JP2014082468A - 基板部材及びチップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板部材から得られるチップの取り個数を向上しつつ、歩留まりを向上する。
【解決手段】 基板部材Wは、基板1と、前記基板の上にスクライブライン3を介して形成された複数のチップ領域2とを含む。前記複数のチップ領域のそれぞれは、前記スクライブラインに接し複数の第1パターン要素5bが形成された第1領域2bと、前記第1領域に取り囲まれ複数の第2パターン要素5aが形成された第2領域2aとを含む。前記第1パターン要素のサイズの最小値は、前記第2パターン要素の最小値よりも大きい、及び、隣り合う第1パターン要素間の間隔の最小値は、隣り合う第2パターン要素間の間隔の最小値よりも大きい、の少なくともいずれかの関係が成り立つ。
【選択図】 図2
【解決手段】 基板部材Wは、基板1と、前記基板の上にスクライブライン3を介して形成された複数のチップ領域2とを含む。前記複数のチップ領域のそれぞれは、前記スクライブラインに接し複数の第1パターン要素5bが形成された第1領域2bと、前記第1領域に取り囲まれ複数の第2パターン要素5aが形成された第2領域2aとを含む。前記第1パターン要素のサイズの最小値は、前記第2パターン要素の最小値よりも大きい、及び、隣り合う第1パターン要素間の間隔の最小値は、隣り合う第2パターン要素間の間隔の最小値よりも大きい、の少なくともいずれかの関係が成り立つ。
【選択図】 図2
Description
本発明は、基板部材及びチップの製造方法に関する。
フォトレジストの塗布、露光、現像、エッチング等が繰り返されて、シリコンウエハ(基板)の上に回路パターンを有する複数のチップ領域が形成された基板部材が、半導体製造の前工程で製造される。前工程で製造された基板部材は、後工程で、個々のチップに分割され(ダイシング)、組立、実装を経て半導体が製造される。基板部材から得られるチップの取り個数を向上するために、円形の基板に矩形のチップをできるだけ多く形成するためのチップ配置や、ダイシングストリート(スクライブライン)の幅を低減するためのダイシング技術が検討されている。特許文献1には、ダイシングストリートの幅を低減するために、基板内部に集光するようにレーザを照射するダイシング技術が開示されている。
特許文献1に記載のダイシング技術を使用した場合、基板部材のカットラインの近傍ではレーザの照射により発生する熱のため、溶融、ウィスカーの発生、結晶欠損等が生じる虞があった。このため、回路パターンにショート、断線、抵抗値の変化等が生じることで、回路パターンが破壊される等の影響を受ける場合があり、スクライブラインの幅をあまり減少させることができない問題があった。また、ブレードを用いてダイシングする場合には、ブレード幅(20〜35μm)を確保する必要があることに加え、ブレードによるチッピング等の発生、ブレードを冷却するための冷却水や切り粉を除去するための洗浄水による破損の虞があった。このため、レーザによるダイシングよりもさらにスクライブラインの幅を減少させることができない問題があった。
本発明の発明者は、ダイシングが回路パターンに与える影響を精査の上、チップ領域のうちカットラインに近接する部分の回路パターンを調整することによってスクライブラインの幅を減少できることを発見した。本発明は、上記の発見に立脚して、基板部材から得られるチップの取り個数を向上しつつ、歩留まりを向上することを目的とする。
本発明の第1の側面は、基板と、前記基板の上にスクライブラインを介して形成された複数のチップ領域とを含む基板部材であって、前記複数のチップ領域のそれぞれは、前記スクライブラインに接し複数の第1パターン要素が形成された第1領域と、前記第1領域に取り囲まれ複数の第2パターン要素が形成された第2領域とを含み、前記第1パターン要素のサイズの最小値は、前記第2パターン要素の最小値よりも大きい、及び、隣り合う第1パターン要素間の間隔の最小値は、隣り合う第2パターン要素間の間隔の最小値よりも大きい、の少なくともいずれかの関係が成り立つ、ことを特徴とする。
本発明の第2の側面は、基板と、前記基板の上にスクライブラインを介して形成された複数のチップ領域とを含む基板部材であって、前記複数のチップ領域のそれぞれは、前記スクライブラインに接する第1領域と、前記第1領域に取り囲まれた第2領域とを含み、前記第1領域と前記第2領域とにまたがってパターン要素が形成され、前記パターン要素のうち第1領域に位置する第1部分のサイズの最小値は、前記第2領域に位置する第2部分の最小値よりも大きい、及び、隣り合う第1部分間の間隔の最小値は、隣り合う第2部分間の間隔の最小値よりも大きい、の少なくともいずれかの関係が成り立つ、ことを特徴とする。
本発明によれば、基板部材から得られるチップの取り個数を向上しつつ、歩留まりを向上することができる。
以下、本発明を適用できる実施形態を図面に基づいて説明する。
図1の(a)、(b)は、基板部材Wの概略を示す断面図及び平面図であり、(c)は、(b)の部分拡大図である。基板部材Wは、シリコンウエハ等の基板1と、その上の周辺部分を除いた有効領域内にスクライブライン3を介して形成された複数の矩形状のチップ領域2とを含んでいる。チップ領域2には、スルーホールやラインアンドスペース等から成る回路パターン、配線パターン等のパターンPが形成されている。例えばラインアンドスペースパターンの場合、パターンPは複数のラインで構成されており、当該ラインはパターンPを構成するパターン要素5である。
チップ領域2は、図1の(c)に示されるように、スクライブライン3に接する周辺部分の第1領域2bと、第1領域2bに取り囲まれる中央部分の第2領域2aとを含む。第1領域2b及び第2領域2aとの双方に複数のパターンPが形成される。また、第1領域2bと第2領域2aとにまたがってパターンPが形成されることもある。したがって、第1領域2b及び第2領域2aとの双方にパターン要素5が形成される。また、第1領域2bと第2領域2aとにまたがってパターン要素5が形成されることがある。第1領域2bに形成されるパターン要素5を第1パターン要素5bと呼び、第2領域2aに形成されるパターン要素5を第2パターン要素5aと呼ぶこととする。基板部材Wは、スクライブライン3の中央に位置するカットライン4に沿ってダイシングされて個々のチップ領域2に分割され(ダイシング工程)、チップが製造される。基板部材Wのダイシングは、レーザをカットライン4に向けて照射したり、ブレードを用いてカットライン4に沿って切断したりすることでなされる。以下に説明する各実施例では、レーザを用いてダイシングが行われるものとする。
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態の基板部材Wでは、複数のパターンPは、第1領域2bと第2領域2aとにそれぞれ存在しているが、第1領域2bと第2領域2aとにまたがるパターンPは存在しない。すなわち、第1領域2bに形成された第1パターン要素5bと、第2領域2aに形成された第2パターン要素5aとは、同一のパターンに属しない。第1実施形態では、複数の第2パターン要素5aのサイズの最小値が、複数の第1パターン要素5bのサイズの最小値より大きいか、及び、隣り合う2つの第2パターン要素5a間の間隔の最小値が、隣り合う2つの第1パターン要素5b間の間隔の最小値よりも大きい、の少なくともいずれかの関係が成り立つ。以下、第1実施形態における基板部材Wの実施例を、図2〜6を用いて説明する。
本発明の第1実施形態の基板部材Wでは、複数のパターンPは、第1領域2bと第2領域2aとにそれぞれ存在しているが、第1領域2bと第2領域2aとにまたがるパターンPは存在しない。すなわち、第1領域2bに形成された第1パターン要素5bと、第2領域2aに形成された第2パターン要素5aとは、同一のパターンに属しない。第1実施形態では、複数の第2パターン要素5aのサイズの最小値が、複数の第1パターン要素5bのサイズの最小値より大きいか、及び、隣り合う2つの第2パターン要素5a間の間隔の最小値が、隣り合う2つの第1パターン要素5b間の間隔の最小値よりも大きい、の少なくともいずれかの関係が成り立つ。以下、第1実施形態における基板部材Wの実施例を、図2〜6を用いて説明する。
[第1実施例]
第1実施例の基板部材Wでは、図2に示すように、2つのチップ領域A,Bを隔てるスクライブライン3の中央に設けられるカットライン4を挟む所定幅の領域は、ダイシングに使用したレーザが発生する熱の影響を受けやすい。チップ領域A,Bのうち、レーザが発生する熱の影響が大きい、スクライブライン3に接する部分を第1領域2bとし、レーザが発生する熱の影響が小さい中央部分を第2領域2aとする。従来技術の基板部材Wの第1領域2bには、レーザが発生する熱の影響が大きいとして、パターン要素5が形成されなかった。本実施例では、第1領域2b、第2領域2aの双方に、複数のパターンPが形成される。
第1実施例の基板部材Wでは、図2に示すように、2つのチップ領域A,Bを隔てるスクライブライン3の中央に設けられるカットライン4を挟む所定幅の領域は、ダイシングに使用したレーザが発生する熱の影響を受けやすい。チップ領域A,Bのうち、レーザが発生する熱の影響が大きい、スクライブライン3に接する部分を第1領域2bとし、レーザが発生する熱の影響が小さい中央部分を第2領域2aとする。従来技術の基板部材Wの第1領域2bには、レーザが発生する熱の影響が大きいとして、パターン要素5が形成されなかった。本実施例では、第1領域2b、第2領域2aの双方に、複数のパターンPが形成される。
第1領域2bに形成された第1パターンPb1のスルーホールのパターン要素(第1パターン要素)5bと、第2領域2aに形成され第1パターンPb1に対応する第2パターンPa1のスルーホールのパターン要素(第2パターン要素)5aと、を比べる。そうすると、第1パターン要素5bの径は、第2パターン要素5aの径より大きい。第1パターン要素5bの径(サイズ)を、レーザが発生する熱によってパターンP(パターン要素5)が破壊される等の事態が発生しにくい幅とすることで、スクライブライン3の領域を実質上減少している。
図2中で第1パターンPb1と第2パターンPa1との上方に位置する第1パターンPb2と第2パターンPa2とをみると、第1パターンPb2および第2パターンPa2はラインアンドスペースパターンである。すなわち、第1パターンPb2および第2パターンPa2をそれぞれ構成する第1パターン要素5bおよび第2パターン要素5aは、縦長の矩形形状を有する。そして、第2パターン要素5aの幅で第1パターン要素5bが第1領域2bに形成されれば、ダイシングに使用したレーザが発生する熱の影響を受けやすい。そこで、第1パターンPb2と第2パターンPa2とにおいて、第1パターン要素5bの幅を第2パターン要素5aの幅よりも大きくすることで、レーザが発生する熱によってパターンP(パターン要素5)が破壊される等の事態が発生しにくい。
図2中で最上方の領域に形成される互いに同一の配置、機能等を有する対応関係にある第1領域2bの第1パターンPb3および第2領域2aの第2パターンPa3は、2次元状に配列された6つの矩形のパターン要素5によって構成されている。しかし、第1パターンPb3を構成する第1パターン要素5bの幅は、第2パターンPa3を構成する第2パターン要素5aの幅と同等である。これは、第2パターン要素5aが、レーザが発生する熱によってパターンP(パターン要素5)が破壊される等の事態が発生しにくい幅を備えるため、第2パターン要素5aの幅で第1パターン要素5bを第1領域2bに形成しても、ダイシングに使用したレーザが発生する熱の影響を受けにくいことによる。
[第2実施例]
第1実施例では、基板1の表面と平行な面上における第1パターン要素5bの大きさ、すなわち幅や径を、第2パターン要素5aよりも大きくした。第2実施例では、基板1の表面と垂直な方向における第1パターン要素5bの大きさ、すなわちパターン要素5の高さを、第2パターン要素5aの高さよりも大きくする。第2実施例では、図3に示されるように、第1パターン要素5bのパターン層の膜厚をtbとし、第2パターン要素5aのパターン層の膜厚をtaとするとき、tb>taである。
第1実施例では、基板1の表面と平行な面上における第1パターン要素5bの大きさ、すなわち幅や径を、第2パターン要素5aよりも大きくした。第2実施例では、基板1の表面と垂直な方向における第1パターン要素5bの大きさ、すなわちパターン要素5の高さを、第2パターン要素5aの高さよりも大きくする。第2実施例では、図3に示されるように、第1パターン要素5bのパターン層の膜厚をtbとし、第2パターン要素5aのパターン層の膜厚をtaとするとき、tb>taである。
[第3実施例]
第3実施例の基板部材Wでは、図4に示されるように、第1領域2bに形成されるラインアンドスペースパターンを構成する隣り合う矩形のパターン要素間の間隔や隣り合うスルーホールのパターン要素間の間隔が、第2領域2aに形成されるものよりも大きい。第1領域2bに形成される第1パターン要素5bは、レーザが発生する熱による影響が大きいものの、第1パターン要素間の間隔が大きく設定されているので、隣接する配線相互の接触によるショート等が発生することが低減される。
第3実施例の基板部材Wでは、図4に示されるように、第1領域2bに形成されるラインアンドスペースパターンを構成する隣り合う矩形のパターン要素間の間隔や隣り合うスルーホールのパターン要素間の間隔が、第2領域2aに形成されるものよりも大きい。第1領域2bに形成される第1パターン要素5bは、レーザが発生する熱による影響が大きいものの、第1パターン要素間の間隔が大きく設定されているので、隣接する配線相互の接触によるショート等が発生することが低減される。
[第4実施例]
第3実施例では、複数の第1パターン要素5bと複数の第2パターン要素5aとは、隣り合うパターン要素間の間隔こそ異なるが、それらの配列の態様は同じである。第4実施例では、第1パターンPb2を構成する複数の第1パターン要素5bと第2パターンPa2を構成する複数の第2パターン要素5aとの間で、隣り合うパターン要素間の間隔を変えるために、配列の態様が異なっている。図5に示される基板部材Wでは、複数の第2パターン要素5aが一方向に沿って配列され、複数の第1パターン要素5bが千鳥格子状に配列されているので、パターンP(パターン要素5)が破壊される等の事態が発生しにくい。
第3実施例では、複数の第1パターン要素5bと複数の第2パターン要素5aとは、隣り合うパターン要素間の間隔こそ異なるが、それらの配列の態様は同じである。第4実施例では、第1パターンPb2を構成する複数の第1パターン要素5bと第2パターンPa2を構成する複数の第2パターン要素5aとの間で、隣り合うパターン要素間の間隔を変えるために、配列の態様が異なっている。図5に示される基板部材Wでは、複数の第2パターン要素5aが一方向に沿って配列され、複数の第1パターン要素5bが千鳥格子状に配列されているので、パターンP(パターン要素5)が破壊される等の事態が発生しにくい。
[第5実施例]
第2実施例では、第1パターン要素5bと第2パターン要素5aとは、ともにそれらの側面が基板1の表面に対して垂直に形成されている。したがって、第2実施例では、隣接し合うパターン要素5の上面相互の間隔とパターン要素5の底部相互の間隔とは、ほぼ同じである。第5実施例では、第2パターン要素5aは、第2実施例と同様に、その側面が基板1の表面に対して垂直となるように形成される。しかし、第1パターン要素5bは、図6に示されるように、その幅が先細状となるように形成される。第5実施例における第1パターン要素5bと第2パターン要素5aとの側面のテーパー角度をそれぞれθb、θaとすると、θb<θaの関係が成り立つ。そして、第5実施例における第1パターン要素5b及び第2パターン要素5aの上面相互の間隔をDb、Daとすると、Db>Daが成り立つ。すなわち、第1パターン要素5bは、第2パターン要素5aよりもレーザが発生する熱の影響を大きく受けるが、上面相互の間隔が大きいので、パターンP(パターン要素5)が破壊される等の事態が発生しにくい。
第2実施例では、第1パターン要素5bと第2パターン要素5aとは、ともにそれらの側面が基板1の表面に対して垂直に形成されている。したがって、第2実施例では、隣接し合うパターン要素5の上面相互の間隔とパターン要素5の底部相互の間隔とは、ほぼ同じである。第5実施例では、第2パターン要素5aは、第2実施例と同様に、その側面が基板1の表面に対して垂直となるように形成される。しかし、第1パターン要素5bは、図6に示されるように、その幅が先細状となるように形成される。第5実施例における第1パターン要素5bと第2パターン要素5aとの側面のテーパー角度をそれぞれθb、θaとすると、θb<θaの関係が成り立つ。そして、第5実施例における第1パターン要素5b及び第2パターン要素5aの上面相互の間隔をDb、Daとすると、Db>Daが成り立つ。すなわち、第1パターン要素5bは、第2パターン要素5aよりもレーザが発生する熱の影響を大きく受けるが、上面相互の間隔が大きいので、パターンP(パターン要素5)が破壊される等の事態が発生しにくい。
[第2実施形態]
第1実施形態では、複数のパターンPは、第1領域2bまたは第2領域2aに形成され、第1領域2bと第2領域2aとの双方にまたがるパターンPは存在しなかった。これに対し、第2実施形態では、第1領域2bと第2領域2aとの双方にまたがるパターンPが存在する。図7のラインアンドスペースパターンP1は、第1領域2bと第2領域2aとにまたがって形成されている。パターンP1を構成する4つの矩形形状のパターン要素5のうち、2つのパターン要素(第1パターン要素5b)は、第1領域2bに形成され、他の2つのパターン要素(第2パターン要素5a)は、第2領域2aに形成されている。図7の中段に示されるように、第1パターン要素5bの幅は、ダイシングに使用したレーザが発生する熱の影響を低減するように、第1パターン要素5bの幅より大きい。
第1実施形態では、複数のパターンPは、第1領域2bまたは第2領域2aに形成され、第1領域2bと第2領域2aとの双方にまたがるパターンPは存在しなかった。これに対し、第2実施形態では、第1領域2bと第2領域2aとの双方にまたがるパターンPが存在する。図7のラインアンドスペースパターンP1は、第1領域2bと第2領域2aとにまたがって形成されている。パターンP1を構成する4つの矩形形状のパターン要素5のうち、2つのパターン要素(第1パターン要素5b)は、第1領域2bに形成され、他の2つのパターン要素(第2パターン要素5a)は、第2領域2aに形成されている。図7の中段に示されるように、第1パターン要素5bの幅は、ダイシングに使用したレーザが発生する熱の影響を低減するように、第1パターン要素5bの幅より大きい。
図7の上段に示されるパターンP2は、パターンP1と同じように、第1領域2bと第2領域2aとの双方にまたがって形成される。パターンP1では、パターン要素5はいずれも第1領域2bと第2領域2aとの双方にまたがって形成されなかったのに対し、パターンP2では、パターン要素5はいずれも第1領域2bと第2領域2aとの双方にまたがって形成されている。1つのパターン要素5のうち、第1領域2bに位置する第1部分5’bと第2領域2a位置する第2部分5’aとをみると、第1部分5’bの幅は、第2部分5’aの幅より大きい。その結果、ダイシングに使用したレーザが発生する熱の影響を大きく受ける第1部分5’bにおいて熱の影響を低減することができる。第2実施形態では、1つのパターン要素5が第1領域2bと第2領域2aとの双方にまたがる場合に、第1領域2bに位置する部分の幅を第2領域2aに位置する部分の幅よりも大きくした。しかし、第1領域2bに位置する部分の幅に変えて、高さや隣り合う部分間の間隔を第2領域2aに位置する部分よりも大きくすることで、ダイシングに使用したレーザが発生する熱の影響を低減してもよい。
これまで、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。また、本発明の実施例の少なくともいずれかを用いればよく、それぞれの実施例を組み合わせて用いても構わない。
W:ウエハ
1:基板
2、A、B:チップ領域
P、P1、P2:パターン
Pa1〜Pa3:第2パターン
Pb1〜Pb3:第1パターン
2a:第2領域
2b:第1領域
3:スクライブライン
4:カットライン
5:パターン要素
5a:第2パターン要素
5b:第1パターン要素
5’a:パターン要素の第2部分
5’b:パターン要素の第1部分
ta:第2パターン要素のパターン層の膜厚
tb:第1パターン要素のパターン層の膜厚
θa:第2パターン要素の側面のテーパー角度
θb:第1パターン要素の側面のテーパー角度
Da:第2パターン要素の上面相互の間隔
Db:第1パターン要素の上面相互の間隔
1:基板
2、A、B:チップ領域
P、P1、P2:パターン
Pa1〜Pa3:第2パターン
Pb1〜Pb3:第1パターン
2a:第2領域
2b:第1領域
3:スクライブライン
4:カットライン
5:パターン要素
5a:第2パターン要素
5b:第1パターン要素
5’a:パターン要素の第2部分
5’b:パターン要素の第1部分
ta:第2パターン要素のパターン層の膜厚
tb:第1パターン要素のパターン層の膜厚
θa:第2パターン要素の側面のテーパー角度
θb:第1パターン要素の側面のテーパー角度
Da:第2パターン要素の上面相互の間隔
Db:第1パターン要素の上面相互の間隔
図2中で最上方の領域に形成される互いに同一の機能を有し、配置等に対応関係を有する第1領域2bの第1パターンPb3および第2領域2aの第2パターンPa3は、2次元状に配列された6つの矩形のパターン要素5によって構成されている。しかし、第1パターンPb3を構成する第1パターン要素5bの幅は、第2パターンPa3を構成する第2パターン要素5aの幅と同等である。これは、第2パターン要素5aが、レーザが発生する熱によってパターンP(パターン要素5)が破壊される等の事態が発生しにくい幅を備えるため、第2パターン要素5aの幅で第1パターン要素5bを第1領域2bに形成しても、ダイシングに使用したレーザが発生する熱の影響を受けにくいことによる。
Claims (14)
- 基板と、前記基板の上にスクライブラインを介して形成された複数のチップ領域とを含む基板部材であって、
前記複数のチップ領域のそれぞれは、前記スクライブラインに接し複数の第1パターン要素が形成された第1領域と、前記第1領域に取り囲まれ複数の第2パターン要素が形成された第2領域とを含み、
前記第1パターン要素のサイズの最小値は、前記第2パターン要素のサイズの最小値よりも大きい、及び、隣り合う第1パターン要素間の間隔の最小値は、隣り合う第2パターン要素間の間隔の最小値よりも大きい、の少なくともいずれかの関係が成り立つ、
ことを特徴とする基板部材。 - 前記複数の第1パターン要素は、第1パターンを構成し、前記複数の第2パターン要素は、前記第1パターンとは異なる第2パターンを構成する、ことを特徴とする請求項1に記載の基板部材。
- 前記第1パターンと前記第2パターンとは、対応関係を有する、ことを特徴とする請求項2に記載の基板部材。
- 前記複数の第1パターン要素と前記複数の第2パターン要素とは、同一のパターンを構成する、ことを特徴とする請求項1に記載の基板部材。
- 基板と、前記基板の上にスクライブラインを介して形成された複数のチップ領域とを含む基板部材であって、
前記複数のチップ領域のそれぞれは、前記スクライブラインに接する第1領域と、前記第1領域に取り囲まれた第2領域とを含み、
前記第1領域と前記第2領域とにまたがってパターン要素が形成され、
前記パターン要素のうち第1領域に位置する第1部分のサイズの最小値は、前記第2領域に位置する第2部分のサイズの最小値よりも大きい、及び、隣り合う第1部分間の間隔の最小値は、隣り合う第2部分間の間隔の最小値よりも大きい、の少なくともいずれかの関係が成り立つ、
ことを特徴とする基板部材。 - 前記サイズは、幅又は径を含む、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板部材。
- 前記サイズは、高さを含む、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板部材。
- 前記間隔は、隣り合うパターン要素の上面相互の間隔である、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板部材。
- 前記複数の第1パターン要素は、その幅が先細状に形成されることで、隣り合う第1パターン要素の上面相互の間隔の最小値は、隣接し合う第2パターン要素の上面相互の間隔の最小値よりも大きい、ことを特徴とする請求項8に記載の基板部材。
- 前記複数の第1パターン要素は、前記複数の第2パターン要素とは異なるように配列されることで、隣り合う第1パターン要素間の間隔の最小値は、隣り合う第2パターン要素間の間隔の最小値よりも大きい、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板部材。
- 前記複数の第2パターン要素は、一方向に沿って配列され、前記複数の第1パターン要素は、千鳥格子状に配列されている、ことを特徴とする請求項10に記載の基板部材。
- 前記間隔は、隣り合う部分の上面相互の間隔である、ことを特徴とする請求項5に記載の基板部材。
- チップを製造する方法であって、
請求項1乃至12のいずれか1項に記載の基板部材を個々のチップ領域に分割するダイシング工程を含む、ことを特徴とする方法。 - 前記ダイシング工程は、レーザを前記スクライブラインに照射することによって前記基板部材を分割することを含む、ことを特徴とする請求項13に記載の方法。
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