JP2002222746A

JP2002222746A - 窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002222746A
Application number: JP2001014952A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Ishida; 昌宏石田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-01-23
Filing date: 2001-01-23
Publication date: 2002-08-09

Abstract

(57)【要約】【課題】面方位等の判別が容易な窒化物半導体ウェーハ
を提供すること。【解決手段】主面が（０００１）面のＧaＮ基板であっ
て、＜１−１００＞等価方向を判別するオリエンテーシ
ョンフラットＯＦ１を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、青色半導体レーザ
などの基板に用いる、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物
半導体ウェーハの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来は、青色半導体レーザなどの窒化物
半導体を用いた半導体装置は、サファイア等の基板上に
形成されていたが、近年になってへき開の容易性などか
ら、窒化物半導体を用いた半導体装置が形成されるよう
になった。この半導体装置の基板として用いる窒化物半
導体ウェーハの製造方法としては、GaAs基板上にGａＮ
を厚膜成長させた後ＧａＡｓ基板を除去する方法（特開
平１０−１１４６００号公報に開示）や、サファイア基
板上にＧａＮを厚膜成長させた後サファイア基板を除去
する方法（特開平１０−２５６６６２号公報に開示）等
が知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、窒化物
半導体ウェーハにデバイスを形成する際には、ウェーハ
の面方位、オフ方向などを考慮する必要が生じるが、こ
の際、従来からの半導体ウェーハ材料が立方晶系である
のに対し、窒化物半導体は六方晶系であるため、窒化物
半導体特有のへき開方向を考慮して上記ウェーハの面方
位、オフ方向などを知る必要がある。

【０００４】更には、窒化物半導体材料は、特に一般に
主面をなす（０００１）面などは、ＩＩＩ族面とＶ族面
いずれかの極性があり、デバイスの形成には基板の表裏
を判別する必要があるが、窒化物半導体材料は透明であ
ることから、一見した表裏の判断が非常に困難である。
特に、窒化物半導体ウェーハ母板基板上に厚い窒化物半
導体を成長させた後、母材基板を研磨などによって除去
して作製されるため、主面の表裏両面が鏡面となってし
まい、表裏の判別が著しく困難であることが多い。

【０００５】本発明は、このような窒化物半導体ウェー
ハの特別な事情に鑑みてなされたものであり、面方位等
の判別が容易な窒化物半導体ウェーハを提供することを
目的としてなされたものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達するため
に、本発明の窒化物半導体ウェーハは、主面が（０００
１）等価面であって、＜１−１００＞等価方向を判別す
るしるしを有することを特徴とするものである。この構
成によって（０００１）面ウェーハのへき開方向である
（１−１００）等価面を判別することが可能となる。

【０００７】具体的には、本発明の窒化物半導体ウェー
ハは前記しるしを＜１−１００＞等価方向のウェーハ端
に設置することを特徴とするものである。この構成によ
ってデバイスを形成するウェーハ中央部はそのまま残し
てしるしを形成することが可能となる。具体的には、本
発明の窒化物半導体ウェーハに設置するしるしは、オリ
エンテーションフラット、切り欠き、刻印などである。

【０００８】更に、本発明の窒化物半導体ウェーハは、
前記しるしを＜１−１００＞等価方向に対して垂直な方
向のウェーハ端に設置することを特徴とするものであ
る。この構成によってデバイスを形成するウェーハ中央
部はそのまま残してへき開方向を判別するためのしるし
を形成することが可能となる。また、本発明の窒化物半
導体ウェーハは、オフ方向を判別するしるしを有するこ
とを特徴とするものである。この構成によってウェーハ
のへき開方向の指針を与えるオフ方向を判別することが
可能となる。

【０００９】また、本発明の窒化物半導体ウェーハは、
主面の表と裏とを判別するしるしを有することを特徴と
するものである。具体的には、ウェーハ端に非対称の切
り欠きを設けることでウェーハの表裏判別を可能とした
ものである。また、主面形状が線対称でないものとする
ことによってウェーハの表裏判別を可能としたものであ
る。

【００１０】上記した窒化物半導体ウェーハは、切り欠
き、オリフラなどのしるしを予め設けた基板主面に、窒
化物系半導体を成長させ、前記基板を除去することによ
って作製することが可能である。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる実施の形態
の窒化物半導体ウェーハについて図面を用いて説明す
る。 [実施の形態１]図１は、第一実施形態における窒化物半
導体ウェーハＷ１を表す図である。この窒化物半導体ウ
ェーハは、主表面を（０００１）Ｇａ面とするＧａＮウ
ェーハである。

【００１２】そして、当該ウェーハＷ１は、＜１−１０
０＞方向に垂直な面、すなわち、（１−１００）面によ
り構成される、所定の長さのオリエンテーションフラッ
トＯＦ１を有する。このようなオリエンテーションフラ
ットの存在により、（１−１００）等価面を容易に知る
ことができる。このオリエンテーションフラットＯＦ１
の長さは、短い程ウェーハの有効面積が大きくなり好ま
しいが、短すぎると以下に述べるオリエンテーションフ
ラットとスクライビング方向の平行性を確認する工程が
困難になる。従って、例えば、２インチ径のウェーハに
対しては、５ｍｍ〜１５ｍｍ程度の長さとすることが好
ましい。

【００１３】図１のウェーハＷ１のへき開方法は以下の
通りである。すなわち、ＧａＡｓのへき開などに用いら
れる一般のスクライビング装置を用い、オリエンテーシ
ョンフラットとスクライビング方向とが平行となるよう
にウェーハを設置し、所望の間隔でスクライビングを行
った後、スクライブ溝の端にメスなどを用いて力を加え
る。以上の方法により、ウェーハＷ１は歩留まりがよく
へき開を行なうことができる。また、オリエンテーショ
ンフラットＯＦ１は基板の端にあるので、デバイスを形
成するウェーハの面積をあまり小さくすることなく面方
位を示すことができる。

【００１４】ここで、図２に（０００１）面の窒化物半
導体の面方位を示している。図面上で、数字の上にバー
（−）を付した表記と数字の前にマイナス（−）を付し
た表記とは同じである。＜１−１００＞、＜−１１００
＞、＜１０−１０＞、＜−１０１０＞、＜０１−１０
＞、＜０−１１０＞は全て等価な方向であり、（１−１
００）、（−１１００）、（１０−１０）、（−１０１
０）、（０１−１０）、（０−１１０）は、全て等価な
面である。本明細書においては、＜１１−２０＞等価方
向、（１１−２０）等価面についても同様の意味で使用
する。

【００１５】なお、各実施形態において、方向及び面
は、特定の面・方向に限定するものではなく、角度関係
が同じであれば等価な面・方向に置き換えても同様の効
果が得られるのは言うまでもない。 [実施の形態２]図３は、第二実施形態における窒化物半
導体ウェーハＷ２を示す図である。このウェーハＷ２
は、上述したウェーハＷ１のオリエンテーションフラッ
トＯＦ１に替えて切り欠きＥ１を有している。この切り
欠きE１の尖った部分と中心点を結ぶ線分が＜１−１０
０＞方向を示しているので、その結果、（１−１００）
等価面を容易に知ることができる。

【００１６】この切り欠きＥ１の大きさは、視認性を損
なわない程度に小さくすることで、ウェーハの有効面積
を大きくすることが可能となる。また、切り欠きＥ１の
形状は、曲面形状や、多角形形状とすることが可能であ
るが、面方位を厳密に示すためには、尖った部分を有す
る形状とすることが好ましい。例えば、図３において
は、切り欠きＥ１を設ける方向をウェーハの＜１−１０
０＞方向とし、（０１−１０）面と（１０−１０）面で
囲まれた切り欠きとしている。特に、このようにへき開
方向と等価な面・方向を用いて切り欠きを形成した場
合、切り欠き自体もへき開面で囲まれることになるた
め、切り欠きの加工が容易となり好ましい。

【００１７】[実施の形態３]図４は、第三実施形態にお
ける窒化物半導体ウェーハＷ３を示す図である。このウ
ェーハＷ３は、上述したウェーハＷ１のオリエンテーシ
ョンフラットＯＦ１に替えて刻印Ｍ１を有している。こ
の刻印Ｍ１と中心点を結ぶ線分が＜１−１００＞方向を
示しているので、その結果、（１−１００）等価面を容
易に知ることができる。

【００１８】刻印Ｍ１を裏面に設けると、ウェーハの全
面を有効に使用することができるので好ましい。刻印Ｍ
１の形状は、円形形状や多角形形状、文字列とすること
が可能であるが、面方位を厳密に示すためには、尖った
形状とすることが好ましい。図４においては、１頂点を
ウェーハ外周方向に向けた三角形とし、この頂点の方向
によって面方位を示すようにしてある。

【００１９】ウェーハへの刻印の形成は、レーザ光を照
射する方法や焼き印等の手段によって設けることにな
る。 [実施の形態４]図５は、第四実施形態における窒化物半
導体ウェーハＷ４を示す図である。このウェーハＷ４
は、ウェーハの＜１−１００＞方向に垂直な方向のウェ
ーハ端に切り欠きＥ２を有するＧａＮ半導体基板であ
る。例えば、図５においては、切り欠きを設ける方向を
＜１１−２０＞方向とし、（−１２−１０）面と、（２
−１−１０）面で囲まれた切り欠きを形成してある。

【００２０】そして、この切り欠きE２の尖った部分と
中心点を結ぶ線分が＜１１−２０＞方向を示しているの
で、その結果、（１−１００）等価面を容易に知ること
ができる。ウェーハＷ４のへき開方法は以下の通りであ
る。すなわち、切り欠きの頂点にメスなどをあて、力を
加えることによって、ウェーハＷ４は、（１０−１０）
面で容易にへき開され２分割される。以後は、実施の形
態１におけるへき開方法と同様に、へき開によって現わ
れた（１０−１０）面に平行にスクライビングを行な
い、メスなどを用いて、容易にウェーハをバー状に分割
することが可能である。すなわち、＜１−１００＞方向
に垂直な方向に設けた切り欠きは、それ自体がへき開の
けがきとして働くことになる。

【００２１】なお、本実施形態においては、面方位を示
すしるしとして切り欠きを用いたが、オリエンテーショ
ンフラットや、刻印を用いることができるのは言うまで
もないことである。 [実施の形態５]図６は、第五実施形態における窒化物半
導体ウェーハＷ５を示す図である。このウェーハＷ５
は、主面表面が＜１１−２０＞方向に２°オフされた
（０００１）Ｇａ面であるＧａＮ基板であって、ウェー
ハの＜１１−２０＞方向の端に切り欠きＥ３を有するも
のである。

【００２２】このように設けた切り欠きE３の尖った部
分と中心点を結ぶ線分はオフ方向と対応されることにな
るので、その結果、オフ方向・へき開方向を容易に知る
ことが可能となる。オフ基板の表面には、原子レベルの
小さなステップが存在し、へき開の際にはステップの上
方にけがきを設け、下方に向けてへき開を行なうことが
望ましい。従って、ステップ方向を考慮して切り欠きＥ
３を設置することが好ましい。例えば、主面裏面側から
見てステップ上方に切り欠きを設置した場合、切り欠き
の主面裏面の側から力を付加してへき開を行なえばよ
い。

【００２３】なお、主面が＜１１−２０＞方向に２°オ
フされた（０００１）Ｇa面であるGａＮ基板において
は、ステップ方向に応じて、＜１１−２０＞方向あるい
は＜−１−１２０＞方向の２つの切り欠きを選択するこ
とが可能である。無論、切り欠きに替えて、オリエンテ
ーションフラットや刻印を用いることもできることは言
うまでもない。

【００２４】また、オフ方向が他の方向であれば、その
方向にしるしを設置すればよいことも言うまでもない。
例えば、＜１−１００＞方向にオフする場合は、＜１−
１００＞方向のウェーハ端に又は（−１１００）面のオ
リエンテーションフラットを形成することができ、この
際はオリエンテーションフラットに平行にへき開が可能
となる。ただし、＜１−１００＞方向にオフした基板を
（１−１００）面に沿ってへき開する場合は、ステップ
とオフ方向が垂直なためへき開方向を考慮する必要がな
い。

【００２５】なお、本実施形態では、（０００１）Ｇａ
面を主表面とする基板について例示しているが、他の面
方位を主表面とする基板についてもオフ方向にしるしを
設ければ同様の効果が得られる。 [実施の形態６]図７は、第六実施形態における窒化物半
導体ウェーハＷ６を示す図である。このウェーハＷ６
は、主面表面が＜１１−２０＞方向に２°オフされた
（０００１）Ｇａ面であるＧａＮ基板であって、ウェー
ハの＜１１−２０＞方向に垂直な方向、すなわち、ウェ
ーハの＜１−１００＞方向に、（１−１００）面のオリ
エンテーションフラットＯＦ２を有している。従って、
このウェーハＷ６は、オリエンテーションフラットＯＦ
２により容易にオフ方向・へき開方向を知ることができ
る。

【００２６】なお、本実施形態においては、（−１１０
０）面のオリエンテーションフラットを形成しても全く
同様に、オリエンテーションフラットに平行な方向に、
容易にへき開が可能であることは言うまでもない。ま
た、オフ方向が他の方向であれば、オフ方向に垂直な方
向にオリエンテーションフラットを設置すればよいこと
も言うまでもない。

【００２７】更に、本実施形態では、オリエンテーショ
ンフラットを用いたが、オリエンテーションフラットに
替えて切り欠きや刻印を用いるのも無論可能である。 [実施の形態７]図８は、第七実施形態における窒化物半
導体ウェーハＷ７を示す図である。このウェーハＷ７
は、主表面を（０００１）Ｇａ面とするＧａＮ基板であ
って、主面の表裏（裏面は（０００１）N面）を判別す
るための刻印Ｍ２（図ではBackなる文字列）が記されて
いる。窒化物半導体ウェーハは透明であるので、表裏両
方側から刻印を読むことが可能な場合がある。この場合
は、刻印を非線対称な形状や非線対称な文字、あるいは
記号列や文字列とすることで表裏の判別が可能となる。

【００２８】もっとも、ウェーハへの刻印などのしるし
の形成は、走査電子顕微鏡によって表裏を判別しておい
てからレーザ光を照射する方法や焼き印等の手段によっ
て設けることになる（以下同様）。なお、主表面を（０
００１）Ｇａ面以外とする基板であっても、同様の結果
が得られるのは言うまでもない。

【００２９】[実施の形態８]図９は、第八実施形態にお
ける窒化物半導体ウェーハＷ８を示す図である。このウ
ェーハＷ８は、主面の表裏を判別するために、非線対称
の切り欠きＥ４を有している。切り欠きＥ４を形成する
方向や、切り欠きを構成する面については、切り欠き形
状が非線対称であれば良く特に限定するものではない
が、切り欠きを構成する面を特定の方位の面とすること
で、主面の表裏の判別とともに、基板の面方位（へき開
方向）や、オフ方向を判別することが可能となる点で好
ましいと言える。例えば、図９に示すウェーハＷ９は、
主表面が（０００１）Ｇａ面であって、＜１１−２０＞
方向にオフしており、ウェーハの＜１１−２０＞方向の
ウェーハ端に（−１１００）面と（１０−１０）面で囲
まれた切り欠きを設けている。このウェーハの表裏及び
面方位の判断方法の一例は以下の通りである。

【００３０】まず、切り欠きＥ４のある方向が左手にな
るようにウェーハを持つ。そして、切り欠きを左に位置
させたままウェーハの半径方向にのっている面が、上方
になるように、ウェーハを回転させる。このようにすれ
ば、現在見えている面がウェーハの表面であり、ウェー
ハの左方向がオフ方向であり、へき開面は、切り欠きを
構成している面と同じである。

【００３１】このように、非線対称の切り欠きを設け、
切り欠きの設置方法や形状に応じて適切な判断法を実行
すれば、ウェーハの表裏及び面方位を容易に判断するこ
とが可能となる。なお、切り欠きを構成する特定の面方
位の候補として（１−１００）等価面以外に（１−１２
０）等価面等が挙げられることは言うまでもない。

【００３２】また、主表面を（０００１）Ｇａ面以外と
する基板であっても、非線対称の切り欠きを設ければ同
様の結果が得られることは言うまでもない。 [実施の形態９]図１０は、第九実施形態における窒化物
半導体ウェーハＷ９を示す図である。このウェーハＷ９
は、長方形の１頂点付近の裏側に刻印Ｍ３（図では丸
印）を有している。刻印Ｍ３の位置は、線対称軸上以外
であれば、特に限定されるものではないが、例えば、基
板の裏面を手前にしたとき、上方の短辺の右側付近に位
置させられるように形成することができる。長方形の窒
化物半導体は、２軸の線対称軸を有する線対称の形状で
あり、そのままでは表裏の判別は不可能である。しか
し、本実施形態のように線対称軸上以外の部分にしるし
を設けることによって、表裏の判別が可能となる。

【００３３】本実施形態の半導体ウェーハが透明であっ
て、刻印Ｍ３が両面側から認識できるので、表裏の判別
は例えば、以下のようにして行なえる。刻印Ｍ３がある
ほうの短辺が上方になるようにウェーハを置いて、刻印
Ｍ３が左になるときの手前の面が表面、刻印が右になる
ときの面が裏面である。なお、本実施形態では、ウェー
ハの形状として長方形のものとしたが、長方形以外であ
っても、線対称な図形の線対称軸以外の部分にしるしを
設けることによって、表裏の判別が可能となることは言
うまでもない。

【００３４】また、本実施形態では、主面方位に関係な
く表裏判別の効果が得られることは言うまでもない。 [実施の形態１０]図１１は、第十実施形態における窒化
物半導体ウェーハＷ１０を示す図である。このウェーハ
Ｗ１０は、長方形の１頂点付近を切り欠きＥ５を有した
５角形とすることで、非線対称な形状となっている。長
方形のように線対称な主面形状では、表裏の判別は不可
能であるが、主面形状を非線対称とすることで表裏の判
別をすることが可能となる。切り欠く頂点位置は、線対
称軸上以外であれば、特に限定するものではないが、例
えば、基板の表面を手前にしたとき、切り欠きがあるほ
うの短辺が上方になるようにウェーハを置いたときに、
上方の短辺の左側の頂点が切り欠かれている場合におけ
る、ウェーハの表裏の判断方法の一例は以下の通りであ
る。

【００３５】切り欠きがある方の短辺が上方になるよう
にウェーハを置いて、切り欠きが左になるときの手前の
面が表面、切り欠きが右になるときの手前の面が裏面で
ある。なお、主面形状を非線対称とする方法としては、
線対称な図形の一部に加工を加える方法があり、本実施
形態のように多角形の線対称軸以外の１頂点を切り欠く
方法によれば、デバイスを形成する主面の面積の減少を
最小限にしつつ、主面形状を非線対称にすることが可能
となる。

【００３６】また、本実施形態では、主面方位に関係な
く表裏判別の効果が得られることは言うまでもない。 [実施の形態１１]図１２は、第十一実施形態における窒
化物半導体ウェーハＷ１１を示す図である。このウェー
ハＷ１１は、楕円の対称軸以外の部分にオリエンテーシ
ョンフラットＯＦ３を設けた形状となっている。

【００３７】半導体ウェーハにおいては、フォトリソグ
ラフィー工程において、レジストを均一にスピンコート
するため、多角形よりも円形に近い形状が好ましい場合
がある。一方、円形では無限に対称軸を有するが、楕円
ならば対称軸は２本であるため、線対称軸以外の部分に
刻印又はオリエンテーションフラットなどのしるしを設
けることで非線対称性を付与することが可能となる。

【００３８】オリエンテーションフラットＯＦ３を設け
る位置は、線対称軸以外であれば、特に限定するもので
はないが、例えば、基板の手前が表面であり、かつ短軸
が上下方向になるように基板をおいたとき、オリエンテ
ーションフラットが左上方にある場合の表裏判別の判断
方法の一例は以下のとおりである。短軸が上下方向であ
り、オリエンテーションフラットが上方にくるようにウ
ェーハを持ったとき、オリエンテーションフラットが左
上方にくるときは、手前が表面、オリエンテーションフ
ラットが右上方にくるときは、手前は裏面である。

【００３９】また、本実施形態では、主面方位に関係な
く表裏判別の効果が得られることは言うまでもない。 [実施の形態１２]図１３は、第十二実施形態における窒
化物半導体ウェーハＷ１２を示す図である。このウェー
ハＷ１２は、ウェーハ端２箇所に異なる長さのオリエン
テーションフラットＯＦ４、ＯＦ５を有している。この
ような形状によって、均一なスピンコートが可能な円形
に近い形状で、かつ、デバイスを形成するウェーハ面積
の減少をできるだけ小さくして非線対称性を付与するこ
とが可能となる。ちなみに、同じ長さのオリエンテーシ
ョンフラットを2箇所に設けても元の形状が円形だと対
称性は付与されず、有効面積も小さくなる。

【００４０】なお、本実施形態では、オリエンテーショ
ンフラットを設ける前のもとのウェーハには円形のもの
を用いたが、他の任意の形状においても、互いに大きさ
や形状の異なるしるしを２つ設けることで表裏を判別す
ることが可能となるのは言うまでもない。この際、しる
しを設ける位置が対象軸上であっても、しるしによって
非対称性を付与させるようにすることができるので、し
るしを設ける位置は特に限定されない。

【００４１】また、このようにしるしを設ける位置は特
に限定されないが、しるしを＜１−１００＞方向を判別
する位置に形成すれば、主面の表裏と面方位を同時に判
別することが可能となり、好ましいことは言うまでもな
い。また、オフ基板などにおいては、しるしをオフ方向
を判別する位置に形成すれば、主面の表裏とオフ方向を
同時に判別することが可能となり、好ましいことは言う
までもない。

【００４２】なお、本実施形態では、主面方位に関係な
く表裏判別の効果が得られることは言うまでもない。 [実施の形態１３]図１４は、上述したような窒化物半導
体ウェーハの製造工程の一例を示す工程図である。

【００４３】この図に示すように予めオリエンテーショ
ンフラットを設けた所定の厚み（例えば、３００μｍ）
のサファイア（０００１）基板１上に、（ａ）；ＨＶＰ
Ｅなどの成長方法によりＧａＮ（０００１）２を所定の
厚み（例えば、４００μｍ）成長させ、（ｂ）；サファ
イア基板１を研磨などの方法によって除去することによ
って、（ｃ）；オリエンテーションフラットを有する所
定の厚み（例えば、４００μｍ）のＧａＮ（０００１）
基板３を得ることができる。本実施形態のような方法に
対して、ＧａＮ基板を形成しておいてからその後にオリ
エンテーションフラットを形成する方法では、オリエン
テーションフラットを設ける工程で歩留まりが低下する
場合があるのに対して、本実施形態のような方法を用い
ると、オリエンテーションフラットを設ける工程での歩
留まりの低下を防ぐことができ、低コストで窒化物半導
体ウェーハを提供することが可能となる。

【００４４】なお、以上の各実施形態では、ＧａＮ基板
を用いているが、結晶系が同じであれば何れの基板であ
っても構わない。例えば、ＡｌＧａＩｎＮ基板などを用
いても同様の効果（面方位判別、オフ方向判別、表裏判
別等の効果）が得られる。

【００４５】

【発明の効果】以上のように、本発明の窒化物半導体ウ
ェーハによれば、面方位やオフ方向や基板の表裏を容易
に判断することができる。その結果、デバイスを形成す
る方向や面を間違えずに判断することが可能となる。ま
た、本発明の窒化物半導体ウェーハの製造方法によれ
ば、歩留まりよく上記窒化物半導体ウェーハを製造する
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第一実施形態の窒化物半導体ウェーハの平面図
である。

【図２】（０００１）面を主面とする窒化物半導体ウェ
ーハの方位を示す図である。

【図３】第二実施形態の窒化物半導体ウェーハの平面図
である。

【図４】第三実施形態の窒化物半導体ウェーハの平面図
である。

【図５】第四実施形態の窒化物半導体ウェーハの平面図
である。

【図６】第五実施形態の窒化物半導体ウェーハの平面図
である。

【図７】第六実施形態の窒化物半導体ウェーハの平面図
である。

【図８】第七実施形態の窒化物半導体ウェーハの平面図
である。

【図９】第八実施形態の窒化物半導体ウェーハの平面図
である。

【図１０】第九実施形態の窒化物半導体ウェーハの平面
図である。

【図１１】第十実施形態の窒化物半導体ウェーハの平面
図である。

【図１２】第十一実施形態の窒化物半導体ウェーハの平
面図である。

【図１３】第十二実施形態の窒化物半導体ウェーハの平
面図である。

【図１４】第十三実施形態の窒化物半導体ウェーハの製
造方法を示す工程図である。

【符号の説明】Ｗ１〜Ｗ１２窒化物半導体ウェーハＯＦＸ（Ｘは数字）オリエンテーションフラットＥＸ（Ｘは数字）切り欠きＭＸ（Ｘは数字）刻印

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主面が（０００１）等価面であって、＜１
−１００＞等価方向を判別するしるしを有することを特
徴とする窒化物半導体ウェーハ。
【請求項２】前記しるしが＜１−１００＞等価方向のウ
ェーハ端に設置されていることを特徴とする請求項１に
記載の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項３】前記しるしが＜１−１００＞等価方向に対
し垂直な面により構成されるオリエンテーションフラッ
トであることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導
体ウェーハ。
【請求項４】前記しるしが＜１−１００＞等価方向のウ
ェーハ端に設けた切り欠きであることを特徴とする請求
項２に記載の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項５】前記しるしが＜１−１００＞等価方向のウ
ェーハ端に設けた刻印であることを特徴とする請求項２
に記載の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項６】前記しるしが＜１−１００＞等価方向に対
して垂直な方向のウェーハ端に設置されていることを特
徴とする請求項１に記載の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項７】前記しるしが＜１−１００＞等価方向に対
して平行な面ににより構成されるオリエンテーションフ
ラットであることを特徴とする請求項６に記載の窒化物
半導体ウェーハ。
【請求項８】前記しるしが＜１−１００＞等価方向に対
して垂直方向のウェーハ端に設けた切り欠きであること
を特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項９】前記しるしが＜１−１００＞等価方向に対
して垂直方向のウェーハ端に設けた刻印であることを特
徴とする請求項６に記載の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項１０】オフ方向を判別するしるしを有すること
を特徴とする窒化物半導体ウェーハ。
【請求項１１】前記しるしがオフ方向のウェーハ端に設
置されていることを特徴とする請求項１０に記載の窒化
物半導体ウェーハ。
【請求項１２】前記しるしがオフ方向に対して垂直な面
により構成されるオリエンテーションフラットであるこ
とを特徴とする請求項１１に記載の窒化物半導体ウェー
ハ。
【請求項１３】主面が（０００１）等価面であって、オ
フ方向が＜１−１００＞等価方向であって、前記オリエ
ンテーションフラットが前記＜１−１００＞等価方向に
垂直な面であることを特徴とする請求項１２に記載の窒
化物半導体ウェーハ。
【請求項１４】主面が（０００１）等価面であって、オ
フ方向が＜１１−２０＞等価方向であって、前記オリエ
ンテーションフラットが前記＜１１−２０＞等価方向に
垂直な面であることを特徴とする請求項１２に記載の窒
化物半導体ウェーハ。
【請求項１５】前記しるしがオフ方向のウェーハ端に設
けられた切り欠きであることを特徴とする請求項１１に
記載の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項１６】主面が（０００１）等価面であって、オ
フ方向が＜１−１００＞等価方向であって、前記切り欠
きが前記＜１−１００＞等価方向のウェーハ端に設けら
れていることを特徴とする請求項１５に記載の窒化物半
導体ウェーハ。
【請求項１７】主面が（０００１）等価面であって、オ
フ方向が＜１１−２０＞等価方向であって、前記切り欠
きが前記＜１１−２０＞等価方向のウェーハ端に設けら
れていることを特徴とする請求項１５に記載の窒化物半
導体ウェーハ。
【請求項１８】前記しるしがオフ方向のウェーハ端に設
けられた刻印であることを特徴とする請求項１１に記載
の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項１９】主面が（０００１）等価面であって、オ
フ方向が＜１−１００＞等価方向であって、前記刻印が
前記＜１−１００＞等価方向のウェーハ端に設けられて
いることを特徴とする請求項１８に記載の窒化物半導体
ウェーハ。
【請求項２０】主面が（０００１）等価面であって、オ
フ方向が＜１１−２０＞等価方向であって、前記刻印が
前記＜１１−２０＞等価方向のウェーハ端に設けられて
いることを特徴とする請求項１８に記載の窒化物半導体
ウェーハ。
【請求項２１】前記しるしがオフ方向に対して垂直な方
向のウェーハ端に設置されていることを特徴とする請求
項１０に記載の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項２２】前記しるしがオフ方向に対して平行な面
により構成されるオリエンテーションフラットであるこ
とを特徴とする請求項２１に記載の窒化物半導体ウェー
ハ。
【請求項２３】主面が（０００１）等価面であって、オ
フ方向が＜１−１００＞等価方向であって、前記オリエ
ンテーションフラットが前記＜１−１００＞等価方向に
平行な面であることを特徴とする請求項２２に記載の窒
化物半導体ウェーハ。
【請求項２４】主面が（０００１）等価面であって、オ
フ方向が＜１１−２０＞等価方向であって、前記オリエ
ンテーションフラットが前記＜１１−２０＞等価方向に
平行な面であることを特徴とする請求項２２に記載の窒
化物半導体ウェーハ。
【請求項２５】前記しるしがオフ方向に対して垂直方向
のウェーハ端に設けた切り欠きであることを特徴とする
請求項２１に記載の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項２６】主面が（０００１）等価面であって、オ
フ方向が＜１−１００＞等価方向であって、前記切り欠
きが前記＜１−１００＞等価方向に垂直な方向のウェー
ハ端に設けられていることを特徴とする請求項２５に記
載の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項２７】主面が（０００１）等価面であって、オ
フ方向が＜１１−２０＞等価方向であって、前記切り欠
きが前記＜１１−２０＞等価方向に垂直な方向のウェー
ハ端に設けられていることを特徴とする請求項２５に記
載の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項２８】前記しるしがオフ方向に対して垂直方向
のウェーハ端に設けられた刻印であることを特徴とする
請求項２１に記載の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項２９】主面が（０００１）等価面であって、オ
フ方向が＜１−１００＞等価方向であって、前記刻印が
前記＜１−１００＞等価方向に垂直な方向のウェーハ端
に設けられていることを特徴とする請求項２８に記載の
窒化物半導体ウェーハ。
【請求項３０】主面が（０００１）等価面であって、オ
フ方向が＜１１−２０＞等価方向であって、前記刻印が
前記＜１１−２０＞等価方向に垂直な方向のウェーハ端
に設けられていることを特徴とする請求項２８に記載の
窒化物半導体ウェーハ。
【請求項３１】主面の表と裏を判別するしるしを有す
ることを特徴とする窒化物半導体ウェーハ。
【請求項３２】前記しるしは、ウェーハ端に設けた非
線対称の切り欠きであることを特徴とする請求項３１に
記載の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項３３】主面が（０００１）等価面であって、
前記切り欠きは、（１−１００）面に等価な面を有する
ことを特徴とする請求項３２に記載の窒化物半導体ウェ
ーハ。
【請求項３４】主面が（０００１）等価面であって、前
記切り欠きは、（１１−２０）面に等価な面を有するこ
とを特徴とする請求項３２に記載の窒化物半導体ウェー
ハ。
【請求項３５】主面形状を線対称軸を有する線対称図
形とし、その線対称軸以外の部分にしるしが設置されて
いることを特徴とする窒化物半導体ウェーハ。
【請求項３６】主面形状が線対称でないことを特徴と
する窒化物半導体ウェーハ。
【請求項３７】主面形状は、線対称軸を有する多角形
が対称軸上にない少なくとも１頂点を切り欠かれた形状
であることを特徴とする請求項３６に記載の窒化物半導
体ウェーハ。
【請求項３８】主面形状は、楕円の対称軸上以外の部
分にしるしが設置されたものであることを特徴とする請
求項３６に記載の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項３９】第一のしるしと、前記第一のしるしと
は形状ないし大きさが異なる第二のしるしとを有するこ
とで非線対称性が付与されていることを特徴とする請求
項３６に記載の窒化物半導体ウェーハ。
【請求項４０】前記第一のしるし及び前記第二のしる
しの少なくとも一方は、＜１−１００＞方向を判別する
位置にあることを特徴とする請求項３９に記載の窒化物
半導体ウェーハ。
【請求項４１】前記第一のしるし及び前記第二のしる
しの少なくとも一方は、オフ方向を判別する位置にある
ことを特徴とする請求項３９に記載の窒化物半導体ウェ
ーハ。
【請求項４２】予めしるしを設けた基板主面に、窒化物
半導体を成長させ、前記基板を除去することを特徴とす
る窒化物半導体ウェーハの製造方法。