することができる。例えば、一対のへき開面４、５を非対称にコーティングし、一対のへき開面４、５からのレーザ光の光出射強度が異なる半導体レーザの実装時に、その向きを確認することができる。また、共振器長Ｌ／整数と等しい全長Ｍ_１のマーカ６を、この全長Ｍ_１と等しいピッチＰ_１で複数個設けたので、１個のチップ内にあるマーカ６の数を数えることで共振器長を容易に確認識別することができ、共振器長の異なる機種が混在するのを防止することができる。この際、マーカ６は、共振器長方向Ａの全長Ｍ_１とチップ幅方向Ｂの最大長さＮ_１との比が１：５〜５：１の範囲内にあるので、目視でパターン形状を識別することができ、識別ミスの発生を防止することができる。
【００２０】
次に、実施の形態１の半導体レーザの製造方法について説明する。
実施の形態１の半導体レーザの製造方法では、図３に示すように、半導体層を複数層に積層してなる矩形状の半導体ウエハ１０の上面に、電極パターン３′を形成する電極パターン形成工程が行われる。この電極パターン形成工程において、半導体ウエハ１０の上面に共振器長方向Ａに延びる連続した帯状の電極パターン３′を、チップ幅方向Ｂに所定間隔、すなわちチップ幅方向Ｂに所定チップ幅Ｗ間隔（図２参照）で複数列形成する。この際、電極パターン３′のチップ幅方向Ｂ側の一側縁には鋸歯状の複数個のマーカ６が形成される。この各マーカ６の形状、大きさ寸法、ピッチは図１と図２で説明したので省略する。なお、電極パターン３′は、従来と同様の公知技術により形成することができる。
【００２１】
続いて、ウエハ切断工程において、複数列の電極パターン３′が形成された半導体ウエハ１０を、共振器長方向Ａの所望のピッチ、すなわち所定の共振器長Ｌ間隔｛この場合、マーカピッチＰ_１×４（図２参照）｝で切断して複数本の半導体バー（レーザバー）１１を得る。この際、マーカ６がちょうど４個入る位置を検出して切断する。なお、この場合、切断によるロスは考えないものとしている。
【００２２】
その後、半導体バー分割工程において、得られた半導体バー１１を所定のチップ幅Ｗ間隔に切断して、個々の半導体レーザＲ_１に分割する。この際、例えば半導体バー１１の隣接した電極パターン３間の中間位置をチップ分割位置として検出して切断する。なお、この場合も、切断によるロスは考えないものとしている。
【００２３】
この実施の形態１の半導体レーザの製造方法によれば、電極パターン形成工程において、半導体ウエハ１０の上面に切れ目のない連続した帯状の電極パターン３′の列を形成するので、ウエハ切断工程において所望の共振器長に半導体ウエハを切断することができる。すなわち、同一のウエハで異なる共振器長の半導体レーザを製造することができる。なお、この実施の形態１では、ちょうど４個分のマーカ１６の長さに相当する共振器長ＬのレーザチップＲ_１を形成した場合を例示したが、この共振器長Ｌと異なる共振器長の半導体レーザを製造する際は、例えばマーカが５個以上の整数個又は３個以下の整数個の長さに相当する共振器長の半導体レーザを製造することができる。また、このようにマーカの整数個分の長さに相当しない共振器長の半導体レーザも製造可能である。
【００２４】
［実施の形態２］
図４は本発明の実施の形態２に係る半導体レーザを示す平面図である。
この実施の形態２の半導体レーザＲ_２は、実施の形態１とは電極パターン１３の形状、配置が異なるものであり、その他の構成は同様であり、同一の要素には同一の符号を付しその説明を省略する。
【００２５】
電極パターン１３は、そのチップ幅方向Ｂ側の両側縁に直角三角形のマーカ１６が１個ずつ形成されている。一対のマーカ１６は、その共振器長方向Ａの全長Ｍ_２が例えば２００μｍに、チップ幅方向Ｂの最大長さＮ_２が例えば４０μｍにそれぞれ設定され、その比が５：１である。また、一対のマーカ１６は、電極パターン１３のチップ幅方向Ｂの中心線Ｃに対して対称形であり、かつ共振器長方向Ａにその全長Ｍ_２を二分する仮想線Ｋに対して非対称形である。
【００２６】
このように、電極パターン１３のチップ幅方向Ｂ側の両側縁にマーカ１６を形成する場合は、電極パターン１３のチップ幅方向Ｂの中心線Ｃに対して対称形に、かつ共振器長方向Ａにその全長Ｍ_２を二分する仮想線Ｋに対して非対称形とすることにより、一対のマーカ１６で形成される形状的な特徴を、レーザチップＲ_２のレーザ光主出射面を判別する判別材料とすることができる。この場合、例えば各マーカ１６の傾斜辺部の向きや頂部の位置を判別材料とすることができる。
【００２７】
この実施の形態２の半導体レーザの製造方法は、実施の形態１と同様に、電極パターン形成工程で半導体ウエハの上面に複数列の電極パターンが形成される（図３参照）が、この際、各電極パターンのチップ幅方向Ｂ側の両側縁に共振器長Ｌと等しいピッチでマーカ１６が複数個形成される。その後のウエハ切断工程では、等ピッチで並ぶ各マーカ１６間を共振器長Ｌ間隔で切断して複数本の半導体バーを得る。そして、半導体バー分割工程において、半導体バーを所定のチップ幅Ｗ間隔で切断して複数個のレーザチップＲ_２を得る。
【００２８】
この実施の形態２の半導体レーザの製造方法によっても、電極パターン形成工程において、半導体ウエハの上面に切れ目のない帯状の電極パターンを形成するので、実施の形態１と同様に、同一のウエハにて異なる共振器長の半導体レーザを製造することができる。なお、この実施の形態２では、所定の共振器長Ｌと等しいピッチでマーカ１６を形成しているので、この共振器長Ｌと異なる共振器長の半導体レーザを製造する際は、共振器長Ｌよりも小さい共振器長間隔で切断していくとマーカのないレーザバーが発生するので、この共振器長Ｌよりも大きい共振器長の半導体レーザを製造するのが好ましい。そうすれば、１個のチップ内に必ずマーカ１６が入り、製造した半導体レーザＲ_２のレーザ光主出射面を確実に判別することができる。
【００２９】
［実施の形態３］
図５は本発明の実施の形態３に係る半導体レーザを示す平面図である。
この実施の形態３の半導体レーザＲ_３は、その帯状の電極パターン２３の一側縁に長方形のマーカ２６が１個形成されている。マーカ２６は、その共振器長方向Ａの全長Ｍ_３が例えば３００μｍに、チップ幅方向Ｂの最大長さＮ_３が例えば６０μｍにそれぞれ設定され、その比が５：１である。
【００３０】
この実施の形態３の半導体レーザの製造方法は、実施の形態１と同様に、電極パターン形成工程で半導体ウエハの上面に電極パターンが複数列形成される（図３参照）が、この際、各電極パターンのチップ幅方向Ｂ側の一側縁に共振器長Ｌと等しいピッチでマーカ２６が複数個形成される。この実施の形態３の半導体レーザの製造方法によっても、電極パターン形成工程において、半導体ウエハの上面に切れ目のない帯状の電極パターンを形成するので、同一のウエハにて異なる共振器長の半導体レーザを製造することができる。なお、この実施の形態３では、実施の形態２と同様に、所定の共振器長Ｌと等しいピッチでマーカ２６を形成しているので、この共振器長Ｌと異なる共振器長の半導体レーザを製造する際は、共振器長Ｌよりも小さい共振器長間隔で切断していくとマーカのないレーザバーが発生するので、この共振器長Ｌよりも大きい共振器長の半導体レーザを製造するのが好ましい。
【００３１】
［実施の形態４］
図６は本発明の実施の形態４に係る半導体レーザを示す平面図である。
この実施の形態４の半導体レーザＲ_４は、その電極パターン３３のチップ幅方向Ｂ側の両側縁が、マーカのないストレート形状に形成されたものである。
【００３２】
この実施の形態４の半導体レーザの製造方法によっても、電極パターン形成工程において、半導体ウエハの上面に切れ目のない帯状の電極パターンを形成するので、同一のウエハにて異なる共振器長の半導体レーザを製造することができる。
【００３３】
［実施の形態５］
図７は本発明の実施の形態５に係る半導体レーザを示す平面図である。
上記実施の形態１〜４では電極パターンのチップ幅方向Ｂの全幅を半導体層部１のチップ幅よりも小さく設定したものであったが、この実施の形態５の半導体レーザＲ_５では、電極パターン４３のチップ幅方向Ｂの全幅Ｗ_５を半導体層部１のチップ幅Ｗと等しく設定したものである。さらに、この半導体レーザＲ_５は、電極パターン４３のチップ幅方向Ｂ側の両側縁に、長方形に切欠いた凹形のマーカ４６が１個ずつ形成されている。このマーカ４６は、その共振器長方向Ａの全長Ｍ_５が例えば１５０μｍに、チップ幅方向Ｂの最大長さＮ_５が例えば３０μｍにそれぞれ設定され、その比が５：１である。
【００３４】
実施の形態５の半導体レーザの製造方法では、電極パターン形成工程において、電極パターンが、半導体ウエハの略全上面に一体に形成される。この際、一体面状の電極パターンのチップ分割位置にチップ幅Ｗ間隔で、かつ共振器長方向Ａに共振器長Ｌと等しいピッチで複数の矩形孔状マーカが形成される。つまり、多数の孔を有する一体面状の電極パターンが形成される。
【００３５】
続いて、ウエハ切断工程において、一体面状の電極パターンが形成された半導体ウエハを、共振器長方向Ａに等ピッチで並ぶ各マーカ４６間の中間位置で所定の共振器長Ｌで切断して複数本の半導体バーに分割する。その後、得られた半導体バーをチップ幅方向Ｂに等ピッチで並ぶ各マーカの中間位置で切断して、個々の半導体レーザＲ_５に分割する。
【００３６】
この実施の形態５の半導体レーザの製造方法によっても、半導体ウエハ上に共振器長に連続して電極パターンが形成されるので、ウエハ切断工程において所望の共振器長に半導体ウエハを切断することができ、同一のウエハにて異なる共振器長の半導体レーザを製造することができる。また、半導体バーのチップ分割位置がマーカにて示されているので、半導体バー分割工程において容易かつ確実にチップ分割位置を検出して切断することができる。なお、この実施の形態５では、所定の共振器長Ｌと等しいピッチでマーカ４６を形成しているので、この共振器長Ｌと異なる共振器長の半導体レーザを製造する際は、この共振器長Ｌよりも大きい共振器長の半導体レーザを製造するのが好ましい。
【００３７】
［実施の形態６］
図８は本発明の実施の形態６に係る半導体レーザを示す平面図である。
この実施の形態６の半導体レーザＲ_６では、実施の形態５と同様に、電極パターン６３のチップ方向Ｂの全幅Ｗ_６を半導体層部１のチップ幅Ｗと等しく設定したものであって、電極パターン５３の中央に長方形孔状のマーカ５６が１個形成されている。このマーカ５６は、その共振器長方向Ａの全長Ｍ_６が例えば２００μｍに、チップ幅方向Ｂの最大長さＮ_６が例えば１００μｍにそれぞれ設定され、その比が２：１である。
【００３８】
実施の形態６の半導体レーザの製造方法では、電極パターン形成工程において、電極パターンが、半導体ウエハの略全上面に一体に形成される。この際、一体面状の電極パターンのレーザ発光チャネル対応位置にチップ幅Ｗ間隔で、かつ共振器長方向Ａに共振器長Ｌと等しいピッチで複数の長方形孔状マーカ５６が形成される。
【００３９】
続いて、ウエハ切断工程において、一体面状の電極パターンが形成された半導体ウエハを、共振器長方向Ａに等ピッチで並ぶ各マーカ５６間の中間位置で所定の共振器長Ｌで切断して複数本の半導体バーに分割する。その後、得られた半導体バーを、チップ幅方向Ｂに等ピッチで並ぶ各マーカ５６間の中間位置で切断して、個々の半導体レーザＲ_６に分割する。
【００４０】
この実施の形態６の半導体レーザの製造方法によっても、半導体ウエハ上に共振器長に連続して電極パターンが形成されるので、ウエハ切断工程において所望の共振器長に半導体ウエハを切断することができ、同一のウエハにて異なる共振器長の半導体レーザを製造することができる。さらに、製造されたレーザチップをヒートシンクやパッケージに実装する際に、レーザ発光点をマーカ５６によって所定の位置に高精度にかつ容易に配置させることができる。なお、この実施の形態６では、所定の共振器長Ｌと等しいピッチでマーカ５６を形成しているので、この共振器長Ｌと異なる共振器長の半導体レーザを製造する際は、この共振器長Ｌよりも大きい共振器長の半導体レーザを製造するのが好ましい。
【００４１】
［他の実施の形態］
１．図７で説明した実施の形態５の半導体レーザＲ_５では、マーカ４６を共振器長方向Ａの中間位置に配置した場合を例示したが、マーカ４６を一対のへき開面４、５のうち例えばレーザ光主出射面寄りに配置すれば、チップ実装時に主出射面を容易に判別することができる。
２．図８で説明した実施の形態６では、レーザチップＲ_６が、チップ幅方向Ｂの中央位置にレーザ発光チャネル及びマーカ５６を有する場合を例示したが、レーザ発光チャネルが前記中央位置よりもチップ幅方向Ｂの端面側に配置されている場合はそれに対応する位置にマーカ位置を設定すればよい。さらに、マーカ５６を一対のへき開面４、５のうち例えばレーザ光主出射面寄りに配置すれば、チップ実装時に主出射面を容易に判別することができる。
３．上記実施の形態では、電極パターンのマーカが、直角三角形、長方形の場合を例示したが、マーカ形状はこれらに限定されず、例えば半円形、半長円形、半楕円形、二等辺三角形、正三角形、正方形、台形等であってもよい。特に、図７の実施の形態５では、マーカを凹形の直角三角形としてその頂部をレーザ光主出射面側に配置するように設定すれば、チップ実装時に主出射面を判別することができる。また、図８の実施の形態６でも、マーカを例えば細長い二等辺三角形としてその鋭角を主出射面に向けるように配置すれば、
チップ実装時に主出射面を判別することができる。
４．上記実施の形態では、マーカにおいて、共振器長方向の全長をチップ幅方向の最大長さに比して大きく設定した場合を例示したが、共振器長方向の全長をチップ幅方向の最大長さに比して小さく設定してもよい。なお、その比は１：５〜１：１の範囲内とするのが好ましい。
５．上記実施の形態の製造方法では、ウエハ切断工程において、電極パターンが形成された半導体ウエハを、共振器長方向に所定の共振器長間隔で切断して、チップ幅方向に長い半導体バー（レーザバー）を形成したが、電極パターンが形成された半導体ウエハを、チップ幅方向に所定のチップ幅間隔で切断して、共振器長方向に長い半導体バーを形成し、その後、半導体バー分割工程において、得られた半導体バーを所定の共振器長間隔で分割して、所定チップサイズの半導体レーザを得るようにしてもよい。このようにすれば、共振器長方向に長い半導体バーを在庫しておくことにより、異なる共振器長の半導体レーザの少量生産にも迅速に対応することができる。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば、電極パターン形成工程において、半導体ウエハの上面に、共振器長方向に連続した（途中で切れ目のない）電極パターンを形成することにより、ウエハ切断工程又は半導体バー分割工程において、半導体ウエハ又は半導体バーを所望の共振器長に切断することができる。つまり、共振器長方向に連続した電極パターンを有する同一の半導体ウエハから異なった共振器長の半導体レーザを製造することができる。したがって、本発明は、異なるレーザチップの生産計画の変更に柔軟に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体レーザを示す概略斜視図である。
【図２】同実施の形態１における半導体レーザの平面図である。
【図３】同実施の形態１の半導体レーザの製造過程を説明する説明図であって、ウエハ切断工程を示している。
【図４】本発明の実施の形態２に係る半導体レーザを示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態３に係る半導体レーザを示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態４に係る半導体レーザを示す平面図である。
【図７】本発明の実施の形態５に係る半導体レーザを示す平面図である。
【図８】本発明の実施の形態６に係る半導体レーザを示す平面図である。
【図９】従来の半導体レーザを示す平面図である。
【図１０】従来の半導体レーザの製造において、予め決まった共振器長とは異なる共振器長でチップ化した場合の電極パターンを示す平面図である。
【符号の説明】
１　半導体層部
３、３′、１３、２３、３３、４３、５３　電極パターン
６、１６、２６、４６、５６　マーカ
１０　半導体ウエハ
１１　半導体バー（レーザバー）
Ａ　共振器長方向
Ｋ　仮想線
Ｌ　共振器長
Ｍ_１、Ｍ_２、Ｍ_３、Ｍ_５、Ｍ_６　共振器長方向の全長
Ｎ_１、Ｎ_２、Ｎ_３、Ｎ_５、Ｎ_６チップ幅方向の最大長さ
Ｐ_１　ピッチ
Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６　半導体レーザ（レーザチップ）
Ｗ　チップ幅

Claims (10)

1. 半導体ウエハの上面に電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
   電極パターンが形成された半導体ウエハを所定ピッチで切断し、複数本の半導体バーを得るウエハ切断工程と、
   得られた半導体バーを所定のチップサイズに分割し、半導体レーザを得る半導体バー分割工程とを備えた半導体レーザの製造方法であって、
   前記電極パターン形成工程で形成される電極パターンを、少なくとも共振器長方向に連続させることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
2. 電極パターン形成工程において、電極パターンが、チップ幅方向に所定間隔で複数列形成され、各列の電極パターンのチップ幅方向側の一側縁又は両側縁に所定形状のマーカを共振器長以下のピッチで複数形成する請求項１に記載の半導体レーザの製造方法。
3. 電極形成工程において、電極パターンが、半導体ウエハの略全上面に一体に形成され、この電極パターンのチップ分割位置にチップ幅間隔で、かつ共振器長方向に共振器長以下のピッチで複数のマーカを形成する請求項１に記載の半導体レーザの製造方法。
4. 電極形成工程において、電極パターンが、半導体ウエハの略全上面に一体に形成され、この電極パターンのレーザ発光チャネル対応位置にチップ幅間隔で、かつ共振器長方向に共振器長以下のピッチで複数のマーカを形成する請求項１に記載の半導体レーザの製造方法。
5. 半導体層部と、この半導体層部の上面に形成された電極パターンとを備え、この電極パターンの共振器長方向側の両端を、半導体層部のへき開面に一致させたことを特徴とする半導体レーザ。
6. 電極パターンは、そのチップ幅方向側の一側縁又は両側縁に所定形状のマーカを有する請求項５に記載の半導体レーザ。
7. 電極パターンのチップ幅方向側の両側縁にそれぞれ形成されるマーカは、電極パターンのチップ幅方向の中心線に対して対称形であり、かつ共振器長方向にその全長を二分する仮想線に対して非対称形である請求項６に記載の半導体レーザ。
8. マーカは、等ピッチで複数形成され、その共振器長方向の全長が、共振器長／整数に、かつマーカのピッチと等しく設定された請求項６又は７に記載の半導体レーザ。
9. 電極パターンは、レーザ発光チャネル対応位置にマーカを有する請求項５に記載の半導体レーザ。
10. マーカは、その共振器長方向の全長とチップ幅方向の最大長さとの比が１：５〜５：１に設定された請求項６〜９の何れか一つに記載の半導体レーザ。

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