JPH11340507A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法Info
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- JPH11340507A JPH11340507A JP14386598A JP14386598A JPH11340507A JP H11340507 A JPH11340507 A JP H11340507A JP 14386598 A JP14386598 A JP 14386598A JP 14386598 A JP14386598 A JP 14386598A JP H11340507 A JPH11340507 A JP H11340507A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体発光素子を基板より分割する際に発生
する欠けをなくすようにする。 【解決手段】 表面が（０００１）面で正三角形のｎ型
ＧａＮ基板３の主面上にｎ型ＧａＮ層４、ｐ型ＧａＮ層
５および正電極６が順次同一形状で積層された構造であ
って、その側面は（−１０１０）面、（０１−１０）面
および（１−１００）面である。これにより分割方向を
結晶の劈開面に沿う方向にすることができ、分割する際
半導体発光素子の欠けをなくすことができる。
する欠けをなくすようにする。 【解決手段】 表面が（０００１）面で正三角形のｎ型
ＧａＮ基板３の主面上にｎ型ＧａＮ層４、ｐ型ＧａＮ層
５および正電極６が順次同一形状で積層された構造であ
って、その側面は（−１０１０）面、（０１−１０）面
および（１−１００）面である。これにより分割方向を
結晶の劈開面に沿う方向にすることができ、分割する際
半導体発光素子の欠けをなくすことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インジケータ、デ
ィスプレイ、照明、光ディスク用レーザ、光通信用レー
ザ、医療用レーザ等の各種光源に用いられる半導体発光
素子およびその製造方法に関するものである。
ィスプレイ、照明、光ディスク用レーザ、光通信用レー
ザ、医療用レーザ等の各種光源に用いられる半導体発光
素子およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、III族窒化物半導体を用いた半導
体発光素子が盛んに開発されている。III族窒化物半導
体を用いた半導体発光素子として、赤色領域から紫外領
域までの波長領域において発光ピークを有するものが多
数開発されている。そのため、III族窒化物半導体を用
いた半導体発光素子は、フルカラーディスプレイ、白色
光源、光ディスク用短波長レーザ等の各種光源として使
用することができる。
体発光素子が盛んに開発されている。III族窒化物半導
体を用いた半導体発光素子として、赤色領域から紫外領
域までの波長領域において発光ピークを有するものが多
数開発されている。そのため、III族窒化物半導体を用
いた半導体発光素子は、フルカラーディスプレイ、白色
光源、光ディスク用短波長レーザ等の各種光源として使
用することができる。
【０００３】III族窒化物半導体は、従来のＧａＡｓ系
やＡｌＧａＩｎＰ系に代表される他のIII-Ｖ族化合物半
導体とは異なり、図１１に示すように８面の面を持つ六
方晶系の結晶構造を有している。このため、III族窒化
物半導体を用いた半導体発光素子を作製する基板とし
て、サファイア基板（特開平２−２２９４７６号公
報）、６Ｈ−ＳｉＣ基板（特開平８−２０３８３４号公
報）等の六方晶系の結晶基板が用いられる。半導体発光
素子は通常、円形の基板の（０００１）面上に作製さ
れ、１個ずつ分割切断される。切断された半導体発光素
子の形状は通常、図１２に示すような矩形である。この
形状に切断する方法として、六方晶系の基板１の裏面に
対して、または基板１の表面に積層されたIII族窒化物
半導体よりなる半導体発光素子２の表面に対してスクラ
イブの溝を入れた後に基板１を劈開または裂開していた
（特開平５−１６６９２３号公報）。
やＡｌＧａＩｎＰ系に代表される他のIII-Ｖ族化合物半
導体とは異なり、図１１に示すように８面の面を持つ六
方晶系の結晶構造を有している。このため、III族窒化
物半導体を用いた半導体発光素子を作製する基板とし
て、サファイア基板（特開平２−２２９４７６号公
報）、６Ｈ−ＳｉＣ基板（特開平８−２０３８３４号公
報）等の六方晶系の結晶基板が用いられる。半導体発光
素子は通常、円形の基板の（０００１）面上に作製さ
れ、１個ずつ分割切断される。切断された半導体発光素
子の形状は通常、図１２に示すような矩形である。この
形状に切断する方法として、六方晶系の基板１の裏面に
対して、または基板１の表面に積層されたIII族窒化物
半導体よりなる半導体発光素子２の表面に対してスクラ
イブの溝を入れた後に基板１を劈開または裂開していた
（特開平５−１６６９２３号公報）。
【０００４】なお、以下において結晶の面方位を（ａｂ
ｃｄ）、その面に垂直な方向を［ａｂｃｄ］と表す。こ
こでａ、ｂ、ｃ、ｄは整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝０
である。
ｃｄ）、その面に垂直な方向を［ａｂｃｄ］と表す。こ
こでａ、ｂ、ｃ、ｄは整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝０
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術に関し
て、六方晶系の結晶は、図１１に示すように（０００
１）面に対して垂直で、かつ［０００１］方向から見て
正六角形に配置する６枚の面、すなわち（１０−１０）
面、（−１１００）面、（０−１１０）面、（−１０１
０）面、（１−１００）面および（０１−１０）面であ
る劈開面を有する。そのため、図１２のような矩形に切
断する場合、劈開面に沿った方向に切断しないので、半
導体発光素子に欠け等が入る。その結果半導体発光素子
の形状がばらつき、それに伴って半導体発光素子に関す
る特性のばらつきが大きくなり、半導体発光素子の製造
歩留まり率が悪いという問題があった。
て、六方晶系の結晶は、図１１に示すように（０００
１）面に対して垂直で、かつ［０００１］方向から見て
正六角形に配置する６枚の面、すなわち（１０−１０）
面、（−１１００）面、（０−１１０）面、（−１０１
０）面、（１−１００）面および（０１−１０）面であ
る劈開面を有する。そのため、図１２のような矩形に切
断する場合、劈開面に沿った方向に切断しないので、半
導体発光素子に欠け等が入る。その結果半導体発光素子
の形状がばらつき、それに伴って半導体発光素子に関す
る特性のばらつきが大きくなり、半導体発光素子の製造
歩留まり率が悪いという問題があった。
【０００６】本発明はこのような欠けのない半導体発光
素子およびその製造方法を提供するものである。
素子およびその製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の半導体発光素子は、主面を有する基板と、前
記基板の主面上に前記基板の主面と同一形状に積層され
た複数の半導体層からなる半導体発光部とを有し、前記
半導体層の表面が少なくとも２辺の交わる角度が６０度
または１２０度である面形状であるものである。
に本発明の半導体発光素子は、主面を有する基板と、前
記基板の主面上に前記基板の主面と同一形状に積層され
た複数の半導体層からなる半導体発光部とを有し、前記
半導体層の表面が少なくとも２辺の交わる角度が６０度
または１２０度である面形状であるものである。
【０００８】この構成により、半導体発光素子の稜線を
劈開面に沿わせることができるので、半導体発光素子の
欠けをなくすことができる。
劈開面に沿わせることができるので、半導体発光素子の
欠けをなくすことができる。
【０００９】本発明の半導体発光素子は、主面の少なく
とも２辺のなす角度が６０度または１２０度である基板
と、前記基板の主面上に積層された複数の半導体層から
なる半導体発光部とを有し、前記半導体発光部は第１の
半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された第２
の半導体層とからなり、前記第１の半導体層の表面は前
記基板の主面と同一形状であってかつ露出面を有し、前
記第２の半導体層の表面は前記基板の主面内にあって、
前記基板の主面とは異なる形状であるものである。
とも２辺のなす角度が６０度または１２０度である基板
と、前記基板の主面上に積層された複数の半導体層から
なる半導体発光部とを有し、前記半導体発光部は第１の
半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された第２
の半導体層とからなり、前記第１の半導体層の表面は前
記基板の主面と同一形状であってかつ露出面を有し、前
記第２の半導体層の表面は前記基板の主面内にあって、
前記基板の主面とは異なる形状であるものである。
【００１０】この構成により、半導体発光素子の稜線を
劈開面に沿わせることができるので、半導体発光素子の
欠けをなくすことができる。また、第１の半導体層およ
び第２の半導体層のそれぞれに電極を、第１の主面の重
心に対して対称に配置することができるので、第２の主
面を横切る電流密度の分布を一様にすることができる。
劈開面に沿わせることができるので、半導体発光素子の
欠けをなくすことができる。また、第１の半導体層およ
び第２の半導体層のそれぞれに電極を、第１の主面の重
心に対して対称に配置することができるので、第２の主
面を横切る電流密度の分布を一様にすることができる。
【００１１】本発明の半導体発光素子は、主面を有する
基板と、前記基板の主面上に積層された複数の半導体層
からなる半導体発光部とを有し、前記半導体発光部は第
１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された
第２の半導体層とからなり、前記基板の主面および前記
第１の半導体層の表面が、２辺が交わる角度が６０度と
１２０度の平行四辺形であり、前記第２の半導体層の表
面が矩形であり、前記第２の半導体層が複数の半導体層
からなり、その半導体層中にストライプ状の窓を有し、
前記ストライプ状の窓に沿う方向は表面が平行四辺形の
第１の半導体層の１組の平行な側面に垂直であるもので
ある。
基板と、前記基板の主面上に積層された複数の半導体層
からなる半導体発光部とを有し、前記半導体発光部は第
１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された
第２の半導体層とからなり、前記基板の主面および前記
第１の半導体層の表面が、２辺が交わる角度が６０度と
１２０度の平行四辺形であり、前記第２の半導体層の表
面が矩形であり、前記第２の半導体層が複数の半導体層
からなり、その半導体層中にストライプ状の窓を有し、
前記ストライプ状の窓に沿う方向は表面が平行四辺形の
第１の半導体層の１組の平行な側面に垂直であるもので
ある。
【００１２】この構成により、半導体発光素子の側面を
劈開面とすることができるので、半導体発光素子の欠け
をなくすことができ、かつ平行な共振器端面を得ること
ができる。
劈開面とすることができるので、半導体発光素子の欠け
をなくすことができ、かつ平行な共振器端面を得ること
ができる。
【００１３】本発明の半導体発光素子の製造方法は、主
面が（０００１）面である六方晶系結晶の基板の主面上
に複数の半導体層からなる半導体発光部を形成し、前記
基板の主面に対して［１−２１０］方向、［２−１−１
０］方向および［１１−２０］方向に沿って線状のパタ
ーンを付け、前記パターンに沿って六方晶系結晶基板を
正三角形に分割するものである。
面が（０００１）面である六方晶系結晶の基板の主面上
に複数の半導体層からなる半導体発光部を形成し、前記
基板の主面に対して［１−２１０］方向、［２−１−１
０］方向および［１１−２０］方向に沿って線状のパタ
ーンを付け、前記パターンに沿って六方晶系結晶基板を
正三角形に分割するものである。
【００１４】この構成により、パターンに沿って六方晶
系結晶基板を分割する際に、パターンの方向を劈開面に
沿わせることができるので、欠けを生じさせることなく
半導体発光素子を分離することができる。
系結晶基板を分割する際に、パターンの方向を劈開面に
沿わせることができるので、欠けを生じさせることなく
半導体発光素子を分離することができる。
【００１５】本発明の半導体発光素子の製造方法は、主
面が（０００１）面である六方晶系結晶の基板の主面上
に複数の半導体層からなる半導体発光部を形成し、前記
基板の主面に対して［１−２１０］方向と［２−１−１
０］方向に沿って線状のパターンを付け、前記パターン
に沿って六方晶系結晶基板を２辺が交わる角度が６０度
と１２０度の平行四辺形に分割するものである。
面が（０００１）面である六方晶系結晶の基板の主面上
に複数の半導体層からなる半導体発光部を形成し、前記
基板の主面に対して［１−２１０］方向と［２−１−１
０］方向に沿って線状のパターンを付け、前記パターン
に沿って六方晶系結晶基板を２辺が交わる角度が６０度
と１２０度の平行四辺形に分割するものである。
【００１６】この構成により、パターンに沿って六方晶
系結晶基板を分割する際に、パターンの方向を劈開面に
沿わせることができるので、欠けを生じさせることなく
半導体発光素子を分離することができる。
系結晶基板を分割する際に、パターンの方向を劈開面に
沿わせることができるので、欠けを生じさせることなく
半導体発光素子を分離することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体発光素子お
よびその製造方法について、図面を用いて説明する。
よびその製造方法について、図面を用いて説明する。
【００１８】（実施の形態１）本発明の、第１の実施の
形態における半導体発光素子は、図１に示すように、ｎ
型ＧａＮ基板３の正三角形の一主面上に、厚さが２μｍ
で、Ｓｉドープのｎ型ＧａＮ層４、厚さが０．５μｍ
で、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮ層５および厚さが０．１μ
ｍの正電極６が順次積層された構造である。ｎ型ＧａＮ
層４とｐ型ＧａＮ層５とのｐｎ接合により半導体発光部
を形成している。ｎ型ＧａＮ基板３の一主面は（０００
１）面である。また、ｎ型ＧａＮ基板３の他の主面（以
下裏面という）上には、厚さが０．１μｍの負電極（図
示せず）が形成されている。正電極６の構造は、ニッケ
ルと金とが交互に積層され、ｐ型ＧａＮ層５の直上にニ
ッケルが接触した多層構造である。負電極の構造は、チ
タンとアルミニウムとが交互に積層され、ｎ型ＧａＮ基
板３の裏面直上にチタンが接触した多層構造である。ま
た、この半導体発光素子の形状は、１辺が５００μｍの
正三角形の底面を有する正三角柱であり、その側面は
（−１０１０）面、（０１−１０）面および（１−１０
０）面である。なお、ｎ型ＧａＮ層４およびｐ型ＧａＮ
層５のキャリア密度はそれぞれ２×１０18／ｃｍ3、１
×１０18／ｃｍ3である。
形態における半導体発光素子は、図１に示すように、ｎ
型ＧａＮ基板３の正三角形の一主面上に、厚さが２μｍ
で、Ｓｉドープのｎ型ＧａＮ層４、厚さが０．５μｍ
で、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮ層５および厚さが０．１μ
ｍの正電極６が順次積層された構造である。ｎ型ＧａＮ
層４とｐ型ＧａＮ層５とのｐｎ接合により半導体発光部
を形成している。ｎ型ＧａＮ基板３の一主面は（０００
１）面である。また、ｎ型ＧａＮ基板３の他の主面（以
下裏面という）上には、厚さが０．１μｍの負電極（図
示せず）が形成されている。正電極６の構造は、ニッケ
ルと金とが交互に積層され、ｐ型ＧａＮ層５の直上にニ
ッケルが接触した多層構造である。負電極の構造は、チ
タンとアルミニウムとが交互に積層され、ｎ型ＧａＮ基
板３の裏面直上にチタンが接触した多層構造である。ま
た、この半導体発光素子の形状は、１辺が５００μｍの
正三角形の底面を有する正三角柱であり、その側面は
（−１０１０）面、（０１−１０）面および（１−１０
０）面である。なお、ｎ型ＧａＮ層４およびｐ型ＧａＮ
層５のキャリア密度はそれぞれ２×１０18／ｃｍ3、１
×１０18／ｃｍ3である。
【００１９】この構成によれば、半導体発光素子の側面
を劈開面である（−１０１０）面、（０１−１０）面お
よび（１−１００）面としているので、基板からの劈開
等により個々の半導体発光素子に分割する際に半導体発
光素子の欠けをなくすことができる。その結果、半導体
発光素子の形状のばらつきが従来よりも小さくなり、そ
れに伴い半導体発光素子に関する、発光輝度等の特性の
ばらつきが従来よりも小さくなる。
を劈開面である（−１０１０）面、（０１−１０）面お
よび（１−１００）面としているので、基板からの劈開
等により個々の半導体発光素子に分割する際に半導体発
光素子の欠けをなくすことができる。その結果、半導体
発光素子の形状のばらつきが従来よりも小さくなり、そ
れに伴い半導体発光素子に関する、発光輝度等の特性の
ばらつきが従来よりも小さくなる。
【００２０】この半導体発光素子の製造方法を以下に説
明する。まず、図２に示すように、［１−２１０］方向
にオリエンテーションフラット（以下オリフラという）
がついた円形のｎ型ＧａＮ基板３の一主面上に、有機金
属気相エピタキシャル成長法（以下ＭＯＶＰＥ法とい
う）により図に示すようにｎ型ＧａＮ層４、ｐ型ＧａＮ
層５を順次積層する。
明する。まず、図２に示すように、［１−２１０］方向
にオリエンテーションフラット（以下オリフラという）
がついた円形のｎ型ＧａＮ基板３の一主面上に、有機金
属気相エピタキシャル成長法（以下ＭＯＶＰＥ法とい
う）により図に示すようにｎ型ＧａＮ層４、ｐ型ＧａＮ
層５を順次積層する。
【００２１】次に、ｐ型ＧａＮ層５の表面にニッケルと
金とを交互に蒸着して正電極６を作製し、ｎ型ＧａＮ基
板３の裏面にチタンとアルミニウムとを交互に蒸着して
負電極を作製する。
金とを交互に蒸着して正電極６を作製し、ｎ型ＧａＮ基
板３の裏面にチタンとアルミニウムとを交互に蒸着して
負電極を作製する。
【００２２】しかる後、図２および図３に示すように、
ｎ型ＧａＮ基板３の裏面に幅１０μｍ、深さ１０μｍの
溝状のパターン７を、フォトリソグラフィ等の方法を用
い、オリフラの方向を参照しながら半導体発光素子間に
付ける。パターン７の方向は、［１−２１０］、［２−
１−１０］および［１１−２０］である。この３方向の
パターン７に囲まれる領域は、図２に示すように正三角
形の形状を有する。そしてそのパターン７に沿い、ダイ
シングにより半導体発光素子を１つずつ分離する。ダイ
シングとは、ｎ型ＧａＮ基板３を粘着シート（図示せ
ず）に固定し、ダイシングソーを用い、パターン７の方
向に沿って順次切断する方法である。
ｎ型ＧａＮ基板３の裏面に幅１０μｍ、深さ１０μｍの
溝状のパターン７を、フォトリソグラフィ等の方法を用
い、オリフラの方向を参照しながら半導体発光素子間に
付ける。パターン７の方向は、［１−２１０］、［２−
１−１０］および［１１−２０］である。この３方向の
パターン７に囲まれる領域は、図２に示すように正三角
形の形状を有する。そしてそのパターン７に沿い、ダイ
シングにより半導体発光素子を１つずつ分離する。ダイ
シングとは、ｎ型ＧａＮ基板３を粘着シート（図示せ
ず）に固定し、ダイシングソーを用い、パターン７の方
向に沿って順次切断する方法である。
【００２３】この製造方法によれば、溝状のパターン７
の方向が［１−２１０］、［２−１−１０］および［１
１−２０］と、それぞれ劈開面である（−１０１０）
面、（０１−１０）面、および（１−１００）面に含ま
れるので、半導体発光素子に欠けを生じさせることがな
く、結果として歩留まりよく半導体発光素子を分離する
ことができる。
の方向が［１−２１０］、［２−１−１０］および［１
１−２０］と、それぞれ劈開面である（−１０１０）
面、（０１−１０）面、および（１−１００）面に含ま
れるので、半導体発光素子に欠けを生じさせることがな
く、結果として歩留まりよく半導体発光素子を分離する
ことができる。
【００２４】なお、上記第１の実施の形態において、以
下に示す置き換えを行ってもよい。半導体発光素子を得
る方法として、ダイシング以外に、劈開等の切断方法を
用いてもよい。
下に示す置き換えを行ってもよい。半導体発光素子を得
る方法として、ダイシング以外に、劈開等の切断方法を
用いてもよい。
【００２５】また、半導体発光素子としてのｎ型ＧａＮ
基板３の（０００１）面の形状は、隣り合う２辺のなす
角度が６０度と１２０度である平行四辺形でもよい。
基板３の（０００１）面の形状は、隣り合う２辺のなす
角度が６０度と１２０度である平行四辺形でもよい。
【００２６】ｎ型ＧａＮ基板３の代わりに、ｐ型Ｇａ
Ｎ、ｎ型ＳｉＣ、ｐ型ＳｉＣ等の導電性を有する六方晶
系結晶基板を用いてもよい。
Ｎ、ｎ型ＳｉＣ、ｐ型ＳｉＣ等の導電性を有する六方晶
系結晶基板を用いてもよい。
【００２７】半導体発光素子として第１の実施の形態で
示したｐｎ接合からなる発光ダイオードの代わりに、ダ
ブルへテロ構造や量子井戸活性層を用いた発光ダイオー
ドや半導体レーザ、基板の主面に平行な共振器反射面の
ある面発光レーザ等のものでもよい。
示したｐｎ接合からなる発光ダイオードの代わりに、ダ
ブルへテロ構造や量子井戸活性層を用いた発光ダイオー
ドや半導体レーザ、基板の主面に平行な共振器反射面の
ある面発光レーザ等のものでもよい。
【００２８】ニッケルと金とを交互に蒸着して正電極６
を作製する代わりに、ニッケルと金とからなる合金を蒸
着して正電極を作製してもよい。
を作製する代わりに、ニッケルと金とからなる合金を蒸
着して正電極を作製してもよい。
【００２９】チタンとアルミニウムとを交互に蒸着して
負電極を作製する代わりに、チタンとアルミニウムとの
合金を蒸着して負電極を作製してもよい。
負電極を作製する代わりに、チタンとアルミニウムとの
合金を蒸着して負電極を作製してもよい。
【００３０】（実施の形態２）本発明の、第２の実施の
形態における半導体発光素子は、図４に示すように、１
辺の長さが４５０μｍの正三角形の形状を有する（００
０１）面のサファイア基板８上に、厚さが３００ÅのＡ
ｌＮバッファ層９、厚さが２μｍで、Ｓｉドープのｎ型
ＧａＮ層１０、厚さが０．５μｍで、Ｍｇドープのｐ型
ＧａＮ層１１が順次積層された構造を有している。ｎ型
ＧａＮ層１０とｐ型ＧａＮ層１１とのｐｎ接合により半
導体発光部を形成している。ｎ型ＧａＮ層１０の一部お
よびｐ型ＧａＮ層１１は、底面が１辺１５０μｍの正六
角形である六角柱の構造である。ｎ型ＧａＮ層１０は、
露出された（０００１）面（以下コンタクト面という）
を有し、その面上に厚さが０．１μｍの負電極１２が積
層されている。ｐ型ＧａＮ層１１の（０００１）面上に
は正電極１３が積層されている。正電極１３は、ニッケ
ルと金とが交互に積層され、ｐ型ＧａＮ層１１の直上に
ニッケルが接触した多層構造を有している。負電極１２
は、チタンとアルミニウムとが交互に積層され、コンタ
クト面の直上にチタンが接触した多層構造を有してい
る。なお、サファイア基板８の側面は（−１０１０）
面、（０１−１０）面および（１−１００）面である。
なお、ｎ型ＧａＮ層１０およびｐ型ＧａＮ層１１のキャ
リア密度はそれぞれ２×１０18／ｃｍ3、１×１０18／
ｃｍ3である。
形態における半導体発光素子は、図４に示すように、１
辺の長さが４５０μｍの正三角形の形状を有する（００
０１）面のサファイア基板８上に、厚さが３００ÅのＡ
ｌＮバッファ層９、厚さが２μｍで、Ｓｉドープのｎ型
ＧａＮ層１０、厚さが０．５μｍで、Ｍｇドープのｐ型
ＧａＮ層１１が順次積層された構造を有している。ｎ型
ＧａＮ層１０とｐ型ＧａＮ層１１とのｐｎ接合により半
導体発光部を形成している。ｎ型ＧａＮ層１０の一部お
よびｐ型ＧａＮ層１１は、底面が１辺１５０μｍの正六
角形である六角柱の構造である。ｎ型ＧａＮ層１０は、
露出された（０００１）面（以下コンタクト面という）
を有し、その面上に厚さが０．１μｍの負電極１２が積
層されている。ｐ型ＧａＮ層１１の（０００１）面上に
は正電極１３が積層されている。正電極１３は、ニッケ
ルと金とが交互に積層され、ｐ型ＧａＮ層１１の直上に
ニッケルが接触した多層構造を有している。負電極１２
は、チタンとアルミニウムとが交互に積層され、コンタ
クト面の直上にチタンが接触した多層構造を有してい
る。なお、サファイア基板８の側面は（−１０１０）
面、（０１−１０）面および（１−１００）面である。
なお、ｎ型ＧａＮ層１０およびｐ型ＧａＮ層１１のキャ
リア密度はそれぞれ２×１０18／ｃｍ3、１×１０18／
ｃｍ3である。
【００３１】この構成によれば、サファイア基板８の側
面が劈開面である（−１０１０）面、（０１−１０）面
および（１−１００）面であるので、半導体発光素子の
欠けをなくすことができる。
面が劈開面である（−１０１０）面、（０１−１０）面
および（１−１００）面であるので、半導体発光素子の
欠けをなくすことができる。
【００３２】また、半導体発光素子を［０００１］方向
より眺めると正三角形であるので、負電極１２および正
電極１３を、正三角形の重心に対して対称に配置するこ
とができる。その結果、素子の形状のばらつきが従来よ
りも小さくなり、それに伴い素子に関する、発光輝度等
の特性のばらつきが従来よりも小さくなる。
より眺めると正三角形であるので、負電極１２および正
電極１３を、正三角形の重心に対して対称に配置するこ
とができる。その結果、素子の形状のばらつきが従来よ
りも小さくなり、それに伴い素子に関する、発光輝度等
の特性のばらつきが従来よりも小さくなる。
【００３３】また、負電極１２と正電極１３とを対称に
配置しているため、（０００１）面内において電流密度
を一様にすることができ、従来よりも発光効率が向上
し、かつ高輝度である発光素子を得ることができる。
配置しているため、（０００１）面内において電流密度
を一様にすることができ、従来よりも発光効率が向上
し、かつ高輝度である発光素子を得ることができる。
【００３４】この半導体発光素子の製造方法を以下に説
明する。まず、図５に示すように［１−２１０］方向に
オリフラのついた円形のサファイア基板８の（０００
１）面上にＭＯＶＰＥ法により図中に示すように、Ａｌ
Ｎバッファ層９、ｎ型ＧａＮ層１０、ｐ型ＧａＮ層１１
を順次積層する。
明する。まず、図５に示すように［１−２１０］方向に
オリフラのついた円形のサファイア基板８の（０００
１）面上にＭＯＶＰＥ法により図中に示すように、Ａｌ
Ｎバッファ層９、ｎ型ＧａＮ層１０、ｐ型ＧａＮ層１１
を順次積層する。
【００３５】次にドライエッチングにより、ｐ型ＧａＮ
層１１からｎ型ＧａＮ層１０の途中までエッチングして
正六角柱の構造にし、かつｎ型ＧａＮ層１０の一部につ
いてコンタクト面を露出させる。なお、ｎ型ＧａＮ層１
０の残し厚みは１．５μｍである。
層１１からｎ型ＧａＮ層１０の途中までエッチングして
正六角柱の構造にし、かつｎ型ＧａＮ層１０の一部につ
いてコンタクト面を露出させる。なお、ｎ型ＧａＮ層１
０の残し厚みは１．５μｍである。
【００３６】しかる後、コンタクト面上にチタンとアル
ミニウムとを交互に蒸着して負電極１２を作製する。さ
らにｐ型ＧａＮ層１１の（０００１）面上にニッケルと
金とを交互に蒸着して正電極１３を作製する。
ミニウムとを交互に蒸着して負電極１２を作製する。さ
らにｐ型ＧａＮ層１１の（０００１）面上にニッケルと
金とを交互に蒸着して正電極１３を作製する。
【００３７】しかる後、図５および図６に示すように、
サファイア基板８の裏面上に、幅１０μｍ、厚さ１μｍ
のレジストよりなる線状のパターン１４を、フォトリソ
グラフィ等の方法を用い、オリフラの方向を参照しなが
ら半導体発光素子間に付ける。パターン１４の方向は、
［１−２１０］、［２−１−１０］および［１１−２
０］である。そしてそのパターンに沿い、ダイシングと
よばれる方法により半導体発光素子を１つずつ分離す
る。
サファイア基板８の裏面上に、幅１０μｍ、厚さ１μｍ
のレジストよりなる線状のパターン１４を、フォトリソ
グラフィ等の方法を用い、オリフラの方向を参照しなが
ら半導体発光素子間に付ける。パターン１４の方向は、
［１−２１０］、［２−１−１０］および［１１−２
０］である。そしてそのパターンに沿い、ダイシングと
よばれる方法により半導体発光素子を１つずつ分離す
る。
【００３８】この製造方法によれば、パターン１４の方
向が［１−２１０］、［２−１−１０］および［１１−
２０］と、それぞれサファイア基板８の劈開面である
（−１０１０）面、（０１−１０）面、および（１−１
００）面に含まれるので、半導体発光素子に欠けを生じ
させることがなく、結果として歩留まりよく半導体発光
素子を分離することができる。
向が［１−２１０］、［２−１−１０］および［１１−
２０］と、それぞれサファイア基板８の劈開面である
（−１０１０）面、（０１−１０）面、および（１−１
００）面に含まれるので、半導体発光素子に欠けを生じ
させることがなく、結果として歩留まりよく半導体発光
素子を分離することができる。
【００３９】なお、上記第２の実施の形態において、以
下に示す置き換えを行ってもよい。サファイア基板８の
代わりに、ＡｌＮ等の絶縁性の六方晶系結晶基板を用い
てもよい。
下に示す置き換えを行ってもよい。サファイア基板８の
代わりに、ＡｌＮ等の絶縁性の六方晶系結晶基板を用い
てもよい。
【００４０】半導体発光素子として第２の実施の形態で
示したｐｎ接合からなる発光ダイオードの代わりに、ダ
ブルへテロ構造や量子井戸活性層を用いた発光ダイオー
ドや半導体レーザ、基板の主面に平行な共振器反射面の
ある面発光レーザ等のものでもよい。
示したｐｎ接合からなる発光ダイオードの代わりに、ダ
ブルへテロ構造や量子井戸活性層を用いた発光ダイオー
ドや半導体レーザ、基板の主面に平行な共振器反射面の
ある面発光レーザ等のものでもよい。
【００４１】ニッケルと金とを交互に蒸着して正電極１
３を作製する代わりに、ニッケルと金との合金を蒸着し
て正電極を作製してもよい。
３を作製する代わりに、ニッケルと金との合金を蒸着し
て正電極を作製してもよい。
【００４２】また、チタンとアルミニウムとを交互に蒸
着して負電極１２を作製する代わりに、チタンとアルミ
ニウムとの合金を蒸着して負電極を作製してもよい。
着して負電極１２を作製する代わりに、チタンとアルミ
ニウムとの合金を蒸着して負電極を作製してもよい。
【００４３】（実施の形態３）本発明の、第３の実施の
形態における半導体発光素子は、図７に示すように底面
の２辺が交わる角度が６０度と１２０度の平行四辺形で
あり、主面が（０００１）面のｎ型ＧａＮ基板１５と、
ｎ型ＧａＮ基板１５の（０００１）面上に形成された半
導体発光部１６とからなる。半導体発光部１６は、厚さ
が１μｍで、Ｓｉドープのｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりな
る第１クラッド層１７、厚さが０．１μｍで、アンドー
プのＧａＮよりなる第１光ガイド層１８、量子井戸活性
層１９、厚さが０．１μｍで、アンドープのＧａＮより
なる第２光ガイド層２０、厚さが０．３μｍで、Ｍｇド
ープのｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる第２クラッド層２
１、厚さが０．５μｍの窓構造２２、厚さが０．３μｍ
で、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層
２３が順次積層された構造である。量子井戸活性層１９
は、図示されていないが厚さが３０ÅのＩｎ0.2Ｇａ0.8
Ｎ井戸層と厚さが７０ÅのＩｎ0.02Ｇａ0.98Ｎバリア層
とが交互に積層され、それが３回繰り返された構造のも
のである。
形態における半導体発光素子は、図７に示すように底面
の２辺が交わる角度が６０度と１２０度の平行四辺形で
あり、主面が（０００１）面のｎ型ＧａＮ基板１５と、
ｎ型ＧａＮ基板１５の（０００１）面上に形成された半
導体発光部１６とからなる。半導体発光部１６は、厚さ
が１μｍで、Ｓｉドープのｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりな
る第１クラッド層１７、厚さが０．１μｍで、アンドー
プのＧａＮよりなる第１光ガイド層１８、量子井戸活性
層１９、厚さが０．１μｍで、アンドープのＧａＮより
なる第２光ガイド層２０、厚さが０．３μｍで、Ｍｇド
ープのｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる第２クラッド層２
１、厚さが０．５μｍの窓構造２２、厚さが０．３μｍ
で、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層
２３が順次積層された構造である。量子井戸活性層１９
は、図示されていないが厚さが３０ÅのＩｎ0.2Ｇａ0.8
Ｎ井戸層と厚さが７０ÅのＩｎ0.02Ｇａ0.98Ｎバリア層
とが交互に積層され、それが３回繰り返された構造のも
のである。
【００４４】窓構造２２は、第２クラッド層２１の上に
ストライプ状の幅１０μｍの窓が形成された、厚さが
０．３μｍで、Ｓｉドープのｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎより
なる電流ブロック層２４と、電流ブロック層２４を埋め
るようにｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる第３クラッド層
２５とで形成された構造である。このような窓構造２２
は、導波路構造の一種であり、溝構造と称するものであ
る。電流ブロック層２４が作るストライプ構造のストラ
イプに沿った方向は［−１０１０］である。
ストライプ状の幅１０μｍの窓が形成された、厚さが
０．３μｍで、Ｓｉドープのｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎより
なる電流ブロック層２４と、電流ブロック層２４を埋め
るようにｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる第３クラッド層
２５とで形成された構造である。このような窓構造２２
は、導波路構造の一種であり、溝構造と称するものであ
る。電流ブロック層２４が作るストライプ構造のストラ
イプに沿った方向は［−１０１０］である。
【００４５】ｐ型コンタクト層２３の表面には厚さが
０．１μｍの正電極２６が形成され、ｎ型ＧａＮ基板１
５の裏面には厚さが０．１μｍの負電極（図示せず）が
形成されている。正電極２６は、ニッケルと金とが交互
に積層され、ｐ型コンタクト層２３の直上にニッケルが
接触した多層構造である。負電極は、チタンとアルミニ
ウムとが交互に積層され、ｎ型ＧａＮ基板１５の裏面直
上にチタンが接触した多層構造である。
０．１μｍの正電極２６が形成され、ｎ型ＧａＮ基板１
５の裏面には厚さが０．１μｍの負電極（図示せず）が
形成されている。正電極２６は、ニッケルと金とが交互
に積層され、ｐ型コンタクト層２３の直上にニッケルが
接触した多層構造である。負電極は、チタンとアルミニ
ウムとが交互に積層され、ｎ型ＧａＮ基板１５の裏面直
上にチタンが接触した多層構造である。
【００４６】なお、この半導体発光素子は、（０００
１）面が平行四辺形であり、側面が（０１−１０）面、
（０−１１０）面、（１０−１０）面および（−１０１
０）面である四角柱の形状である。ストライプ方向と垂
直な（−１０１０）面および（１０−１０）面はいわゆ
る共振器端面であり、それらの面において光が反射かつ
共振し、半導体発光素子よりレーザ光が取り出される。
また、２枚の共振器端面の間隔は５００μｍである。
１）面が平行四辺形であり、側面が（０１−１０）面、
（０−１１０）面、（１０−１０）面および（−１０１
０）面である四角柱の形状である。ストライプ方向と垂
直な（−１０１０）面および（１０−１０）面はいわゆ
る共振器端面であり、それらの面において光が反射かつ
共振し、半導体発光素子よりレーザ光が取り出される。
また、２枚の共振器端面の間隔は５００μｍである。
【００４７】また、第１クラッド層１７、第２クラッド
層２１、ｐ型コンタクト層２３、電流ブロック層２４お
よび第３クラッド層２５のキャリア密度はそれぞれ２×
１０ 18／ｃｍ3、１×１０18／ｃｍ3、２×１０18／ｃｍ
3、１×１０18／ｃｍ3および１×１０18／ｃｍ3であ
る。
層２１、ｐ型コンタクト層２３、電流ブロック層２４お
よび第３クラッド層２５のキャリア密度はそれぞれ２×
１０ 18／ｃｍ3、１×１０18／ｃｍ3、２×１０18／ｃｍ
3、１×１０18／ｃｍ3および１×１０18／ｃｍ3であ
る。
【００４８】この構成によれば、半導体発光素子の側面
が劈開面である（０１−１０）面、（０−１１０）面、
（１０−１０）面および（−１０１０）面としているの
で、半導体発光素子を分離する際、半導体発光素子の欠
けをなくすことができ、平行性のよい共振器端面を得る
ことができる。その結果、半導体発光素子の形状のばら
つきが従来よりも小さくなり、それに伴い半導体発光素
子に関する特性のばらつきが従来よりも小さくなる。ま
た、共振器端面の平坦性を従来のものよりも向上させる
ことができる。
が劈開面である（０１−１０）面、（０−１１０）面、
（１０−１０）面および（−１０１０）面としているの
で、半導体発光素子を分離する際、半導体発光素子の欠
けをなくすことができ、平行性のよい共振器端面を得る
ことができる。その結果、半導体発光素子の形状のばら
つきが従来よりも小さくなり、それに伴い半導体発光素
子に関する特性のばらつきが従来よりも小さくなる。ま
た、共振器端面の平坦性を従来のものよりも向上させる
ことができる。
【００４９】この半導体発光素子の製造方法を以下に説
明する。まず、図８に示すように［１−２１０］方向に
オリフラのついた円形のｎ型ＧａＮ基板１５の一主面上
に、ＭＯＶＰＥ法により図７に示すように第１クラッド
層１７、第１光ガイド層１８、量子井戸活性層１９、第
２光ガイド層２０、第２クラッド層２１、電流ブロック
層２４を順次積層する。
明する。まず、図８に示すように［１−２１０］方向に
オリフラのついた円形のｎ型ＧａＮ基板１５の一主面上
に、ＭＯＶＰＥ法により図７に示すように第１クラッド
層１７、第１光ガイド層１８、量子井戸活性層１９、第
２光ガイド層２０、第２クラッド層２１、電流ブロック
層２４を順次積層する。
【００５０】次に電流ブロック層２４の表面に対し、
［−１１００］方向に沿ってストライプ状の開口を開け
たニッケルマスクを付け、ドライエッチングにより電流
ブロック層２４のニッケルマスクの開口部分を除去し
て、ストライプ状の溝を形成する。その後ニッケルマス
クを除去し、電流ブロック層２４の上にＭＯＶＰＥ法に
より第３クラッド層２５、ｐ型コンタクト層２３を積層
する。
［−１１００］方向に沿ってストライプ状の開口を開け
たニッケルマスクを付け、ドライエッチングにより電流
ブロック層２４のニッケルマスクの開口部分を除去し
て、ストライプ状の溝を形成する。その後ニッケルマス
クを除去し、電流ブロック層２４の上にＭＯＶＰＥ法に
より第３クラッド層２５、ｐ型コンタクト層２３を積層
する。
【００５１】しかる後、第１の実施の形態と同様に正電
極２６および負電極を作製する。次に、図８および図９
に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１５の裏面に幅１０μ
ｍ、深さ１０μｍの溝状の２方向のパターン２７、すな
わち溝状のパターン２７ａおよび溝状のパターン２７ｂ
をフォトリソグラフィ等を用い、オリフラの方向を参照
しながら半導体発光素子の間に付ける。パターン２７ａ
の方向は［１−２１００］であり、パターン２７ｂの方
向は［２−１−１０］である。まずパターン２７ａに沿
ってｎ型ＧａＮ基板１５を１次劈開し、図９に示すよう
にレーザバー２８を作製する。次に、レーザバー２８
を、パターン２７ｂに沿って２次劈開を行って平行四辺
形に分割し、半導体発光素子を得る。
極２６および負電極を作製する。次に、図８および図９
に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１５の裏面に幅１０μ
ｍ、深さ１０μｍの溝状の２方向のパターン２７、すな
わち溝状のパターン２７ａおよび溝状のパターン２７ｂ
をフォトリソグラフィ等を用い、オリフラの方向を参照
しながら半導体発光素子の間に付ける。パターン２７ａ
の方向は［１−２１００］であり、パターン２７ｂの方
向は［２−１−１０］である。まずパターン２７ａに沿
ってｎ型ＧａＮ基板１５を１次劈開し、図９に示すよう
にレーザバー２８を作製する。次に、レーザバー２８
を、パターン２７ｂに沿って２次劈開を行って平行四辺
形に分割し、半導体発光素子を得る。
【００５２】この製造方法によれば、パターン２７の方
向が［１−２１０］および［２−１−１０］と、それぞ
れ劈開面である（−１０１０）面および（０１−１０）
面に含まれるので、半導体発光素子の欠けをなくし、共
振器端面の平坦性を向上させることができ、結果として
歩留まりよく半導体発光素子を分離することができる。
向が［１−２１０］および［２−１−１０］と、それぞ
れ劈開面である（−１０１０）面および（０１−１０）
面に含まれるので、半導体発光素子の欠けをなくし、共
振器端面の平坦性を向上させることができ、結果として
歩留まりよく半導体発光素子を分離することができる。
【００５３】なお、上記第３の実施の形態において、以
下に示す置き換えを行ってもよい。ｎ型ＧａＮ基板１５
の代わりに、ｐ型ＧａＮ、ｎ型ＳｉＣ、ｐ型ＳｉＣ等の
導電性を有する六方晶系結晶基板を用いてもよい。
下に示す置き換えを行ってもよい。ｎ型ＧａＮ基板１５
の代わりに、ｐ型ＧａＮ、ｎ型ＳｉＣ、ｐ型ＳｉＣ等の
導電性を有する六方晶系結晶基板を用いてもよい。
【００５４】溝構造の代わりに、リッジ構造等の他の導
波路構造を用いてもよい。ニッケルと金とを交互に蒸着
して正電極２６を作製する代わりに、ニッケルと金との
合金を蒸着して正電極を作製してもよい。
波路構造を用いてもよい。ニッケルと金とを交互に蒸着
して正電極２６を作製する代わりに、ニッケルと金との
合金を蒸着して正電極を作製してもよい。
【００５５】チタンとアルミニウムとを交互に蒸着して
負電極を作製する代わりに、チタンとアルミニウムとの
合金を蒸着して負電極を作製してもよい。
負電極を作製する代わりに、チタンとアルミニウムとの
合金を蒸着して負電極を作製してもよい。
【００５６】（実施の形態４）本発明の、第４の実施の
形態における半導体発光素子は、図１０に示すように、
サファイア基板２９の（０００１）面上に半導体発光部
３０が形成されたものである。半導体発光部３０は、厚
さが３００ÅのＡｌＮバッファ層３１、厚さが２μｍ
の、Ｓｉドープのｎ型ＧａＮコンタクト層３２の一部が
積層された平行四辺形の柱状と、コンタクト層３２の一
部と、厚さが０．５μｍで、Ｓｉドープのｎ型Ａｌ0.1
Ｇａ0.9Ｎよりなる第１クラッド層３３、厚さが０．１
μｍで、アンドープのＧａＮよりなる第１光ガイド層３
４、量子井戸活性層３５、厚さが０．１μｍで、アンド
ープのＧａＮよりなる第２光ガイド層３６、厚さが０．
３μｍで、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる
第２クラッド層３７、厚さが０．５μｍの窓構造３８お
よび厚さが０．３μｍで、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮコン
タクト層３９が順次積層された四角柱とを備えた構造で
ある。量子井戸活性層３５は、図示されていないが厚さ
が３０ÅのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ井戸層と厚さが７０ÅのＩ
ｎ0.02Ｇａ0.98Ｎバリア層とを交互に積層し、それを３
回繰り返した構造のものである。
形態における半導体発光素子は、図１０に示すように、
サファイア基板２９の（０００１）面上に半導体発光部
３０が形成されたものである。半導体発光部３０は、厚
さが３００ÅのＡｌＮバッファ層３１、厚さが２μｍ
の、Ｓｉドープのｎ型ＧａＮコンタクト層３２の一部が
積層された平行四辺形の柱状と、コンタクト層３２の一
部と、厚さが０．５μｍで、Ｓｉドープのｎ型Ａｌ0.1
Ｇａ0.9Ｎよりなる第１クラッド層３３、厚さが０．１
μｍで、アンドープのＧａＮよりなる第１光ガイド層３
４、量子井戸活性層３５、厚さが０．１μｍで、アンド
ープのＧａＮよりなる第２光ガイド層３６、厚さが０．
３μｍで、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる
第２クラッド層３７、厚さが０．５μｍの窓構造３８お
よび厚さが０．３μｍで、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮコン
タクト層３９が順次積層された四角柱とを備えた構造で
ある。量子井戸活性層３５は、図示されていないが厚さ
が３０ÅのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ井戸層と厚さが７０ÅのＩ
ｎ0.02Ｇａ0.98Ｎバリア層とを交互に積層し、それを３
回繰り返した構造のものである。
【００５７】窓構造３８はいわゆる溝構造であり、第２
クラッド層３７の上にストライプ状の幅１０μｍの窓が
形成された、厚さが０．３μｍで、Ｓｉドープのｎ型Ａ
ｌ0. 2Ｇａ0.8Ｎよりなる電流ブロック層４０と、電流ブ
ロック層４０を埋めるようにｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎより
なる第３クラッド層４１とで形成されたものである。電
流ブロック層４０が作るストライプ構造の、ストライプ
に沿った方向は、［−１１００］である。
クラッド層３７の上にストライプ状の幅１０μｍの窓が
形成された、厚さが０．３μｍで、Ｓｉドープのｎ型Ａ
ｌ0. 2Ｇａ0.8Ｎよりなる電流ブロック層４０と、電流ブ
ロック層４０を埋めるようにｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎより
なる第３クラッド層４１とで形成されたものである。電
流ブロック層４０が作るストライプ構造の、ストライプ
に沿った方向は、［−１１００］である。
【００５８】ｎ型ＧａＮコンタクト層３２は部分的に表
面（以下コンタクト面という）を露出しており、その表
面上に厚さが０．１μｍの負電極４２が積層されてい
る。また、ｐ型ＧａＮコンタクト層３９上には厚さが
０．１μｍの正電極４３が積層されている。正電極４３
は、ニッケルと金とが交互に積層され、ｐ型ＧａＮコン
タクト層３９の直上にニッケルが接触した多層構造であ
る。負電極４２は、チタンとアルミニウムとが交互に積
層され、コンタクト面直上にチタンが接触した多層構造
である。
面（以下コンタクト面という）を露出しており、その表
面上に厚さが０．１μｍの負電極４２が積層されてい
る。また、ｐ型ＧａＮコンタクト層３９上には厚さが
０．１μｍの正電極４３が積層されている。正電極４３
は、ニッケルと金とが交互に積層され、ｐ型ＧａＮコン
タクト層３９の直上にニッケルが接触した多層構造であ
る。負電極４２は、チタンとアルミニウムとが交互に積
層され、コンタクト面直上にチタンが接触した多層構造
である。
【００５９】なお、サファイア基板２９の側面は（０１
−１０）面、（０−１１０）面、（１０−１０）面およ
び（−１０１０）面である。また、四角柱の部分は、
（−１０１０）面および（１０−１０）面を共振器端面
としている。２枚の共振器端面の間隔は５００μｍであ
る。それらの面において光が反射かつ共振し、半導体発
光素子よりレーザ光が取り出される。
−１０）面、（０−１１０）面、（１０−１０）面およ
び（−１０１０）面である。また、四角柱の部分は、
（−１０１０）面および（１０−１０）面を共振器端面
としている。２枚の共振器端面の間隔は５００μｍであ
る。それらの面において光が反射かつ共振し、半導体発
光素子よりレーザ光が取り出される。
【００６０】また、ｎ型ＧａＮコンタクト層３２、第１
クラッド層３３、第２クラッド層３７、ｐ型コンタクト
層３９、電流ブロック層４０および第３クラッド層４１
のキャリア密度はそれぞれ２×１０18／ｃｍ3、２×１
０18／ｃｍ3、１×１０18／ｃｍ3、２×１０18／ｃ
ｍ3、１×１０18／ｃｍ3および１×１０18／ｃｍ3であ
る。
クラッド層３３、第２クラッド層３７、ｐ型コンタクト
層３９、電流ブロック層４０および第３クラッド層４１
のキャリア密度はそれぞれ２×１０18／ｃｍ3、２×１
０18／ｃｍ3、１×１０18／ｃｍ3、２×１０18／ｃ
ｍ3、１×１０18／ｃｍ3および１×１０18／ｃｍ3であ
る。
【００６１】この構成によれば、サファイア基板２９の
側面が劈開面である（０１−１００）面、（０−１１
０）面、（１０−１０）面および（−１０１０）面とし
ているので、半導体発光素子の欠けをなくし、共振器端
面の平行性を向上させることができる。その結果、半導
体発光素子の形状のばらつきが従来よりも小さくなり、
それに伴い半導体発光素子に関する特性のばらつきが従
来よりも小さくなる。また、共振器端面の平坦性を従来
のものよりも向上させることができる。
側面が劈開面である（０１−１００）面、（０−１１
０）面、（１０−１０）面および（−１０１０）面とし
ているので、半導体発光素子の欠けをなくし、共振器端
面の平行性を向上させることができる。その結果、半導
体発光素子の形状のばらつきが従来よりも小さくなり、
それに伴い半導体発光素子に関する特性のばらつきが従
来よりも小さくなる。また、共振器端面の平坦性を従来
のものよりも向上させることができる。
【００６２】この半導体発光素子の製造方法を以下に説
明する。まず、［１−２１０］方向にオリフラのついた
円形のサファイア基板２９の（０００１）面上にＭＯＶ
ＰＥ法によりＡｌＮバッファ層３１、ｎ型ＧａＮコンタ
クト層３２、第１クラッド層３３、第１光ガイド層３
４、量子井戸活性層３５、第２光ガイド層３６、第２ク
ラッド層３７および電流ブロック層４０を順次積層す
る。
明する。まず、［１−２１０］方向にオリフラのついた
円形のサファイア基板２９の（０００１）面上にＭＯＶ
ＰＥ法によりＡｌＮバッファ層３１、ｎ型ＧａＮコンタ
クト層３２、第１クラッド層３３、第１光ガイド層３
４、量子井戸活性層３５、第２光ガイド層３６、第２ク
ラッド層３７および電流ブロック層４０を順次積層す
る。
【００６３】次に、電流ブロック層４０の表面に対し、
［−１０１０］方向に沿ってストライプ状の開口を設け
たニッケルマスクを付け、ドライエッチングにより電流
ブロック層４０のニッケルマスクの開口部分を除去し
て、ストライプ状の溝を形成する。その後、ニッケルマ
スクを除去し、電流ブロック層４０の上にＭＯＶＰＥ法
により第３クラッド層４１、ｐ型コンタクト層３９を積
層する。
［−１０１０］方向に沿ってストライプ状の開口を設け
たニッケルマスクを付け、ドライエッチングにより電流
ブロック層４０のニッケルマスクの開口部分を除去し
て、ストライプ状の溝を形成する。その後、ニッケルマ
スクを除去し、電流ブロック層４０の上にＭＯＶＰＥ法
により第３クラッド層４１、ｐ型コンタクト層３９を積
層する。
【００６４】しかる後、ドライエッチングにより、ｐ型
コンタクト層３９からｎ型ＧａＮコンタクト層３２の一
部に至るまでエッチングして表面が矩形の柱状の構造に
し、かつｎ型ＧａＮコンタクト層３２の一部についてコ
ンタクト面を露出させる。なお、ｎ型ＧａＮコンタクト
層３２の残し厚みは１．５μｍである。
コンタクト層３９からｎ型ＧａＮコンタクト層３２の一
部に至るまでエッチングして表面が矩形の柱状の構造に
し、かつｎ型ＧａＮコンタクト層３２の一部についてコ
ンタクト面を露出させる。なお、ｎ型ＧａＮコンタクト
層３２の残し厚みは１．５μｍである。
【００６５】この後、第２の実施の形態と同様に正電極
４３および負電極４２を作製する。しかる後、第３の実
施の形態と同様にサファイア基板２９の裏面に幅１０μ
ｍ、深さ１０μｍの溝状のパターンを、フォトリソグラ
フィ等によりオリフラの方向を参照しながら半導体発光
素子の間に付け、パターンに沿って劈開を行って平行四
辺形に分割し、半導体発光素子を得る。
４３および負電極４２を作製する。しかる後、第３の実
施の形態と同様にサファイア基板２９の裏面に幅１０μ
ｍ、深さ１０μｍの溝状のパターンを、フォトリソグラ
フィ等によりオリフラの方向を参照しながら半導体発光
素子の間に付け、パターンに沿って劈開を行って平行四
辺形に分割し、半導体発光素子を得る。
【００６６】なお、上記第４の実施の形態において、以
下に示す置き換えを行ってもよい。サファイア基板２９
の代わりに、ＡｌＮ等の絶縁性の六方晶系結晶基板を用
いてもよい。
下に示す置き換えを行ってもよい。サファイア基板２９
の代わりに、ＡｌＮ等の絶縁性の六方晶系結晶基板を用
いてもよい。
【００６７】溝構造の代わりに、リッジ構造等の他の導
波路構造を用いてもよい。ニッケルと金とを交互に蒸着
して正電極４３を作製する代わりに、ニッケルと金との
合金を蒸着して正電極を作製してもよい。
波路構造を用いてもよい。ニッケルと金とを交互に蒸着
して正電極４３を作製する代わりに、ニッケルと金との
合金を蒸着して正電極を作製してもよい。
【００６８】チタンとアルミニウムとを交互に蒸着して
負電極４２を作製する代わりに、チタンとアルミニウム
との合金を蒸着して負電極を作製してもよい。
負電極４２を作製する代わりに、チタンとアルミニウム
との合金を蒸着して負電極を作製してもよい。
【００６９】以上第１の実施の形態から第４の実施の形
態まで、ＧａＮ系半導体を材料とした半導体発光素子の
代わりにＧａＮＡｓ系半導体、ＧａＮＰ系半導体等、Ａ
ｌxＧａyＩｎzＮaＰbＡｓc（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、
０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦
０．１、０≦ｃ≦０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）を材料とし
た半導体発光素子を用いても同様の効果が得られる。
態まで、ＧａＮ系半導体を材料とした半導体発光素子の
代わりにＧａＮＡｓ系半導体、ＧａＮＰ系半導体等、Ａ
ｌxＧａyＩｎzＮaＰbＡｓc（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、
０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦
０．１、０≦ｃ≦０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）を材料とし
た半導体発光素子を用いても同様の効果が得られる。
【００７０】
【発明の効果】本発明によれは、半導体発光素子の側面
を劈開面とすることができるので、半導体発光素子の欠
けをなくすことができる。その結果素子の形状のばらつ
きが従来よりも小さくなり、それに伴い素子に関する、
発光輝度等の特性のばらつきが従来よりも小さくなる。
を劈開面とすることができるので、半導体発光素子の欠
けをなくすことができる。その結果素子の形状のばらつ
きが従来よりも小さくなり、それに伴い素子に関する、
発光輝度等の特性のばらつきが従来よりも小さくなる。
【００７１】また、本発明によれば、基板の側面を劈開
面とすることができるので、半導体発光素子の欠けを減
らすことができる。
面とすることができるので、半導体発光素子の欠けを減
らすことができる。
【００７２】また、基板と半導体発光素子部の形状を変
えることにより、途中に露出した面の半導体層と最上部
の表面の半導体層のそれぞれに電極を、重心に対して対
称に配置することができるので、電流密度の分布を一様
にすることができる。その結果、半導体発光素子の形状
のばらつきが従来よりも小さくなり、それに伴い半導体
発光素子に関する、特性のばらつきが従来よりも小さく
なる。また、従来よりも発光効率が向上し、かつ高輝度
である半導体発光素子を得ることができる。
えることにより、途中に露出した面の半導体層と最上部
の表面の半導体層のそれぞれに電極を、重心に対して対
称に配置することができるので、電流密度の分布を一様
にすることができる。その結果、半導体発光素子の形状
のばらつきが従来よりも小さくなり、それに伴い半導体
発光素子に関する、特性のばらつきが従来よりも小さく
なる。また、従来よりも発光効率が向上し、かつ高輝度
である半導体発光素子を得ることができる。
【００７３】本発明によれば、半導体発光素子の側面に
平行な共振器端面を得ることができる。その結果、共振
器端面の平坦性を従来のものよりも向上させることがで
きる。
平行な共振器端面を得ることができる。その結果、共振
器端面の平坦性を従来のものよりも向上させることがで
きる。
【００７４】本発明によれば、パターンに沿って六方晶
系結晶基板を分割する際に、分割パターンの方向を劈開
面にとってあるので、欠けを生じさせることがない。そ
の結果、歩留まりよく半導体発光素子を分離することが
できる。
系結晶基板を分割する際に、分割パターンの方向を劈開
面にとってあるので、欠けを生じさせることがない。そ
の結果、歩留まりよく半導体発光素子を分離することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体発光
素子の斜視図
素子の斜視図
【図２】本発明の第１の実施の形態における半導体発光
素子が形成された基板上での分割用の溝のパターンを示
す図
素子が形成された基板上での分割用の溝のパターンを示
す図
【図３】本発明の第１の実施の形態における半導体発光
素子が形成された基板上での分割用の溝のパターンを示
す要部拡大図
素子が形成された基板上での分割用の溝のパターンを示
す要部拡大図
【図４】本発明の第２の実施の形態における半導体発光
素子の斜視図
素子の斜視図
【図５】本発明の第２の実施の形態における半導体発光
素子が形成された基板上での分割用の線のパターンを示
す要部拡大図
素子が形成された基板上での分割用の線のパターンを示
す要部拡大図
【図６】本発明の第２の実施の形態における半導体発光
素子が形成された基板上での分割用の線のパターンを示
す要部拡大図
素子が形成された基板上での分割用の線のパターンを示
す要部拡大図
【図７】本発明の第３の実施の形態における半導体発光
素子の斜視図
素子の斜視図
【図８】本発明の第３の実施の形態における半導体発光
素子が形成された基板上での分割用の線のパターンを示
す図
素子が形成された基板上での分割用の線のパターンを示
す図
【図９】本発明の第３の実施の形態におけるレーザバー
を示す図
を示す図
【図１０】本発明の第４の実施の形態における半導体発
光素子の斜視図
光素子の斜視図
【図１１】六方晶系結晶の面方位を示す図
【図１２】従来の半導体発光素子の斜視図
３、１５ ｎ型ＧａＮ基板 ４ ｎ型ＧａＮ層 ５ ｐ型ＧａＮ層 ６ 正電極 ７、２７ 溝状のパターン ８、２９ サファイア基板 １０ ｎ型ＧａＮ層 １１ ｐ型ＧａＮ層 １２、４２ 負電極 １３、２６、４３ 正電極 １４ 線状のパターン １６、３０ 半導体発光部 ２２、３８ 窓構造 ２８ レーザバー ３１ ＡｌＮバッファ層 ３２ ｎ型ＧａＮコンタクト層 ３９ ｐ型ＧａＮコンタクト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 昌宏 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (15)
- 【請求項１】 主面を有する基板と、前記基板の主面上
に前記基板の主面と同一形状に積層された複数の半導体
層からなる半導体発光部とを有し、前記半導体層の表面
が少なくとも２辺の交わる角度が６０度または１２０度
である面形状であることを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 主面の少なくとも２辺のなす角度が６０
度または１２０度である基板と、前記基板の主面上に積
層された複数の半導体層からなる半導体発光部とを有
し、前記半導体発光部は第１の半導体層と、前記第１の
半導体層の上に形成された第２の半導体層とからなり、
前記第１の半導体層の表面は前記基板の主面と同一形状
であってかつ露出面を有し、前記第２の半導体層の表面
は前記基板の主面内にあって、前記基板の主面とは異な
る形状であることを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記基板が、（０００１）面が主面であ
る六方晶系結晶基板であることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記基板の主面の形状が正三角形または
２辺が交わる角度が６０度と１２０度の平行四辺形であ
ることを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体
発光素子。 - 【請求項５】 前記基板の主面および前記第１の半導体
層の表面が正三角形の形状であり、前記第２の半導体層
の表面が正六角形の形状であることを特徴とする請求項
２または３記載の半導体発光素子。 - 【請求項６】 前記基板の主面および前記第１の半導体
層の表面が、２辺が交わる角度が６０度と１２０度の平
行四辺形であり、前記第２の半導体層の表面が矩形であ
ることを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体
発光素子。 - 【請求項７】 第２の半導体層が複数の半導体層からな
り、その半導体層中にストライプ状の窓を有し、前記ス
トライプ状の窓に沿う方向は表面が平行四辺形の第１の
半導体層の１組の平行な側面に垂直であることを特徴と
する請求項６記載の半導体発光素子。 - 【請求項８】 前記基板の主面が正三角形である側面は
（−１１００）面、（０−１１０）面および（１０−１
０）面の組み合わせまたは（１−１００）面、（０１−
１０）面および（−１０１０）面の組み合わせであるこ
とを特徴とする請求項４または５記載の半導体発光素
子。 - 【請求項９】 前記基板の主面が平行四辺形である１組
の平行な側面の組み合わせが（１−１００）面と（−１
１００）面との組み合わせ、（１０−１０）面と（−１
０１０）面との組み合わせ、または（０−１１０）面と
（０１−１０）面との組み合わせのうちのいずれかであ
ることを特徴とする請求項４または６記載の半導体発光
素子。 - 【請求項１０】 前記半導体層がＡｌxＧａyＩｎzＮaＰ
bＡｓc（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１、ａ＋
ｂ＋ｃ＝１）であることを特徴とする請求項１、２また
は７に記載の半導体発光素子。 - 【請求項１１】 主面が（０００１）面である六方晶系
結晶の基板の主面上に複数の半導体層からなる半導体発
光部を形成し、前記基板の主面に対して［１−２１０］
方向、［２−１−１０］方向および［１１−２０］方向
に沿って線状または溝状のパターンを付け、前記パター
ンに沿って六方晶系結晶基板を正三角形に分割すること
を特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１２】 主面が（０００１）面である六方晶系
結晶の基板の主面上に複数の半導体層からなる半導体発
光部を形成し、前記基板の主面に対して［１−２１０］
方向と［２−１−１０］方向に沿って線状または溝状の
パターンを付け、前記パターンに沿って六方晶系結晶基
板を２辺が交わる角度が６０度と１２０度の平行四辺形
に分割することを特徴とする半導体発光素子の製造方
法。 - 【請求項１３】 前記パターンを付けるのに、エッチン
グを用いて線状の溝を付けることを特徴とする請求項１
１または１２記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１４】 前記パターンを付けるのに、レジスト
を用いて線状の模様を付けることを特徴とする請求項１
１または１２記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１５】 前記パターンに沿って六方晶系結晶基
板を分割するのにダイシングまたは劈開を行うことを特
徴とする請求項１１または１２記載の半導体発光素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14386598A JPH11340507A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14386598A JPH11340507A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340507A true JPH11340507A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15348797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14386598A Pending JPH11340507A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340507A (ja) |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020049348A (ko) * | 2000-12-19 | 2002-06-26 | 니 에프. 케이 | 비직각형 기판을 가지는 반도체 광전자 장치 |
| JP2002222746A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法 |
| JP2008524831A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-10 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置、照明モジュール、および照明装置、並びに半導体発光装置の製造方法、および半導体発光素子の製造方法 |
| JP2010040697A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
| US7899100B2 (en) | 2002-03-01 | 2011-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | GaN laser element |
| CN102142495A (zh) * | 2011-02-25 | 2011-08-03 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 一种led芯片 |
| CN102947492A (zh) * | 2010-06-18 | 2013-02-27 | 天空公司 | 用于光学器件的含镓和氮的三角形或菱形的配置 |
| JP2014068042A (ja) * | 2009-07-15 | 2014-04-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置、半導体発光素子の製造方法、および半導体発光装置の製造方法 |
| US20140346524A1 (en) * | 2011-08-22 | 2014-11-27 | Soraa, Inc. | Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices |
| US8905588B2 (en) | 2010-02-03 | 2014-12-09 | Sorra, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
| US8912025B2 (en) | 2011-11-23 | 2014-12-16 | Soraa, Inc. | Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process |
| US8946865B2 (en) | 2011-01-24 | 2015-02-03 | Soraa, Inc. | Gallium—nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture |
| US8994033B2 (en) | 2013-07-09 | 2015-03-31 | Soraa, Inc. | Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices |
| US9105806B2 (en) | 2009-03-09 | 2015-08-11 | Soraa, Inc. | Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations |
| US9209350B2 (en) | 2014-01-10 | 2015-12-08 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method for fabricating triangular prismatic m-plane nitride semiconductor light-emitting diode |
| US9269876B2 (en) | 2012-03-06 | 2016-02-23 | Soraa, Inc. | Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects |
| US9419189B1 (en) | 2013-11-04 | 2016-08-16 | Soraa, Inc. | Small LED source with high brightness and high efficiency |
| US9450143B2 (en) | 2010-06-18 | 2016-09-20 | Soraa, Inc. | Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices |
| JP2016192459A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US9583678B2 (en) | 2009-09-18 | 2017-02-28 | Soraa, Inc. | High-performance LED fabrication |
| US9646827B1 (en) | 2011-08-23 | 2017-05-09 | Soraa, Inc. | Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen |
| US9978904B2 (en) | 2012-10-16 | 2018-05-22 | Soraa, Inc. | Indium gallium nitride light emitting devices |
| US10115768B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-10-30 | Nichia Corporation | Light emitting device and display device |
| US10147850B1 (en) | 2010-02-03 | 2018-12-04 | Soraa, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
| WO2019043003A1 (de) * | 2017-08-31 | 2019-03-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung einer vielzahl strahlungsemittierender halbleiterchips, strahlungsemittierender halbleiterchip und strahlungsemittierender halbleiterchip-array |
-
1998
- 1998-05-26 JP JP14386598A patent/JPH11340507A/ja active Pending
Cited By (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020049348A (ko) * | 2000-12-19 | 2002-06-26 | 니 에프. 케이 | 비직각형 기판을 가지는 반도체 광전자 장치 |
| JP2002222746A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法 |
| US8824516B2 (en) | 2002-03-01 | 2014-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | GaN-based laser device |
| US7899100B2 (en) | 2002-03-01 | 2011-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | GaN laser element |
| US8170076B2 (en) | 2002-03-01 | 2012-05-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | GaN laser element |
| US8548019B2 (en) | 2002-03-01 | 2013-10-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | GaN laser element |
| US7906788B2 (en) | 2004-12-22 | 2011-03-15 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, illumination module, illumination apparatus, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing semiconductor light emitting element |
| JP2008524831A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-10 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置、照明モジュール、および照明装置、並びに半導体発光装置の製造方法、および半導体発光素子の製造方法 |
| US8022420B2 (en) | 2004-12-22 | 2011-09-20 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, illumination module, illumination apparatus, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing semiconductor light emitting element |
| US8492776B2 (en) | 2004-12-22 | 2013-07-23 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, illumination module, illumination apparatus, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing semiconductor light emitting element |
| JP2010040697A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
| US9105806B2 (en) | 2009-03-09 | 2015-08-11 | Soraa, Inc. | Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations |
| JP2014068042A (ja) * | 2009-07-15 | 2014-04-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置、半導体発光素子の製造方法、および半導体発光装置の製造方法 |
| US10693041B2 (en) | 2009-09-18 | 2020-06-23 | Soraa, Inc. | High-performance LED fabrication |
| US9583678B2 (en) | 2009-09-18 | 2017-02-28 | Soraa, Inc. | High-performance LED fabrication |
| US8905588B2 (en) | 2010-02-03 | 2014-12-09 | Sorra, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
| US10147850B1 (en) | 2010-02-03 | 2018-12-04 | Soraa, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
| US9450143B2 (en) | 2010-06-18 | 2016-09-20 | Soraa, Inc. | Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices |
| JP2013535109A (ja) * | 2010-06-18 | 2013-09-09 | ソラア インコーポレーテッド | 光学デバイス用のガリウム及び窒素含有三角形又は菱形形状の構成 |
| CN102947492A (zh) * | 2010-06-18 | 2013-02-27 | 天空公司 | 用于光学器件的含镓和氮的三角形或菱形的配置 |
| US8946865B2 (en) | 2011-01-24 | 2015-02-03 | Soraa, Inc. | Gallium—nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture |
| CN102142495A (zh) * | 2011-02-25 | 2011-08-03 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 一种led芯片 |
| US9076926B2 (en) * | 2011-08-22 | 2015-07-07 | Soraa, Inc. | Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices |
| US20140346524A1 (en) * | 2011-08-22 | 2014-11-27 | Soraa, Inc. | Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices |
| US9646827B1 (en) | 2011-08-23 | 2017-05-09 | Soraa, Inc. | Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen |
| US8912025B2 (en) | 2011-11-23 | 2014-12-16 | Soraa, Inc. | Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process |
| US9269876B2 (en) | 2012-03-06 | 2016-02-23 | Soraa, Inc. | Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects |
| US9978904B2 (en) | 2012-10-16 | 2018-05-22 | Soraa, Inc. | Indium gallium nitride light emitting devices |
| US8994033B2 (en) | 2013-07-09 | 2015-03-31 | Soraa, Inc. | Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices |
| US9419189B1 (en) | 2013-11-04 | 2016-08-16 | Soraa, Inc. | Small LED source with high brightness and high efficiency |
| US10529902B2 (en) | 2013-11-04 | 2020-01-07 | Soraa, Inc. | Small LED source with high brightness and high efficiency |
| US9209350B2 (en) | 2014-01-10 | 2015-12-08 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method for fabricating triangular prismatic m-plane nitride semiconductor light-emitting diode |
| JP2016192459A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US10115768B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-10-30 | Nichia Corporation | Light emitting device and display device |
| WO2019043003A1 (de) * | 2017-08-31 | 2019-03-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung einer vielzahl strahlungsemittierender halbleiterchips, strahlungsemittierender halbleiterchip und strahlungsemittierender halbleiterchip-array |
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